半导体复习题(带答案)
半导体器件物理复习题完整版
半导体器件物理复习题一． 平衡半导体： 概念题：1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义）所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。
在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。
2. 本征半导体：本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。
3. 受主（杂质）原子：形成P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅲ族元素）。
4. 施主（杂质）原子：形成N 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅴ族元素）。
5. 杂质补偿半导体：半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。
6. 兼并半导体：对N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度，费米能级高于导带底（0F c E E ->）；对P 型掺杂的半导体而言，空穴浓度大于价带的有效状态密度。
费米能级低于价带顶（0F v E E -<）。
7. 有效状态密度：穴的有效状态密度。
8. 以导带底能量c E 为参考，导带中的平衡电子浓度：其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。
9. 以价带顶能量v E 为参考，价带中的平衡空穴浓度：其含义是：价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。
10.11.12.13. 14. 本征费米能级Fi E ：是本征半导体的费米能级；本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近，g c v E E E =-。
？15. 本征载流子浓度i n ：本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度00i n p n ==。
硅半导体，在300T K =时，1031.510i n cm -=⨯。
16. 杂质完全电离状态： 当温度高于某个温度时，掺杂的所有施主杂质失去一个电子成为带正电的电离施主杂质；掺杂的所有受主杂质获得一个电子成为带负电的电离受主杂质，称谓杂质完全电离状态。
半导体物理复习试题及答案(复习资料)
半导体物理复习试题及复习资料一、选择题1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（ B ）。
A. 比绝缘体的大B.比绝缘体的小C. 和绝缘体的相同2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。
A. 电子和空穴B.空穴C. 电子3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（ B ）。
A.上移B.下移C.不变4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（ B ）有关A.杂质浓度和温度B.温度和禁带宽度C.杂质浓度和禁带宽度D.杂质类型和温度5.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（ B ）。
A.相同B.不同C.无关6.空穴是( B )。
A.带正电的质量为正的粒子B.带正电的质量为正的准粒子C.带正电的质量为负的准粒子D.带负电的质量为负的准粒子7.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。
A. 直接B. 间接8. 将Si 掺杂入GaAs 中，若Si 取代Ga 则起（ A ）杂质作用，若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。
A. 施主B. 受主C. 陷阱D. 复合中心9. 在热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ A ）。
A. 大于1/2B. 小于1/2C. 等于1/2D. 等于1E. 等于010. 如图所示的P 型半导体MIS 结构的C -V 特性图中，AB 段代表（ A ），CD 段代表（B ）。
A. 多子积累B. 多子耗尽C. 少子反型D. 平带状态11. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。
A. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i A S n N q T k V ln 0B. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i A S n N q T k V ln 20 C. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i D S n N q T k V ln 0 D. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为：（ B ）。
常用半导体器件复习题
第1章常用半导体器件一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分）1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。
（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。
（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。
（）4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。
（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。
( )7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。
( )8．稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。
( )9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。
( )10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。
( )一、判断题答案：（每题1分）1．√；2．×；3．√；4．√；5．×；6．×；7．√；8．×；9．×；10．×。
二、填空题（每题1分）1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是。
2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为。
3．晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。
4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。
5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。
6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。
7．PN结加正向电压时，空间电荷区将。
8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流范围内表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。
9．晶体三极管三个电极的电流IE 、IB、IC的关系为：。
10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。
二、填空题答案：（每题1分）1．空穴2．扩散运动3．PN结4．导通5．反向6．发射机e7．变薄8．反向9．IE ＝IB＋IC10．材料三、单项选择题（将正确的答案题号及内容一起填入横线上，每题1分）1．在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P型半导体。
(完整版)半导体工艺复习题..
填空 20’简答20’判断10’综合50’第一单元1.必定温度，杂质在晶体中拥有最大均衡浓度，这一均衡浓度就称为何？固溶度2.按制备时有无使用坩埚分为两类，有坩埚分为？无坩埚分为？（P24）有坩埚：直拉法、磁控直拉法无坩埚：悬浮区熔法3.外延工艺按方法可分为哪些？（P37）气相外延、液相外延、固相外延和分子束外延4.Wafer 的中文含义是什么？当前常用的资料有哪两种？晶圆；硅和锗5.自混杂效应与互扩散效应（P47-48）左图：自混杂效应是指高温外延时，高混杂衬底的杂质反扩散进入气相界限层，又从界限层扩散掺入外延层的现象。
自混杂效应是气相外延的本征效应，不行能完好防止。
自混杂效应的影响：○1改变外延层和衬底杂质浓度及散布○2对p/n或n/p硅外延，改变pn 结地点右图：互（外）扩散效应：指高温外延时，衬底中的杂质与外延层中的杂质相互扩散，惹起衬底与外延层界面邻近的杂质浓度迟缓变化的现象。
不是本征效应，是杂质的固相扩散带来（低温减小、消逝）6.什么是外延层？为何在硅片上使用外延层？1)在某种状况下，需要硅片有特别纯的与衬底有同样晶体构造的硅表面，还要保持对杂质类型和浓度的控制，经过外延技术在硅表面堆积一个新的知足上述要求的晶体膜层，该膜层称为外延层。
2)在硅片上使用外延层的原由是外延层在优化pn 结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，在适中的电流强度下提升了器件速度。
外延在 CMOS集成电路中变得重要起来，由于跟着器件尺寸不停减小它将闩锁效应降到最低。
外延层往常是没有玷辱的。
7.常用的半导体资料为何选择硅？1）硅的充裕度。
硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的25%；经合理加工，硅能够提纯到半导体系造所需的足够高的纯度而耗费更低的成本。
2）更高的融化温度同意更宽的工艺容限。
硅1412 ℃>锗3）更宽的工作温度。
用硅制造的半导体件能够用于比锗937℃。
更宽的温度范围，增添了半导体的应用范围和靠谱性。
半导体物理期末试卷(含部分答案
半导体物理期末试卷(含部分答案半导体物理,考试,复习,试卷一、填空题1．纯净半导体Si中掺错误！未找到引用源。
族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。
这种杂质称施主杂质；相应的半导体称N 型半导体。
2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。
3．nopo=ni2标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？不变；当温度变化时，nopo改变否？改变。
4．非平衡载流子通过复合作用而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关，对于强p型和强n型材料，小注入时寿命τn为，寿命τp为5．迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，扩散系数是反映有浓度梯度时载n爱因斯坦关系式。
6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。
前者在电离施主或电离受主形成的库伦势场下起主要作用，后者在温度高下起主要作用。
7．半导体中浅能级杂质的主要作用是影响半导体中载流子浓度和导电类型；深能级杂质所起的主要作用对载流子进行复合作用。
8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲含铝1015cm-3 乙. 含硼和磷各1017 cm-3 丙含镓1017 cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是乙甲丙。
样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙。
费米能级由高到低的顺序是乙甲丙。
9．对n型半导体，如果以EF和EC的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么EC EF 2k0T为非简并条件；0 EC EF 2k0T为弱简并条件；EC EF 010．当P-N结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为PN结击穿，其种类为：雪崩击穿、和齐纳击穿（或隧道击穿）。
11．指出下图各表示的是什么类型半导体？12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn与温度的-3/2 次方成正比13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的载流子的浓度梯度。
半导体物理复习试题及答案复习资料
半导体物理复习试题及答案复习资料一、引言半导体物理是现代电子学中至关重要的一门学科，其涉及电子行为、半导体器件工作原理等内容。
为了帮助大家更好地复习半导体物理，本文整理了一些常见的复习试题及答案，以供大家参考和学习。
二、基础知识题1. 请简述半导体材料相对于导体和绝缘体的特点。
答案：半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的导电特性。
与导体相比，半导体的电导率较低，并且在无外界作用下几乎不带电荷。
与绝缘体相比，半导体的电导率较高，但不会随温度显著增加。
2. 什么是本征半导体？请举例说明。
答案：本征半导体是指不掺杂任何杂质的半导体材料。
例如，纯净的硅（Si）和锗（Ge）就是本征半导体。
3. 简述P型半导体和N型半导体的形成原理。
答案：P型半导体形成的原理是在纯净的半导体材料中掺入少量三价元素，如硼（B），使其成为施主原子。
施主原子进入晶格后，会失去一个电子，并在晶格中留下一个空位。
这样就使得电子在晶格中存在的空位，形成了称为“空穴”的正电荷载流子，因此形成了P型半导体。
N型半导体形成的原理是在纯净的半导体材料中掺入少量五价元素，如磷（P）或砷（As），使其成为受主原子。
受主原子进入晶格后，会多出一个电子，并在晶格中留下一个可移动的带负电荷的离子。
这样就使得半导体中存在了大量的自由电子，形成了N型半导体。
4. 简述PN结的形成原理及特性。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体的结合所形成。
P型半导体和N型半导体在接触处发生扩散，形成电子从N区流向P区的过程。
PN结具有单向导电性，即在正向偏置时，电流可以顺利通过；而在反向偏置时，电流几乎无法通过。
三、摩尔斯电子学题1. 使用摩尔斯电子学符号，画出“半导体”的符号。
答案：半导体的摩尔斯电子学符号为“--..-.-.-...-.”2. 根据摩尔斯电子学符号“--.-.--.-.-.-.--.--”，翻译为英文是什么？答案：根据翻译表，该符号翻译为“TRANSISTOR”。
半导体复习题
1.半导体定义为：在绝对零度无任何导电能力，但其导电性随温度升高呈总体上升趋势，且对光照等外部条件和材料的纯度与结构完整性等内部条件十分敏感的材料。
2.电负性的定义：原子吸引其在化学键中与另一原子之共有电子偶的能力，其值为原子的电离能与电子亲和能之和。
3.电离能指失去一个电子所需要的能量。
亲和能则指中性原子获得一个电子所释放的能量。
4.价电子数相同的原子，电子壳层数越多，电负性越小，电子壳层数相同的原子，价电子越多，电负性越强。
5.同种元素原子结合形成晶体时，原子电负性小按金属键结合，电负性大按分子键结合，电负性中等按共价键结合。
6.不同种元素原子结合形成化合物时，电负性差别较大的两种元素倾向于离子键结合，电负性差别不大的两种元素倾向于共价键结合，但公有电子向电负性较强的一边倾斜，因而具有一定的离子性，形成混合键，构成混合键的两种元素的电负性差别越大，其离子性越强。
7.各种半导体的构成元素大多位于元素周期表中居中的位置，其构成元素的电负性属中等水平，可见，共价键是半导体的主要结合形式。
8.主要半导体器件由Ⅲ－Ⅴ、Ⅱ－Ⅵ族化合物和Ⅳ族元素型共价键晶体构成，Ⅲ－Ⅵ、Ⅱ－Ⅵ族化合物的平均价电子数与Ⅳ族元素型共价键晶体一样，都是４配位，原子的４配位密排方式是正四面体结构，4个键角相等，皆为109°28′。
9.元素半导体金刚石、硅（Si）、锗（Ge）、和灰锡（α—Sn）的晶体结构是金刚石型。
10.晶体的化学组成完全相同而晶体结构不同称为同质异晶体,SiC是同质异晶型最多的半导体。
11.固体中电子的状态以其能量E和动量P来表示，反映其能量随动量变化规律的E(k）函数即所谓能带。
不过，能带也常常指的是在某些能量范围内密集的能级。
12.分别叙述半导体与金属和绝缘体在导电过程中的差别。
1.对参杂的锗、硅等原子半导体，主要的散射机构是声学波晶格散射和电离杂质散射。
2.电阻率是半导体导电能力的直接表征，且可以直接测量，但测量结果反映的事载流子密度与迁移率的乘积，要想分别测出载流子的密度和迁移率，可以利用霍尔效应。
半导体器件复习题
半导体器件复习题一、半导体基础知识1、什么是半导体？半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。
常见的半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）等。
其导电能力会随着温度、光照、掺入杂质等因素的变化而发生显著改变。
2、半导体中的载流子半导体中有两种主要的载流子：自由电子和空穴。
在本征半导体中，自由电子和空穴的数量相等。
3、本征半导体与杂质半导体本征半导体是指纯净的、没有杂质的半导体。
而杂质半导体则是通过掺入一定量的杂质元素来改变其导电性能。
杂质半导体分为 N 型半导体和 P 型半导体。
N 型半导体中多数载流子为自由电子，P 型半导体中多数载流子为空穴。
二、PN 结1、 PN 结的形成当 P 型半导体和 N 型半导体接触时，在交界面处会形成一个特殊的区域，即 PN 结。
这是由于扩散运动和漂移运动达到动态平衡的结果。
2、 PN 结的单向导电性PN 结正偏时，电流容易通过；PN 结反偏时，电流难以通过。
这就是 PN 结的单向导电性，是半导体器件工作的重要基础。
3、 PN 结的电容效应PN 结存在势垒电容和扩散电容。
势垒电容是由于空间电荷区的宽度随外加电压变化而产生的；扩散电容则是由扩散区内电荷的积累和释放引起的。
三、二极管1、二极管的结构和类型二极管由一个 PN 结加上电极和封装构成。
常见的二极管类型有普通二极管、整流二极管、稳压二极管、发光二极管等。
2、二极管的伏安特性二极管的电流与电压之间的关系称为伏安特性。
其正向特性曲线存在一个开启电压，反向特性在一定的反向电压范围内电流很小，当反向电压超过一定值时会发生反向击穿。
3、二极管的主要参数包括最大整流电流、最高反向工作电压、反向电流等。
四、三极管1、三极管的结构和类型三极管有 NPN 型和 PNP 型两种。
它由三个掺杂区域组成，分别是发射区、基区和集电区。
2、三极管的电流放大作用三极管的基极电流微小的变化能引起集电极电流较大的变化，这就是三极管的电流放大作用。
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半导体物理复习题
一、选择题
1. 硅晶体结构是金刚石结构，每个晶胞中含原子个数为（ D ）P1 A. 1 B. 2 C. 4 D. 8
2．关于本征半导体，下列说法中错误的是（ C ）P65
A. 本征半导体的费米能级E F =E i 基本位于禁带中线处
B. 本征半导体不含有任何杂质和缺陷
C. 本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身
D. 本征半导体的电中性条件是qn 0=qp 0
3．非平衡载流子的复合率定义为单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数。
下面表达式中不等于复合率的是（ D ）P130 A.
p τΔp B. ()[]dt t Δp d - C. n τΔn D. τ
1 4．下面pn 结中不属于突变结的是（ D ）P158、159 A.合金结 B.高表面浓度的浅扩散p +n 结
C.高表面浓度的浅扩散n +p 结
D. 低表面浓度的深扩散结 5.关于pn 结，下列说法中不正确的是（ C ）P158、160 A. pn 结是结型半导体器件的心脏。
B. pn 结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。
C.平衡时，pn 结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等。
D.所谓平衡pn 结指的是热平衡状态下的pn 结。
6. 对于小注入下的N 型半导体材料，下列说法中不正确的是（ B ）P128 A. 0n n <<∆ B. 0p p <<∆ C. =∆n p ∆ D. 0n p <<∆
7.关于空穴，下列说法不正确的是（ C ）P15
A. 空穴带正电荷 B ．空穴具有正的有效质量 C ．空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子 D ．半导体中电子空穴共同参与导电
8. 关于公式2i np n =，下列说法正确的是（ D ）P66、67
A.此公式仅适用于本征半导体材料
B. 此公式仅适用于杂质半导体材料
C. 此公式不仅适用于本征半导体材料，也适用于杂质半导体材料
D.对于非简并条件下的所有半导体材料，此公式都适用
9. 对于突变结中势垒区宽度D X ，下面说法中错误的是（C ）P177 A. p +n 结中n D x X ≈ B. n +p 结中p D x X ≈ C. D X 与势垒区上总电压D V V -成正比
D. D X 与势垒区上总电压D V V -的平方根成正比
10. 关于有效质量，下面说法错误的是（D ）P13、14 A. 有效质量概括了半导体内部势场的作用
B. 原子中内层电子的有效质量大，外层电子的有效质量小
C. 有效质量可正可负
D. 电子有效质量就是电子的惯性质量。
二、填空题
1. N 型半导体中多子为_ 电子_，少子为___空穴_____；P 型半导体中多子为
__空穴______，少子为__电子______。
0p n 表示_ _P 区电子______的浓度；0n p 表示__N 区空穴___的浓度。
P163
2．若单位体积中有个n 电子，p 个空穴，电离施主浓度为D n +
，电离受主浓度为A p -，则电中性条件为__p+D n +=n+A p -_____。
P78
3．T >0K 时，电子占据费米能级的概率是__1/2______。
P61 4.pn 结空间电荷区中内建电场的方向是由_N__区指向_P__区；在耗尽近似下，空间电荷密度等于_ 电离杂质的浓度______。
P160、163
5. pn 结加正向偏压V 时势垒高度由D qV 变成__q(V D —V)____；pn 结加反向偏压V 时势垒高度由D qV 变成___ q(V D +V)_____。
P164、165
6. 理想pn 结的电流电压方程()1/-=kT qV s e J J 又称为__肖克莱方程式______，其中-s J 叫做__反向饱和电流密度______；在国际单位制下，s J 的单位是__A/m2______。
由此方程可知，pn 结的最主要特性是具有__单向导电性______或___整流效应·_____。
7. 状态密度就是每单位能量间隔内的___量子态数_____。
计算状态密度时，我们近似认为能带中的能级作是__连续______分布的。
8. 半导体材料最常见的三种晶体结构分别是__金刚石型结构______、__闪锌矿型结构______和___纤锌矿型结构_____。
比如，硅是___金刚石型结构_____结构，砷化镓是___闪锌矿型结构_____结构。
P1—3
9．氢原子电离能2
204
00)4(2 πεq m E =，则类氢杂质电离能为=∆D E ________。
P41 10. 稳压二极管应用的是PN 结的________特性，整流二极管应用的是PN 结的________特性。
三、简答题
1. “半导体照明工程”的目标是使LED 成为照明光源。
这个工程目前的主要任务是寻找或合成便宜、环保、波长合适、发光效率高的半导体材料。
试就这一话题回答下列问题：（1）什么是LED ？ （2）已知的最便宜的半导体材料是什么？
装订线2. pn结热平衡时势垒高度
D
qV的大小与中性P区和N区的费米能级
fn fp
E E
（和）的关系是什么？平衡pn结能带最主要的两个性质是什么？答案：（期末考试样题3 ）
3. 图1是隧道结的平衡示意图，试
根据此图回答下列问题：
（1）隧道结对结两边半导体掺杂的
要求是什么？
（2）如图1所示状态时隧道结有无
隧道电流？
（3）隧道结电流电压曲线的主要特
性是什么？
P186
图1
4.图2是Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的能隙示意图，试根据此图回答下列问题：（1）蓝光的光子能量大约在2.76eV，图2中那种材料最适合作为蓝光的发光材料？
（2）发光材料需要满足二个条件，第一，发光波长在所需要的范围；第二，发光效率高。
这两个要求分别决定于半导体的那两个性质？
（3）图中半导体材料哪些是Ⅲ-Ⅴ，那些是Ⅱ-Ⅵ族？各列举三个。
图2
5.图3是硅导带电子浓度与温度的关系曲线。
请指出强电离区、高温本征激发区的位置（即温度范围，用a、b、c表示）。
一般而言，实际器件工作在那个区域？
图3
P74
答：b是强电离区，c是高温本征激发区；一般工作在b区强电离区
6.图4是非平衡N型半导体准费米能级偏
离平衡费米能级的示意图。
其中A、E分别
表示导带底和价带顶。
问B、C、D哪个表
示平衡费米能级？哪个表示电子的准费米
能级？哪个表示空穴的准费米能级？
P76
答：C表示平衡费米能级
B表示电子的准费米能级
D 表示电子的准费米能级
7.图5中C是空穴电流方向，问A、B、D中哪个是电子漂移方向？哪个是电子电流方向？哪个是空穴漂移方向？
图5
P95
答：A 是电子漂移方向
B 是电子电流方向 D 是空穴漂移方向
8．PN 结上的电容包括势垒电容和扩散电容两部分。
请问PN 结上的势垒电容和扩散电容是并联还是串联？ 若记总电容为C j ，势垒电容和扩散电容分别为ＣT 和ＣＤ，请写出C j 与ＣT 和ＣＤ的关系式。
四、计算题
1． Si 晶格常数为a。
求：晶胞中所有Si 原子占据晶胞的百分比。
P38
2． N 型硅,室温下光稳定照射后获得非平衡载流子浓度31410-=∆=∆cm p n 。
突然撤掉光照,经过20微秒后，非平衡空穴浓度变为31010-cm ，求硅材料的寿命。
P156 第4题类似
3．掺有1.1×1016 cm -3硼原子和9×1015 cm -3磷原子的Si 样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。
P125 第13题
4．硅中掺入百万分之一的砷，求砷的实际掺杂浓度。
P125 第2小题
5．计算温度为400K 和300K 时，Si p-n 结反向饱和电流密度的比值（假设扩散长度和扩散系数与温度无关）。