也谈场效应管的快速判断
场效应管好坏的判断方法

场效应管好坏的判断方法摘要:一、场效应管的基本概念二、场效应管好坏的判断方法1.静态参数判断2.动态性能判断3.栅极电阻判断4.漏极电流判断5.线性度判断三、实际应用中的注意事项四、总结正文:场效应管(FET)是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件,具有良好的线性度、高输入电阻和低噪声等特点。
在实际应用中,正确判断场效应管的好坏至关重要。
本文将介绍几种判断场效应管好坏的方法。
一、场效应管的基本概念场效应管是依据半导体材料的电子运动方式分类的一种晶体管,它主要由三个区域组成:源极、漏极和栅极。
在栅极与漏极之间存在一个绝缘层,绝缘层上的电压控制着漏极的电流。
根据绝缘层的材料,场效应管可分为金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、增强型绝缘栅场效应管(EGBT)等。
二、场效应管好坏的判断方法1.静态参数判断静态参数是指场效应管在静态工作状态下的电气特性。
主要包括阈值电压、漏极电流、栅极电阻等。
良品场效应管的静态参数应符合设计要求。
2.动态性能判断动态性能是指场效应管在开关过程中响应速度和稳定性。
可以通过测试场效应管的过渡频率、上升时间、下降时间等指标来判断其动态性能。
优质场效应管的动态性能应较好。
3.栅极电阻判断栅极电阻是场效应管的一个重要指标,它影响着器件的功耗和稳定性。
良品场效应管的栅极电阻应较大。
4.漏极电流判断漏极电流是场效应管在截止状态下流过栅极的电流。
优质场效应管的漏极电流应较小。
5.线性度判断场效应管的线性度是指其在一定范围内输入电压与输出电流的线性关系。
优质场效应管的线性度应较好。
三、实际应用中的注意事项1.选择合适的场效应管类型:根据电路需求,选择合适的场效应管,如MOSFET、EGBT等。
2.注意静态参数:确保选用的场效应管静态参数符合电路设计要求。
3.考虑动态性能:在高速应用场合,应注意场效应管的动态性能。
4.散热设计:场效应管在工作过程中会产生热量,应设计合理的散热结构。
5.电源电压:合理选择电源电压,避免过高的电压导致场效应管损坏。
如何定性判断场效应管、三极管的好坏?

如何定性判断场效应管、三极管的好坏?
场效应管和三极管的相同点就是都为半导体器件,并且都可以作为信号的放大和电子开关使用,既然都是半导体器件,那么其内部也都会有PN结的存在,而且大多数的损坏都表现为击穿,所以只要会测二极管,就可以测量这两种的好坏了,下面我们来看具体方法。
三极管的测量方法
我们可以将三极管看做是两个背靠背或面对面的二极管,使用数字万用表的二极管档位依次测量两个PN结就可以测出损坏了。
1.将数字万用表打至二极管档位,红黑表笔分别接触基极和集电极,正反测量只有一组读数则为正常。
否则为集电结击穿。
2.再将红黑表笔分别接触基极和发射极,正反测量只有一组读数为正常,否则为发射结击穿。
并且这个读数和第一步中的读数差不多大小为正常,如果偏差过大则视为性能不良。
3.红黑表笔分别接集电极和发射极,不管正反测量都没有读数显
示为正常,否则为损坏。
场效应管测量方法
场效应管和三极管一样同样有三个电极,分别为栅极、源极和漏极,使用数字万用表的200K电阻档位,分别测量每两个管脚的阻值,当有两个管脚的正反阻值差不多大小时,这两个即为源极和漏极,其余一脚为栅极。
下面我们以N沟道场效应管为例,来看下测量方法(测量前需短路放电)。
1.将万用表置于二极管档位,红黑表笔正反接源极和漏极,只有一组显示数值为正常,正反都有数值显示且很小说明漏源击穿。
2.将红表笔接漏极,黑表笔接源极,没有读数显示为正常,此时黑表笔不动,红表笔碰触一下栅极(栅源充电),然后再接回漏极,此时会有读数显示(漏源导通),且数值应该越来越大为正常。
3.将三个管脚短路放电,再用红表笔接漏极,黑表笔接源极,此时没有数值显示为正常。
如何测试判断场效应管好坏?

如何测试判断场效应管好坏?1、场效应管的检测方法:把数字万用表打到二极管档,用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚,好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数,而且数值在300--800左右,2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数,并且为0时须万用表短接场效应管的引脚,3、重新测量一次,若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。
4、将万用表开到二极管档,用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极,看看两极之间的读数是不是很小,如果这个值在50以下,则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管(Field Effect Transistor)又称场效应晶体管,是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。
由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管,[1]它属于电压控制型半导体器件。
主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属- 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。
场效应管具有输入电阻高(10 7~10 15Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。
(1)场效应管是电压控制器件,它通过V GS(栅源电压)来控制I D(漏极电流);(2)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(10 7~10 12Ω)很大。
(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;(5)场效应管的抗辐射能力强;(6)由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。
场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
场效应管好坏的简单判断方法

场效应管好坏的简单判断方法场效应管(MOSFET)是一种常见的电子元件,广泛应用于电子电路中。
判断场效应管的好坏对于电子技术的从业人员来说非常重要。
本文将介绍一种简单有效的方法来判断场效应管的好坏。
首先,我们需要了解场效应管的基本工作原理。
场效应管由源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)组成。
当栅极电压为零时,场效应管处于截至状态,漏极和源极之间没有电流流动。
当给栅极施加正电压时,栅极与源极之间形成正偏压,从而形成一个电场,引起漏极和源极之间的电流。
因此,我们可以通过观察场效应管的漏极电流来判断其好坏。
那么,如何判断场效应管的好坏呢?1. 正确连接场效应管:首先,确保场效应管正确连接在电路中。
根据场效应管的引脚布局,将源极连接到适当的电位上,将漏极连接到负载电阻或负载电路中,将栅极连接到合适的驱动电路。
正确连接场效应管是判断其好坏的前提。
2. 测量漏极电流:使用万用表或示波器等仪器,将其测量引线分别连接到场效应管的漏极和源极上,同时保持栅极电压为零(短接到源极)。
记录并观察漏极电流的数值。
3. 比较漏极电流:通过比较测量的漏极电流数值与场效应管的规格书或参考值进行比较。
规格书中通常会给出不同工作条件下的典型电流值范围。
如果测量得到的漏极电流在典型电流值范围内,那么场效应管可以被认为是良好的。
如果漏极电流明显偏离典型值范围,那么场效应管可能存在问题。
需要注意的是,不同类型和型号的场效应管其参数范围有所不同。
因此,判断场效应管的好坏需要结合具体规格书中的参数范围来进行。
总结一下,判断场效应管好坏的简单方法是测量漏极电流,并比较其数值和规格书中的典型值范围。
正确连接场效应管和合适的测量仪器也是必要的。
在实际工作中,还可以结合其他测试方法和技巧来进一步确认场效应管的性能。
通过以上方法,我们可以较为准确地判断场效应管的好坏,有助于电子技术从业人员进行故障排除和电路设计。
然而,在一些特殊情况下,可能需要进一步的测试和分析才能得出最终结论。
场效应管好坏测量方法

场效应管好坏测量方法场效应管是一种常用的半导体器件,广泛应用于放大、开关、滤波等电路中。
场效应管的好坏直接影响到整个电路的性能,因此对场效应管进行准确的测量和评估是非常重要的。
本文将介绍几种常用的场效应管好坏测量方法,希望能为大家提供一些参考。
首先,我们可以通过静态参数来评估场效应管的好坏。
静态参数包括漏极电流、饱和电流、开启电压等。
通过测量这些参数,我们可以初步了解场效应管的基本性能。
漏极电流是指在一定的栅极电压下,场效应管的漏极-源极间的电流,它反映了场效应管的导通能力。
饱和电流是指在一定的栅极电压下,场效应管的漏极-源极间的最大电流,它反映了场效应管的最大导通能力。
开启电压是指在一定的漏极电流下,场效应管的栅极电压,它反映了场效应管的导通起始点。
通过测量这些参数,我们可以初步判断场效应管的好坏。
其次,我们可以通过动态参数来评估场效应管的好坏。
动态参数包括开关时间、导通电阻、截止频率等。
开关时间是指场效应管从截止到导通或者从导通到截止所需要的时间,它反映了场效应管的开关速度。
导通电阻是指场效应管在导通状态下的电阻大小,它反映了场效应管的导通能力。
截止频率是指场效应管在高频条件下的截止频率,它反映了场效应管在高频条件下的性能。
通过测量这些参数,我们可以更全面地评估场效应管的好坏。
最后,我们可以通过温度特性来评估场效应管的好坏。
温度特性是指场效应管在不同温度下的性能表现。
由于场效应管在实际应用中会受到温度的影响,因此了解场效应管在不同温度下的性能表现对于评估其好坏非常重要。
通过测量场效应管在不同温度下的静态和动态参数,我们可以更准确地评估场效应管的好坏。
综上所述,对场效应管进行好坏测量是非常重要的。
我们可以通过静态参数、动态参数和温度特性来评估场效应管的好坏。
通过准确的测量和评估,我们可以更好地选择和应用场效应管,从而提高电路的性能和稳定性。
希望本文介绍的方法能够帮助大家更好地了解和应用场效应管。
如何用普通数字万用表测量场效应管好坏?听我讲解,超简单!

如何用普通数字万用表测量场效应管好坏?听我讲解,超简
单!
场效应管是一个应用非常广泛的重要的电子元件,很多电路里都可以看到其身影,但很多初学者却不知道如何下手检测其好坏。
下面教大家数字万用表,三步就可以检测出场效应管的好坏,简单,实用。
场效应管有三个引脚,正面朝自己,从左到右分别是G(栅极),D(漏极),S(源极)。
如上图。
测量方法:先把万用表调至二极管测量档。
如图
第一步:
黑表笔接D(漏极),红表笔接S(源极),这个时候,正常的话应该有0.2~0.5的压降,万用表显示0.2~0.5之间数字。
如下图
第二步:
黑表笔接S(源极),红表笔接D(漏极)这个是应该没有压降,万用表显示OL或1(数字万用表品牌不一样,显示有点区别,意思一样)
第三步:
黑表笔接S(源极),红表笔点触G(栅极)后松开,如图
然后,黑表笔不动,再用红表笔接D(漏极),应该有很小的电压降(万用表显示0.1左右的数字那么这个晶体场效应管就是好的。
请注意图中表笔颜色,我特意再上面添加了文字,以示区别。
判断场效应管好坏的方法

判断场效应管好坏的方法
这小玩意儿在电子电路里那可老重要啦!那咋判断它好坏呢?先把场效应管从电路中拆下来,用万用表的二极管档去测。
这就好比医生给病人做检查,万用表就是医生的听诊器啥的。
要是测得正反向电阻都很大或者都很小,那可就有点悬啦!这就像一个人走路要么东倒西歪,要么走得太顺溜,肯定有问题呀!
在判断过程中,一定要注意安全哦!可别不小心被电到啦!这就跟你走在路上得小心别摔跤一样。
稳定性也很重要呢,要是一会儿好一会儿坏,那可咋整?就像你心情一会儿好一会儿坏,那多闹心呀!
场效应管的应用场景那可多了去啦!在电源电路、放大电路里都能大显身手。
它的优势也不少呢,比如输入电阻高、噪声小。
这就好比一个优秀的员工,干活又好又不吵不闹,多棒呀!
我给你说个实际案例哈。
有一次,一个电路出问题了,大家都不知道咋回事。
后来一检查,原来是场效应管坏了。
换了个好的场效应管,嘿,电路立马就正常工作啦!这就像一个生病的人,吃了对症的药,马上就好起来了。
所以呀,判断场效应管好坏可得仔细呢!用对方法,注意安全和稳定
性,就能让场效应管在各种电路里好好发挥作用。
如何去判断场效应管的好坏

一、定性判断场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。
给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。
再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管是好的。
二、判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100档,红表笔任意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬空。
若发现表针有轻微摆动,就证明第三脚为栅极。
欲获得更明显的观察效果,还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚,只要看到表针作大幅度偏转,即说明悬空脚是栅极,其余二脚分别是源极和漏极。
判断理由:JFET的输入电阻大于100MΩ,并且跨导很高,当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号,使管子趋于截止,或趋于导通。
若将人体感应电压直接加在栅极上,由于输入干扰信号较强,上述现象会更加明显。
如表针向左侧大幅度偏转,就意味着管子趋于截止,漏-源极间电阻RDS增大,漏-源极间电流减小IDS。
反之,表针向右侧大幅度偏转,说明管子趋向导通,RDS↓,IDS↑。
但表针究竟向哪个方向偏转,应视感应电压的极性(正向电压或反向电压)及管子的工作点而定。
注意事项:A、试验表明,当两手与D、S极绝缘,只摸栅极时,表针一般向左偏转。
但是,如果两手分别接触D、S极,并且用手指摸住栅极时,有可能观察到表针向右偏转的情形。
其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用,使之进入饱和区。
B、也可以用舌尖舔住栅极,现象同上。
三、晶体三极管管脚判别三极管是由管芯(两个PN结)、三个电极和管壳组成,三个电极分别叫集电极C、发射极E和基极B,目前常见的三极管有硅平面管和锗合金管两种,每种又有PNP和NPN型两类。
这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。
1、找出基极对于PNP型三极管,C、E极分别为其内部两个PN结的正极,B极为它们共同的负极,而对于NPN型三极管而言,则正好相反:C、E极分别为两个PN结的负极,而B极则为它们共用的正极,根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。
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也谈MF-500型万用表快速测场效应管及好坏
大多数N-MOS 场效应如下图所示:
实践中可用M-F500型万用表迅速判断大电流场效应管好坏及放大能力,步骤如下:MF-500型万用表(用×10K 档)
①黑表笔接D 极,红表笔接S 极 ,电阻约为几兆欧;
②红表笔接D 极,黑表笔接S 极,电阻约为400~500欧姆。
凡基本符合以上情况则说明管子是好的
对①用手指轻碰触G 极万用表指针明显摆动,阻值约为300~400k ,但不能为零。
以上说明场效应管具有一定的放大能力。
且指针摆动范围越大说明放大能力强,否则放大性能不佳。
注意:
1、一般大功率场效应管N-MOSFET 和P-MOSFET 散热板与D 极相连接。
2、开始时测量黑表笔接D 极,红表笔接S 极,万用表指示在几十千欧到几百千欧之间不能说明问题(有可能栅极储有电荷);
3、可以用红表笔短接G-S 或G-D ,将栅极电荷释放,再测量符合①②两条为准。
G D S D K4145。