半导体材料的定义与物理基础
物理学中的半导体和导电性
物理学中的半导体和导电性半导体和导电性是物理学中的重要概念，涉及到固体物理学、量子力学等多个领域。
本文将详细介绍半导体的基本性质、分类以及导电性的相关原理。
半导体的基本性质半导体是一种电导率介于导体和绝缘体之间的材料。
在晶体结构中，半导体的原子排列有序，形成了周期性的势场。
由于量子力学原理，半导体中的电子受到原子核和晶格振动的束缚，只能在一定的能量范围内运动。
这些电子被称为价带电子，而空余的能级称为导带。
在室温下，价带电子受到热激发，部分会跃迁到导带，留下相同数量的空穴。
半导体的分类根据半导体中价带电子和空穴的数量，可以将其分为两类：n型半导体和p型半导体。
在n型半导体中，价带电子数量多于空穴数量，因此电子是主要的载流子。
而在p型半导体中，空穴数量多于价带电子数量，空穴是主要的载流子。
此外，通过在n型和p型半导体之间形成PN结，可以实现半导体器件的制作。
导电性原理半导体的导电性主要取决于载流子的运动。
在应用外部电场的作用下，载流子会受到电场力的作用，发生迁移。
半导体中的载流子分为电子和空穴，它们在电场力作用下，分别向相反方向迁移。
这种现象称为漂移现象。
随着电场的增强，漂移电流也随之增大，从而实现了半导体材料的导电性。
半导体器件半导体器件是利用半导体的特殊性质制作的各种电子器件。
常见的半导体器件包括二极管、晶体管、集成电路等。
这些器件在电子设备中发挥着重要的作用，如整流、放大、开关等。
半导体和导电性是物理学中的重要概念。
本文从半导体的基本性质、分类、导电性原理以及半导体器件等方面进行了详细的介绍。
希望这篇文章能帮助您更好地理解半导体和导电性的相关知识。
## 例题1：解释n型和p型半导体中的载流子分别是什么？解题方法：回顾半导体的基本性质部分，n型半导体中的载流子是价带电子，而p型半导体中的载流子是空穴。
例题2：说明PN结的形成过程。
解题方法：结合半导体分类部分，描述n型和p型半导体接触时，由于载流子数量的差异，形成的PN结。
半导体器件基础
自由电子 带负电荷 电子流
载流子
空穴 带正电荷 空穴流 ＋总电流
6
N型半导体和P型半导体
多余电子
N型半导体
硅原子
【Negative电子】
+4
+4 +4
在锗或硅晶体内
掺入少量五价元素
杂质，如磷；这样
+4
在晶体中就有了多 磷原子 余的自由电子。
+4
+5 +4 +4 +4
多数载流子——自由电子
少数载流子——空穴
不失真——就是一个微 弱的电信号通过放大器 后，输出电压或电流的 幅度得到了放大，但它 随时间变化的规律不能 变。
放大电路是模拟电路中最主要的电路,三极管是 组成放大电路的核心元件。
具有放大特性的电子设备：收音机、电视机、
手机、扩音器等等。
36
利用三极管组成的放大电路，最常用的接法是：基 极作为信号的输入端，集电极作为输出端，发射极 作为输入回路、输出回路的共同端（共发射极接法）
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饱和工作状态
调节偏流电阻RP的阻值， 使基极电流充分大时，集电 极电流也随之变得非常大， 三极管的两个PN结则都处于 正向偏置。集电极与发射极 之间的电压很小，小到一定 程度会削弱集电极收集电子 的能力，这时Ｉb再增大， Ｉc也不能相应地增大了， 三极管处于饱和状态，集电 极和发射极之间电阻很小， 相当开关接通。
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▪ 几种常见三极管的实物外形
大功率三极管
功率三极管
普通塑封三极管
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▪ 三极管的分类
① 按频率分
高频管 低频管
硅管 ③ 按半导
体材料分 锗管
② 按功率分
材料物理学中的半导体物理学基础
材料物理学中的半导体物理学基础半导体是材料物理学中的重要研究领域，它是指在温度低于一定值时，电子和空穴在半导体内的运动形式。
半导体具有众多的应用，如电子器件、光电器件、太阳能电池、光纤通信等。
因此，研究半导体物理学基础对于半导体的开发和利用至关重要。
半导体的能带结构是物理学中的基础概念。
半导体的能带是指在材料中电子的能量状态，可以理解为一段区域，其中电子的能量只能存在于这个区域中。
一般来说，半导体的能带分为价带和导带两部分。
在温度为零时，价带中没有自由电子，导带中也没有空穴。
当外界施加电磁场或者加热半导体材料时，电子从价带上跃迁到导带，这一过程形成了电导率，即电流流动的能力。
在半导体中，价带和导带之间的带隙非常重要。
带隙是指两个能带之间的能量差，其大小决定了电子能否被激发到导带中，并产生电流。
对于氧化物半导体材料，带隙一般约为3.5-4.5电子伏特（eV），而对于硅和锗等元素半导体材料，带隙则较小，约为0.6-1.1电子伏特（eV）。
在半导体材料中，带隙的大小是材料电特性的重要参数之一。
半导体的电导率和自由电子浓度密切相关。
热激发可以使部分价带内的电子跃迁到导带内，形成导电效应。
另外，在加上外部电场的作用下，电子可以被加速到足以克服带隙的极限电压，从而产生电流。
传导带中的电子数目与温度和掺杂浓度有关，一般越高的温度和掺杂浓度会有更多的自由电子，因此，导电效应也会更加显著。
掺杂是半导体物理学中的重要研究领域。
为了使半导体具有更多的自由电子，人们将一些杂质元素质入半导体中，改变其能带结构，从而使其导电性质得到改善。
掺杂可以分为两类，即N型和P型。
在N型半导体中，掺入的杂质元素一般为五价元素，如磷，可以使其失去一个电子，形成自由电子。
而在P型半导体中，掺入的杂质元素一般为三价元素，如硼，可以形成一个空穴，在空穴中存在的电子数目较少，因此可以形成空穴电流。
掺杂的专业术语是替位杂质、替位掺杂，实际上就是使一部分Si或Ge离子受到片上杂质原子的影响而发生质点和电子的复合作用，产生N、P两种导电材料。
半导体高中物理
半导体高中物理半导体是一种电子能带结构介于导体和绝缘体之间的材料，具有独特的导电性质。
在高中物理学中，半导体是一个重要的话题。
本文将探讨半导体的基本概念、性质和应用。
首先，我们来了解半导体的基本概念。
半导体是指在温度较高时表现为导体，而在温度较低时表现为绝缘体的物质。
它的导电性质是通过材料中的载流子（电子或空穴）传导电流来实现的。
在半导体中，电子和空穴是通过化学反应或热激发产生的。
半导体材料可以是单晶体（如硅、锗）或复合材料（如硅锗合金）。
半导体具有一些独特的性质。
首先是温度敏感性。
随着温度的升高，半导体的导电性会增强，因为更多的载流子会被激发出来。
这种特性使得半导体在温度传感器和温度控制器中得到广泛应用。
其次是光电性质。
半导体在受到光照时，会发生光生电效应，产生电子-空穴对。
这种特性使得半导体在光电器件（如太阳能电池、光电二极管）中有重要的应用。
半导体的导电性质可以通过掺杂来调节。
掺杂是指向半导体中引入杂质，改变其导电性质的过程。
掺杂分为施主掺杂和受主掺杂。
施主掺杂是向半导体中引入能够提供额外自由电子的杂质，如磷或砷。
这些自由电子可以增加半导体的导电性能，使其成为N型半导体。
受主掺杂是向半导体中引入能够提供额外空穴的杂质，如硼或铟。
这些空穴可以增加半导体的导电性能，使其成为P型半导体。
N型半导体和P型半导体的结合形成PN结。
PN结是半导体器件中最基本的结构之一。
当N型半导体和P型半导体相接触时，N型半导体中的自由电子会向P型半导体中的空穴扩散，形成电子-空穴对结合区域。
在这个结合区域中，自由电子和空穴会重新组合，形成电子空穴复合。
这种电子空穴复合过程会导致PN结的区域失去自由电荷，形成一个电势差，称为内建电势。
内建电势使得PN结形成一个单向导电的区域，即正向偏置和反向偏置。
PN结具有一些重要的应用。
其中之一是二极管。
二极管是一种电子器件，可以在电流只能从P端流向N端的情况下导电。
二极管广泛应用于电源电路、整流电路和信号调制电路中。
半导体物理期末复习知识要点汇编
一、半导体物理学基本概念有效质量-----载流子在晶体中的表观质量，它体现了周期场对电子运动的影响。
其物理意义：1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度；2）有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。
空穴-----是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少量空态，相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子，描述了近满带中大量电子的运动行为。
回旋共振----半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时，发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振。
施主-----在半导体中起施予电子作用的杂质。
受主-----在半导体中起接受电子作用的杂质。
杂质电离能-----使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。
n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。
p-型半导体------以空穴为主要载流子的半导体。
浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。
浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。
深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶（受主），即杂质电离能很大的杂质。
深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。
位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。
杂质补偿-----在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质补偿现象，即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级，实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度，即两者之差。
直接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间同一位置时称为直接带隙。
直接带隙材料中载流子跃迁几率较大。
间接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间不同位置时称为间接带隙。
间接带隙材料中载流子跃迁时需有声子参与，跃迁几率较小。
平衡状态与非平衡状态-----半导体处于热平衡态时，载流子遵从平衡态分布，电子和空穴具有统一的费米能级。
半导体的基础知识教案
半导体的基础知识教案第一章：半导体概述1.1 半导体的定义与特性解释半导体的概念介绍半导体的物理特性讨论半导体的重要参数1.2 半导体的分类与制备说明半导体材料的分类探讨半导体材料的制备方法分析半导体器件的制备过程第二章：PN结与二极管2.1 PN结的形成与特性解释PN结的概念与形成过程探讨PN结的特性分析PN结的应用领域2.2 二极管的结构与工作原理介绍二极管的结构解释二极管的工作原理探讨二极管的主要参数与规格第三章：双极型晶体管（BJT）3.1 BJT的结构与分类解释BJT的概念介绍BJT的结构与分类分析BJT的运作原理3.2 BJT的特性与参数探讨BJT的输入输出特性讨论BJT的主要参数与规格分析BJT的应用领域第四章：场效应晶体管（FET）4.1 FET的结构与分类解释FET的概念介绍FET的结构与分类分析FET的运作原理4.2 FET的特性与参数探讨FET的输入输出特性讨论FET的主要参数与规格分析FET的应用领域第五章：半导体器件的应用5.1 半导体二极管的应用介绍半导体二极管的应用领域分析二极管在不同电路中的应用实例5.2 半导体晶体管的应用解释半导体晶体管在不同电路中的应用探讨晶体管在不同电子设备中的应用实例5.3 半导体集成电路的应用介绍半导体集成电路的概念分析集成电路在不同电子设备中的应用实例第六章：半导体存储器6.1 存储器概述解释存储器的作用与分类探讨半导体存储器的发展历程分析存储器的主要参数6.2 RAM与ROM介绍RAM（随机存取存储器）的原理与应用解释ROM（只读存储器）的原理与应用分析RAM与ROM的区别与联系6.3 闪存与固态硬盘探讨闪存（NAND/NOR）的原理与应用介绍固态硬盘（SSD）的结构与工作原理分析固态硬盘的优势与挑战第七章：太阳能电池与光电子器件7.1 太阳能电池解释太阳能电池的原理与分类探讨太阳能电池的优缺点分析太阳能电池的应用领域7.2 光电子器件解释光电子器件的分类与应用探讨光电子器件的发展趋势第八章：半导体传感器8.1 传感器的基本概念解释传感器的作用与分类探讨传感器的基本原理分析传感器的主要参数8.2 常见半导体传感器介绍常见的半导体传感器类型解释半导体传感器的原理与应用分析半导体传感器的优势与挑战8.3 传感器在物联网中的应用探讨物联网与传感器的关系介绍传感器在物联网应用中的实例分析物联网传感器的发展趋势第九章：半导体激光器与光通信9.1 半导体激光器解释半导体激光器的工作原理探讨半导体激光器的特性与参数分析半导体激光器的应用领域9.2 光通信原理解释光纤通信与无线光通信的区别探讨光通信系统的组成与工作原理9.3 光通信器件与技术介绍光通信器件的类型与功能解释光通信技术的分类与发展趋势分析光通信在现代通信系统中的应用第十章：半导体技术与未来趋势10.1 摩尔定律与半导体技术发展解释摩尔定律的概念与意义探讨摩尔定律对半导体技术发展的影响分析半导体技术的未来发展趋势10.2 纳米技术与半导体器件介绍纳米技术在半导体器件中的应用解释纳米半导体器件的特性与优势探讨纳米半导体器件的未来发展趋势10.3 新兴半导体技术与应用分析新兴半导体技术的种类与应用领域探讨量子计算、生物半导体等未来技术的发展前景预测半导体技术与产业的未来发展趋势重点和难点解析重点环节一：半导体的定义与特性重点环节二：半导体的分类与制备重点环节三：PN结与二极管重点环节四：双极型晶体管（BJT）重点环节五：场效应晶体管（FET）重点环节六：半导体存储器重点环节七：太阳能电池与光电子器件重点环节八：半导体传感器重点环节九：半导体激光器与光通信重点环节十：半导体技术与未来趋势全文总结和概括：本文主要对半导体的基础知识进行了深入的解析，包括半导体材料的分类与特性、半导体的制备方法、PN结与二极管、双极型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）、半导体存储器、太阳能电池与光电子器件、半导体传感器、半导体激光器与光通信以及半导体技术与未来趋势等内容进行了详细的阐述。
半导体物理和电子学的基础原理
半导体物理和电子学的基础原理半导体物理和电子学是现代电子科学的重要分支，它涵盖了半导体器件的设计、制造和应用等方面，同时也对现代科技的发展做出了巨大贡献。
本文将对半导体物理和电子学的基础原理进行讲述，以便读者能够更好地理解和应用相关知识。
首先，我们需要了解半导体的基本概念。
半导体是指在温度足够低时，是电阻随温度变化的、电导率介于导体和绝缘体之间的物质。
它们的电子结构介于金属和非金属之间，具有良好的半导体性质，并且可以在外界激励下发生光、电、磁等多种现象。
半导体的电子结构决定了它的电学性质。
它的内部结构由大量的原子组成，每个原子都有几个价电子，而半导体内部的电子一般处于一定的能级中，且能级之间的差别很小。
这些价电子可以通过外加电场、光照、加热等方式激发，从而跃迁至更高的能级，成为自由电子。
同时，由于半导体中原子的晶格结构，价电子会产生准自由的运动，并且在晶格中产生周期性势场，形成价带和导带。
因此，半导体的导电性质与这些能级有关。
在半导体中，价带与导带之间存在能隙，通常称为禁带宽度。
当价带被充满电子时，无法传导电流，而当能量足以让电子跃迁到导带时，电子就可以从导带中传导，形成电流。
另外，半导体材料在加温时，价带和导带之间的能隙会变小，当温度足够高时，能隙会变得很小或者完全消失，导致点阵变得易于电子跃迁。
这一性质被称为热激发。
在半导体器件设计过程中，人们需要控制半导体中自由电子数量。
P型半导体和N型半导体就是利用掺杂技术控制自由电子和空穴浓度达到特定的目标的。
在P型半导体中，硼等元素通过掺杂进去，会产生少量空穴，从而在掺入区域内形成一定浓度的空穴。
N型半导体是通过掺入磷、硒、锑等元素实现。
掺入这些材料后，原子会外向地提供一个外部电子，从而形成大量自由电子。
当P型和N型物质接触时，形成PN结。
PN结充满着与P型和N型材料中浓度相同的自由电子和空穴，它的形成可以使电子朝向PN结迁移，从而产生电流或者其他的物理运动。
823半导体物理与集成电路基础
823半导体物理与集成电路基础摘要：一、半导体物理与集成电路基础简介1.半导体物理概念2.集成电路基础概念二、半导体物理基本原理1.能带理论2.载流子浓度与迁移率3.PN 结三、集成电路基本结构与工作原理1.基本结构2.工作原理四、半导体材料及其特性1.元素半导体2.化合物半导体3.半导体材料特性五、半导体器件及其应用1.二极管2.晶体管3.场效应晶体管4.光电器件六、集成电路制造工艺1.硅片制备2.掺杂3.薄膜沉积4.光刻技术5.金属化七、集成电路应用领域1.计算机2.通信3.消费电子4.医疗设备5.工业控制八、半导体物理与集成电路发展趋势1.新材料研究2.新型器件开发3.集成度提高4.3D 集成技术5.人工智能与物联网应用正文：半导体物理与集成电路基础在我国科技领域占据举足轻重的地位。
半导体物理是研究半导体材料性质和现象的学科，而集成电路则是半导体物理在实际应用中的重要体现。
本文将介绍半导体物理与集成电路基础的相关知识。
半导体物理基本原理包括能带理论、载流子浓度与迁移率以及PN 结。
能带理论是描述半导体中电子能级分布的理论，它将半导体分为价带和导带，分别对应电子的束缚状态和自由状态。
载流子浓度与迁移率是描述半导体导电性能的两个重要参数，它们与半导体的掺杂、温度等因素密切相关。
PN 结是半导体中一种特殊的结构，由p 型半导体和n 型半导体组成，具有整流、开关等特性。
集成电路基本结构包括输入、输出、电源和信号处理等部分，其工作原理是通过将信号处理电路与输入输出接口电路集成在一起，实现对信号的放大、滤波、模数转换等功能。
半导体材料及其特性对集成电路性能至关重要。
半导体材料主要包括元素半导体如硅、锗等，以及化合物半导体如砷化镓、氮化镓等。
这些材料具有不同的导电性能、光电特性等，为不同应用场景提供了丰富的选择。
半导体器件是集成电路中实现特定功能的基本单元，包括二极管、晶体管、场效应晶体管等。
这些器件具有不同的电流控制方式、输入阻抗等特性，为实现高性能集成电路提供了基础。
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费米能级与载流子浓度的关系 费米能级在能带中所处的位置,直接决定半导体电子和空穴浓度. 费米能级的位置
能级理论小结
• 杂质半导体（p型半导体，n型半导体） • 杂质能级（施主能级，受主能级，深能级，浅
能级） • 费米能级
非平衡载流子
•定义：非平衡状态下的载流子，简称 非子。 •产生：光注入，电注入(电路中的pn 结） •复合：直接复合，间接复合或者辐射 复合，非辐射复合，俄歇复合
电子
多出一个电子 电子 空穴
2020/11/26
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杂质能级
•施主能级，受主能级 •深能级，浅能级
施主与受主杂质能级
半导体的杂质能级和杂质的电离过程能带图
Ec
掺杂浓度低同时出现施主受主能级 深能级
掺杂浓度高则分别出现
引入贵，过渡金属杂质 Ev
深能级
• 在半导体硅、锗中，除Ⅲ、Ⅴ族杂质在禁带中形成浅能 级外，其它各族元素掺入硅、锗中也会在禁带中产生能 级
非平衡载流子的复合
• 直接复合：电子在导带和价带之间直接跃迁而引起的非 平衡载流子的复合过程
• 间接复合：非平衡载流子通过复合中心（禁带能级）的 复合
• 辐射复合：非平衡载流子复合时，多余能量以发射光子 的形式存在，又称发光复合 (LED，激光）
• 非辐射复合：非平衡载流子复合时，电子将能量传递给 晶格，产生热能，对外发射声子的过程
外 内
PN 结 的 单 向 导 电 性
动画三
PN结加正向电压时，呈现低 电阻，具有较大的正向扩散 电流；
空穴流 价电子递补空穴形成的 用 空 穴 移 动 产 生
与外电场方向相同
的电流代表束缚电子
始终在价带内运动
移动产生的电流
半导体的导电特征
•导带上的电子参与导电 •价带上的空穴也参与导电 •半导体具有电子和空穴两种载流子 •金属只有电子一种载流子
能带理论（小结）
•能带的形成（能级交叠带来电子共有化以 及能级分裂） •自由电子和空穴
电子能量大小服从Fermi-Dirac统计分布规律。
Ef： Fermi能级。它与物质特性有关，它并不是物质的实体能级，而是描述电子能量分布所用的假想能级。
E Ef
f E 1
2
E Ef
f E 1
2
费米能级的含义
•费米能级是一个具有统计意义的统计量， 描述的是半导体电子能量的一种统计水平 •温度大于0K时，大多数电子优先排布于 费米能级以下的位置
PN结的形成 动画二
多子的扩散运 动
由杂质离子形成空间电荷区
扩散运动
空间电荷区形成
内电场
内电场促使少 子漂移
内电场阻止多子扩散
多子从浓度大向浓度小的区域扩散,称扩散运动
扩散运动产生扩散电流
漂移运动 动态平衡
少子向对方漂移,称漂移运动 漂移运动产生漂移电流。
扩散电流=漂移电流，PN结内总电流=0。
PN 结 稳定的空间电荷区 又称高 阻区
• 非III、V族杂质在硅、锗的禁带中产生的施主能级距离 导带底较远，它们产生的受主能级距离价带顶也较远。 通常称这种能级为深能级，相应的杂质称为深能级杂质。
• 这些深能级杂质能够产生多次电离，每一次电离相应地 有一个能级。因此，这些杂质在硅、锗的禁带中往往引 入若干个能级。有的杂质既能引入施主能级，又能引入 受主能级。（过渡金属价态不稳定）
扩散电流远大于漂移电 流，可忽略漂移电流的影 响。PN结呈现低阻性。
外 内
少数载流子的注入
PN结的单向导电性
2. PN结加反向电压时的导电情况
P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称
反偏；
少量少子的抽出
外电场与PN结内电场方 向相同，增强内电场。 内电场对多子扩散运动阻 碍增强，扩散电流大大减 小。少子在内电场的作用 下形成的漂移电流加大。 此时PN结区少子漂移电流 大于扩散电流，可忽略扩 散电流。 PN结呈现高阻性
也称耗 尽层
PN结的接触电位
内电场的建立，使PN结中产生 电位差。从而形成接触电位V
V 接触电位V决定于材料及掺杂浓度 硅： V=0.7 锗： V=0.2
PN结的单向导电性
1. PN结加正向电压时的导电情 况
P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；
外电场方向与PN结内电 场方向相反，削弱了内电 场。于是内电场对多子扩 散运动的阻碍减弱，扩散 电流加大。
水泥，玻璃，橡胶，塑料等等
半导体材料的分类
• 按大范围，分为有机半导体，无机半导体，有机-无机半导体复合 材料，以下仅介绍无机半导体分类
• 组成元素类别可分为元素半导体，化合物半导体 • 从晶体结构，晶体半导体，非晶半导体 • 从特性和功能分，微电子材料，光电子材料，光伏材料
半导体材料的性质
杂质敏感性 负的电阻率温度系数 光敏性 电场效应和磁场效应
1．光注入
∆n
no
用波长比较短的光 光照
h Eg po
照射到半导体
∆p
光照产生非平衡载流子
2．电注入 3．非平衡载流子浓度的表示法
产生的非子一般都用n，p来表示 。
达到动态平衡后：
n=n0+n p=p0+p
n0，p0为热平衡时电子浓度和空穴浓度 ， n，p为非子浓度。
对同块材料 ：
n=p
热平衡时n0·p0=ni2，非平衡时n·p＞ni2
掺入杂质的本征半导体。 掺杂后半导体的导电率大为提高
掺入五价元素如P、Sb等， 形成N型半导体，也称电子型半导体
N型半导体
杂质半导体
在本征半导体中掺入五价元素如P。
由于五价元素很容易贡献电 子，因此将其称为施主杂质。 施主杂质因提供自由电子而 带正电荷成为正离子
杂质原子提供 自由电子是多子
由热激发形成 空穴是少子
t=0，无光照，Vr=0
△Vr
t>0，加光照
光照时，产生﹥复合 非平衡状态
↑有净产生
0
t
(2) 取消光照
在t=0时，取消光照，
复合>产生 。
非平衡载流子在半导体 中的生存时间称为非子 寿命（少子寿命）。
△Vr ↓有净复合
0
t
非平衡载流子小结
•非平衡载流子的产生（光注入） •非平衡载流子的复合（直接复合，间接复 合，辐射复合，非辐射复合，俄歇复合） •少子寿命
纲要
•半导体材料是什么 •半导体材料的物理基础 •什么样的半导体材料适合作为光伏材料 •光生伏特效应
1.半导体材料是什么
•何谓半导体 •半导体材料的分类 •半导体材料的性质Fra bibliotek何谓半导体
• 导体，电阻率在1010Ω.cm以上，如各种金属 • 半导体，电阻率在10-5到108Ω.cm，如硅，锗，
硫化锌等等 • 绝缘体：电阻率在10-6到10-5Ω.cm以下，如云母，
P型半导体
杂质半导体
在本征半导体中掺入三价元素如B。
因留下的空穴很容易俘获 电子，使杂质原子成为负 离子。三价杂质 因而也
称为受主杂质。
杂质原子提供 空穴是多子
由热激发形成 自由电子是少子
下表总结了不同类型半导体的特性
P型（正）
N型（负）
掺杂
Ⅲ族元素（如硼） Ⅴ族元素（如磷）
价键 多子 少子
失去一个电子（空 穴） 空穴
• 薄膜生长法（在p,n型半导体表面通过气相，液相外延技术生长一 层薄膜）
PN结的形成
P区
N区
内电场阻碍多子向对方的扩散 即阻碍扩散运动 同时促进少子向对方漂移 即促进了漂移运动
扩散运动
载流子从浓度大向浓度小 的区域扩散,称扩散运动 形成的电流成为扩散电流
扩散运动=漂移运动时 达到动态平衡
内电场
因浓度 差
载流子的产生
•能带理论 •能级理论 •非平衡载流子
能带理论
• 能带的形成 • 载流子的定义
能带的形成
电子
原子核
1 3 .6 E n n2 ev E 1 1 3 .6 e V E 2 3 .4 e V
• 波尔理论
①核外电子只能在有确定半径 和能量的轨道上运动,且不辐 射能量
②基态：能量最低；
• 一般情况下含量极少，而且能级较深，它们对半导体中 的导电电子浓度、导电空穴浓度(统称为载流子浓度)和 导电类型的影响没有浅能级杂质显著。
• 对载流子的复合作用比浅能级杂质强，故这些杂质也称 为复合中心。
费米能级
f
E1expEkTEf
1
三.Fermi能级 A.电子占据能量为E的状态的几率
对一个电子而言，它具有的能量时大时小，处在经常变化中。但是对于大量电子群体，在热平衡状态下，
n型：p0<n<n0，或p型：n0<p<p0
例： 1 cm的n型硅中，n0 5.51015cm-3, p0 3.1 104cm-3. 注入非子 n= p=1010cm-3 则 n <<n0，小注入 但 p>>p0。
即使小注入， 非平衡少子浓度>>平衡少子浓度
实际上，非平衡少子起重要作用。
非平衡载流子的复合
一般用“Ec”表示导 带底的能量，用Ev表 示价带底的能量，Eg 表示禁带宽度。
半导体能带简化表示 a）能带简化表示 b） 能带最简化表示
•自由电子 •自由空穴
载流子
两种载流子 动画一
共价键内的电子 挣脱原称子为核束束缚缚电的子电子 价带中留下的称空为位自由电子 称为空穴
导带
自由电子定向移动 形成外电电子场流E
• 俄歇复合：非平衡载流子从高能级向低能级跃迁，发生 电子-空穴复合，把多余的能量传给另一个载流子，使 得其跃迁到能量更高的能级上去，当它重新回到低能级 时，多余的能量以声子的形式放出