模电 习题答案(精选.)

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模电习题库答案

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模电习题库答案⼀、填空题1、P型半导体多数载流⼦为空⽳,⽽N型半导体的多数载流⼦为电⼦。

2、为了使三极管具有放⼤作⽤,要求外加电压保证发射结正偏,集电结反偏。

3、甲类功放电路管⼦的导通⾓为2π,⼄类功放电路管⼦的导通⾓为π。

4、同相⽐例运算电路可实现Au>1的放⼤器;反相⽐例运算电路可实现Au<0的放⼤器。

5、差分放⼤电路能够放⼤差模信号,⽽抑制共模信号。

6、在具有反馈的放⼤电路中,如果令输出电压0u,反馈信号消失,说明它o的反馈类型属于电压反馈,否则就是电流反馈。

KH信号通过,应该选7、在某个信号处理系统中,要求让输⼊信号中的10~15ZKH的⼲扰信号,不使其通过可采⽤带通滤波器,如果要抑制20~30Z⽤带阻滤波器。

8、振荡电路的⾃激振荡条件中,幅值平衡条件为AF=1,相位平衡条件为:ψa+ψf=2nπ。

9、当静态⼯作点Q的位置偏低,⽽输⼊电压u的幅值⼜相对较⼤,则很容易引i起截⽌失真,当静态⼯作点Q的位置偏⾼,⽽输⼊电压u的幅值⼜i相对较⼤,则很容易引起饱和失真。

10、正弦波振荡电路由放⼤器、正反馈⽹络和选频⽹络和稳幅环节四部分构成。

11、PN结外加正向偏置电压时,在外电场的作⽤下,空间电荷区的宽度要变窄,于是多⼦的扩散运动将增强。

12、当三极管⼯作在放⼤区(线性区)时,集电极电流的变化基本与Uce⽆关,⽽主要受 Ib 的控制。

13、半导体中的载流⼦为电⼦和空⽳。

14、三极管根据结构不同可分成PNP型和NPN 型。

15、共模抑制⽐K等于差模放⼤倍数与共模放⼤倍数之⽐的绝对值,CMRK值越⼤,表明电路抑制共模信号的能⼒越强。

CMR16、在对放⼤电路的输⼊、输出电阻的影响中,串联负反馈的影响是使输⼊电阻的阻值增⼤,⽽电压负反馈的影响是使得输出电阻的阻值减⼩。

17、在某个信号处理系统中,为了获得输⼊电压中的低频信号,应该选⽤低通滤波器,为了避免50HZ电⽹电压的⼲扰进⼊放⼤器,应该选⽤带阻滤波器。

模电复习题答案

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模电复习题答案一、选择题1. 在模拟电路中,运算放大器的基本工作模式包括:A. 非线性区B. 线性区C. 饱和区D. 所有以上答案:B. 线性区2. 理想运算放大器的输入阻抗是:A. 有限的B. 无穷大C. 零D. 1欧姆答案:B. 无穷大3. 一个理想的运算放大器的输出阻抗是:A. 无穷大B. 零C. 有限的D. 1欧姆答案:B. 零4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减少增益C. 提高稳定性D. 降低噪声答案:B、C、D5. 差分放大器的主要优点是:A. 提高增益B. 抑制共模信号C. 减少噪声D. 降低功耗答案:B. 抑制共模信号二、填空题1. 运算放大器的________特性使其在模拟电路设计中得到广泛应用。

答案:高输入阻抗,低输出阻抗2. 在设计放大器时,通常使用________来提高电路的稳定性和增益。

答案:负反馈3. 差分放大器能够有效地放大两个输入端之间的________,而抑制两个输入端共同的信号。

答案:差模信号4. 理想运算放大器的开环增益是一个非常大的数值,通常表示为________。

答案:无穷大5. 在模拟电路中,________是用来描述电路对信号进行线性或非线性处理的能力。

答案:放大能力三、简答题1. 简述运算放大器的基本组成及其工作原理。

答案:运算放大器通常由输入级、中间级和输出级组成。

输入级通常为差分放大器,用于接收两个输入信号并放大它们之间的差异。

中间级通常由多级放大器构成,用于提供增益。

输出级则将信号转换为适合负载的电压或电流。

运算放大器的工作原理基于负反馈原理,通过调整反馈网络,可以实现不同的放大功能。

2. 解释什么是负反馈,并说明它在放大器设计中的作用。

答案:负反馈是指将放大器的输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端的过程。

在放大器设计中,负反馈可以减少增益,但同时可以提高电路的稳定性和线性度,降低非线性失真和噪声,改善频率响应。

四、计算题1. 假设有一个非理想的运算放大器,其开环增益为1000,输入阻抗为2MΩ,输出阻抗为100Ω。

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极,N区接电源的负极。

2. 在常温下,硅二极管的死区电压约为0.5V,导通后正向压降约为0.6~0.8V ;锗二极管的死区电压约为0.1V,导通后正向压降约为0.2~0.3V。

3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型;按材料分为硅管和锗管。

三极管是电流控制型器件,控制能力的大小可用 表示,它要实现信号放大作用,需发射结正偏,集电结反偏。

4. 场效应管是电压控制型器件,控制能力的大小可用g m表示,它的主要特点是输入电阻很大。

5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能,因为二极管正向电阻很小,若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大,相当于干电池正、负极短路。

6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管,即二极管导通时其两端电压为零,反向截止时电流为零)。

图1.52 题6图解:(a)VD导通,U AB=-6V。

(b)VD截止,U AB=-12 V。

(c)VD1导通,VD2截止,U AB=0 V。

(d)VD1截止,VD2导通,U AB=-15 V。

7. 在图1.53所示电路中,设VD为理想二极管,u i =6sinω t (V),试画出u O的波形。

图1.53 题7图解:(a)(b)8. 电路如图1.54所示,已知u i=5sinΩ t(V),二极管导通电压为0.7V。

试画出u i与的波形。

解:u i>3.7V时,VD1导通,VD2截止,u o=3.7V;3.7V>u i>-4.4V时,VD1截止,VD2截止,u o= u i;u i<-4.4V时,VD1截止,VD导通,u o=-4.4 V。

9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示,试判别各三极管的工作状态。

图1.54 题8图图1.55 题9图解:(a)三极管已损坏,发射结开路(b)放大状态(c)饱和状态(d)三极管已损坏,发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。

模电试题及答案

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模电试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是()。

A. 滤波B. 整流C. 放大D. 调制答案:C2. 运算放大器的差分输入电压是指()。

A. 两个输入端电压之和B. 两个输入端电压之差C. 两个输入端电压之积D. 两个输入端电压之商答案:B3. 理想运算放大器的开环增益是()。

A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C4. 共发射极放大电路中的电流放大倍数β是指()。

A. 集电极电流与基极电流之比B. 发射极电流与基极电流之比C. 集电极电流与发射极电流之比D. 发射极电流与集电极电流之比5. 在多级放大电路中,级间耦合方式通常采用()。

A. 直接耦合B. 变压器耦合C. 电容耦合D. 电感耦合答案:C6. 晶体管的静态工作点设置不正确可能导致()。

A. 截止失真B. 饱和失真C. 截止和饱和失真D. 线性放大答案:C7. 负反馈可以()放大器的放大倍数。

A. 增加B. 减少C. 保持不变D. 先增加后减少答案:B8. 在模拟电路中,电源去耦是指()。

A. 增加电源的内阻B. 减少电源的内阻C. 增加电源的纹波D. 减少电源的纹波答案:D9. 场效应管的控制极是()。

B. 源极C. 漏极D. 基极答案:A10. 模拟信号的数字化过程包括()。

A. 采样、量化、编码B. 滤波、放大、调制C. 调制、解调、编码D. 放大、滤波、编码答案:A二、填空题(每空1分,共10分)1. 放大器的输入电阻越大,对前级电路的________越好。

答案:负载效应2. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗________。

答案:高3. 差分放大器可以有效地放大两个输入端之间的________。

答案:差模信号4. 运算放大器的饱和输出电压通常为________V或________V。

答案:+Vcc -Vee5. 晶体管的截止频率是指晶体管的放大倍数下降到________的频率。

《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白

《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白

第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R G S 大的特点。

( ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零,则其输入电阻会明显变小。

( )解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、选择正确答案填入空内。

(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。

A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S -T U U I(3)稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。

A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(5)U G S =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 。

A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V,U O6≈-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Z m i n=5mA。

求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

模电课后习题答案

模电课后习题答案

BabbaCbcbaBcb1.PN结加正向电压时,空间电荷区将( B )。

a.变宽b.变窄c. 基本不变2.在本征半导体中加入(A)元素可行成N型半导体。

a.五价b.四价c.三价3.当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为(B)。

a.前者反偏、后者正偏;b.前者正偏、后者反偏;c.前者正偏、后者正偏;4.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是( B )。

a.电阻阻值有误差b.晶体管参数受温度影响c.电源电压不稳5.当信号频率等于放大电路的或时,放大增益下降(A).a.3dB b.4dB c..5dB6.交流负反馈是指(C)a. 直接耦合放大电路中引入的负反馈b. 只有放大直流信号时才有的负反馈c. 在交流通路中的负反馈7.稳定放大电路的放大倍数(增益),应引入( B )。

a. 直流负反馈b. 交流负反馈c. 正反馈8.为了增大放大电路的输入电阻,应引入( C )负反馈。

a. 电压b. 电流c. 串联d. 并联9.欲将正弦波电压移相,应选用( B )电路。

a. 反相比例运算b. 同相比例运c. 微分运算10.欲将方波电压转换为三角波电压,应选用(A)电路。

a. 积分运算 b .乘方运算 c. 同相比例运算11.为了获得输入电压中的低频信号,应选用( B )滤波电路。

a. 高通b. 低通c. 带通12.一个实际的正弦波振荡绝大多数属于正反馈电路,它主要由( C )组成。

a:负反馈b:放大电路和反馈网络c:放大电路、反馈网络和选频网13.功率放大电路的转换效率是指( B )。

a.输出功率与晶体管所消耗的功率之比b.最大输出功率与电源提供的平均功率之比c.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。

《模电》经典题目,含答案

《模电》经典题目,含答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷三一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共16分)1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2.共模抑制比K CMR越大,表明电路()。

a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。

a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。

当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。

a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。

a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。

已知静态时,V o=V c1-V c2=0,设差模电压增益100vd =A ,共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ,则输出电压o V 为( )。

a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流CEO I 为( )。

a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( )。

模电习题(含答案)

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模电习题(含答案)1. _⾮常纯净的单晶体结构的半导体_ 称本征半导体。

2. 杂质半导体分_N _型半导体和_P _型半导体,前者中多数载流⼦是_⾃由电⼦_,少数载流⼦是_空⽳_,后者中多数载流⼦是_空⽳_,少数载流⼦是_⾃由电⼦_。

3. 本征硅中若掺⼊5价元素的元素,则多数载流⼦应是_⾃由电⼦_,掺杂越多,则其数量⼀定越_多_,相反,少数载流⼦应是_空⽳_,掺杂越多,则其数量⼀定越_少_。

4. P 区侧应带_负电_,N 曲⼀侧应带_正电_。

空间电荷区内的电场称为_内电场_,其⽅向从_N 区_指向_P 区_。

5. 在PN 结两侧外加直流电压,正端与P 区相连,负端与N 区相连,这种接法称之为PN 结的_正向_偏置。

6. 半导体三极管的输⼊特性曲线与⼆极管的正向特性相似,⽽输出特性曲线可以划分为三个⼯作区域,它们是_截⽌_区、_饱和_区和_放⼤_区。

7. 温度变化对半导体三极管的参数有影响,当温度升⾼时,半导体三极管的β值_增⼤_,ICBO 值_增⼤_,UBE 值_减⼩_。

8. 半导体三极管能够放⼤信号,除了内部结构和⼯艺特点满⾜要求外,还必须具备的外部⼯作条件是_发射结正偏、集电结反偏_。

9. ⼯作在放⼤区的某晶体管,当IB 从20微安增⼤到40微安时,Ic 从2毫安变为4毫安,它的β值约为_100_。

10. 半导体三极管的三个极限参数是_CM I _、_CEO RB U )(_、_CM P _。

11. NPN 型硅三极管处于放⼤状态时,在三个电极电位中,其电位⾼低关系为_E B C U U U >>_;基极和发射极电位之差约等于_0.7V _ 。

12. 半导体三极管从结构上分可以分为_PNP _型和_NPN _型两⼤类,他们⼯作时有_⾃由电⼦_、_空⽳_两种载流⼦参与导电。

13. 在⽤万⽤表测量⼆极管的过程中,如果测得⼆极管的正反向电阻都为0Ω,说明该⼆极管内部已_击穿_;如果所测得的正反向电阻都为⽆穷,说明该⼆极管已_断路损坏_。

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2.10 在图P2.9所示电路中,设静态时I C Q =2mA ,晶体管饱和管压降U C E S =0.6V 。

试问:当负载电阻R L =∞和R L =3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏?解:由于I C Q =2mA ,所以U C E Q =V C C -I C Q R c =6V 。

空载时,输入信号增大到一定幅值,电路首先出现饱和失真。

故 V 82.32CESCEQ om ≈-=U U UΩ=k 3L R 时,当输入信号增大到一定幅值,电路首先出现截止失真。

故V 12.22'LCQ om ≈=R I U2.11 电路如图P2.11所示,晶体管的β=100,'bb r =100Ω。

(1)求电路的Q 点、uA &、R i 和R o ; (2)若电容C e 开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?解:(1)静态分析:V7.5)( A μ 101mA1V 2e f c EQ CEQEQBQ e f BEQBQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β动态分析:Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥&(2)R i 增大,R i ≈4.1k Ω;u A &减小,ef 'LR R R A u+-≈&2.18 电路如图P2.18所示,晶体管的β=80,r b e =1k Ω。

(1)求出Q 点;(2)分别求出R L =∞和R L =3k Ω时电路的uA &和R i ;(3)求出R o 。

解:(1)求解Q 点:V17.7mA61.2)1(Aμ3.32)1(e EQ CC CEQ BQ EQ eb BEQ CC BQ ≈-=≈+=≈++-=R I V U I I R R U V I ββ(2)求解输入电阻和电压放大倍数: R L =∞时996.0)1()1(k 110])1([ebe ee be b i ≈+++=Ω≈++=R r R A R r R R uβββ&∥R L =3k Ω时992.0))(1())(1( k 76)])(1([L e be L e L e be b i ≈+++=Ω≈++=R R r R R A R R r R R u∥∥∥∥βββ&(3)求解输出电阻: Ω≈++=371beb s e o βr R R R R ∥∥2.19 电路如图P2.19所示,晶体管的β=60,'bb r =100Ω。

(1)求解Q 点、uA &、R i 和R o ; (2)设s U =10mV (有效值),问i U =?o U =?若C 3开路,则i U =?o U =?解:(1)Q 点:V56.4)(mA86.1 Aμ 31)1(e c EQ CC CEQ BQ CQ eb BEQ CC BQ =+-≈≈=≈++-=R R I V U I I R R U V I ββuA &、R i 和R o 的分析:Ω==-≈-=Ω≈=Ω≈++=k 3 95)( 952 952mV26)1( c o beL c be b i EQbb'be R R r R R A r R R I r r u∥∥ββ&(2)设s U =10mV (有效值),则mV 304 mV2.3 io s i s ii ≈=≈⋅+=U A U U R R R U u & 若C 3开路,则mV 4.14mV6.95.1k 3.51])1([io is ii e L c e be b i ≈=≈⋅+=-=-≈Ω≈++=U A U U R R R U R R R A R r R R u s u&&∥∥β2.20 已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b )(c)所示。

(1)利用图解法求解Q 点;(2)利用等效电路法求解uA &、R i 和R o 。

解:(1)在转移特性中作直线u G S =-i D R S ,与转移特性的交点即为Q点;读出坐标值,得出I D Q =1mA ,U G S Q =-2V 。

如解图P2.21(a )所示。

解图P 2.21在输出特性中作直流负载线u D S =V D D -i D (R D +R S ),与U G S Q =-2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点,U D S Q ≈3V 。

如解图P2.21(b )所示。

(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。

mA/V 12DQ DSS GS(off)GSD m DS=-=∂∂=I I U u i g UΩ==Ω==-=-=k 5M 1 5D o i Dm R R R R R g A g u &2.21已知图P2.22(a )所示电路中场效应管的转移特性如图(b )所示。

求解电路的Q 点和uA &。

解:(1)求Q 点:根据电路图可知, U G S Q =V G G =3V 。

从转移特性查得,当U G S Q =3V 时的漏极电流 I D Q =1mA因此管压降 U D S Q =V D D -I D Q R D =5V 。

(2)求电压放大倍数:20VmA 22Dm DO DQ GS(th)m -=-===R g A I I U g u &3.2 设图P3.2所示各电路的静态工作点均合适,分别画出它们的交流等效电路,并写出uA &、R i 和R o 的表达式。

解:(1)图示各电路的交流等效电路如解图P3.2所示。

(2)各电路uA &、R i 和R o 的表达式分别为 图(a ){}22be23o be11i 32be232be1132be2211)1()1(])1([βββββ++=+=+++⋅+++-=R r R R r R R R r R r R R r R A u∥∥&图(b )4o be2321be11i be242be2321be1be2321)])(1([)())(1())(1(R R r R R r R R r Rr R R r r R R A u=++=-⋅+++=∥∥∥∥∥∥∥ββββ&图(c ){}3o be11i d2be232be11d 2be221])1([])1([R R r R R r r R r R r r R A u=+=++-⋅+++-=ββββ∥&图(d )8o 213i 2be 82be2764m )()]([R R R R R R r R r R R R g A u =+=-⋅-=∥∥∥∥β&解图P 3.23.6 图P3.6所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50,'bb r =100Ω,U B E Q ≈0.7。

试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I E Q ,以及动态参数A d 和R i 。

解:R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下:mA 517.02222e WBEQEE EQEE e EQ WEQ BEQ ≈-==+⋅+R R U V I V R I R I U + A d 和R i 分析如下:Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5.20)1(2972)1( k 18.5mV26)1(W be i Wbe cd EQbb'be R r R R r R A I r r ββββ3.14电路如图3.14所示。

已知电压放大倍数为-100,输入电压u I 为正弦波,T 2和T 3管的饱和压降|U C E S |=1V 。

试问:(1)在不失真的情况下,输入电压最大有效值U i ma x 为多少伏? (2)若U i =10mv(有效值),则U o =?若此时R 3开路,则U o =?若R 3短路,则U o =?解:(1)最大不失真输出电压有效值为 V 78.72CESCC om ≈-=U V U故在不失真的情况下,输入电压最大有效值U i ma x mV 8.77omimax ≈=uAU U & (2) 若U i =10mV ,则U o =1V (有效值)。

若R 3开路,则T 1和T 3组成复合管,等效β≈β1β3,T 3可能饱和,使得u O ≈-11V (直流)。

若R 3短路,则u O ≈11.3V (直流)。

三、电路如图T4.3所示,已知β1=β2=β3=100。

各管的U B E 均为0.7V ,试求I C 2的值。

解:分析估算如下: 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAβCC B1C0B2C0E1E2CC1C0I I I I I I I I I I I I R +=+=+====1001C =≈⋅+=R R I I I ββμA4.4 多路电流源电路如图P4.4所示,已知所有晶体管的特性均相同,U B E 均为0.7V 。

试求I C 1、I C 2各为多少。

解:因为T 1、T 2、T 3的特性均相同,且U B E 均相同,所以它们的基极、集电极电流均相等,设集电极电流为I C 。

先求出R 中电流,再求解I C 1、I C 2。

1000BE BE4CC =--=RU U V I R μARR I I I I I I I I I ⋅+++=++=++=+=3)1( 31322C C C BC0B3C0βββββββ当β(1+β)>>3时100C2C1=≈=R I I I μA4.13 在图P4.13所示电路中,已知T 1~T 3管的特性完全相同,β>>2;反相输入端的输入电流为i I 1,同相输入端的输入电流为i I 2。

试问: (1)i C 2≈? (2)i B 2≈?(3)A u i =△u O /(i I 1-i I 2)≈?解:(1)因为T 1和T 2为镜像关系,且β>>2,所以i C 2≈i C 1≈i I 2 。

(2)i B 3=i I 1-i C 2≈i I 1-i I 2(3)输出电压的变化量和放大倍数分别为c3B3O I2I1O c B33c C3O )(R i u i i u A R i R i u ui ββ-=∆∆≈-∆∆=∆-=∆-=∆4.17 图4.17所示简化的高精度运放电路原理图,试分析: (1)两个输入端中哪个是同相输入端,哪个是反相输入端; (2)T 3与T 4的作用; (3)电流源I 3的作用;(4)D 2与D 3的作用。

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