电工学2每章检测题习题解析
电工学(少学时)(第二版)学习辅导与习题全解(唐介)第8-13章习题
院系 年级专业 学生姓名 学号2012年春季《电工学》习题（下）第8章 直流稳压电源习题一、单项选择题1．图示二极管为理想元件，u i =10sin ωt V ，U =5V ，当ωt =2π瞬间，输出电压u O 等于( )。
A ）0V B ）10V C ）5VDu O题1图Ω100k Ω18k Ω6k ΩB题2图2．电路如图所示，A 点与B 点的电位差U AB 约等于( )。
A ）0.3V B ）－2.3V C ）1.0V D ）1.3V3．电路如图所示，二极管D 1、D 2为理想元件，V o =0V ， V 2=2V 。
则在电路中（ ）。
A ）D 1起箝位作用，D 2起隔离作用 B ）D 1起隔离作用，D 2起箝位作用C ）D 1、D 2均起箝位作用 D ）D 1、D 2均起隔离作用D 1V 2V u O题3图4．二极管的最高反向工作电压是100V ，它的击穿电压是（ ）。
A ）50V ； B ）100V ； C ）150V5．电路如图所示，二极管D 的正向压降为0.6V ，反向工作峰值电压U RWM =100V ，反向峰值电流I RM =10μA ，电源U S =100V ，负载电阻R L =10 kΩ，则电压u o 为（ ）。
A ）0.6 V B ）10 V C ）0.1 VDu O题3图D 112V R题3图6．电路如图所示，二极管D 1、D 2为理想元件，判断D 1、D 2的工作状态为（ ）。
A ）D 1导通，D 2截止 B ）D 1导通，D 2导通 C ）D 1截止，D 2导通 D ）D 1截止，D 2截止 7．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为 ( )。
A ）正、反向电阻相等 B ）正向电阻大，反向电阻小 C ）反向电阻比正向电阻大很多倍 D ）正、反向电阻都等于无穷大8．整流电路如图所示，输出电压平均值U O 是18V ，若因故一只二极管损坏而断开，则输出电压平均值U O 是（ ）。
电工2级考试题及答案解析
电工2级考试题及答案解析一、电工2级考试题及答案解析为了帮助考生更好地备考电工2级考试，以下是一些常见的电工2级考试题目及其详细解析。
1. 题目：请问什么是电流？解析：电流是电荷在导体内流动的现象。
它的单位是安培（A），表示每秒通过导体横截面的电荷量。
2. 题目：如何计算电流的大小？解析：电流的大小可以通过电流表来测量，通常使用安培表进行测量。
在直流电路中，电流的大小等于电压除以电阻的值（I = U/R）。
在交流电路中，由于存在电感和电容的影响，计算电流的方法稍有不同。
3. 题目：请问电阻的作用是什么？解析：电阻用于限制电流的流动，它可以控制电流的大小。
在电路中，电阻可以起到消耗电能、降低电压和控制电流的作用。
4. 题目：请问电压是什么？解析：电压是电势差的度量，它表示电流在电路中流动的驱动力。
电压的单位是伏特（V），表示单位电荷穿过两点之间的电势差。
5. 题目：如何计算功率的大小？解析：功率的大小等于电流乘以电压的值（P = UI）。
功率的单位是瓦特（W），表示在单位时间内转化或传输的能量的大小。
6. 题目：请问什么是电容？解析：电容是电路元件的一种，它主要用于存储电荷。
电容的单位是法拉（F），表示单位电压下储存的电荷量。
7. 题目：请问什么是电感？解析：电感是电路元件的一种，它主要用于储存磁能。
电感的单位是亨利（H），表示在单位电流下储存的磁能量。
8. 题目：什么是短路？解析：短路指的是电路中两个导体直接连接，绕过了原本的电阻或负载而导致电流过大。
这可能会导致电路过载或烧毁电路元件。
9. 题目：请问什么是过载保护？解析：过载保护是通过使用保险丝或断路器等装置来保护电路免受过大电流的损害。
当电流超过额定值时，保险丝会熔断或断路器会跳闸，切断电路。
10. 题目：什么是接地？解析：接地是将电路连接到地上的过程。
地是一个具有电势参考和电荷分布的参考点，在故障时可以吸收电流和提供安全路径。
以上是部分电工2级考试的题目及答案解析。
电工与电子技术基础第2版习题参考答案第3章
习题3.1 某三相同步发电机，三相绕组连接成星形时的线电压为10.5kV ，若将它连接成三角形，则线电压是多少？若连接成星形时，B 相绕组的首末端接反了，则3 个线电压的有效值 U AB 、U BC 、U CA 各是多少？解：三相绕组连接成星形时U L =3U P ，线电压为10.5kV ，则每相绕组的电压为6.06kV ，若连接成三角形U L =U P ，则线电压为6.06kV 。
若连接成星形时，B 相绕组的首末端接反了，则B 相相电压的相位与原来的相差1800， 根据相量计算可得U AB =6.06 kV 、U BC =6.06 kV 、U CA =10.5 kV 。
3.2 题3.2 图所示的三相对称电路，线电压U L =380V ，每相负载Z = 6+j8Ω，试求相电压、相电流和线电流，并画出电压和电流的相量图。
题3.2 图解：由题意：负载作星接U l =3U p 因U l =380V ，则U a =U b =U c = = 220 （V ）设U a = 220/0°（V ）因相电流即线电流，其大小为：.220/0°I A == 22/−53°(A) 6 + j 8.I B = 22/−173ο(A).I C = 22/67°(A) 此时的相量图略。
3.3 有一电源和负载都是星形连接的对称三相电路，已知电源相电压为220V ，负载每相阻抗Z = Ω10 ，试求负载的相电流和线电流。
3 380第3 章三相交流电路习题解答77解：负载的相电压等于电源的相电压：U p = 220（V）U P 220(A)I l = I p = = = 22Z 103.4 已知星形联接的对称三相负载，每相阻抗为40∠25°（Ω）；对称三相电源的线电压为380Ｖ。
求: 负载相电流，并绘出电压、电流的相量图。
解：ＵAB ＝380ＶＺ＝40∠25°Ω（１）三相对称电源接入三相对称负载令U A ＝２２０∠０°Ｖ则相线电流I A =U A ／Z＝５.５∠-２５°ＶI B ＝５.５∠－１４５°ＶI c ＝５.５∠９５°Ｖ(2) 矢量图如图所示。
电工学下册第二版考试复习重点试题讲解
第10章电子电路中常用的元件习题参考答案一、填空题：1. PN结的单向导电性指的是PN结正向偏置时导通，反向偏置时阻断的特性。
2. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压U BE分别为0.7 V 和0.3 V。
3. 晶体三极管有两个PN结，分别是发射结和集电结，分三个区域基区、发射区和集点区。
晶体管的三种工作状态是放大状态、饱和状态和截止状态。
4. 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于饱和状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于截止状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为放大状态。
5. 物质按导电能力强弱可分为导体、绝缘体和半导体。
6. 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是P型半导体，其多子为空穴。
7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是：V1＝2V，V2＝1.7V，V3＝－2.5V，可判断该三极管管脚“1”为发射极，管脚“2”为基极，管脚“3”为集电极，且属于锗材料PNP型三极管。
8. 稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅二极管，工作在特性曲线的反向击穿区。
三、选择题：1. 处于截止状态的三极管，其工作状态为（B）。
A、发射结正偏，集电结反偏；B、发射结反偏，集电结反偏；C、发射结正偏，集电结正偏；D、发射结反偏，集电结正偏。
2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3. 稳压二极管的正常工作状态是（C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4. 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2V，V2＝6V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（B）。
A、PNP管，CBE；B、NPN管，ECB；C、NPN管，CBE；D、PNP 管，EBC。
5. 用万用表R×1K的电阻挡检测某一个二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ,这说明该二极管是属于（ D ）。
电工学2每章检测题习题解析
第6章检测题〔共100分，120分钟〕一、填空题：〔每空0.5分，共25分〕1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相同，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散运动起削弱作用，对少子的漂移运动起增强作用，当这两种运动到达动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，则红表棒接触的电极是二极管的阴极；黑表棒接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿损坏；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。
6、单极型晶体管又称为MOS管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应防止栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：〔每题1分，共10分〕1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
〔错〕2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
电工学第二版第二册课后练习题含答案
电工学第二版第二册课后练习题含答案第一章电磁场的理论基础1. 电荷的基本单位是？电荷的单位是库仑（C）。
2. 在真空中，两个带电粒子之间的作用力等于多少？在真空中，两个带电粒子之间的作用力等于电荷大小的乘积与它们之间的距离平方的积再乘以一个比例系数常量。
这个常量叫做库仑常量k，其值为8.99 ×10^9 N·m2/C2。
3. 介质的相对电容率是什么意思？介质的相对电容率是介质的电容率与真空中电容率的比值。
4. 推导出电势能的表达式。
假设两个电荷分别带有Q1和Q2的电量，它们之间的距离为r，它们之间的相互作用力等于 F，我们可以把它们分开，即把其一定距离的距离缩短至无穷小阶段，假设每个部分的电荷量非常小，就可以计算出每个部分的电荷所受到的相互作用力，并把它们加在一起，用积分的方法将一系列无穷小的电荷的作用合为一体。
这样，电势能的表达式就可以表示为：U = k·Q1 Q2/r第二章电场的理论基础1. 电通量的作用是什么？电通量的作用是衡量一定面积内电场的大小和方向。
单位为牛顿·米^2/库仑。
2. 磁通量的作用是什么？磁通量的作用是衡量一定面积内磁场的大小和方向。
单位为韦伯。
3. 什么是高斯定理？高斯定理指出，在空间任一一点附近的电场通量的大小与该点所包含的电荷总量成正比。
其数学表达式为：ΦE = ∮S E·ds = Q/ε0其中，ΦE表示电场线穿过任意封闭曲面S的电通量，S表示曲面，E表示电场强度，Q表示曲面内的电荷总量，ε0表示真空介电常数。
4. 什么是能量守恒定理？能量守恒定理指出，在任意电路中，电能的消耗或储存等效于电源的电能输出或输入。
其数学表达式为：ε_0 = ΔW + ε_i其中，ε_0表示电源的电能输出，ΔW表示电路中电能的消耗和储存之和，ε_i表示电路中其他各种能量输入。
华东理工大学电工学第二章习题答案
第二章 正弦交流电路2.1 基本要求(1) 深入理解正弦量的特征，特别是有效值、初相位和相位差。
(2) 掌握正弦量的各种表示方法及相互关系。
(3) 掌握正弦交流电路的电压电流关系及复数形式。
(4) 掌握三种单一参数（R ，L ，C ）的电压、电流及功率关系。
(5) 能够分析计算一般的单相交流电路，熟练运用相量图和复数法。
(6) 深刻认识提高功率因数的重要性。
(7) 了解交流电路的频率特性和谐振电路。
2.2 基本内容 2.2.1 基本概念 1. 正弦量的三要素(1) 幅值（U m ，E m ，I m ）、瞬时值（u, e, i ）、有效值（U ，E ，I ）。
注：有效值与幅值的关系为：有效值2幅值=。
(2) 频率（f ）、角频率（ω）、周期（T ）。
注：三者的关系是 Tf ππω22==。
(3) 相位（ϕω+t ）、初相角（ϕ）、相位差（21ϕϕ-）。
注：相位差是同频率正弦量的相位之差。
2. 正弦量的表示方法 (1) 函数式表示法：。
)sin();sin();sin(i m e m u m t I i t E e t U u ϕωϕωϕω-=+=+= (2) 波形表示法：例如u 的波形如图2-1-1(a)所示。
(3) 相量（图）表示法：使相量的长度等于正弦量的幅值（或有效值）； 使相量和横轴正方向的夹角等于正弦量的初相角； 使相量旋转的角速度等于正弦量的角速度。
注：例。
)60sin(24,)30sin(2621V t u V t u o o +=+=ωω求?21=+u u解：因为同频率同性质的正弦量相加后仍为正弦量，故)sin(221ϕω+==+t U u u u , 只要求出U 及ϕ问题就解决了。
解1：相量图法求解如下：具体步骤为三步法（如图2-1-2所示）：第一步：画出正弦量u 1、u 2的相量12U U 、（U 1=6，U 2=4）。
第二步：在相量图上进行相量的加法，得到一个新相量U。
电工学第2章习题答案ppt课件
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2-2 试求图2-35所示钢杆各段内横截面上的应 力和杆的总变形。钢的弹性模量E=200GPa。
解 1、内力计算 用截面法分别计算左段和右段的内力并作杆 的轴力图（b）
得 F左 =4kN（拉） F右 =4kN（拉）.
得 FN2=
F（压）
同理，可以计算横截面3-3上的轴力FN3，
由截面3-3右段图（d）的平衡方程∑Fx=0，
得FN3= 0
.
解b 使用截面法，沿截面1-1将杆分
成两段，取出右段并画出受力图（b）
用FN1表示左段对右段的作用， 由平衡方程∑Fx=0，. 得FN1 =F（拉）
同理，可以计算横截面2-2上的轴力 FN2，由截面2-2右段图（c）的平衡 方程Fx=0 ∑，得FN2= F（压）
螺栓应至少为16个
.
2-5 三角形支架ABC如图2-38所示，在C点受到载荷F 的作用。己知，杆AC由两根10号槽钢所组成， [σ]AC=160MPa；杆BC是20a号工字钢所组成， [σ]BC=100MPa。试求最大许可载荷F。
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解 选取C为研究对象 1、如图所示，由平衡方程得
∑Fx=0 FAC Cos30o－FBCCos30o=0 ∑Fy=0 FAC Sin30o－F＋FBCSin30o =0 解得 FAC =FBC=F
4
4
解得X=1.08m，当F=30KN时，
FA13.8KN FB 16.2KN
正应力
σ AA FA Aπ132.802110036 43.97MPa 4
正应力
σ BA FB Bπ 162.252110036 32.97MPa 4
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第6章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与电场的方向相同，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散运动起削弱作用，对少子的漂移运动起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，则红表棒接触的电极是二极管的阴极；黑表棒接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿损坏；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。
6、单极型晶体管又称为MOS管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
（错）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。
（错）4、PN结正向偏置时，其外电场方向一致。
（错）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
（错）6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。
（对）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿损坏。
（错）8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。
（错）9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。
（错）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（错）三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；B、完好状态；C、部老化不通；D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。
9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数 。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。
四、简述题：（每小题4分，共28分）1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。
上述说法对吗？为什么？答：这种说法是错误的。
因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V 、管脚②3V 、管脚③3.7V ，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答：管脚③和管脚②电压相差0.7V ，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN 型硅管。
再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。
3、图6-23所示电路中，已知E =5V ，t u ωsin 10i =V ，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R =0，反向阻断时电阻R =∞），试画出u 0的波形。
答：分析：根据电路可知，当u i >E 时，二极管导通u 0=u i ，当u i <E 时，二极管截止时，u 0=E 。
所以u 0的波形图如下图所示：4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。
单极型晶体管部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。
5、图6-24所示电路中，硅稳压管D Z1的稳定电压为8V ，D Z2的稳定电压为6V ，正向压降均为0.7V ，求各电路的输出电压U 0。
图6-23 u/V ωt0 u i u 0 10 5答：（a ）图：两稳压管串联，总稳压值为14V ，所以U 0=14V ；（b ）图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此U 0=6V ；（c ）图：两稳压管反向串联，U 0=8.7V ；（d ）图：两稳压管反向并联，可认为DZ1截止不通，则U 0=0.7V 。
6、半导体二极管由一个PN 结构成，三极管则由两个PN 结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。
因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。
7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。
因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。
五、计算分析题：（共17分）1、图6-25所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。
（8分）（1）? A 60 V 3C B CE ===I I U ，，μ（2）? V 4 m A 4B CE C ===I U I ，，（3）? A 6040 V 3B CE ==βμ时，～由， I U解：A 区是饱和区，B 区是放大区，C 区是截止区。
（1）观察图6-25，对应I B =60μA 、U CE =3V 处，集电极电流I C 约为3.5mA ；（2）观察图6-25，对应I C =4mA 、U CE =4V 处，I B 约小于80μA 和大于70μA ；（3）对应ΔI B =20μA 、U CE =3V 处，ΔI C ≈1mA ，所以β≈1000/20≈50。
2、已知NPN 型三极管的输入—输出特性曲线如图6-26所示，当I C (m A)U CE (V)图6-25（1）? V 6 V 7.0C CE BE ===I U U ，，（2）? V 5 A 50C CE B ===I U I ，，μ （3）？的变化量，此时的和求时，变到从，==βC B BE CE 0.75V 0.7V V 6I I U U （9分）解：（1）由（a ）曲线查得U BE =0.7V 时，对应I B =30μA ，由(b)曲线查得I C ≈3.6mA ；（2）由（b ）曲线可查得此时I C ≈5mA ；（3）由输入特性曲线可知，U BE 从0.7V 变到0.75V 的过程中，ΔI B ≈30μA ，由输出特性曲线可知，ΔI C ≈2.4mA ，所以β≈2400/30≈80。
第7章 检测题 （共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共21分）1、基本放大电路的三种组态分别是： 共发射极 放大电路、 共集电极 放大电路和 共基极 放大电路。
2、放大电路应遵循的基本原则是： 发射 结正偏； 集电 结反偏。
3、将放大器 输出信号 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做 反馈 信号。
使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 负 反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为 正 反馈。
放大电路中常用的负反馈类型有 电压串联 负反馈、 电流串联 负反馈、 电压并联 负反馈和 电流并联 负反馈。
4、射极输出器具有 电压增益 恒小于1、接近于1， 输入信号 和 输出信号 同相，并具有 输入电阻 高和 输出电阻 低的特点。
5、共射放大电路的静态工作点设置较低，造成截止失真，其输出波形为 上 削顶。
若采用分压式偏置电路，通过 反馈环节 调节 合适的基极电位 ，可达到改善输出波形图6-26I C (m A) U CE (V)（b ）输出特性 ）输入特性曲线 I B BE (V)的目的。
6、对放大电路来说，人们总是希望电路的输入电阻越大越好，因为这可以减轻信号源的负荷。
人们又希望放大电路的输出电阻越小越好，因为这可以增强放大电路的整个负载能力。
7、反馈电阻R E的数值通常为几十至几千欧，它不但能够对直流信号产生负反馈作用，同样可对交流信号产生负反馈作用，从而造成电压增益下降过多。
为了不使交流信号削弱，一般在R E的两端并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容C E。
8、放大电路有两种工作状态，当u i＝0时电路的状态称为静态，有交流信号u i 输入时，放大电路的工作状态称为动态。
在动态情况下，晶体管各极电压、电流均包含直流分量和交流分量。
放大器的输入电阻越大，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越小，放大器带负载能力就越强。