MoS2电催化剂的制备及性能研究第二章计算及实验原理
mos2水相合成
mos2水相合成
MoS2是一种二维材料，具有广泛的应用潜力。
它可以通过水相合成方法制备。
下面是一种常见的MoS2水相合成方法：
1. 准备材料：准备硫酸铵（(NH4)2SO4）、硝酸铵（NH4NO3）、钼酸铵（NH4MoO4）等化学品，还需要一定量的去离子水。
2. 制备前驱体溶液：将硝酸铵、硫酸铵和钼酸铵按照一定比例加入去离子水中，搅拌混合直至溶解。
3. 调节溶液pH值：使用盐酸或氨水等试剂逐滴加入溶液中，调节pH值到特定范围，通常在2-5之间。
4. 添加还原剂：将适量的还原剂（如乙二醇）加入溶液中，以促进还原反应和形成MoS2纳米片。
5. 反应过程：将上述溶液转移到加热设备中进行水热反应，通常在高温（100-200摄氏度）和压力条件下进行，反应时间可以根据实验需求来决定。
6. 过滤和洗涤：将反应后的溶液通过滤纸或其他过滤器进行过滤，收集沉淀物。
接下来，用去离子水洗涤沉淀物多次，以去除杂质。
7. 干燥和表征：将洗涤后的沉淀物置于干燥箱中或使用真空干燥设备进行干燥，得到MoS2样品。
最后，可以使用一些表征技术（如扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X
射线衍射等）对其结构和性质进行分析。
需要注意的是，具体的合成方法可能会因实验条件、材料纯度以及所需产品形态的不同而有所调整。
另外，在操作过程中应注意安全，遵守相关实验室规范和操作指导。
二维二硫化钼(MoS2)及应用
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研究背景
石墨烯（Graphene）是二维结构的一个典 型代表，它只有一个原子层厚，达到了母体石 墨的几何极限。作为一个理想的二维量子体系， 在理论上Graphene并不是一个新事物。Wallace Philip 在20世纪40年代就对石墨烯二维量子体 系的电子结构开展了研究。几年后，石墨烯的 波函数方程被 J. W. Mcclur 成功推导得到。尽 管人们对Graphene的电输运性能提出过质疑， 但是并没有阻挡理论学家对石墨烯这个理想模 型结构的研究热情。
[1] Coleman J N, Lotya M, O'Neill A, etal. Two-dimensional nanosheets produced by liquid exfoliation of layered materials.Science,2011,331:568~571
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研究背景
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MoS2
早在1986年，就有人通过插入锂的方法成功剥离出单层二硫化钼。 2007年，世界上第一支纳米二硫化钼晶体管在美国马里兰大学问世，但由于其迁移 率并不理想因而并未引起太多注意。 2011年，Kis教授实验组在上发表了自己利用单层二硫化钼成功制造晶体管的文章， 引起轰动。 2011年11月，该实验组又报道了世界上第一只二硫化钼集成电路的成功研制。他们 将两只二硫化钼晶体管集成在一起，实现了简单的“或非”运算。 2012年，美国的Liu实验组报导了采用原子层沉积工艺制作的场效应晶体管，他们在 Al2O3绝缘衬底上使用23层，总厚度为15nm的二硫化钼纳米片层材料，成功制造出 双栅MOSFET，迁移率达到517cm2/V· s，是最初的纳米二硫化钼晶体管迁移率的10 倍。 同年，日本东京大学的Zhang实验组利用离子液体作为栅极绝缘体，使用纳米二硫 化钼材料成功研制出了双极型晶体管，其空穴和电子导电的开关比均大于102，实现 了较高的空穴迁移率。
MoS2的性能、制备及应用
范德华力，很容易插入有机基团或其他化
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MoS2纳米材料的制备
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1.高温硫化法：
①高温硫化法主要是指在高温条件下对钼单质或钼的氧化物
进行硫化来制备纳米 MoS2的方法，硫源包括单质硫和硫化氢气 体． 其中，对钼的氧化物进行硫化是最常见的，其主要反应机
理如式( 1) 、( 2) :
• 熔点1185℃ • 密度4.80g/cm3(14 ℃) • 莫式硬度1.0~1.5 • 1370 ℃开始分解，1ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ00 ℃分解为金属钼和硫 • 315 ℃在空气中加热时开始氧化，温度升高，
氧化反应加快。
• 20M21/o5/9S2不溶于水，只溶于王水与煮沸的浓硫酸。4
MoS2的结构
• MoS2是一个典型的层状化合物，每个单元是 S-Mo-S的”三明治“结构，层内以共价键 紧密结合在一起，层间是以微弱的范德华 力结合在一起。其中Mo和S以共价键结合为 三方柱面体结构。
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2.水热法
（1）用摩尔比是1:3的钼酸钠（Na2MoO4·2H2O）和硫代乙
酰胺（CH3CSNH2 ）作原料再添加适当的催化剂。
CH3CSNH2 +2H2O → H2S + CH3COOH + NH3 4Na2MoO4 +9H2S → 4MoS2 +Na2SO4 +6NaOH + 6H2O （2）用NaS2和MoO3作原料在聚四氟乙烯做衬里的高压釜 中反应。
晶格畸变小，并且可以在不同的工艺参数条件下制得不同形貌和结
构的纳米 MoS2材料。高温硫化法还适合于制备各种不同种类的载
体催化剂，但是由于此方法属于气固反应，MoO3很难进行有效的
1T’-MoTe2电催化微纳器件制备及其氧化与性能关系研究
分类号学号M********* 学校代码10487 密级硕士学位论文1T’-MoTe2电催化微纳器件制备及其氧化与性能关系研究学位申请人：游辉学科专业：材料工程指导教师：翟天佑教授刘友文副教授答辩日期：2019年5月14日A Dissertation Submitted in Partial Fulfillment of the Requirementsfor the Degree of Master of Engineering1T’ MoTe2-based On-chip Electrocatalytic Microdevice: a Platform to Unravel Oxidation-dependent ElectrocatalysisCandidate : Y ou HuiMajor : Materials EngineeringSupervisor : Prof. Zhai TianyouAssoc. Prof. Liu Y ouwenHuazhong University of Science and T echnologyWuhan 430074, P. R. ChinaMay, 2019独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。
尽我所知，除文中已经标明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。
对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。
本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。
学位论文作者签名：日期：年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。
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mos2电催化还原二氧化碳
mos2电催化还原二氧化碳
二硫化钼（MoS2）是一种具有催化活性的材料，可以用于催化还原二氧化碳（CO2）。
在电催化还原二氧化碳中，MoS2可以作为催化剂，促使CO2分子从气相转化为可利用的碳源。
电催化还原二氧化碳通常是在电解池中进行的，其中包含了一个正极和一个负极。
当给定足够的电压时，负极上的MoS2催化剂会吸附CO2分子，并促使其发生还原反应，产生有机物。
这些有机物可以被用作燃料或其他化学品的前体。
MoS2催化剂的活性取决于其表面结构和组成。
通过调控MoS2的形貌、晶体结构和缺陷位点等因素，可以优化其催化性能，提高CO2的还原效率。
尽管MoS2催化剂显示出潜力，但目前仍然存在一些挑战。
其中一个关键问题是如何提高催化活性和选择性，以实现高效的CO2转化。
此外，催化过程中可能会产生副产品或伴随着竞争反应，这也需要加以解决。
虽然电催化还原二氧化碳是一个具有挑战性的研究领域，但它具有重要的应用潜力。
通过利用MoS2等催化剂，可以将二氧化碳转化为有用的化学品，从而实现对大气中CO2排放的减少，并促进可持续发展。
二硫化钼薄膜晶体管制备
二硫化钼薄膜晶体管制备一、前言二硫化钼（MoS2）是一种具有优异电学、光学和力学性能的二维材料，近年来受到了广泛的研究关注。
作为一种半导体材料，MoS2薄膜可以用于晶体管等电子器件的制备。
本文将介绍二硫化钼薄膜晶体管制备的相关内容。
二、制备方法目前，制备MoS2薄膜的方法主要有化学气相沉积法（CVD）、机械剥离法和溶液剥离法等。
其中，CVD法是最常用的制备MoS2薄膜的方法之一。
1. 化学气相沉积法CVD法是利用化学反应在基底上生长MoS2晶体。
该方法需要先在基底上生长一层金属催化剂（如Ni、Co或Pt），然后在高温下通过气相反应使金属催化剂与硫源反应生成MoS2晶体。
具体步骤如下：（1）清洗基底：将基底放入丙酮中清洗5分钟，然后用去离子水冲洗干净并吹干。
（2）沉积金属催化剂：将清洗后的基底放入含有金属催化剂的溶液中，在高温下进行沉积。
（3）沉积MoS2薄膜：将含有硫源和惰性气体（如Ar或N2）的气体流入反应室，通过控制温度和时间，使硫源与金属催化剂反应生成MoS2晶体。
（4）去除金属催化剂：将生长好的MoS2薄膜在高温下进行退火，使金属催化剂与MoS2分离。
2. 机械剥离法机械剥离法是通过机械力将MoS2晶体从其原始基底上剥离下来，然后再转移到另一个基底上。
这种方法可以制备大面积、高质量的MoS2单晶片。
具体步骤如下：（1）清洗原始基底：将原始基底放入丙酮中清洗5分钟，然后用去离子水冲洗干净并吹干。
（2）制备MoS2单晶片：将原始基底放入含有MoS2晶体的溶液中，在低温下进行生长。
生长完成后，使用粘性胶带将MoS2晶体剥离下来。
（3）转移：将剥离下来的MoS2晶体通过粘性胶带转移到另一个基底上。
3. 溶液剥离法溶液剥离法是通过在MoS2晶体上涂覆一层聚合物，然后将其浸泡在化学试剂中，使聚合物与MoS2分离。
这种方法可以制备大面积、高质量的MoS2薄膜。
具体步骤如下：（1）清洗基底：将基底放入丙酮中清洗5分钟，然后用去离子水冲洗干净并吹干。
二硫化钼及其复合材料的制备与应用
二硫化钼及其复合材料的制备与应用二硫化钼（MoS2）是一种常见的二维材料，具有广泛的应用前景。
制备和应用技术的研究对于开发其潜在的应用具有重要意义。
本文将讨论关于二硫化钼及其复合材料制备和应用的相关内容。
谈到了二硫化钼的制备方法。
传统的制备方法主要包括化学气相沉积（CVD）、气体相硫化法、机械合成法、水热法等。
CVD是一种常用的方法，通过在高温下将金属硫化物分子在基底上分解沉积，形成二硫化钼薄膜。
机械合成法则是将金属硫化物与硫反应，通过机械装置将其研磨并制成纳米颗粒。
水热法则是利用水热反应条件，在高温高压下将硫与金属离子（如钼离子）反应生成纳米级的二硫化钼颗粒。
介绍了二硫化钼复合材料的制备方法。
二硫化钼复合材料的制备通常涉及将二硫化钼与其他材料进行复合。
常见的复合材料包括二硫化钼/石墨烯复合材料、二硫化钼/多壁碳纳米管复合材料等。
这些复合材料的制备方法一般包括物理混合法、化学沉积法、电化学沉积法等。
制备二硫化钼/石墨烯复合材料时，可以通过机械混合法将二硫化钼颗粒与石墨烯颗粒混合，然后用化学还原法将其还原成复合材料。
然后，探讨了二硫化钼及其复合材料的应用。
由于其独特的物理和化学性质，二硫化钼及其复合材料在电子器件、光电器件、催化剂、传感器、润滑剂等领域具有广泛的应用。
二硫化钼薄膜可以作为电子器件中的场效应晶体管（FET）的通道材料，用于制备高性能的电子器件。
二硫化钼/石墨烯复合材料可以用于制备高性能的电池电极材料，提高电池的能量存储性能。
二硫化钼复合材料还可以用作催化剂，在化学反应中起到催化作用。
mos2纳米片电化学器件
mos2纳米片电化学器件MoS2纳米片电化学器件是一种基于二硫化钼（MoS2）纳米材料的电化学器件，具有广泛的应用前景。
本文将从MoS2纳米片的制备方法、电化学性能以及应用领域等方面进行探讨。
我们来了解一下MoS2纳米片的制备方法。
MoS2纳米片通常可以通过机械剥离、化学气相沉积（CVD）以及液相剥离等方法来制备。
其中，机械剥离方法是最早被发现的制备MoS2纳米片的方法，其原理是通过机械剥离的方式将MoS2层剥离成纳米厚度，得到MoS2纳米片。
而CVD方法则是通过将Mo和S原料气体在高温下反应生成MoS2纳米片。
液相剥离方法则是将MoS2层沉积在基底上，然后通过化学溶剂或机械剥离的方式将MoS2层剥离成纳米片。
我们来了解一下MoS2纳米片的电化学性能。
MoS2纳米片具有较大的比表面积和优良的电子传导性能，使其在电化学领域具有广泛的应用。
研究表明，MoS2纳米片在电催化、电化学储能和传感等方面具有出色的性能。
例如，在电催化领域，MoS2纳米片可作为催化剂用于氢气、氧气和甲醇等电催化反应中，具有较高的催化活性和稳定性。
在电化学储能领域，MoS2纳米片可用作超级电容器和锂离子电池的电极材料，具有高的比容量和长的循环寿命。
此外，MoS2纳米片还可以应用于传感器的制备，用于检测环境中的气体、生物分子等。
MoS2纳米片电化学器件的应用领域十分广泛。
首先，在能源领域，MoS2纳米片可用于催化剂的制备，提高能源转化效率，如燃料电池和光电催化等。
其次，在电子器件方面，MoS2纳米片可用于制备柔性电子器件，如柔性显示屏和柔性电子封装等。
此外，MoS2纳米片还可以应用于生物传感器的制备，用于检测生物分子和疾病标志物等。
另外，MoS2纳米片还可以应用于环境监测，如气体传感器和水质传感器等。
MoS2纳米片电化学器件具有制备方法简单、电化学性能优良以及广泛的应用领域等优点。
随着纳米技术的不断发展，相信MoS2纳米片电化学器件将在未来的科技领域中发挥更加重要的作用。
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第1章 计算及实验原理2、1引言研究MoS 2电催化性能首先需要知道其催化原理及催化性能如何测试。
本章主要从理论模型的计算与实验原理方向进行叙述:(1)介绍基于密度泛函理论的第一性原理,目的在于计算并理解MoS 2材料结构、形貌对于其催化性能的影响,寻找MoS 2电催化活性位点,对于正确设计实验起着必不可少的指导作用。
(2)介绍本文中主要使用的MoS 2电催化剂的制备方法原理,包括液相剥离法、水热法与微波辅助法,主要介绍了各种方法的原理及特点。
(3)介绍MoS 2电催化剂的电化学性能的测试与材料表征测试原理,包括:透射电子显微镜(TEM)、X 射线衍射(XRD)与X 射线光电子能谱(XPS)测试,并探索它们在本课题中的应用。
2、2理论计算为探究MoS 2这种材料对于电化学催化的活性位点,本文采用了基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)的第一性原理计算方法。
第一性原理就是指基于量子力学的方法,通过求解薛定谔方程获取多粒子系统的各种参数,如系统总能量、固体能带、热导率、光学介电函数等。
由于多粒子系统的复杂性使得直接求解这一系统的薛定谔方程并不现实。
在计算过程中,通过密度泛函理论近似,将粒子的物理性质用粒子态密度函数描述。
密度泛函理论由Hebenberg 与Kohn 提出,此外Kohn 与Sham 建立了科恩-沙姆(Kohn-Sham)方程[23],该方程为进行密度泛函理论近似提供基础。
⎪⎪⎪⎭⎪⎪⎪⎬⎫=+'-''+==+-∇∑⎰=N i XC KS i i i KS r r r E r r r r d r v r V r E r r V 1i 22)()()(][)()()]([)()()]]([[ϕρδρρδρρϕϕρ其中(2-1)在求解Kohn-Sham 方程时需给出确定的交换关联能,常用方法包括由Kohn 与Sham 提出的局域密度近似法(Local Density Approximation,LDA)与Perdew 等人提出的广义梯度近似法(Generalized Gradient Approximation,GGA)。
本文在计算时采用GGA 近似方法,这种方法认为电子密度就是非均匀的。
通过引入电子密度的梯度,得到GGA 近似下的交换相关能泛函:⎰∇=r d r r r r E xc GGA xc )](),([)()]([ρρερρ (2-2)2、3实验原理MoS 2纳米材料有许多种制备方法,主要分为物理方法与化学方法两大类。
如机械剥离法、液相剥离法、化学气相淀积法、水热法、电化学沉积法[24,25]等。
使用不同的制备工艺可以得到形态结构不同的MoS 2纳米材料。
本文为制备MoS 2纳米片及MoS 2纳米花,主要使用了液相剥离法与水热法。
2、3、1 液相剥离法液相剥离法制备MoS 2就是一种纯物理制备方法。
Jonathan N Coleman [26]于2011年详细报道了这种通过将过渡金属硫化物(Transition Metal Dichalcogenides,TMDs)溶于有机溶剂,经超声剥离后可大量制备少层纳米材料的方法。
这种方法能制备出层数少、缺陷少的高质量MoS 2纳米片,如图2-1所示。
图 1-1 液相剥离法制备的MoS 2纳米片TEM该方法可以选用多种有机溶剂,如N-甲基吡咯烷酮(NMP)、异丙醇(IPA)、二甲基甲酰胺(DMF)等。
由于MoS 2具有类石墨烯的片层结构,其层与层之间靠较弱的范德华力相互作用,易于分开。
当将一定量MoS 2粉末溶于有机溶剂中,在超声波环境超声数小时的过程中,有机溶剂会插入到MoS 2片层中,增加MoS 2层间距,进一步减弱范德华力,从而使其被剥离为多层乃至单层的MoS 2纳米片状材料。
通过控制超声功率可以获得尺寸大小不同的MoS 2纳米片。
利用液相剥离法可大批量、规模化地制备出结构完整的MoS 2纳米片。
这种方法操作简单,不易受环境变化影响。
但就是其制备周期较长,在实验室制备效率不高。
2、3、2 水热法水热法就是一种常见的制备特殊形貌结构MoS 2材料的一种方法。
通常来讲,水热法就就是指将前驱物置于密闭反应釜中,在液相条件下,通过控制反应时间、反应温度、压强等条件可改变制备出的MoS2材料的结构与形貌[27]。
水热法就是一种化学制备方法,本文具体采用了水热合成法。
在亚临界反应区(100℃-240℃)条件下,以水为反应介质,利用物质在较高温度下溶解度的变化与反应物间的相互作用[28]制备高纯度、结构可控的纳米材料。
水热法合成的MoS2纳米微球如图2-2所示。
图1-2 水热法制备的MoS2纳米微球这种方法对环境不存在污染,反应条件相对温与,只要控制好反应时间、温度与压强即可制备出花状MoS2纳米材料。
2、3、3 微波辅助法微波法可以在物质合成过程中较为精细地改变纳米材料的性质,控制其大小、形状与成分[29]。
其具体反映原理示意图如图2-3。
微波加热法因为具升温速度快、加热均匀,无温度梯度、环境友好等优点,近几年被广泛地应用于催化剂制备领域。
图1-3 微波法制备MoS2复合催化剂原理图本文中使用微波辅助乙二醇还原的方法就是微波法的一种。
这种方法在微波辐射环境下,利用乙二醇在碱性环境下表现出的较强的还原性,将金属粒子、氧化石墨烯等物质还原,并将MoS2均匀地分散、担载到这些材料上,以改进MoS2电催化剂的导电性。
2、4材料特性测试及表征原理2、4、1透射电子显微镜——材料形貌与结构测试透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)利用高速电子撞击到非常薄的样品上产生的散射图像,对微纳米级的物质进行观察。
TEM最大的优势就就是它极高的分辨率。
光学显微镜的分辨率受入射光波长及光学系统数值孔径影响,其分辨率为:(2-3) 式中:——入射光波长;NA——光学系统数值孔径。
由于电子的德布罗意波长较短,使得在TEM下成像分辨率远高于光学显微镜,可达到0、1-0、2nm,放大倍数可达几十到几百万倍。
高速电子穿过样品后,携带的信息经由成像系统进行成像。
观测者由此可以获得关于该样品的形貌、结构、晶格缺陷、厚度等信息。
制备测试样品时只需将少量样品分散在乙醇中,超声分散均匀后小心滴在铜网上,真空干燥后即可进行测试。
2、4、2 X射线光电子能谱——材料成分测试X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)基于光电效应原理,以X射线为探针,检测由材料表面发射出的光电子来获取信息。
当光束照射到样品上时,若入射光能量大于或等于该样品的逸出功,电子即可从该样品中逃出,成为光电子。
将表示为光电子动能,则ϕ(2-4) 式中:——逸出的光电子动能;——X射线总能量;——原子轨道结合能;ϕ——待测样品逸出功。
这些光电子大多为原子内层价电子,以光电子动能为横坐标,相对强度为纵坐标即可做出光电子能谱。
可以通过对光电子能谱的分析获取关于材料的元素构成及每种元素的化学态与电子态等数据。
2、4、3 X射线衍射——晶体结构测试X射线衍射分析(X-ray Diffraction,XRD)就是一种通过对材料进行X射线衍射,从而获得有关材料的成分、内部分子或原子结构、结晶度等参数的测试手段。
其工作原理如图2-4所示。
测试中,将待测样品的晶格视作光栅,当有特定波长的X射线入射时会产生光的干涉,根据布拉格方程:(2-5) 式中:d——晶格常数;——入射X射线与晶面夹角;n——衍射级数;——X射线波长。
图 1-4 X射线衍射原理图从而通过扫描θ角,利用已知波长的X射线,从而计算出晶面间距d,最终分析出待测样品的晶面间距。
制备样品时采用细粉末或小块样品,样品中包含晶体的各种取向,经X射线照射后从每一符合布拉格条件的反射面得到反射,测出反射角θ,再利用布拉格公式即可确定点阵平面间距、晶胞大小与类型;根据衍射线的半峰宽,还可通过德拜-谢乐(Debye-Scherrer)公式进一步确定晶粒大小。
其中德拜-谢乐公式为:(2-6) 式中:——晶粒尺寸;k——Scherrer常数,取0、9;——X射线波长;——最强衍射峰半峰宽;——入射X射线与晶面夹角。
2、4、4电化学性能测试所有的电化学测试均通过CHI660D电化学工作站进行测试。
该工作站集成了绝大多数的电化学测试技术,如恒电位,恒电流,电位扫描,电流扫描以及交流阻抗等,可以进行各种电化学常数的测量。
析氢反应性能测试中,催化剂的催化活性通过线性扫描伏安法(Linear Sweep V oltammetry,LSV)进行评估。
线性扫描伏安法就是指控制电极电位以恒定的速率线性变化,同时测量通过电极的电流,以测得的电流对施加的电位作图。
测量体系采用三电极体系,如图2-4。
在三电极体系电路中,电解池由三个电极组成,即工作电极(Working Electrode,WE)、辅助电极(Counter Electrode,CE)与参比电极(Reference Electrode,RE)。
图1-5 三电极体系原理图工作电极为实验的研究对象;辅助电极用于导通极化回路中的电流,以使研究电极发生所需要的极化;参比电极就是电极电势的比较标准,可以用来测量研究电极的电势变化,保证电极电势标准的恒定。
在测量过程中工作电极选用旋转圆盘电极。
当电极表面进行化学反应时,反应物不断在电极上消耗且生成物不断产生。
在液相条件下会引起电极附近溶液浓度的变化,破坏了也相中的浓度平衡。
采用旋转圆盘电极可以降低电极附近物质传递对电子转移的影响得到精度更高的测量结果。
2、5 本章小结本章中主要介绍了对于MoS2这种电催化材料的理论计算——密度泛函理论。
简要概述了本文中制备不同形态MoS2纳米材料的不同方法的原理:液相剥离法、水热法及微波辅助还原法。
简单介绍了对于制备出的材料的测试方法原理:利用透射电子显微镜对材料形貌与结构进行测试;利用X射线光电子能谱对材料成分、化学态进行测试;利用X射线衍射对材料晶体结构测试。
介绍本文中所使用的电化学测试方法原理,通过线性扫描伏安法对MoS2催化剂的析氢性能进行测试。