复旦微电子本科课程
复旦大学和上海交通大学的微电子专业哪个比较好

复旦大学和上海交通大学的微电子专业哪个比较好?仁者见仁智者见智,看看一下讨论还是有道理的。
上交微电子连博士学位授予权都没有,只能发发硕士玩玩。
建院没有几年,建院以来唯一能“拿得出手”的成果就是陈进那5颗汉芯,当然现在是什么都没有了。
复旦微电子国家重点学科、国家重点实验室、一级博士点、博士后流动站俱全,是复旦工科的领军学科,可以说代表着全国微电子最高水平。
上海交通一卡通、地铁单程IC卡,都是复旦微电子研制的。
不过由于交大其他电学方面都很好,微电子相当于借力交大工科大平台,所以发展也还不错。
不过再怎么借力,新成立的学科自然也没办法和复旦微电匹敌。
但是如果你想去其他电学类方向的专业,交大还是不错的补充:呵呵,我本来还给交大的留了面子,没想到楼下几个交大的得寸进尺,还给我搞出个复旦情节来,那就别怪我不客气了。
一群无知又想当然的人在这里叫嚣,真是搞笑啊~~~p.s.复旦微电=微电研究院+微电子学系+专用集成电路与系统国家重点实验室,广义的还包括复旦微电子公司、上海华虹集成电路,想核实数据的别忘了这些~好吧,看看数据:学科地位:对于一个二级学科,它的地位排序一般如下:普通本科专业/学士学位授予权↓硕士授予权(←←交大微电的位置。
可怜的交大微电,连博士都发不出来,在复旦就连纯工学的力学系都有博士可发,可想而知交大微电有多差)↓博士授予权↓省部级重点学科、博士后流动站等↓国家重点学科(←←复旦微电在这,这是中国一个二级学科可以达到的最高水平)而对于实验室来说:普通科研实验室、教学实验室(←←交大微电几个实验室都在这,当然复旦微电也有好几个这种最普遍的实验室)↓省部级重点实验室↓国家重点实验室(←←复旦微电的顶尖实验室,在全国IC领域唯一)在微电领域有复旦工艺第一,清华算法第一的说法。
要不是清华靠着政治地理优势抢走,第二代身份证本来应该是复旦微电做的。
看看历史:复旦微电:1956年谢希德院士(曾任复旦校长)创办半导体物理专业。
复旦本科数学培养方案

复旦本科数学培养方案
复旦大学数学系本科培养方案
1. 培养目标
通过培养,学生应具备以下基本能力:
(1)具有坚实的数学基础知识和较强的数学思维能力;
(2)熟练掌握高等数学、数理统计、概率论、实变函数、复变函数等数学学科中的基本理论和基本方法;
(3)掌握一门外语,能阅读数学类英文文献;
(4)具有较强的计算机应用能力和数据处理能力。
2. 课程设置
数学系本科课程设置包括数学及相关基础科学课程、通识课程、艺术体育和实践课程。
其中核心课程如下:
(1)高等数学:微积分学、线性代数、常微分方程、多元统计数据分析等;
(2)数学专业类课程:实变函数、群论与线性代数、复变函数、广义函数与偏微分方程、常微分动力系统、微分几何等;
(3)选修课程:金融与数学、离散数学、数值分析、非线性优化、组合数学、拓扑学、非参数统计、时序分析、推荐系统等。
3. 实践教学
数学系注重实践教学,为学生提供实践课程和实践项目。
实践项目包括本科科研和创新性实践。
学生在实践中能够深入了解和应用所学知识,提高综合素质。
4. 考核评价
考核评价方式包括考试、作业、报告、实验和项目等多种形式。
评价方式旨在检验学生是否掌握了所学知识和能力,同时培养学生的思辨能力和实践能力。
5. 对口升学与就业
数学系本科学生毕业后可以选择深造或就业。
毕业生可以考研读研究
生,获得硕士或博士学位。
毕业生也可就业从事金融、信息技术、科研、教学等相关领域。
复旦大学本科教学培养方案、选课、 分流方案介绍(定稿)

复旦大学本科教学培养方案、选课规则、专业分流方案介绍目录一、复旦大学本科七大类包含的专业 (1)二、本科教学培养方案 (3)〔一〕通识教育课程 (3)〔二〕文理基础课程〔仅对跨院系招生与培养大类基础课程作介绍〕 (4)1、历史学类 (4)2、社会科学试验班 (5)3、经济管理试验班 (5)4、自然科学试验班 (6)5、医学试验班 (7)其他:心理学和护理学专业 (7)〔三〕专业教育 (8)三、选课注意事项 (9)四、复旦大学跨院系专业大类学生选专业工作方案 (15)附件1:复旦大学2011级留学生〔包括港澳台学生〕修读说明复旦大学教务处2011年8月25日一、复旦大学本科七大类包含的专业〔一〕新生第一年按七个专业大类组织实施教学。
我校现有本科学科门类包含人文类、社会科学类类、经管类、数学类、自然科学类、技术科学类和医学类七个大类;其中2011年有五个实施跨院系招生与培养的大类,各专业大类与所涉及院系、专业的关系如表1。
表1.复旦大学本科七大类专业对应的专业院系。
学习文档仅供参考教2,*: 心理学和护理学专业,在跨学科课程设置上有独特之处,将单独介绍。
〔二〕课程代码:本科教学三大类课程的代码规则见“课程代码使用说明”〔见《2011年本科教学培养方案》第9页〕。
1、每门课程有一个由十位字母、数字组成的代码。
2、左起第一至四位大写英文字母是课程的学科专业编码〔或院系、教学单位英文名简写和缩写〕,说明该课程的开课院系。
3、左起第五位数字是课程面向学生的代号,“1”代表本科教育课程〔本教学培养方案的课程均为本科教育课程〕。
4、第六位数字是课程性质的代号,即“1”代表通识教育课程;“2”代表文理基础课程;“3”代表各专业课程。
5、第七至十位数字表示该课程在这一个序列的顺序号。
“通识教育核心课程”是在通识教育课程代码“1”后面的4位顺序号的第一位数字为“9”。
例如:中国古代文学名著赏析 课程代码是:CHIN110001 CHIN 1 1 0001代表课程的学科专业编码〔或院系英文名缩写〕,说明该课程的开课院系〔CHIN 代码是中国语言文学系〕; “1”代表本科教育课程;代表课程性质,“1”表示通识教育课程; 表示课程在这一个系列的顺序号。
复旦大学微电子882半导体器件原理完整版

一.选择题15*61。
p+-n结耗尽层宽度主要取决于:BA:p+区浓度B:n区的浓度C:p+区和n区的浓度2。
二极管正向阈值电压Vf:bA:随温度升高而升高B:随温度升高而下降C:不随温度变化3。
p-n结隧穿电压比雪崩击穿电压:BA:来得大B:来得小C:在同一数量级上4。
双极型晶体管共基极连接:A:只有电流放大作用B:既有电流放大作用又有电压放大作用C:无电流放大有电压放大5。
晶体管基区运输系数主要决定于:cA:基区浓度B:基区电阻率和基区少子寿命C:基区宽度和基区少子扩散长度6。
npn平面晶体管发射效率与发射区浓度关系;CA:发射区浓度越高发射效率越高B:发射区电阻率越高发射率越高C:发射区浓度不能太高否则发射率反而下降7。
电子迁移率等于1500,400K温度下其扩散系数为:BA:39B:52C:708。
题目给出mos结构的Qsc~ψs关系图,要求判断其衬底是什么型(n型,p 型,中性)9.理想的mos结构C~V关系图与实际的C~V关系图的差别是:A:只有p型时,向负方向平移一段距离B:n型时向正方向平移一段距离C:向负方向平移一段距离,与类型无关10.mos管"缓变沟道近似"是指:A:垂直与沟道方向电场和沿沟道方向电场变化很慢B:沿沟道方向的电场变化很慢C:沿沟道方向的电场很小11.mos工作时的沟道夹断点电压Vdsat:A:与栅电压Vgs无关B:在长沟道与短沟道是不同C:始终等于Vgs-Vt12.nos管体电荷变化效应是指;A:衬源偏压Vbs对阈值电压Vt的影响B:沟道耗尽层受栅压Vgs影响而对电流Ids影响C:沟道耗尽层受栅压漏源电压Vds影响而对电流Ids影响13.mos亚阈值电流的主要特征:具体选项没记下,主要是电流随Vgs指数变化,当Vds大于3KT/q时电流与Vds关系不大14.nos管短沟道效应是指:选项没有记下15.控制cmos倒相管latch-up最有效的方法:A:提高沟道电场B:等比率缩小器件C:增大衬底电阻二.名词解析5*61.试说明迁移率的定义是什么?其量纲是什么?2.试说明mos管沟道长度调变效应及其影响3.试说明mos管有放大作用的基本原理4.试说明mos管的频率特性和其基本参数的关系5.试说明如何降低n沟道mos集成倒相器静态工作时的功耗三.计算题1*30有一个n沟道mos场效应管,衬底浓度Na=10^17(cm^-3),氧化层厚度Tox=50nm,氧化层中正电荷密度Nss=10^10(cm^-2),金属AL的功函数Wm=4.2ev,硅的电子亲和势为4.05ev.试求该管的阈值电压Vt,它是什么型?在Vg=3v,Vds=2v时,它工作在什么区?(注:其他的所有常数都没有给出)器件题目:一单项选择题5'*12(部分选项可能与实题有出入)1.在P正-N结中耗尽层的宽度取决于A.NaB.NdC.Na和Nd2.在二极管中,正向阈值电压Vf和温度的关系是A.Vf随温度升高而上升B.Vf随温度升高而下降C.Vf不随温度变化3.二极管中的隧道击穿电压和齐纳击穿电压相比A.隧道击穿电压高B.齐纳击穿电压高C.两个击穿电压在一个数量级之上4.P正-N结中,势垒电容的大小取决于aA.NaB.NdC.Na和Nd5.双极型p-n-p晶体管中,发射区掺杂浓度和发射效率的关系是A.掺杂浓度越高,发射效率越高B.掺杂浓度和发射效率没有关系C.掺杂浓度并非越高越好,过高反而会降低发射效率6.在双极型晶体管中,使用Ge-Si基区的目的是(选项记不清了)A.提高发射效率并且降低基区电阻B.提高基区输运系数C.仅仅为了提高发射效率7.在双极型晶体管中,基区输运系数与什么有关A.发射区掺杂浓度B.基区宽度和少子扩散长度C.基区掺杂浓度和少子分布8.在漂移基区晶体管中,基区内建电场与什么因素关系最大A.少子浓度分布B.掺杂浓度C.基区宽度9.在N沟道耗尽型MOS管中,何时沟道会消失A.Vg<VtB.Vg>VtC.Vg>010.MOS管的沟道电流与以下那些因素有关(选项记不清了,知道公式就能选对)11.MOS管的阈值电压与以下那些因素有关(同上)12.MOS管的短沟道效应会导致以下什么的发生A.沟道电流和阈值电压都增大B.沟道电流增大C.阈值电压增大二计算题30'*31.根据以下四个MOS电容中直流电荷的分布图,判断1)衬底类型2)MOS电容工作在什么区3)画出MOS表面能带图(四个图为半物课本MOS结构中的那几张,因为我现在手里没有半物书,具体是否一一对应暂时不明)2.已知IDSS=10^-4A,VDSAT=4V,Vt=0.8V1)求VGS2)若VGS=2V,VDS=2V,求IDS3)若VGS=3V,VDS=1V,再求IDS3.已知在CMOS集成倒相器中,tox=50nm,p-sub衬底浓度为4.5*10^16,Nss=2*10^10(这个数量级记不清了),Al的功函数为4.2V,p阱的注入浓度为3*10^17,Vdd=3V求倒相管和负载管的阈值电压。
复旦大学本科教学培养方案、选课、 分流方案介绍(定稿)

复旦大学本科教学培养方案、选课规则、专业分流方案介绍目录一、复旦大学本科七大类包含的专业........................................ 错误!未定义书签。
二、本科教学培养方案................................................................ 错误!未定义书签。
(一)通识教育课程............................................................ 错误!未定义书签。
(二)文理基础课程(仅对跨院系招生与培养大类基础课程作介绍).错误!未定义书签。
1、历史学类.................................................................... 错误!未定义书签。
2、社会科学试验班.......................................................... 错误!未定义书签。
3、经济管理试验班.......................................................... 错误!未定义书签。
4、自然科学试验班.......................................................... 错误!未定义书签。
5、医学试验班.................................................................. 错误!未定义书签。
其他:心理学和护理学专业...................................... 错误!未定义书签。
(三)专业教育.................................................................... 错误!未定义书签。
复旦本科生课表

复旦本科生课表1. 课程概述复旦大学本科生课表是指复旦大学本科生在一个学期内所需上的所有课程的安排表。
本文将详细介绍复旦大学本科生课表的相关信息,包括课程种类、课程时间安排、选修和必修课程等内容。
2. 课程种类复旦大学本科生课表中包含了多个不同种类的课程,主要包括以下几类:2.1 必修课必修课是所有本科生都必须修读的基础性和专业性课程。
这些课程通常涵盖了学生所在专业领域的核心知识和技能。
例如,在经济学专业中,微观经济学、宏观经济学等都是必修课。
2.2 选修课选修课是根据学生个人兴趣和发展需求进行选择的非强制性课程。
学生可以根据自己的兴趣和专业规划选择适合自己的选修课。
选修课的内容多样化,涵盖了各个领域的知识。
2.3 实践类课程实践类课程是为了培养学生实际操作能力而设置的课程。
例如,实验课、实习课等都属于实践类课程。
通过这些课程,学生可以将理论知识应用到实际中,并培养解决问题和实践能力。
2.4 通识教育课程通识教育课程是为了培养学生全面发展和综合素质而设置的跨学科综合性教育课程。
这些课程涵盖了人文、社会科学、自然科学等多个领域的知识,帮助学生拓宽视野和提高综合素质。
3. 课程时间安排复旦大学本科生的课表按照周次和时间段进行安排。
一般来说,一个星期有五天上课,每天有多个时间段可供选择。
3.1 周次安排一个学期一般分为16周或者18周,根据具体的教学计划而定。
每周的上课时间根据具体情况进行安排,有些专业可能会有更加紧凑或者松散的上课安排。
3.2 时间段安排每天上午8:00-12:00为上午时间段,下午1:30-6:00为下午时间段,晚上7:00-9:30为晚上时间段。
不同课程会在不同的时间段进行安排,以便学生能够合理安排自己的课程和学习时间。
4. 选修和必修课程复旦大学本科生课表中既包含了必修课程,也包含了选修课程。
4.1 必修课程必修课程是根据学生所在专业的要求而设定的,所有学生都必须按照规定修读。
微电子科学与工程排名

微电子科学与工程排名篇一:微电子科学与工程专业大学排名篇二:微电子国内排名微电子主要有两个大方向:和工艺,尤其很缺人.工艺应该是清华第一,北大第二.在设计方向的排名如下:1.复旦大学微电子系:复旦是个传统的偏文的,工科大多数很烂,但却出了复旦大学微电子这个怪胎.全国五大集成电路公司的老总,三个是复旦的.拥有全国最好的实验设备,最优秀的师资.其实,就学术上看,复旦微电子未必是最有成就的,但就经济成就、学以至用,复旦确是最成功的.系主任闵昊同时兼任华虹的总经理,个人资产约6亿人民币。
复旦微电子历史上出过7个个人资产在1亿人民币以上的教师。
你看看微电子考研的专业课科目:模拟电路、数字逻辑、模拟CMOS集成电路设计、数字集成电路、专用集成电路,很多都是别的研究生才上的课程.据我所知,在集成电路设计企业,刚毕业硕士的起薪,一般复旦就要比华中科技大学、浙江大学、东南大学、成电、西电高百分之五十,当然是平均水平,个体的特殊情况例外。
2.清华微电子.3.北大微电子.4.微电子.5.华中科技大学6.浙江大学7.东南大学(指的是东南系的射光所,而东南电子工程系的微电子很烂)8.成电9.西电在这九所学校中,复旦、清华应该属于第一档次;北大属于第二档次;上海交通大学属于第三档次;华中科技大学、浙江大学、东南大学属于第四档次;成电、西电属于第五档次篇三:微电子排名1 中国高校微电子排名电子科学技术一级学科下设四个二级学科,分别是物理电子学,电磁场与微波技术,电路与系统,微电子与固体电子学国家重点学科分布如下:电子科大:物理电子学,电磁场与微波技术,电路与系统,微电子与固体电子学西电:电磁场与微波技术,电路与系统,微电子与固体电子学清华:电路与系统,微电子与固体电子学,物理电子学北大:物理电子学,微电子与固体电子学复旦:电路与系统,微电子学与固体电子学北邮:电磁场与微波技术,电路与系统东南:电磁场与微波技术上海交大:电磁场与微波技术西安交大:微电子与固体电子学华中科大:物理电子学北京理工大学:物理电子学南京大学:微电子与固体电子学吉林大学:微电子与固体电子学哈工大:物理电子学西北工大:电路与系统通信工程一级学科下设两个二级学科,分别是通信与信息系统,信息与信号处理清华大学通信与信息系统,信息与信号处理北京邮电大学通信与信息系统,信息与信号处理电子科技大学通信与信息系统,信息与信号处理西安电子科技大学通信与信息系统,信息与信号处理东南大学通信与信息系统,信息与信号处理北京交通大学通信与信息系统,信息与信号处理北京大学通信与信息系统浙江大学通信与信息系统中科大通信与信息系统华南理工通信与信息系统哈工大通信与信息系统北京理工大学通信与信息系统上海交通大学通信与信息系统电子与通信重点学科分布:电子科大 6清华 5西电 5北邮 4北大 3东南 3北理工 3上交 2哈工大 2复旦 2北京交大 2华南理工,华中科大,西安交大,中科大,浙大,西北工大,南京大学,吉林大学各一个国家重点实验室(电子与通信,不包括光学及光电)分布如下:电子科技大学 2 电子薄膜与集成器件实验室宽带光纤传输与通信系统技术实验室清华大学 1 微波与数字通信技术实验室北京邮电大学 1 程控交换技术与通信网实验室东南大学 1 移动与多点无线电通信系统实验室复旦大学 1 专用集成电路与系统实验室西电 1 综合业务网理论及关健技术实验室北大上交 1 区域光纤通信与相干光纤通信实验室电子科学与技术一级学科中科院院士的高校分布:(不包括光学与光电子学,控制,计算机,材料物理,信息遥感等学科方向,不包括双聘兼职及名誉院士)北京大学:王阳元微电子与固体电子学清华大学:李志坚微电子与固体电子学电子科技大学林为干电磁场与微波技术电子科技大学陈星弼微电子与固体电子学电子科技大学刘盛纲物理电子学与电子相关的通信电子系统方面的中科院士:西安电子科技大学保铮雷达,通信与电子系统哈尔滨工业大学刘永坦雷达,通信与电子系统北京理工大学王越雷达,通信电子系统上海交通大学张熙通信系统北京邮电大学叶培大微波通信北京邮电大学陈俊亮通信电子以上中科院士名单见中科院信息技术与科学部院士名单电子通信两个一级学科中工程院士分布:(不包括光学与光电子学,控制,计算机,材料物理,遥感信息等学科方向,不包括双聘,兼职及名誉院士)北京理工大学毛二可雷达电子东南大学韦钰电子东南大学孙忠良电磁场与微波技术清华大学吴佑寿数字通信电子科技大学李乐民通信系统哈工大张乃通通信系统北京邮电大学周炯磐通信系统国防科技大学郭桂蓉通信电子以上见工程院网页电子与通信两院院士分布如下: 电子科大 4北邮 3东南 2。
复旦微电子 专业课参考书目

专业课参考书目
研究生
研究方向
考试科目
参考书
硕士
01/03专业集成电路设计、计算机辅助设计与测试
881电子线路及集成电路设计
①《数字逻辑基础》,陈光梦编,复旦大学出版社
②《模拟电子学基础》,陈光梦编,复旦大学出版社。或者《模拟电子技术基础》(第三版),童诗白编,高等教育出版社
③《专用集成电路设计方法》,复旦大学微电子学系自编讲义
882半导体器件原理
①《双极型与MOS半导体器件原理》黄均鼐等,复旦大学出版社
②《半导体器件物理基础》(第1、2、3、5章)曾树荣,北京大学出版社
博士
01集成电路设计、CAD和测试
291微电子学概论
参考书1:第1~3章;参考书2:第1~5章。参考书3:第1~5章。
783集成电路设计方法
参考书2;参考书3
MS
03半导体材料、器件和工艺
291微电子学概论
参考书1:第1~3章;参考书2:第1~5章。参考书3:第1~5章。
784半导体器件与工艺
参考书1第1~6章;第10~14章
参考书1、半导体器件:物理与工艺》(第二版),施敏著,苏州大学出版社,2002年12月。
参考书2、《Digital Integrated Circuits: A Design Perspective》,Jan M. Rabaey著,英文翻印《数字集成电路设计透视》,清华大学出版社,1999年。
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复旦微电子本科课程安排
一、培养目标及培养要求:
本专业培养掌握微电子学专业所必需的基础知识、基本理论和基本实验技能,能
在微电子学及相关领域从事科研、教学、科技开发、工程技术、生产管理与行政管理等工
作的高级专门人才。
要求学生具有良好素质、道德修养和创新能力,具备扎实的数学、物理、外语基
础,掌握大规模集成电路及新型半导体器件的设计、制造及测试所必需的基本理论和方法,具有电路分析、工艺分析、器件性能分析和版图设计等的基本能力。
二、招生与培养规模
复旦大学信息科学与工程学院微电子学系招收微电子学专业全日制本科生,具体招生人数列入每年的复旦大学本科招生计划。
本专业同时接受复旦大学各专业学生转入就读,接受转专业学生计划每年在教务处网站上公布,具体考核程序根据《信息学院各专业转专业工作实施细则》进行。
三、学位及学分要求:
学生在学期间必须修满教学计划规定的150学分方能毕业。
其中,综合教育课程41学分;文理基础课程32学分;专
▪软件基础
▪微机原理与接口A
▪高频电子线路
七、毕业论文:
▪本科毕业论文书写规范
▪信息学院本科毕业论文工作管理实施办法
▪相关下载:
•毕业论文评分表
•复旦大学本科生毕业论文(设计)检查情况记录
•复旦大学本科生毕业论文(设计)开题报告
•信息学院毕业论文指导教师情况表及课题
•信息学院毕业设计学生申请表
相关联接:复旦大学本科生培养。