芯片的封装认识
芯片封装原理及分类
芯片封装原理及分类1.芯片封装原理芯片封装是指将微电子器件（包括集成电路、晶体管等）连接到封装基座上的工艺过程。
其原理是将芯片导线通过焊接或焊球连接到封装基座上的金属脚，然后采用封装材料将芯片进行封装。
这样可以保护芯片免受外界环境的影响，并且提供了芯片与外部世界之间的连接接口。
2.芯片封装分类（1）DIP封装（Dual In-line Package）DIP封装是最早的一种芯片封装方式，其特点是通过两排金属脚与外部电路连接。
这种封装方式成本低、可焊接，但体积大，适用于较低密度的集成电路。
（2）SOP封装（Small Outline Package）SOP封装是DIP封装的改进版，其特点是脚距更近，体积更小，适用于较高密度的集成电路。
SOP封装有多种形式，如SOIC（Small Outline Integrated Circuit）、TSOP（Thin Small Outline Package）等。
（3）QFP封装（Quad Flat Package）QFP封装是一种表面贴装封装方式，其特点是四个侧面都带有金属端子，适用于较高密度、中等规模的集成电路。
QFP封装有多种形式，如TQFP（Thin Quad Flat Package）、LQFP（Low-profile Quad Flat Package）等。
（4）BGA封装（Ball Grid Array）BGA封装是一种表面贴装封装方式，在封装基座上布置了一定数量的焊球来实现与外部电路的连接。
BGA封装的特点是密封性好、性能稳定，并且适用于超高密度的集成电路。
BGA封装有多种形式，如CABGA （Ceramic Ball Grid Array）、TBGA（Thin Ball Grid Array）等。
（5）CSP封装（Chip Scale Package）CSP封装是一种紧凑型封装方式，其特点是尺寸和芯片相似，在封装基座上布置了少量焊球或焊盘。
CSP封装的优势在于占据空间小、重量轻、功耗低，并且适用于高密度的集成电路。
芯片封装介绍范文
芯片封装介绍范文芯片封装是一种将芯片器件封装在外部包装中的技术过程。
它起到保护芯片免受外界环境影响的作用，同时也为芯片与外部世界进行连接提供了可能。
芯片封装可分为多种形式，如塑封、球栅阵列封装（BGA）、无引线封装（QFN）等。
早期的芯片封装主要采用塑封封装。
塑封封装通过将芯片与塑料基片进行固定连接，然后使用塑料材料进行封装。
塑封封装方式简单、成本较低，适用于低功耗芯片，如逻辑芯片和存储器芯片。
然而，随着集成度的不断提高和功耗的增加，塑封封装的局限性也逐渐暴露出来，如散热不佳、引脚容易受损等。
为解决塑封封装的问题，球栅阵列封装（BGA）应运而生。
BGA封装采用无引线设计，通过在底部安装一个由球形焊球组成的阵列，与印刷电路板焊接在一起。
相较于塑封封装，BGA封装具有更好的热性能和导热性能，能够更好地满足高密度与高功率芯片的需求。
此外，BGA封装的焊点可靠性也较高，能够适应复杂环境和振动应力。
因此，BGA封装逐渐成为高性能芯片封装的主流技术。
除了BGA封装之外，无引线封装（QFN）也是一种常见的芯片封装形式。
与BGA封装类似，QFN封装也采用无引线设计，通过焊接芯片与印刷电路板的底部金属接触面相连接。
与BGA封装相比，QFN封装在尺寸上更加紧凑，适用于小型化和轻量化的应用，如移动设备和无线通信模块。
此外，QFN封装还具有低成本、良好的导热性能和可靠性等优势。
除了上述封装形式，另外还有多种芯片封装技术，如多芯片模块（MCM）、3D封装等。
多芯片模块将多个芯片集成在一个封装中，以实现更高的功能集成和性能。
3D封装则是将多个芯片堆叠在一起，通过垂直连接实现信号传输和功耗管理。
这些封装形式在高端应用领域得到广泛应用，如服务器、网络设备和高性能计算机等。
总之，芯片封装是将芯片器件封装在外部包装中的技术过程，它为芯片提供了物理保护和外部连接的功能。
在不同类型的封装中，塑封封装适用于低功耗芯片，BGA和QFN封装适用于高性能芯片，而MCM和3D封装则适用于高度集成和功能复杂的芯片。
先进芯片封装知识介绍
先进芯片封装知识介绍芯片封装是将半导体芯片封装成具有特定功能和形状的封装组件的过程。
芯片封装在实际应用中起着至关重要的作用，它不仅保护芯片免受外部环境的干扰和损害，同时也为芯片提供了良好的导热特性和机械强度。
本文将介绍先进芯片封装的知识，包括封装技术、封装材料和封装工艺等方面。
一、芯片封装技术芯片封装技术主要包括无引线封装（Wafer-Level Package，简称WLP）、翻装封装（Flip-Chip Package，简称FCP）和探针封装（Probe Card Package，简称PCP）等。
1.无引线封装（WLP）：无引线封装是在芯片表面直接封装焊盘，实现对芯片进行封装和连接。
它可以使芯片的封装密度更高，并且具有优秀的热传导和电性能。
无引线封装技术广泛应用于移动设备和无线通信领域。
2.翻装封装（FCP）：翻装封装是将芯片颠倒翻转后通过导电焊球连接到基板上的封装技术。
它可以提供更好的电路性能和更高的封装密度，适用于高性能芯片的封装。
3.探针封装（PCP）：探针封装是通过探针头将芯片连接到测试设备进行测试和封装的技术。
它可以快速进行芯片测试和封装，适用于小批量和多品种的芯片生产。
二、芯片封装材料芯片封装材料是指用于封装过程中的材料，包括基板、封装胶料和焊盘等。
1.基板：基板是芯片封装的重要组成部分，主要用于支撑和连接芯片和其他封装组件。
常用的基板材料包括陶瓷基板、有机基板和金属基板等。
2.封装胶料：封装胶料用于固定和保护芯片，防止芯片受损。
常见的封装胶料包括环氧树脂、硅胶、聚酰亚胺等。
3.焊盘：焊盘是连接芯片和基板的关键部分，用于传递信号和电力。
常见的焊盘材料包括无铅焊料、焊接球和金属焊点等。
三、芯片封装工艺芯片封装工艺是指在封装过程中实施的一系列工艺步骤，主要包括胶黏、焊接和封装等。
1.胶黏：胶黏是将芯片和其他封装组件固定在基板上的工艺步骤。
它通常使用封装胶料将芯片和基板粘接在一起，并通过加热或压力处理来保证粘结的强度。
芯片封装详细图解
Bond Ball：第一焊点。指金线在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接点 ，一般为一个球形；
Wedge：第二焊点。指金线在Cap的作用下，在Lead Frame上形成的焊 接点，一般为月牙形（或者鱼尾形）；
• 按照封装外型可分为： SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；
芯片封装详细图解
Logo
IC Package （IC的封装形式）
• 按封装材料划分为：
塑料封装
பைடு நூலகம்陶瓷封装
金属封装主要用于军工或航天技术，无 商业化产品；
陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产 品，占少量商业化市场；
其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了 芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术；
芯片封装详细图解
Logo
IC Package （IC的封装形式）
• QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装 • SOIC—Small Outline IC 小外形IC封装 • TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 • QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装 • BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装 • CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装
W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。
芯片封装详细图解
Logo
FOL– Wire Bonding 引线焊接
常见芯片封装的类型介绍
常见芯片封装的类型介绍芯片封装是指将芯片与外部环境隔离，保护芯片并为其提供连接电路的过程。
它把芯片放在一个封装材料中，通常是塑料或陶瓷，并通过引脚或接口与其他电子元件或系统连接。
根据封装形式的不同，常见的芯片封装类型可以分为以下几类。
1. DIP封装（Dual In-line Package）DIP封装是最早也是最常见的芯片封装类型之一、DIP芯片封装的引脚排列成双排直线，并通过插座与电路板连接。
DIP封装适用于许多低功耗和小尺寸的集成电路，如运算放大器、逻辑门、存储器等。
2. QFP封装（Quad Flat Package）QFP封装在DIP的基础上进行了改进和创新，使得芯片引脚的数量更多，且致密度更高。
QFP封装的引脚排列成四个直角，并且可以铺贴在电路板的表面上。
QFP封装常用于高密度的集成电路，如微处理器、存储器和信号处理器等。
3. BGA封装（Ball Grid Array）BGA封装是一种先进的封装技术，尤其适用于高密度、高速度和高功率的集成电路。
BGA芯片封装将芯片引脚替换为在芯片底部的焊球，通过这些焊球与电路板上的焊盘相连接。
BGA封装具有良好的散热性能和良好的电气特性，因此广泛应用于微处理器、图形芯片和FPGA等。
4. CSP封装（Chip Scale Package）CSP封装是一种尺寸与芯片尺寸相近或稍大，并适合高密度集成电路的封装形式。
CSP封装通常比BGA封装更小，可以实现极高的引脚密度，从而提高系统的可靠性和性能。
CSP封装常用于移动设备、智能卡、传感器等领域。
5. SOP封装（Small Outline Package）SOP封装是一种小型、表面安装的封装形式，非常适用于密度较低的电子元件。
SOP封装通常有两个版本：SOP和SSOP。
SOP封装引脚间距较大，而SSOP封装的引脚间距更小，更适合于有限的PCB空间和高密度的应用场景。
SOP封装广泛用于晶体管、逻辑门和模拟转换器等。
芯片的封装方式
芯片的封装方式
芯片的封装方式是指将芯片组合在一起并进行保护的方法。
芯片是一种非常小的电子器件，通常是几毫米的正方形或矩形，用于存储或处理数据等。
封装方式的选择取决于芯片的用途、成本和尺寸等因素。
芯片封装方式可以分为以下几类：
1. DIP封装：DIP封装是最古老的封装方式之一，是通过将芯片插入一个双排针脚插座来实现的。
这种封装方式容易制造，但不适用于高密度集成电路。
2. QFP封装：QFP封装是一种较新的封装方式，它采用了表面贴装技术。
这种封装方式具有高密度、小尺寸和易制造等优点，常用于高端计算机、通信和消费电子产品。
3. BGA封装：BGA封装是一种最新的封装方式，它通过将芯片焊接到一个具有多个球形焊点的基板上来实现。
这种封装方式具有高速传输、低噪声、低功耗和可靠性等优点，常用于微处理器、图像传感器和高速通信芯片等。
4. CSP封装：CSP封装是一种非常小型的封装方式，通常用于移动设备和便携式电子产品。
这种封装方式具有小尺寸、低功耗和高可靠性等优点，但也存在生产成本高和焊接难度大等缺点。
总之，芯片的封装方式在电子工业中起着至关重要的作用，无论是传统的DIP封装还是现代的BGA封装和CSP封装都有着各自的优缺点。
因此，在选择封装方式时应考虑到产品的实际需求，以达到最佳
的性价比和性能。
芯片封装详细图解通用课件
焊接方法主要有两种：热压焊接 和超声焊接。
焊接过程中需要控制温度、时间 和压力等参数，以保证焊接质量
和可靠性。
封装成型
封装成型是将已贴装和焊接好的芯片封装在保护壳内的过程。
封装材料主要有金属、陶瓷和塑料等。
成型过程中需要注意保护好芯片和引脚，防止损坏和短路。同时要保证封装质量和 外观要求。
质量检测
VS
详细描述
高性能的芯片封装需要具备低延迟、高传 输速率和低功耗等特性，以满足电子设备 在运行速度、响应时间和能效等方面的需 求。同时，高可靠性的封装能够确保芯片 在各种环境条件下稳定运行，提高产品的 使用寿命和可靠性。
多功能集成化
总结词
为了满足电子设备多功能化的需求，芯片封 装也呈现出多功能集成化的趋势。
02
芯片封装流程
芯片贴装
芯片贴装是芯片封装流程的第 一个环节，主要涉及将芯片按 照设计要求粘贴在基板上。
粘贴方法主要有三种：粘结剂 粘贴、导电胶粘贴和焊接粘贴 。
粘贴过程中需要注意芯片的方 向和位置，确保与设计要求一 致，同时要保的引脚与基板 的引脚对应焊接在一起的过程。
塑料材料具有成本低、重量轻、加工方便等优点，常用于 封装壳体和绝缘材料等。
常用的塑料材料包括聚苯乙烯、聚酯、聚碳酸酯等，其加 工工艺包括注塑成型、热压成型等。
其他材料
其他材料包括玻璃、石墨烯、碳纳米管等新型材料，具有优异的性能和广阔的应 用前景。
这些新型材料的加工工艺尚在不断发展和完善中。
05
芯片封装发展趋势
02
陶瓷材料主要包括95%Al2O3、 Al2O3-ZrO2、Al2O3-TiO2等， 其加工工艺包括高温烧结、等静 压成型和干压成型等。
金属材料
集成电路芯片封装的概念
集成电路芯片封装的概念集成电路芯片封装的概念1. 引言集成电路芯片封装是现代电子技术中非常重要的一环。
它是将微小的芯片封装在保护性外壳中，以便保护芯片免受损坏，并提供电气连接和散热功能。
本文将深入探讨集成电路芯片封装的概念，从封装形式、封装材料、封装技术以及封装的发展趋势等多个方面展开，帮助读者更全面、深刻地了解这一关键电子技术。
2. 集成电路芯片封装的形式集成电路芯片封装有多种形式，每种形式都有不同的特点和适用范围。
常见的封装形式包括：2.1 芯片级封装（Chip-scale Package，CSP）：CSP封装将芯片直接封装在微小的外壳中，尺寸比传统封装更小。
它适用于高密度集成电路和轻薄移动设备等应用。
2.2 简单封装（Dual in-line Package，DIP）：DIP封装是最早的一种封装形式。
芯片被封装在具有导脚的塑料外壳中，易于插拔和焊接。
但该封装形式占用空间较大，适用于较低密度的应用。
2.3 小型封装（Small Outline Package，SOP）：SOP封装是一种相对较小的封装形式，兼具DIP封装的插拔性和CSP封装的高密度特点。
2.4 超薄封装（Thin Small Outline Package，TSOP）：TSOP封装比SOP封装更薄，适用于具有高密度布局的应用。
2.5 高温封装（High-Temperature Package，HTP）：HTP封装在高温环境下依然能够保持电性能，适用于高温工作环境中的电子设备。
3. 集成电路芯片封装的材料3.1 塑料封装材料塑料封装材料是集成电路芯片封装中最常见的材料之一。
它具有廉价、轻便、隔热、防潮的特点，适用于大规模生产。
常见的塑料封装材料有聚酰亚胺（Polyimides）、环氧树脂（Epoxy Resin）等。
3.2 陶瓷封装材料陶瓷封装材料的热导率较高，能够较好地散热，适用于高性能和高功率的集成电路芯片。
常见的陶瓷封装材料有氧化铝（Alumina）和氮化铝（Aluminium Nitrite）等。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
芯片的封装认识一、什么叫封装封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。
它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。
因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。
另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。
由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设?坪椭圃欤 虼怂 侵凉刂匾 摹：饬恳桓鲂酒 庾凹际跸冉 敕竦闹匾 副晔切酒 婊 敕庾懊婊 龋 飧霰戎翟浇咏?1越好。
封装时主要考虑的因素：1、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1；2、引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；3、基于散热的要求，封装越薄越好。
封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。
从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。
封装大致经过了如下发展进程：结构方面：TO－>DIP－>PLCC－> QFP－>BGA －>CSP；材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点；装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装二、具体的封装形式1、SOP/SOIC封装SOP是英文Small Outline Package 的缩写，即小外形封装。
SOP封装技术由1968～1969年菲利浦公司开发成功，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
2、DIP封装DIP是英文Double In-line Package的缩写，即双列直插式封装。
插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。
DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
3、PLCC封装PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的缩写，即塑封J引线芯片封装。
PLCC封装方式，外形呈正方形，32脚封装，四周都有管脚，外形尺寸比DIP封装小得多。
PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。
4、TQFP封装TQFP是英文thin quad flat package的缩写，即薄塑封四角扁平封装。
四边扁平封装（TQFP）工艺能有效利用空间，从而降低对印刷电路板空间大小的要求。
由于缩小了高度和体积，这种封装工艺非常适合对空间要求较高的应用，如PCMCIA 卡和网络器件。
几乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有TQFP 封装。
5、PQFP封装PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的缩写，即塑封四角扁平封装。
PQFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。
6、TSOP封装TSOP是英文Thin Small Outline Package的缩写，即薄型小尺寸封装。
TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚，TSOP适合用SMT技术（表面安装技术）在PCB（印制电路板）上安装布线。
TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。
7、BGA封装BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。
20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。
为了满足发展的需要，BGA封装开始被应用于生产。
采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。
BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BG A封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支。
是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于1: 1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。
TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA则是由芯片中心方向引出。
这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。
这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。
采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。
TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。
因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。
三、国际部分品牌产品的封装命名规则资料1、MAXIM前缀是“MAX”。
DALLAS则是以“DS”开头。
MAX×××或MAX××××说明：1、后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。
2、后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。
3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。
举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）,说明E指抗静电保护MAXIM数字排列分类1字头模拟器2字头滤波器3字头多路开关4字头放大器5字头数模转换器6字头电压基准7字头电压转换8字头复位器9字头比较器DALLA S命名规则例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND N=工业级S=表贴宽体MCG=DIP封Z=表贴宽体MNG=DIP工业级IND=工业级QCG=PLCC封Q=QFP 2、AD产品以“AD”、“ADV”居多，也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“S MP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。
后缀的说明：1、后缀中J表示民品（0-70℃），N表示普通塑封，后缀中带R表示表示表贴。
2、后缀中带D或Q的表示陶封，工业级（45℃-85℃）。
后缀中H表示圆帽。
3、后缀中SD或883属军品。
例如：JN DIP封装JR表贴JD DIP陶封3、BB产品命名规则：前缀ADS模拟器件后缀U表贴P是DIP封装带B表示工业级前缀INA、XTR、PGA等表示高精度运放后缀U表贴P代表DIP PA表示高精度4、INTEL产品命名规则：N80C196系列都是单片机前缀：N=PLCC封装T =工业级S=TQFP封装P=DIP封装KC20主频KB主频MC代表84引角举例：TE28F640J3A-120 闪存TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP5.以“IS”开头比如：IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM 封装：PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP6、以产品名称为前缀LTC1051CS CS表示表贴LTC1051CN8 **表示*IP封装8脚7、IDT的产品一般都是IDT开头的后缀的说明：1、后缀中TP属窄体DIP2、后缀中P 属宽体DIP3、后缀中J 属PLCC 比如：IDT7134SA55P 是DIP封装IDT7132SA55J 是PLCC IDT7206L25TP 是DIP8、NS的产品部分以LM 、LF开头的LM324N 3字头代表民品带N圆帽LM2 24N2字头代表工业级带J陶封LM124J 1字头代表军品带N塑封封装：DP代表DIP封装DG代表SOP封装DT代表TSOP封装。