模电习题册
模电 练习题
11
第一章 练习题
3.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该 三极管（）。 A.处于放大区域 B.处于饱和区域 C.处于截止区域 D.已损坏
答案：D
12
第一章 练习题
4. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位 分别为0V、－10V和－9.3V，则该管为（ ）。 A、NPN硅管 B、NPN锗管 C、PNP硅管 D、PNP锗管
A：C极，B：B极，C：E极，NPN管
10
第一章 练习题
2. 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地 电位分别为VA＝-9V，VB＝-6V，VC＝-6.2V，试分 析A、B、C中哪个是基极b、发射级e、集电极c、并 说明此BJT是NPN管还是PNP管。
A：C极，B：E极，C：B极，PNP锗管
答案：A
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第一章 练习题
5.用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对 于某一参考点的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作 在（ ）。 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、倒置状态
答案：C
14
第一章 练习题
场效应管判断类型
方法：
N、P沟道判断：看iD正负（正N、负P） 增强、耗尽型判断：uGS=0时有无电流（有耗尽、无增强） 结型、绝缘栅判断：uGS=0时，如果电流最大值（结型），无iD 最大值（绝缘栅）
D1处于截止状态、D2处于导通状态 VAO＝－6V。
5
第一章 练习题
4. 试判断图中的二极管是导通还是截止，为什么？ （假设二极管是理想的）
VA＝1V VB＝1+2.5＝3.5V D处于反向截止状态。
6
第一章 练习题
VA＝1V VB＝2.5－1＝1.5V D处于反向截止状态。
模电模块三习题册答案
模电模块三习题册答案模电模块三习题册是电子工程专业的一门重要课程，通过解答习题可以帮助学生巩固所学的电路分析和设计知识。
在这篇文章中，我将为大家提供一些模电模块三习题册的答案，希望对大家的学习有所帮助。
第一题：给定一个电路，其输入电压为10V，电阻为100Ω，求电路中的电流和电压。
解答：根据欧姆定律，电流可以通过公式I = V/R计算得出，其中V为电压，R 为电阻。
所以，电流I = 10V / 100Ω = 0.1A。
而电压等于电流乘以电阻，即V = I * R = 0.1A * 100Ω = 10V。
因此，电路中的电流为0.1A，电压为10V。
第二题：给定一个电路，其输入电压为5V，电感为0.1H，电容为0.01F，求电路中的谐振频率。
解答：根据谐振频率的公式f = 1 / (2π√(LC))，其中L为电感，C为电容。
将给定的数值代入公式中，可以计算得出谐振频率。
所以，f = 1 / (2π√(0.1H *0.01F)) = 1 / (2π√(0.001)) ≈ 159.15Hz。
因此，电路中的谐振频率约为159.15Hz。
第三题：给定一个放大电路，其输入电压为1V，输入电阻为10kΩ，放大倍数为100，求输出电压和输出电流。
解答：根据放大倍数的定义，输出电压等于输入电压乘以放大倍数。
所以，输出电压Vout = 1V * 100 = 100V。
而输出电流可以通过输出电压除以输出电阻得出，即Iout = Vout / Rout。
由于题目中没有给出输出电阻的数值，无法计算出具体的输出电流。
第四题：给定一个滤波电路，其输入电压为10V，电容为1μF，电阻为1kΩ，求电路中的输出电压。
解答：滤波电路可以通过电容和电阻的组合来实现对输入信号的滤波。
在这个电路中，电容和电阻的组合决定了滤波的特性。
根据滤波电路的公式Vout = Vin / (1 + jωRC)，其中Vin为输入电压，ω为角频率，R为电阻，C为电容。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
《模拟电子技术基础》习题册(1).doc
3VO-9.3V8.5V第三章双极型晶体管及其基本放大电路【3・1】填空：1. 双极型晶体管可以分成 _____________ 和 ________________两种类型，它们工作 时有 _________ 和 ________ 两种载流子参与导电。
2. 当温度升高时，双极性晶体管的0将 _______ ,反向饱和电流©0将 _________ ， 正I 对结圧降S JE 将 ______ °3. 当使用万用表判断电路中处于放大状态的某个双极型晶体管的类型与三个电极时, 测出 ____________________ 报为方便。
4. 当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 _______________ ,输岀特性曲线 将 ___________ ,而且输岀特性|11|线Z 间的间隔将_____________ 。
[3-2]用力•用表肓流电斥档测得电路屮晶体管各极对地电位如图3・2所示，试判断晶体管分别处于哪种T 作状态（饱和、截止、放大）?图3-2[3-3]分别画岀图3・3所不备电路的肯流通路和交流通路。
I2.3V+6V（(b )a 3-3R B 490kQo-K cc(-10V) R C3kO<11K■o+ "BEa 3-5”CE %3kQ【34】放大电路如图3・4(a)所示，晶体管的输出特性Illi线以及放大电路的交、直流负载线如图34(b)所示。
设U BE=0.6V,张=3000，试问：1.计算心、瓦、他。
2・若不断加大输入正弦波电压的幅值，该电路先出现截止失真还是饱和失真？刚出现失真时，输出电压的峰峰值为多大？3.计算放大电路的输入电阻、电压放大倍数久和输出电阻。
4.若电路中其他参数不变，只将晶体管换一个0值小一半的管子，这时厶。
、心、Ug以及|血|将如何变化？【3・5】在如图3・5所示的基木放大电路中，设晶体管的/?=100, t7BE Q=-0.2V, r bb-200Q, Ci，C2足够大。
(完整版)哈工大模电习题册答案
【2-1】 填空：1．本征半导体是 ，其载流子是 和 。
两种载流子的浓度 。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。
3．漂移电流是 在 作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是 和 。
5．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。
它工作在 。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 、 、 、和 。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。
1. 完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。
2. 杂质浓度，温度。
3. 少数载流子，(内)电场力。
4. 单向导电性，正向导通压降U F 和反向饱和电流I S 。
5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z ），工作电流（I Emin ），最大管耗（P Zmax ）和动态电阻（r Z ）6. 增大;【2-2】电路如图2.10.4所示，其中u i =20sinωt (mV)，f =1kHz ，试求二极管VD 两端电压和通过它的电流。
假设电容C 容量足够大。
-+-+C R+k 5ΩV 6iu VD+-D u Di a)(图2.10.4 题2-5电路图1．静态分析静态，是指u i =0，这时u i 视作短路，C 对直流视作开路，其等效电路如图1.4.2(a)所示。
不妨设U D =0.6V则D D 6V (60.6)V1.08mA 5kU I R --===Ω 对于静态分析，也可以根据二极管的伏安特性曲线，用图解法求解。
2．动态分析对于交流信号，直流电源和电容C 视作短路；二极管因工作在静态工作点附近很小的范围内，故可用动态电阻r d 等效，且D d D1ir u ∆=∆，由此可得等效电路如图1.4.2(b)所示。
二极管伏安特性方程：)1e (TD/S D -=U u I i (1.4.1)由于二极管两端电压U D ?U T =26 mV ，故式1.4.1可简化为：TD/S D e U u I i ≈TD D Dd d d 1U I u i r ≈=Ω==≈07.241.08mA26mVD T d I U r 所以d i d d d 0.02sin (V)0.83sin (mA)24.07()u u t i t r r ωω===≈Ω 3．交流和直流相叠加)(mA sin 83.008.1d D D t i I i ω+=+=)(V sin 02.06.0d D D t u U u ω+=+=4．u D 和i D 波形如图1.4.2(c)、(d)所示。
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
《模拟电路》练习册及答案
《模拟电子电路》练习册（答案）第一讲练习题填空1．半导体中的载流子有两种导电运动，一种称为（扩散）运动，另一种称为（漂移）运动。
2．半导体中有两种载流子：一种是（自由电子）、另一种是（空穴）。
3．半导体中的扩散运动是由于载流子（浓度的不均匀）而引起的。
4．半导体中的漂移运动是由于载流子（在电场的作用下）而引起的。
5．本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（少）。
6．在本征半导体中加入五价元素后,将形成（N ）型半导体。
7．在本征半导体中加入三价元素后, 将形成（P ）型半导体。
8．N型半导体中空穴是（少数）载流子。
9．P型半导体中空穴是（多数）载流子。
10．P型半导体中自由电子是（少数）载流子。
11．N型半导体中自由电子是( 多数）载流子。
12．PN结中的电流当温度升高时将会（增加）。
13．二极管的主要特性是它的（单向导电性）。
14．二极管的正向电阻比反向电阻（小）得多。
15．二极管的伏安特性是I = Is（e x p V / Vt —1 ）。
16．硅管的门限电压约为( 0.6 ) V 。
17．锗管的门限电压约为( 0.2 ) V 。
18．稳压二极管稳压时应工作于( 反向击穿区) 。
选择 ( 黑体字为答案 )21. N型半导体或P型半导体都属于(杂质半导体）。
22.半导体中的扩散运动是由于（载流子浓度的不均匀）而形成。
23.二极管的反向电阻比正向电阻( 大) 得多。
24. PN结中载流子的漂移运动是由于(电场的作用)而产生的。
25. MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻( 大得多)。
26. PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层(变宽），流过PN结的电流(很小）。
27. P型半导体中空穴是(多数载流子）。
28. N型半导体中自由电子是(多数载流子)。
29.在本征半导体中掺入少量三价铟元素,将产生(空穴），形成(P ) 型半导体。
30.P型半导体中空穴是(多数载流子)。
31.PN结中载流电子的扩散运动和漂移运动( 相同) 。
《模拟电子技术基础》习题册
第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应 。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。
模电习题
模拟电子技术课程习题第一章习题1-1 PN 结上存在内电场，用导线将P 区端和N 区端短接起来，导线中是否有电流流过？若加光照或加热，导线中是否有电流？为什么？1-2 如用万用表的电阻档测量二极管的正向电阻时，发现用R ×10档测出的电阻值较用R ×100档测得的电阻值小，试用伏安特性曲线解释。
1-3 如图题1.3所示，试判断电路中哪个二极管导通，哪个二极管截止?设各二极管导通时的正向压降为0.7V ，求U 0。
(a) （b ）题1-3图1-4一个二极管工作在正向导通阶段是否有稳压作用?稳压管工作在正向导通阶段是否有稳压作用。
为什么?1-5两只稳压管的稳定电压分别是4V 和6V ，它们的正向导通电压为O ．7V ，试问用它们串联和并联可以得到几种稳压值?1-6 如图1-6所示，若电源电压的有效值为12V ， A 、B 、C 为三只相同的灯泡，问哪只灯泡最亮，并求各灯泡两端电压的平均值。
题1-6图1-7 有人用万用表测量二极管反向电阻时，为了使表棒和二极管引线接触好一些，用双手把两端捏紧，结果测得二极管的反向电阻比较小，认为不合格，但在设备上却正常工作，这是什么原因？这样的操作和判断是否正确?为什么?1-8要使稳压性能好，稳压管的稳压值是大一些好还是小一些好?工作电流是大一些好还是小一些好?温度系数是大一些好还是小一些好?1-9既然三极管有两个PN 结，可否用两个二极管相联以构成一只三极管？说明理由。
1-10 一只NPN型的三极管，具有e、b、c三个电极，能否将e、c两个电极交换使用？为什么？1-11一块正常工作的放大电路板上，测得某晶体管的三只管脚对地电压分别为-6V,-6.2V,-9V，试问这只晶体三极管是PNP型还是NPN型？是锗管还是硅管？并确定各管脚哪个是基极、发射极、集电极。
1-12 测量某硅三极管的各极对地电压值如下：1）V C=6V，V B=7V，V E=0V；2）V C=6V，V B=67V，V E=5.4V; V C=3.6V，V B=47V，V E=3.40V 试判别管子工作在什么区域?1-13能不能用鉴别晶体管的简易方法来鉴别场效应管的三个电极和它的性能好坏?1-14 场效应管的跨导是大一些好还是小一些好？如果管子已经确定，为了使跨导大一些应该如何改变U GS的变化范围？第二章习题2-1 说明如图2-1放大电路中的R B和R C的作用。
模电习题（含答案）
模电习题（含答案）1. _⾮常纯净的单晶体结构的半导体_ 称本征半导体。
2. 杂质半导体分_N _型半导体和_P _型半导体，前者中多数载流⼦是_⾃由电⼦_，少数载流⼦是_空⽳_，后者中多数载流⼦是_空⽳_，少数载流⼦是_⾃由电⼦_。
3. 本征硅中若掺⼊5价元素的元素，则多数载流⼦应是_⾃由电⼦_，掺杂越多，则其数量⼀定越_多_，相反，少数载流⼦应是_空⽳_，掺杂越多，则其数量⼀定越_少_。
4. P 区侧应带_负电_，N 曲⼀侧应带_正电_。
空间电荷区内的电场称为_内电场_，其⽅向从_N 区_指向_P 区_。
5. 在PN 结两侧外加直流电压，正端与P 区相连，负端与N 区相连，这种接法称之为PN 结的_正向_偏置。
6. 半导体三极管的输⼊特性曲线与⼆极管的正向特性相似，⽽输出特性曲线可以划分为三个⼯作区域，它们是_截⽌_区、_饱和_区和_放⼤_区。
7. 温度变化对半导体三极管的参数有影响，当温度升⾼时，半导体三极管的β值_增⼤_，ICBO 值_增⼤_，UBE 值_减⼩_。
8. 半导体三极管能够放⼤信号，除了内部结构和⼯艺特点满⾜要求外，还必须具备的外部⼯作条件是_发射结正偏、集电结反偏_。
9. ⼯作在放⼤区的某晶体管，当IB 从20微安增⼤到40微安时，Ic 从2毫安变为4毫安，它的β值约为_100_。
10. 半导体三极管的三个极限参数是_CM I _、_CEO RB U )(_、_CM P _。
11. NPN 型硅三极管处于放⼤状态时，在三个电极电位中，其电位⾼低关系为_E B C U U U >>_；基极和发射极电位之差约等于_0.7V _ 。
12. 半导体三极管从结构上分可以分为_PNP _型和_NPN _型两⼤类，他们⼯作时有_⾃由电⼦_、_空⽳_两种载流⼦参与导电。
13. 在⽤万⽤表测量⼆极管的过程中，如果测得⼆极管的正反向电阻都为0Ω，说明该⼆极管内部已_击穿_；如果所测得的正反向电阻都为⽆穷，说明该⼆极管已_断路损坏_。
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专业 姓名 学号 成绩
3-1、基本放大电路如图（a ）（b ）所示，图（a ）虚线框内为电路Ⅰ，图（b ）虚线框内为电路Ⅱ。
由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图（c ）、（d ）、（e ）所示，它们均正常工作。
试说明图（c ）、（d ）、（e ）所示电路中
（1）哪些电路的输入电阻比较大；（2）哪些电路的输出电阻比较小；（3）哪个电路的s
u A =s o U U 最大。
3-2、设图所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路。
3-3 判断图中所示各两级放大电路中，T1和T2管分别组成哪种组态(共射、共基、共集接法)。
设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。
专业 姓名 学号 成绩
3-4 设下图中各电路的静态工作点合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出u
A •、i R 、o R 的表达式。
3-5电路如图，已知T1、T2的8021 ，
V U U BEQ BEQ 7.021 ， 200b b r ，试求（1）T1、T2的静态工作点I CQ 及U CEQ ；（2）差模电压放大倍数；（3）差模输入电阻和差模输出电阻。
3-6、电路如图所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，'bb r =100Ω，静态时｜U B EQ ｜≈。
试求：
（1）静态时T 1管和T 2管的发射极电流。
（2）若静态时u O ＞0，则应如何调节R c 2的值才能使u O ＝0V 若静态u O ＝0V ，则R c 2＝电压放大倍数为多少。