发光二极管的伏安特性
发光二极管工作电压和电流
发光二极管工作电压和电流发光二极管，也称LED（Light Emitting Diode），是一种电子元件，能将电能转化为光能，实现可见光的发射。
发光二极管的工作电压和电流是影响其发射光强和发射颜色的重要参数。
一、发光二极管的基本结构和原理发光二极管的基本结构是由n型半导体和p型半导体材料构成，两种材料接触区域构成p-n结。
在外加正向电压作用下，载流子在p区域中汇合，产生正电荷和负电荷的复合过程中释放出能量，此能量被吸收，使材料中的原子进入激发态，随即从激发态跃迁回到基态时，释放出光子能量，即发出光线。
二、工作电压发光二极管的工作电压是指在正向导通时所需的最小电压值。
对于不同颜色的LED，其工作电压是不同的。
例如，红外线LED的工作电压很低，大约只有1.2V左右，而红色LED的工作电压约为1.65V，黄色LED约为2.2V，绿色LED约为2.6V，蓝色LED约为3.6V，白色LED约为3.3V。
发光二极管的工作电压是由其结构和材料的物理特性决定的。
简单来说，较高工作电压的LED结构相对较厚，材料间的距离较远，需要较高的电压才能使载流子穿过p-n结并产生光子发射。
因此，随着LED结构和材料的不同，工作电压也会有所差异。
三、工作电流发光二极管的工作电流是指在正向导通时流经LED的电流值，其大小直接影响其发射光强的大小。
LED的最大工作电流不应超过其额定电流值，否则可能引起热失控或烧毁。
发光二极管的工作电流取决于应用场景和设计要求。
一般来说，LED的额定工作电流与其发光强度成正比。
在一定范围内提高工作电流可以增加LED的发光强度，但是过高的电流会导致LED温度升高，从而降低其寿命和稳定性。
此外，发光二极管的发光效率和工作电流也有一定的关系，一定电流下，发光效率较高的LED发光强度也会较高。
四、总结发光二极管的工作电压和电流是决定其工作效能和发光强度的重要参数。
不同颜色和结构的LED具有不同的工作电压和工作电流值。
物理师范论文——发光二极管伏安特性的研究
摘要 (2)关键词 (2)一引言 (3)二实验原理 (4)2.1发光二极管的基本工作原理 (4)2.2伏安特性 (5)三实验部分 (7)3.1实验装置 (7)3.2实验内容 (7)3.2.1发光二极管伏安特性的测量 (7)3.2.2. 开启电压法测波长由开启电压 (7)3.2.3注意事项 (8)3.3实验数据记录与处理 (8)3.4实验结论 (14)四结束语 (15)五实验心得 (16)参考文献 (17)致谢 (18)摘要本文主要测量红光，白光，蓝光，绿光和黄光五种发光二极管的正向伏安特性可使我们深入理解发光二极管的发光原理、特性及其测量方法。
通常以电压为横坐标、电流为纵坐标，画出该元件电流和电压的关系曲线，称为该元件的伏安特性曲线。
AbstractIn this paper, measure the red, white, blue, green and yellow, five light-emitting diode forward voltage characteristics allows us to understand the light-emitting diode light-emitting principle, characteristics and measurement methods. Usually abscissa voltage, current vertical axis, draw the curve of the components of current and voltage, known as the volt-ampere characteristic curve of the component.关键词发光二极管伏安特性电流源法KeywordLight-emitting diodes Volt-ampere characteristic Current source method一引言发光二极管（ＬＥＤ）是基于注入式电致发光原理制成的,发光二极管和白炽灯相比,具有工作电压低、功耗小、体积小、重量轻、小型化、易于和集成电路相匹配、驱动简单、寿命长、耐冲击、性能稳定、响应速度快、单色性较好、价格便宜等一系列优点,因此在很多领域,它都可获得广泛应用。
半导体发光二极管测试国标(精)
基于LED各个应用领域的实际需求，LED的测试需要包含多方面的内容，包括：电特性、光特性、开关特性、颜色特性、热学特性、可靠性等。
1、电特性LED是一个由半导体无机材料构成的单极性PN结二极管，它是半导体PN结二极管中的一种，其电压-电流之间的关系称为伏安特性。
由图1可知，LED电特性参数包括正向电流、正向电压、反向电流和反向电压，LED必须在合适的电流电压驱动下才能正常工作。
通过LED电特性的测试可以获得LED的最大允许正向电压、正向电流及反向电压、电流，此外也可以测定LED的最佳工作电功率。
图 1 LED伏安特性曲线LED电特性的测试一般利用相应的恒流恒压源供电下利用电压电流表进行测试。
2、光特性类似于其它光源，LED光特性的测试主要包括光通量和发光效率、辐射通量和辐射效率、光强和光强分布特性和光谱参数等。
（1）光通量和光效有两种方法可以用于光通量的测试，积分球法和变角光度计法。
变角光度计法是测试光通量的最精确的方法，但是由于其耗时较长，所以一般采用积分球法测试光通量。
如图2所示，现有的积分球法测LED光通量中有两种测试结构，一种是将被测LED放置在球心，另外一种是放在球壁。
_h:^E8(_ d图 2 积分球法测LED光通量此外，由于积分球法测试光通量时光源对光的自吸收会对测试结果造成影响，因此，往往引入辅助灯，如图3所示。
图3 辅助灯法消除自吸收影响在测得光通量之后，配合电参数测试仪可以测得LED的发光效率。
而辐射通量和辐射效率的测试方法类似于光通量和发光效率的测试。
（2）光强和光强分布特性图4 LED光强测试中的问题如图4所示，点光源光强在空间各方向均匀分布，在不同距离处用不同接收孔径的探测器接收得到的测试结果都不会改变，但是LED由于其光强分布的不一致使得测试结果随测试距离和探测器孔径变化。
因此，CIE-127提出了两种推荐测试条件使得各个LED在同一条件下进行光强测试与评价，目前CIE-127条件已经被各LED制造商和检测机构引用。
发光二极管(LED)和LD
LED的应用
数字显示用显示器 利用LED进行数字显示， 有点矩阵型和字段型两种方 式。点矩阵型如图示，使 LED发光元件纵横按矩阵排 列，按需要显示的数字只让 相应的元件发光。为进行数 字显示，每个数字需要７行 ５列的矩阵，共需35个元件。 除数字之外，还可显示英文 字符、罗马字符、日文假名 等，其视认性也很好。
LED的应用
光源 LED除用做显示器件外，还可用做各种装置、 系统的光源。如电视机、空调等的遥控器的光源。 在光电检测系统及光通信系统中，也可作为发射 光源来使用。当然在这两个领域中的应用有一定 限制，如由于LED相干长度短，不适合做为大量 程干涉仪的光源；在目前的数字光纤通信系统中， 由于光纤存在色散特性， LED的宽光谱将导致 脉冲的展宽，限制系统的通信容量， LED只适 合于低速率、短距离光纤通信系统。
LED的特点及应用
５、寿命长，基本上不需要维修。可作 为地板、马路、广场地面的信号光源， 是一个新的应用领域。
LED的应用
指示灯 在LED的应用中，首先应举出的是 各种类型的指示灯、信号灯， LED正在 成为指示灯的主要光源。LED的寿命在 数十万小时以上，为普通白炽灯的100倍 以上，而且具有功耗小、发光响应速度 快、亮度高、小型、耐振动等特点，在 各种应用中占有明显的优势.
LD的谐振腔
注入电流
解理面
有源区
解理面
L
R1 Z＝0
增益介质
R2 Z＝L
LD的阈值条件
光在谐振腔内往返一次不衰减的条件为：
gL L 1/ 2 ln 1 R1R2
式中R1，R2为谐振腔两个反射面的反射率， g为增益系数，L为谐振腔长， α为损耗系数。 端面损 内部损 总损耗 + 总增益 耗 耗
发光二极管的伏安特曲线
发光二极管的伏安特曲线发光二极管（LED）是一种半导体器件，其伏安特（V-I）曲线是描述其电流与电压之间关系的曲线。
由于LED的特殊结构和材料，它的V-I曲线具有许多独特的特征。
本文将介绍发光二极管的V-I曲线、其特点以及如何使用它。
1. 发光二极管的基本结构和原理一个标准的LED由一个n型半导体和一个p型半导体组成。
其中n型半导体中的电子和p型半导体中的空穴在结界面处相遇并结合成激子（复合电子或复合空穴）。
这种复合释放出能量，一部分通过声子散射转化为热能，另一部分则以光子形式辐射出来，从而实现发光。
电流在LED中的流动通过注入电子和空穴实现，n型半导体中自由电子的密度比p型半导体中的空穴密度高，当在两个半导体之间加上外电压时，电子和空穴将被注入LED中，并在结界面处发生复合。
在LED正向偏压下，大量的电子与空穴在结界面内相遇，形成复合激子，并进一步形成光子并导致LED的发光。
LED的V-I曲线具有许多独特的特征。
下面是一些可能与LED V-I曲线有关的特点：（1）具有正向启动电压在LED正向偏置时，必须达到一定的电压才能促使电子和空穴结合，并产生光子。
这个电压被称为LED的正向启动电压。
通常，正向启动电压在1.8V到3.0V之间，并且取决于LED的颜色和材料。
（2）电流的线性响应一般情况下，LED的V-I曲线是近似于线性的。
这意味着，LED的电流响应近似于输入电压或电流，因此可以将LED视为一个具有线性响应的电阻。
（3）具有温度依赖性LED的发光效率和正向启动电压通常随温度升高而下降。
这是因为随着温度升高，复合激子和电子空穴的散射强烈程度增加，从而减少能够发射出光子的数量。
（4）有反向电导当电压增加到LED负向偏置时，反向电流是非常小的，通常在几毫安以下。
但是，当反向偏压接近LED的破坏电压时，反向电流会急剧增加，这可能会导致LED破坏。
3. 使用发光二极管的V-I曲线LED的V-I曲线是非常有用的，可用于设计和控制电路中的LED。
LED发光二极管检测方法
1．发光二极管特点发光二极管LED（Light-Emitting Diode）是能将电信号转换成光信号结型电致发光半导体器件。
其关键特点是：（1）在低电压（1.5～2.5V）、小电流(5～30mA)条件下工作，即可取得足够高亮度。
（2）发光响应速度快（10-7～10-9 s），高频特征好，能显示脉冲信息。
（3）单色性好，常见颜色有红、绿、黄、橙等。
（4）体积小。
发光面形状分圆形、长方形、异形（三角形等）。
其中圆形管子外径有φ1、φ2、φ3、φ4、φ5、φ8、φ10、φ12、φ15、φ20（mm）等规格，直径1 mm属于超微型LED。
（5）防震动及抗冲击穿性能好，功耗低，寿命长。
因为LEDPN结工作在正向导通状态，本射功耗低，只要加必需限流方法，即可长久使用，寿命在10万小时以上，甚至可达100万小时。
（6）使用灵活，依据需要可制成数码管、字符管、电平显示器、点阵显示器、固体发光板、LED平极型电视屏等。
（7）轻易和数字集成电路匹配。
2．发光二极管原理发光二极管内部是含有发光特征PN结。
当PN结导通时，依靠少数载流子注入和随即复合而辐射发光。
一般发光二极管外形、符号及伏安特性图1所表示。
LED正向伏安特征曲线比较陡，在正向导通之前几乎有电流。
当电压超出开启电压时，电流就急剧上升。
所以，LED属于电流控制型半导体器件，其发光亮度L（单位cd/m2，读作坎[德拉]每平方米）和正向电流IF近似成正双，有公式L =K IFm式中，K为百分比系数，在小电流范围内（IF=1～10mA），m=1.3～1.5。
当IF＞10mA时，m=1，式（5.10.1）简化成L =K IF即亮度和正向电流成正比。
以磷砷化镓黄色LED为例，相对发光强度和正向电流关系图2所表示。
LED正向电压则和正向电流和管芯半导体材料相关。
使用时应依据所要求显示亮度来选择适宜IF值（通常选10mA左右，对于高亮度LED可选1～2mA），既确保亮度适中，也不会损坏LED。
发光二极管的技术参数
发光二极管的技术参数
一、亮度
发光二极管（LED）的亮度是指在特定电流下，单位面积上光通量的大小。
亮度常用单位是cd/m²（坎德拉每平方米）。
亮度与LED 的发光面积、发光强度和散热情况等因素有关。
二、色温
发光二极管的色温是指其发光颜色的暖度（色调），常用单位是开尔文（K）。
色温越高，光越偏蓝，反之越偏黄。
常见的白光LED的色温为3000K-7000K。
对于不同应用场景，选择合适的色温非常重要。
三、电流与电压
发光二极管通常需要驱动电路来提供恰当的电流和电压。
电流的大小影响发光二极管的亮度和寿命，而电压的大小则取决于其发光二极管颜色和封装方式等因素。
例如，红色LED的典型电压范围为1.8V-2.2V，而蓝色和绿色LED的典型电压范围则为2.8V-3.6V，需要根据具体情况进行选择。
四、寿命
发光二极管的寿命指的是其在特定工作环境下的使用寿命，一般来说为2-10万个小时。
寿命与LED的结构、封装、散热、工作温度等因素有关。
在使用过程中，要注意散热，避免过高温度对其寿命造成影响。
以上是发光二极管常见的一些参数，掌握这些参数对于应用领域的选择和设计非常重要。
发光二极管作为一种高效、节能、环保的光
源，被广泛应用于照明、显示、信号指示等领域。
发光二极管(LED)与LD
方向性很好，光束的发散角只有 (球面度)。而半导体激光器的方向 性要差得多。
LD的主要特性
在光纤通讯与光纤传感技术中，激光器方向 性的好坏影响到它与光纤耦合的效率。单模光纤 芯径小，数值孔径小，此项指标更为重要。
LD的主要特性
4.光谱特性 由于半导体的导带，价带都有一 定的宽度，所以复合发光的光子有较 宽的能量范围，因而产导体激光器的 发射光谱比固体激光器和气体激光器 要宽。 半导体激光器的光谱随激励电流 而变化，当激励电流低于阈值电流时， 发出的光是荧光。这时的光谱很宽， 其宽度常达百分之几微米。如图 (a) 所示。当电流增大到阈值时，发出的 光谱突然变窄，谱线中心强度急剧增 加。这表明出现了激光。其光谱为 分布如图 (b)所示。由此可见知 光谱变窄，单色性增强是半导体激光 器达到阈值时的一个特征，因而可通 过激光器光谱的测量来确定阈值电流。
半导体激光器（LD）
半导体激光器，也称激光二极管（Laser Diode，LD），是一种光学振荡器。 产生激光要满足以下条件：
一、粒子数反转；
二、要有谐振腔，能起到光反馈作用，形成
激光振荡；形成形式多样，最简单的是法布 里——帕罗谐振腔。 三、产生激光还必须满足阈值条件，也就是 增益要大于总的损耗。
g 1/ 2L ln 1 R1R2
LD的主要特性
半导体激光器是半导体二极管，它具有 半导体二极管的一般特性，还具有激光器所 具有的光频特性 。
正向电流 （mA）
1、伏安特性
半导体激光的伏安特性与一般 半导体二极管相同，具有单向导电 性。其伏安特性曲线如图所示。由 于工作时加正向偏压，所以其结电 阻很小。其正向电阻值主要由材料 的体积电阻和引线的接触电阻来决 定。这些电阻虽然很小，但由于工 作电流很大，其作用不能忽略。