钽电容温度特性曲线图
钽电解电容器使用注意事项
钽电解电容器使用注意事项为了使钽电容器以最稳定的质量充分发挥其性能，必须以适当的方式使用，使用前请先确认电容器的使用条件和规定的性能，必须遵守规格书上所规定的条件，如果使用条件不符合规定范围或在未规定的条件下使用，请明确其条件与本公司商谈。
一、 设计电路1、使用电压电容器的故障受到使用电压和额定电压的比率影响很大。
设计实际电路时，请考虑到所有要求的可靠性，适当降低电压。
1）使用低阻抗电路时（尤其开关电源中的滤波电容器），请将使用电压设定在额定电压的2）在低阻抗电路中电容器并联使用时，将增加直流浪涌电流失效的危险，同时请注意并联电容器中储存的电荷，通过其它电容器放电。
3）钽电容器在电路中，应控制瞬间大电流对电容器的冲击，建议串联电阻以缓解这种冲击。
请将3Ω/V以上的保护电阻器串联在电容器上，以限制电流在300mA以下。
无法插入保护电阻时，请使用1/3额定电压以下作为工作电压。
2、反向电压钽电容器为有极性电容器，所以请勿施加反向电压，不可使用在只有交流的电路中。
1）在不得已的情况下，允许在短时间内施加小量的反向电压，其值为：25℃下：≤10%U R（额定电压）或1V（取小者）85℃下：≤5%U R（额定电压）或0.5V（取小者）2）如果将电容器长期使用在反向电路中时，请选用无极性钽电容器。
3）银外壳非固体电解钽电容器不能承受反向电压。
4）原则上禁止使用万用表的电阻档对有钽电容的电路或电容器本身进行不分极性的测试。
5）在测量使用过程中，如不慎使钽电容器承受了不应有的反向电压，请将该电容器报废，即使其各项电参数仍然合格。
3、波纹电压请在电容器规定的允许波纹电压内使用。
1）使用时，直流偏压与交流分压峰值之和不得超过电容器的额定电压。
2）交流负峰值与直流偏压之和不超过电容器允许的反向电压值。
3）波纹电流通过钽电容器产生有功功率损耗，进而电容器自身温升导致的热击穿失效概率增大，因此有必要对通过电容器的波纹电流或电容量允许的功率损耗进行限制。
钽电容
去年NEC财年亏损严重，11月发水后钽电容业务卖给KEMET，要 到7月份才有市场策略；AVX在小尺寸就只有106P/226P在供应，数 量也不大；ROHM只有476P/107A这两个产品有竞争力，其他料号也 没优势，而且产能也不足够。
今年以来，第一个季度以及即将过去的第二季度，钽电容市场 行情一遍低迷，随着国家大力扶持国内企业的政策，预计钽电容 等电子元件即将迎来第一波销售高峰。因此，国内必然崛起一大 批国内企业打响他们的品牌，而要打响品牌，首先质量要过硬， 电子产品质量过硬靠的是电子元件的质量过硬，而高端电子产品 不可缺少的贴片钽电容（因其滤波功能，稳定性，可靠性极佳） 必然会成为很多品牌厂商对于贴片电容类产品的首选，接下来， 钽电容即将迎来销售高峰。钽电容市场行情前景依然充满阳光！
➢ 陶瓷电容是跟介质有关，陶瓷介质在不同温度下介电常数 不一样； 铝电解电容是跟电解液的导电能力有关，温度 影响电解液里离子运动的速度。BUT,钽电容为Ta2O5电解 质，温度对其介电常数影响不大。
电容尺寸与容量关系
➢ 在钽电容，铝电容，MLCC三类电容中，MLCC的尺寸最小， 但是电容值无法做太大，一般用于低频。钽电容相比MLCC 尺寸要大，但是容量也是比MLCC高很多，可由于内部的特 性，其CV值（电容与电压乘积）做不大，容量和电压有一 定范围，一般从0.1uF~1000uF；工作电压从2V~50V；这些 因素都限制了钽电容在高压大容量上的应用。而铝电容体 积最大，容量也可以做很大。
片式钽电容器技术总结及应用指南3.2
片式钽电容器技术总结及应用指南一、 电性能及术语解释 1.1 电容量1.1.1 标称电容量（C R ）这是标称额定电容量，对钽电容器来说，＋ 20℃用测量电桥测量等效串联电路的电容量。
1.1.2 电容量偏差这是实际电容量值所允许的变化。
1.1.3 电容量与温度的关系（曲线）钽电容器的电容量随温度变化。
该变化自身与额定电压和电容器的大小有点关系。
电容量与温度%15 0-15-25 0 25 50 75 100 125温度（℃）1.1.4 电容量与频率的关系（曲线）频率增加则电容量减少。
超过100KHz ，电容量继续下降达到谐振（典型的介于0.5~5MHz ）。
超过谐振频率。
电容量（μF ）1000 10000 100000 1000000 频率（Hz ）1.2 电压1.2.1 直流额定电压（V R ）这是85℃持续施加的直流额定电压。
1.2.2 类别电压（V C ）这是可施加到电容器上的最大电压。
在85℃时它等于额定电压，超过该温度，它将呈直线下降，在125℃达到V R 的2/3。
最大类别电压与温度%1009070 5075 95 115 温度（℃）1.2.3 浪涌电压（V S ）用最小串联电阻为1千欧的电阻在电路中对电容器在短时间内施加的最大电压。
在每小时内每次为期30秒的浪涌电压可达10次。
在电路设计中，浪涌电路不能作为参数使用，在常规操作中，电容器要定期充电、放电。
1.2.4 固体钽电容器承受浪涌电压和浪涌电流的能力有限。
这和其它电容器有共同之处，因为通过电介质的电场强度很大。
例如一个25v 的电容器在额定电压下操作时就具备147kv/mm 的电场强度。
确保电压通过电容器引出端时不超过规定的标称额定浪涌电压是相当重要的。
在低阻抗线路中，电容器易受到浪涌电压的应力。
降低电容器额定电压的50%或更多，可增加元件的可靠性。
在需承受快速充电和放电的电路中，我们推荐1Ω/v的保护电阻。
如果可能的话，应使用达到70%的降额度。
钽电容
➢ 陶瓷电容是跟介质有关，陶瓷介质在不同温度下介电常数 不一样； 铝电解电容是跟电解液的导电能力有关，温度 影响电解液里离子运动的速度。BUT,钽电容为Ta2O5电解 质，温度对其介电常数影响不大。
电容尺寸与容量关系
➢ 在钽电容，铝电容，MLCC三类电容中，MLCC的尺寸最小， 但是电容值无法做太大，一般用于低频。钽电容相比MLCC 尺寸要大，但是容量也是比MLCC高很多，可由于内部的特 性，其CV值（电容与电压乘积）做不大，容量和电压有一 定范围，一般从0.1uF~1000uF；工作电压从2V~50V；这些 因素都限制了钽电容在高压大容量上的应用。而铝电容体 积最大，容量也可以做很大。
钽电容 在手机上的应用
射频端：存能使用，PA工作的 时候，特别是TDD系统，PA是从 不工作到工作的状态的变化， 电压会被明显拉低，有钽电容 在可以使得电压的变化会平缓 一些。 电源端：电源端电容作用为滤波，容值越大就越能保证输出 电压的稳定性，纹波小。 音频端：音频的串联电容作用为隔直，容量越大，通过的音 频范围越大，低音效果越好。ESR值越低对输出功率影响越 小，效率越高，但因相对于耳机的阻抗较小，因此对ESR要 求不高。
漏电流：较小，随着温度和电 压的增大而增大。
钽电容 失效
❖氧化膜存在缺陷，部分恶化，引起介质的漏电流异常，最后 导致介质短路（自愈）-----电流型
电容器温度特性图
常见材料的薄膜电容器温度电参数特性
以下图是一些常见介质材料的薄膜电容器容量损耗与温度的电参数特性，便于电路设计，电子爱好者有以及其他需求人员借鉴，特测试制作奉献大家，
测试条件：1，烘箱：20-250℃。
2，电容引线直接连接电
（业余制作，桥hp-2482读数取值。
数据经mini tab软件成图。
不保证绝对精准）kanxm
上图是复合膜电容器容量与温度的对应关系。
上图是复合膜电容器损耗与温度的对应关系。
此图也是复合膜电容器容量与温度的对应关系。
此图也是复合膜电容器损耗与温度的对应关系。
上二图是聚丙烯膜电容器容量，损耗与温度的对应关系。
上述二图是聚丙烯金属化膜电容器容量，损耗与温度的对应关系。
上图是聚酯（涤纶）膜电容器容量与温度的对应关系。
上图是聚酯（涤纶）膜电容器损耗与温度的对应关系。
上图是聚酯（涤纶）膜电容器容量与温度的对应关系。
上图是聚酯（涤纶）膜电容器损耗与温度的对应关系。
上图是聚酯（涤纶）金属化膜电容器容量与温度的对应关系。
上图是聚酯（涤纶）金属化膜电容器损耗与温度的对应关系。
上图是聚丙烯金属化膜电容器容量与温度的对应关系。
上图是聚丙烯金属化膜电容器损耗与温度的对应关系。
钽电容参数介绍及使用技巧
钽电容（Tantalum Capacitors）钽电容全称是钽电解电容，也属于电解电容的一种，使用金属钽做介质，由于钽电容内部没有电解液，很适合在高温下工作。
钽电容由于采用颗粒很细的钽粉，且钽的介电常数很高，所以在单位体积内钽电容的容量可以做到比较大。
钽电容的特点是温度范围宽、耐高温、寿命长、误差小、高稳定性,最高的容量体积比。
当然，还有高成本和过于复杂的生产技术。
在优点突出的前提下,钽电容器也具有要命的弱点,耐纹波性能与其它电容器相比较差,不能承受过高的反向电压。
钽电容器仍然具有最高的可靠性.这是它一至在军用及仪器行业里使用成为首选的根本原因。
从成本及性价比的角度看，在实际使用中，钽电容主要应用于1UF-220UF情况下的中小电源滤波作用。
目前全球钽电容的生产厂家主要有AVX、KEMET、NEC、VISHAY、NICHICON、三星、三洋等等。
美国品牌的钽电容如AVX/KEMET外观都是黄色，其它一些品牌外观都是黑色。
钽电容内部结构图：钽电容内部等效电路：钽电容MARK标识：钽电容主要参数：1、容值范围：钽电容的容值参数范围一般在0.47UF-680UF，不同厂家根据工艺能力，稍微有区别。
一般情况下钽电容使用参数范围在1UF-220UF左右。
从下面图表可以看出，钽电容在超过100K以上频率时，电容参数急剧减小。
所以，钽电容一般情况下只适合低频情况下中大电流滤波。
2、额定电压：一般钽电容的额定电压范围在4V-50V，考虑到125度环境需要做降额使用，参考下表。
在常规-55°C to + 125°C环境下，额定电压需要降额到2/3左右使用。
具体降额可以用下列公式计算：Vmax=( 1-(T-85)/125)×VRVmax是最大工作电压T 是要求的工作温度VR是额定电压值得注意的是上述公式只适用于高阻抗的放电电路。
同时,上述公式并没有考虑交流分量和浪涌的影响，因此当使用温度较高时,必须使用更大的降额电压才能稳定可靠地工作。
钽电容知识总结
一、钽电容简介和基本结构固体钽电容是将钽粉压制成型,在高温炉中烧结成阳极体,其电介质是将阳极体放入酸中赋能,形成多孔性非晶型Ta2O5介质膜,其工作电解质为硝酸锰溶液经高温分解形成MnO2 ,通过石墨层作为引出连接用。
钽电容性能优越，能够实现较大容量的同时可以使体积相对较小，易于加工成小型和片状元件，适宜目前电子器件装配自动化，小型化发展，得到了广泛的应用，钽电容的主要特点有寿命长，耐高温，准确度高，但耐电压和电流能力相对较弱，一般应用于电路大容量滤波部分。
.基本结构下图为MnO2为负极的钽电容下图为聚合物（Polymer）为负极的钽电容二、生产工艺按照电解液的形态，钽电解电容有液体和固体钽电解电容之分，液体钽电解用量已经很少，本文仅介绍固体钽电解的生产工艺。
固体钽电解电容其介质材料是五氧化二钽；阳极是烧结形成的金属钽块，由，目前最新的是采用聚合物作为负极材料，性钽丝引出，传统的负极是固态MnO2。
能优于MnO2钽电解电容有引线式和贴片两种安装方式，其制造工艺大致相同，现在以片钽生产工艺为例介绍如下。
一、生产工艺流程图成型烧结试容检验组架赋能涂四氟被膜石墨银浆上片点胶固化点焊模压固化切筋喷砂电镀打标志切边漏电预测老化测试检验编带入库二、主要生产工序说明（一）成型工序：该工序目的是将钽粉与钽丝模压在一起并具有一定的形状，在成型过程中要给钽粉中加入一定比例的粘接剂。
1、什么要加粘接剂？为了改善钽粉的流动性和成型性，避免粉重误差太大，另外避免钽粉堵塞模腔。
低比容粉流动性好可适当多加点粘接剂，高比容粉流动性差可适当少加点粘接剂。
2、加了太多或太少有什么影响？如果太多：脱樟时，樟脑大量挥发，易导致钽坯开裂、断裂，瘦小的钽坯易导致弯曲。
如果太少：起不到改善钽粉流动性的作用。
拌好后的钽粉如果使用时间较长，因为樟脑是易挥发物品，可适量再加入一点粘和剂。
樟脑的加入会导致钽粉中杂质含量增加，影响漏电。
每天使用完毕，需将钽粉装入聚四氟乙烯瓶或真空袋内密封保存，以防樟脑挥发、钽粉中混入杂质、钽粉中吸附空气中的气体。
电容图解之钽电容
胆电容优点：体积小、电容量较大、外形多样、长寿命、高可靠性、工作温度范围宽缺点：容量较小、价格贵、耐电压及电流能力较弱、应用：军事通讯、航天、工业控制、影视设备、通讯仪表重点：1.也属于电解电容的一种，使用金属钽做介质，不像普通电解电容那样使用电解液，钽电容不需像普通电解电容那样使用镀了铝膜的电容纸绕制，本身几乎没有电感，但这也限制了它的容量。
2.由于钽电容内部没有电解液，很适合在高温下工作。
3.钽电容器的工作介质是在钽金属表面生成的一层极薄的五氧化二钽膜。
此层氧化膜介质与组成电容器的一端极结合成一个整体，不能单独存在。
因此单位体积内具有非常高的工作电场强度，所具有的电容量特别大，即比容量非常高，因此特别适宜于小型化。
4.钽电容的性能优异，是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品，在电源滤波、交流旁路等用途上少有竞争对手。
5.钽电解电容器具有储藏电量、进行充放电等性能，主要应用于滤波、能量贮存与转换，记号旁路，耦合与退耦以及作时间常数元件等。
在应用中要注意其性能特点，正确使用会有助于充分发挥其功能，其中诸如考虑产品工作环境及其发热温度，以及采取降额使用等措施，如果使用不当会影响产品的工作寿命。
6.在钽电容器工作过程中，具有自动修补或隔绝氧化膜中的疵点所在的性能，使氧化膜介质随时得到加固和恢复其应有的绝缘能力，而不致遭到连续的累积性破坏。
这种独特自愈性能，保证了其长寿命和可靠性的优势。
7.钽电容器具有单向导电性，即所谓有“极性”，应用时应按电源的正、负方向接入电流，电容器的阳极（正极）接电源“+”极，阴极（负极）接电源的“-”极如果接错不仅电容器发挥不了作用，而且漏电流很大，短时间内芯子就会发热，破坏氧化膜随即失效。
标识方法：（1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。
（2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。
文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。
和电阻的表示方法相同。
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AVX钽电容温度特性曲线图
在介绍AVX钽电容的温度特性曲线前,我们必需对以下两个基本概念有所认识:
额定容量（CR）
这是额定电容。
对于钽OxiCap®电容器的电容测量是在25° C时等效串联电路使用测量电桥提供一个0.5V RMS120Hz的正弦信号， 谐波与2.2Vd.c.偏见.
电容公差
这是实际值的允许偏差电容额定值。
如需阅读，请咨询AVX技术出版物“电容固体钽电容器“公差。
钽电容器的电容随温度变化而发生变化。
这种变化本身就是一个小的程度上依赖额定电压和电容的大小。
从下面的温度曲线图上可以看出在工作温度范围内，钽电容和铌电容的容量会随着温度的上升而上升 。
以上由AVX代理商希迪电子整理提供
钽电容的浪涌电压
是指电容在很短的时间经过最小的串联电阻的电路33Ohms（CECC国家1KΩ）能承受的最高电压。
浪涌电压，常温下一个小时时间内可达到高达10倍额度电压并高达30秒的时间。
浪涌电压只作为参考参数，不能用作电路设计的依据，在正常运行过程中，电容应定期充电和放电。
不同温度下浪涌电压的值是不一样的，在85度及以下温度时，分类电压VC等于额定电压VR，浪涌电压VS等于额度电压VR的1.3倍；在85到125度时，分类电压VC等于
额定电压VR的0.66倍，浪涌电压VS等于分类电压VC的1.3倍。
AVX钽电容能承受的电压和电流浪涌能力是有限的，这是基于所有电解电容的共同属性，一个值够高的电应力会穿过电介质，从而破坏了介质。
例如一个6伏的钽电容在额定电压运行时，有一个167千伏/毫米电压的电场。
因此一定要确保整个电容器终端的电压的决不会超过规定的浪涌电压评级。
作为钽电容负极板层使用的半导体二氧化锰有自愈能力。
然而，这种低阻是有限的。
在低阻抗电路的情况下， 电容器可能被浪涌电流击穿。
降压的电容，增加了元件的可靠性。
AVX公司推荐降级表“（第119页）总结额定电压使用上常见的电压轨迹，低阻抗钽电容在电路进行快速充电或放电时，保护电阻建议为1Ω/ V。
如果达不到此要求应使用钽电容器降压系数高达70％。
在这种情况下，可能需要更高的电压比作为一个单一的电容。
A系列组合应被用来增加工作电压的等效电容器：例如，两个22μF25V系列部分相当于一个11μF50V的一部分。
钽电容的反向电压
AVX钽电容的反向电压是有严格的限制的，具体如下：
在1.0V 25° C条件下最大为10％的额定直流工作电压
在0.5V 85° C条件下最大为3％的额定直流工作电压
在0.1V 125℃条件下最大为1％的额定直流工作电压
反向电压值均以钽电容在任何时间上的最高电压值为准。
这些限制是假设钽电容器偏振光在其大多数的正确方向工作寿命。
他们的目的是涵盖短期逆转如发生在开关瞬态极性期间的一个印象深刻的波形的一小部分。
连续施加反向电压会导致两极分化，将导致漏电流增大。
在在何种情况下连续反向应用电压可能会出现两个类似的电容应采用与负端接背回配置连接在一起。
在大多数情况下这种组合将有一个标称电容的电容的一半无论是电容。
www.smdinc.hk 在孤立的脉冲条件或在最初几个周期内，电容可能的方法完整的标称值。
反向电压等级的设计盖小级别游览得天独厚的条件弄错极性。
引用的值是不打算覆盖连续的反向操作。
钽电容的叠加交流电压（Vr.m.s.）------又称纹波电压
这是最大的r.m.s.交流电压;叠加一个特区电压，可应用到一个电容。
在华盛顿的总和电压和峰值叠加A.C.电压不得超过该类别电压，v.c.第2节中的全部细节
钽电容的成型电压。
这是在阳极氧化形成的电压。
“这个氧化层的厚度是形成电压成正比一个电容器，并在设置额定电压的一个因素。
扩展阅读:
以下由AVX代理商希望电子整理提供,详细情况请直接访问www.cdindustries.hk
损耗角正切（TAN）。
这是一个在电容器的能量损耗的测量。
它表示，为棕褐色，是电容器的功率损耗其无功功率分为一组指定的正弦电压频率。
也用的术语是功率因数，损耗因子和介电损耗。
COS （90 - ）是真正的功率因数。
“使用测量进行测量谭桥梁，提供一个0.5V RMS120Hz的正弦信号，免费谐波的2.2Vdc的偏见。
耗散因数（D.F.）。
耗散因数测量的切线损耗角（TAN），以百分比表示。
测量DF是开展测量桥梁供应一个0.5V RMS120Hz的正弦信号，免费谐波与偏见2.2Vdc。
DF值是温度和频率依赖性。
注意：对于表面贴装产品所允许的最大DF值表示的收视率表是很重要请注意，这些限额会见了由组件后基板上焊接。
耗散因数的频率依赖性
随着频率的增加损耗因数所示钽和OxiCap庐电容器的典型曲线相同的：
耗散与温度的关系
耗散系数随温度变化的典型曲线表演。
这些地块是钽和OxiCap相同®电容器。
对于最高限额，请参阅的评分表。
AVX钽电容的频率特性
以下由AVX代理希迪电子整理提供.未经许可授权,禁止转载!
我们知道每种电容都有它的频率特性,那么AVX钽电容的频率特性是怎么样的呢?
AVX钽电容随着频率的增加有效电容的值会减小，直到共振达到（通常视0.5 - 5MHz的之间该评级）。
除了共振频率的设备变得感性。
除了100kHz的电容继续下降。
下面以AVX贴片钽电容E型的220UF 10V规格为例,来说明钽电容的频率特性.
AVX钽电容的阻抗(Z)。
这是电流电压的比值，在指定的频率。
三个因素促成了钽电容器的阻抗;半导体层的电阻电容价值和电极和引线电感。
在高频率导致的电感成为一个限制因素。
温度和频率的行为确定这三个因素的阻抗行为阻抗Z。
阻抗是在25° C和100kHz。
AVX钽电容的等效串联电阻ESR。
阻力损失发生在一切可行的形式电容器。
这些都是由几种不同的机制，包括电阻元件和触点，粘性势力内介质和生产旁路的缺陷电流路径。
为了表达对他们的这些损失的影响视为电容的ESR。
ESR的频率依赖性和可利用的关系;ESR=谭δ2πfC其中F是赫兹的频率，C是电容法拉。
ESR是在25 ° C和100kHz的测量。
ESR是阻抗的因素之一，在高频率（100kHz 和以上）就变成了主导因素。
从而ESR和阻抗几乎成了相同，阻抗仅小幅走高。
AVX钽电容的阻抗和ESR的频率依赖性。
ESR和阻抗都随频率的增加。
在较低频率值作为额外的贡献分歧阻抗（由于电容器的电抗）变得更加重要。
除了1MHz的（和超越电容的谐振点）阻抗再次增加由于电感，电容的。
典型ESR和阻抗值是类似的钽，铌氧化物材料，从而在相同的图表都有效钽电容和OxiCap®电容器。
AVX代理谈钽电容的阻抗与温度的关系
和ESR。
在100kHz，阻抗和ESR的行为相同，随着温度的升高下降的典型曲线。