模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模拟电子技术习题及答案
习题55.1在以下几种情况下，应分别采用哪种类型的滤波电路〔低通、高通、带通、带阻〕。
（1）从输入信号中提取100kHz～200kHz的信号；（2）抑制1MHz以上的高频噪声信号；（3）有用信号频率为1GHz以上的高频信号；（4）干扰信号频率介于1 kHz～10 kHz；解答：〔1〕带通滤波器；〔2〕低通滤波器；〔3〕高通滤波器；〔4〕带阻滤波器。
5.2在以下各种情况下，应分别采用哪种类型〔低通、高通、带通、带阻〕的滤波电路。
〔1〕抑制50Hz交流电源的干扰；〔2〕处理具有1Hz固定频率的有用信号；〔3〕从输入信号中取出低于2kHz的信号；〔4〕抑制频率为100kHz以上的高频干扰。
解：〔1〕带阻滤波器〔2〕带通滤波器〔3〕低通滤波器〔4〕低通滤波器5.3填空：〔1〕为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
〔2〕输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
〔4〕为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：〔1〕带阻〔2〕带通〔3〕低通〔4〕有源5.4无源一阶RC低通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.5无源一阶RC高通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.6 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路那么以 /十倍频斜率衰减。
阶数越 ，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。
解答：-20 dB ，-40 dB ，高。
5.7 试求题图所示电路的传递函数和频率响应表达式。
题图解答：()1v sR C A s sR C =+，j (j )1j v R CA R Cωωω=+5.8 题图5.8中所示为一个一阶低通滤波器电路，试推导输入与输出之间的传递函数，并计算截止角频率H ω。
模拟电子技术习题及答案11
习题1111. 1 判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）只要集成运放引入正反馈，就一定工作在非线性区。
（ ）（2）当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。
（ ） （3）一般情况下，电压比较器的集成运放工作在开环状态，或者引入了正反馈。
（ ） （4）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（ ）（5） 如果一个迟滞比较器的两个阈值电压和一个窗口比较器的相同，那么当它们的输入电压相同时，它们的输出电压波形也相同。
（ ） （6）在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器和迟滞比较器的输出电压均只跳变一次。
（ ） （7）单限比较器比迟滞比较器抗干扰能力强，而迟滞比较器比单限比较器灵敏度高。
（ ）答案：（1）√（2）√ (3) √ (4) × (5) × (6) √ (7) ×11.2选择题(1)某一理想运算放大器开环工作，其所接电源电压为CC V ±，当输入对地电压+v ＞-v 时的输出电压O v 近似为（ ）。
A ． －2V CC B. －V CC C. +2 V CC D. + V CC (2)电路如题图11.2.2，过零比较器为( )。
A. 图 aB. 图bC. 图 cD.没有过零比较器(3)题图11.2.3电路中，已知运放的电源电压为±12V ，稳压管的稳定电压V 62Z 1Z ==V V ，正向压降近似为零。
若输入电压I 5sin V v t ω=，参考电压V 4R =V ，那么输出电压O v 的最大值为( )。
A. 4VB. 6VC. 5VD. 3V-图b图c题图11.2.2答案：（1）D （2）BC （3）B11.3试求出题图11.3电路的电压传输特性。
解：电路是同相过零比较器，传输特性如题图11.3.1。
11.4 在题图11.4各电路中，稳压管和二极管的正向导通电压近似为零，试分别求解图(a)-(c)各电路的电压传输特性。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1
习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ， 当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ， 当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ， 当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ， 当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。
解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
模拟电子技能技术总结习题及答案
精心整理模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
456781．1A2．A3A4A5A1．12341．1值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U＝(6—0.7)V＝5.3V。
(b)令二极管断开，可得UP ＝6V、UN＝10V，UP<UN，所以二极管反向偏压而截止，U＝10V。
(c)令V1、V2均断开，UN1＝0V、UN2＝6V、UP＝10V，UP—UN1>Up—UN2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U＝0.7V。
2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出ui 、u、iD的波形。
解：输入电压ui 为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u＝0，而流过二极管的电流iD ＝ui／R，为半波正弦波，其最大值IDm＝10V／1kΩ＝10mA；当ui为负半周时，二极管反偏截止，iD ＝0，u＝ui为半波正弦波。
因此可画出电压u电流iD的波形如图(b)所示。
3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知UZ ＝5V，IZ＝5mA，电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关s断开和闭合时，电压表和电流表、读数分别为多大?解：当开关S断开，R2支路不通，IA2＝0，此时R1与稳压二极管V相串联，因此由图可得可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5V。
当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得R2两端压降为故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R1、R2构成串联电路，电流表A1、A2的读数相同，即而电压表的读数，即R2两端压降为3.6V。
第2章半导体三极管及其基本应用2．1填空题12种载流子参与导电。
模拟电子技术复习题+参考答案
模拟电子技术复习题+参考答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、射极输出器是典型的（）。
A、电压并联负反馈；B、电压串联负反馈。
C、电流串联负反馈；正确答案：B3、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案：A4、二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。
（）A、对 :B、错正确答案：B5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。
A、正确 ;B、错误正确答案：A6、双极三极管是一种（）A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案：B7、理想集成运放的输入电阻为（）。
A、0；B、不定。
C、∞；正确答案：C8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。
A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案：C10、基本放大电路中的主要放大对象是( )。
A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。
正确答案：B11、晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。
（）A、对 :B、错正确答案：B12、集成运放的非线性应用存在( )现象。
A、虚断;B、虚地;C、虚断和虚短。
正确答案：A13、若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏。
D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：B14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：A15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。
模拟电子技术考试模拟题+答案
模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案：C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案：C3、为了提高交流放大电路的带负载能力，应选用( )作为输出级。
A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案：C4、功率放大电路的转换效率是指( )。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案：B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案：B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。
A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案：A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。
A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案：D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。
稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案：A10、安装桥式整流电路时，若将其中一只二极管虚焊，则通电工作时可能产生的后果是( )。
A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案：B11、在固定偏置放大电路中，如果负载电阻增大，则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案：C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真，则该放大电路产生了( )失真。
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模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作( D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
( √)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
( ×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
( ×)1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。
(b)令二极管断开，可得U P＝6 V、U N＝10 V，U P<U N，所以二极管反向偏压而截止，U0＝10 V。
(c)令V1、V2均断开，U N1＝0V、U N2＝6V、U P＝10V，U P—U N1>Up—U N2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U0＝0.7 V。
2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出u i、u0、i D的波形。
解：输入电压u i为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u0＝0，而流过二极管的电流i D＝u i／R，为半波正弦波，其最大值I Dm＝10 V ／1 kΩ＝10 mA；当u i为负半周时，二极管反偏截止，i D＝0，u0＝u i为半波正弦波。
因此可画出电压u0电流i D的波形如图(b)所示。
3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知U Z＝5 V，I Z＝5 mA，电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关s 断开和闭合时，电压表○V和电流表○A1、○A2读数分别为多大?解：当开关S 断开，R 2支路不通，I A2＝0，此时R 1与稳压二极管V 相串联，因此由图可得Z A I mA K V R U U I >=Ω-=-=5.62)518(1211可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V 。
当开关S 闭合，令稳压二极管开路，可求得R 2两端压降为Z R U U R R R U <=⨯+=+=6.3185.025.012122故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R 1、R 2构成串联电路，电流表A 1、A 2的读数相同，即mA K V R R U I I A A 2.75.021821121=Ω+=+==）（而电压表的读数，即R 2两端压降为3.6 V 。
第2章 半导体三极管及其基本应用2．1 填空题1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有2 种载流子参与导电。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。
4．当温度升高时，晶体管的参数β 增大 ，I CBO 增大 ，导通电压U BE减小。
5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数β约为99 。
6．某晶体管的极限参数I CM=20mA、P CM=100mW、U(BR)CEO=30V，因此，当工作电压U CE=10V时，工作电流I C不得超过10 mA；当工作电压U CE=1V 时，I C不得超过20 mA；当工作电流I C=2 mA时，U CE不得超过30 V。
7．场效应管从结构上可分为两大类：结型、MOS ；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、增强型。
8．U GS(off)表示夹断电压，I DSS表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。
2．2 单选题1．某NPN型管电路中，测得U BE=0 V，U BC= —5 V，则可知管子工作于( C )状态。
A．放大B．饱和C．截止D．不能确定2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B )。
A．NPN型低频小功率硅晶体管B．NPN型高频小功率硅晶体管C．PNP型低频小功率锗晶体管D．NPN型低频大功率硅晶体管3．输入( C )时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A．正弦小信号B．低频大信号C．低频小信号D．高频小信号4．( D )具有不同的低频小信号电路模型。
A．NPN型管和PNP型管B．增强型场效应管和耗尽型场效应管C．N沟道场效应管和P沟道场效应管D．晶体管和场效应管5．当U GS＝0时，( B )管不可能工作在恒流区。
A．JFET B．增强型MOS管C．耗尽型MOS管D．NMOS管6．下列场效应管中，无原始导电沟道的为( B )。
A．N沟道JFET B．增强~AI PMOS管C．耗尽型NMOS管D．耗尽型PMOS管2．3 是非题1．可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。
( ×) 2．MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。
( √) 3．EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
( ×) 4．结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
( √) 5．场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。
( √)2．4 分析计算题1．图T2．1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。
解：(a)U BE=U B—U E＝0.7—0＝0.7V，发射结正偏；U BC=U B—U C＝0.7—3＝—2.3 V，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
(b) U BE =U B —U E ＝2—3＝—1V ，发射结反偏；U BC =U B —U C ＝2—5＝—3 V ，集电结反偏因此晶体管工作在截止状态。
(c) U BE =U B —U E ＝3—2.3＝0.7V ，发射结正偏；U BC =U B —U C ＝3—2.6＝0.4V ，集电结正偏因此晶体管工作在饱和状态。
(d)该管为PNP 型晶体管U EB =U E —U B ＝(—2)—(—2.7)＝0.7V ，发射结正偏；U CB =U C —U B ＝(—5)—(—2.7)＝—2.3V ，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
2．图T2．2所示电路中，晶体管均为硅管，β=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的I B 、I C 、U CE 。
解：(a)方法一：mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω-= 设晶体管工作在放大状态，则有 I C ＝βI B ＝100×0.053＝5.3mAU CE ＝12—5.3×3＝—3.9 V<0说明上述假设不成立，晶体管已工作在饱和区。
令晶体管的饱和压降U CE(Sat)＝0.3 V ，则集电极电流为mA R U V I C sat CE CC CS 9.313.012)(=-=-= 因此可得晶体管的I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V 方法二：mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω-= mA R U V I Csat CE CC CS 9.313.012)(=-=-= mA I I CS BS 039.01009.3===β 因为I B >I BS ，所以晶体管处于饱和状态，因而有I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V(b) A mA K V I B μ4.80084.0510)7.06(==Ω-= 设晶体管工作在放大状态，则有I C ＝100×0.008 4 mA ＝0.84 mAU CE ＝5 V —0.84×3＝2.48 V> U CE(Sat)说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果正确。
(c)基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则I B ＝0，I C ＝0，U CE ＝5 V3．放大电路如图T2．3所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。
解：(a)将C1、C2断开，即得直流通路如下图(a)所示；将C1、C2短路、直流电源对地短接，即得交流通路如下图(b)所示；将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图(c)所示。
(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图(a)、(b)、(c)所示。
出各管的转移特性曲线。
解：(a)为P沟道耗尽型MOS管，它的转移特性曲线如下图(a)所示，其特点是u GS＝0时，i D＝—I DSS(b)为N沟道增强型MOS管，它的转移特性曲线如下图(b)所示，其特点是u GS＝0时，i D＝0(c)为N沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图(c)所示，其特点是u GS＝0时，i D＝I DSS，且u GS≤0第3章放大电路基础3．1 填空题1．放大电路的输入电压U i＝10 mV，输出电压U0＝1 V，该放大电路的电压放大倍数为100 ，电压增益为40 dB。
2．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。
3．共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为 1 ，输入电阻大，输出电阻小。