电子功能材料与元器件习题答案
电子元器件基础知识考试试题及答案
电子元器件基础知识考试试题及答案一、选择题（每题2分，共40分）1. 以下哪个电子元器件不属于被动元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管答案：D2. 下列哪个单位表示电阻？A. 欧姆（Ω）B. 法拉（F）C. 亨利（H）D. 瓦特（W）答案：A3. 在电路中，电容器的作用不包括以下哪个？A. 储存电能B. 阻止交流电通过C. 允许交流电通过D. 放大信号答案：D4. 下列哪个元件的符号表示电感器？A. CB. LC. RD. G答案：B5. 二极管的正向导通电压约为多少？A. 0.1VB. 0.2VC. 0.7VD. 1.5V答案：C6. 下列哪个电子元器件用于放大信号？A. 电阻器B. 电容器C. 晶体管D. 电感器答案：C7. 晶体三极管的三个工作区分别是：A. 放大区、饱和区、截止区B. 放大区、饱和区、导通区C. 放大区、截止区、饱和区D. 导通区、饱和区、截止区答案：A8. 下列哪种电路元件属于非线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 晶体二极管D. 电感器答案：C9. 在模拟电路中，运算放大器通常用于以下哪种功能？A. 放大信号B. 滤波C. 积分D. 限幅答案：A10. 下列哪个电子元器件的符号表示电位器？A. RB. RPC. CD. L答案：B二、填空题（每题2分，共30分）11. 电阻器的主要作用是__________，单位是__________。
答案：限制电流，欧姆（Ω）12. 电容器的主要作用是__________，单位是__________。
答案：储存电能，法拉（F）13. 电感器的主要作用是__________，单位是__________。
答案：储存磁能，亨利（H）14. 晶体二极管具有__________特性，主要用于__________。
答案：单向导通，整流15. 晶体三极管具有__________特性，主要用于__________。
答案：放大，放大信号16. 运算放大器的理想特性包括__________、__________和__________。
电子元器件与材料试题答案
电子元器件与材料试题答案一、选择题1. 半导体材料的主要特点是（）。
A. 电阻率介于导体和绝缘体之间B. 电阻率随温度变化明显C. 具有压电性D. 具有磁性答案：A2. 下列哪种材料不属于导体（）。
A. 铜B. 铝C. 硅D. 玻璃答案：D3. 集成电路中常用的PNP型晶体管的发射极是（）型半导体制成。
A. N型B. P型C. 既可以是N型也可以是P型D. 无法确定答案：A4. 在电子电路中，电容器的主要作用是（）。
A. 储存电荷和能量B. 阻断直流电，通过交流电C. 放大信号D. 转换能量形式答案：B5. 以下哪个参数是衡量电感器性能的重要指标？（）。
A. 电感值B. 品质因数C. 电阻率D. 频率响应答案：B二、填空题1. 半导体的导电性能可以通过掺杂________或________元素来改变。
答案：五价三价2. 在电子元件中，二极管是一种单向导电的元件，其正向压降通常在________至________之间。
答案：0.6V 1V3. 电解电容器的电解质材料通常使用的是________或________。
答案：酸碱4. 光纤通信的工作原理是利用光的________在光纤内进行传输。
答案：全反射5. 电磁兼容性（EMC）是指设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不产生________的能力。
答案：不能容忍的电磁干扰三、简答题1. 请简述半导体的工作原理。
答：半导体的工作原理主要是通过控制其内部电荷载流子（电子和空穴）的移动来实现导电性能的改变。
通过掺杂不同类型的杂质，可以增加材料内的自由电子或空穴的浓度，从而改变其导电性。
半导体还可以通过施加电场或光信号来控制电荷载流子的行为，实现对电流的开关控制，这是现代电子器件的基础。
2. 说明电容器的充放电过程。
答：电容器的充电过程是指在电容器两端施加电压时，电荷会在电容器的两个极板上积累，形成一个电场。
随着电荷的积累，电容器两极间的电压逐渐上升，直至等于外加电压。
电子功能材料实验课后思考题答案
电子功能材料实验课后思考题答案一、纳米SnO2材料的制备方法主要有三类：1）从气相中合成纳米SnO2，这种方法主要有溅射法、蒸渡法、化学气相淀积法等。
这种方法微粒尺寸为几埃，使用于有机离子盐，材料精确可控，要求设备精度高。
2）液相中合成纳米SnO2，这种方法主要有化学沉积法、醇盐水解法、溶胶-凝胶法等。
使用广泛，大多数金属盐类都可溶，均一性好，尤其做混合组分时优点明显，但产量小，产率低，有损失，适合科研院所，仪器设备简单。
3）固相中合成纳米SnO2，这种方法主要包括固相反应法、机械粉碎法和金属盐分解等。
最原始的方法，高温煅烧的方法，耗能反应，产物均匀性差，原理简单，操作容易。
2、制备SnO2粉体材料的原理？采用沉淀法，沉淀法是在金属盐类的水溶液中，控制适当的条件使沉淀剂与金属离子反应，产生水合氧化物或难容化合物，使溶质转化为沉淀,然后经分离、干燥或热分解而得到纳米颗粒。
SnCl4?5H2O遇水后水解，形成氢氧化氧锡白色沉淀：SnCl4?5H2O + H2O = SnO(OH)2↓+ 4HCL加热可使水解生成的SnO(OH)2 在酸性溶液中进一步转变成Sn4+，在氨水作用下形成Sn(OH)4 白色沉淀。
SnCl4?5H2O + 4NH3?H2O = Sn(OH)4↓+ 4NH4Cl所形成的Sn(OH)4沉淀物，颗粒较细，有时不易离心沉淀，可适当加热进行陈化，然后再离心清洗。
沉淀物经干燥、灼烧后即得到SnO2气敏材料。
Sn(OH)4 = SnO2 +2H2O3、在制备 SnO2超微粉体材料过程中影响材料颗粒度大小的工艺条件有哪些？为什么？1）原材料种类。
SnCl4，氨水。
2）配制溶液的浓度。
SnCl4，氨水浓度不能太大，反应速度快，最终产物颗粒大小不均匀；浓度太低，会延长反应时间，使得产物最终长大，发生成核长大过程。
3）反应速度。
4）反应结束溶液PH值。
PH值在酸性范围时，所得到的SnO2对还原性气体敏感；PH值在碱性范围时，所得到的SnO2对氧化性气体敏感，并且随着PH 值的增大，SnO2颗粒尺寸先下降，上升，再下降，上升。
电子元气件基础知识考试题及答案
电子元气件基础知识考试题及答案电子元器件基础知识考试题(一)一、填空题1、各种材料的物体对通过它的电流呈现一定的阻力﹐具有一定的阻值﹐一定的几何形状﹐一定的技朮性能的在电路中起电阻作用的，这种阻碍电流的作用叫(电阻)。
(2分)2、电阻的作用(在电路中起着阻止电流和分压的作用)。
(5分)3、电阻的换算(1MΩ=1000 KΩ，1 KΩ=1000Ω)。
(5分)4、电阻按外形分类(片状电阻)、(色环电阻)。
(5分)5、色环电阻，从0~9，相应的颜色是(黑棕红橙黄绿蓝紫灰白)。
(7分)6、电容的特性(隔直通交)。
(2分)二、判断题1、色环电容和色环电阻的参数，数字和颜色标识都相同。
(YES)2、五色环电阻或电容，是非精密的。
(NO)3、胆电容，在PCB上的极性标识，和二极管的标识相反。
(YES)4、0402等于1.0mm*0.5mm。
(YES)5、二极管是没有极性的组件。
(NO)三、问答题1、在PCBA上，如何辨别IC的方向?(5分)逆时针，圆点或切边为第一脚2、怎样进行晶振参数值的换算?(5分)1 MHz=103 KHz=106 Hz3、怎样进行电感参数值的换算?(5分)1H=103mH=106uH电子元器件基础知识考试题(二)一、单项选择题：(每题1分，共30分)1、根据作业指导书或样板之要求，该焊元件没焊，焊成其它元件叫( C )。
A、焊反B、漏焊C、错焊2、加锡的顺序是( A ) 。
A、先加热后放焊锡B、先放锡后焊C、锡和烙铁同时加入3、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( B )。
A、短路B、开路C、连焊4、二极管在电路板上用( B ) 表示。
A、CB、DC、R5、电烙铁焊接完成后与被焊体约( B )度角移开A、30B、45C、606.、一色环电阻颜色为：红-黑-黑-橙-棕其阻值为( C )。
A、200ΩB、20KC、200K7、烙铁海绵加应加多少水为合适( B )。
A、不用加水B、对折海绵，水不流出为准8、47KΩ±1%电阻的色环为( C )。
电子元器件基础知识题库100道及答案解析
电子元器件基础知识题库100道及答案解析1. 电阻的单位是（）A. 安培B. 伏特C. 欧姆D. 法拉答案：C解析：电阻的单位是欧姆，用符号“Ω”表示。
2. 电容的基本作用是（）A. 储存电荷B. 消耗电能C. 产生电能D. 阻碍电流答案：A解析：电容的基本作用是储存电荷。
3. 以下哪种不是常见的二极管类型（）A. 发光二极管B. 稳压二极管C. 光电二极管D. 电阻二极管答案：D解析：常见的二极管类型有发光二极管、稳压二极管、光电二极管等，没有电阻二极管。
4. 三极管的三个极分别是（）A. 阳极、阴极、栅极B. 源极、漏极、栅极C. 基极、集电极、发射极D. 正极、负极、接地极答案：C解析：三极管的三个极分别是基极、集电极、发射极。
5. 集成电路的英文缩写是（）A. ICB. PCBC. LEDD. CPU答案：A解析：集成电路的英文是Integrated Circuit，缩写为IC。
6. 以下哪种电子元器件常用于滤波电路（）A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：B解析：电容常用于滤波电路。
7. 电感的单位是（）A. 亨利B. 法拉C. 欧姆D. 伏特答案：A解析：电感的单位是亨利，用符号“H”表示。
8. 场效应管是（）控制型器件A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件。
9. 热敏电阻的阻值随温度的升高而（）A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案：B解析：热敏电阻分为正温度系数和负温度系数，负温度系数的热敏电阻阻值随温度升高而减小。
10. 压敏电阻常用于（）A. 限流B. 分压C. 过压保护D. 滤波解析：压敏电阻常用于过压保护。
11. 以下哪种不是常见的集成电路封装形式（）A. DIPB. SOPC. BGAD. LED答案：D解析：LED 不是集成电路封装形式，DIP、SOP、BGA 是常见的集成电路封装形式。
12. 晶振的作用是（）A. 产生时钟信号B. 放大信号C. 滤波D. 整流答案：A解析：晶振的作用是产生稳定的时钟信号。
2024年通用电子技术及元器件常识知识考试题库(附答案)
2024年通用电子技术及元器件常识知识考试题库（附答案）一、单选题1.半导体二极管是温度的敏感器件,当温度增加时,其参数IR和URM 都将发生变化,试选择正确答案()。
A、IR上升,URM下降B、IR上升,URM上升C、IR下降,URM下降D、IR下降,URM上升参考答案：A2.某单相桥式整流电路中,变压器次级电压为u2,若电路改为半波整流后,保持负载两端电压不变时,变压器次级电压应为()。
A、0.5u2B、u2C、1.5u2D、2u2参考答案：D3.在直流稳压电源中加入滤波器的主要作用是()。
A、提高整流效率B、将正弦交流电变为脉动直流电C、滤除脉动直流电中的脉动成分D、提高输出电压参考答案：C4.欲测单相桥式整流电路的输入电压Ui及输出电压Uo,应采用的方法是()。
A、用直流电压表分别测Ui及UoB、用交流电压表分别测Ui及UoC、用直流电压表测Ui,用交流电压表测UoD、用交流电压表测Ui,用直流电压表测Uo参考答案：A5.二极管两端加反向偏置电压时,通过的电流很小;当电流突然增大时,此时的电压一定超过二极管的()。
A、击穿电压B、最大电压C、反向电压D、工作电压参考答案：A6.在反向击穿前,二极管的反向漏电流随着反向电压的增大而()。
A、明显增大B、增加很小C、迅速减小D、不能确定参考答案：B7.反映二极管质量的参数是()。
A、最大整流电流B、最高反向工作电压C、反向饱和电流D、门槛电压参考答案：C8.以下关于单相半波整流电路的各种叙述中,正确的是()。
A、流过整流管的电流小于负载电流B、流过整流管的电流与负载电流相等C、整流管的端电压为零D、整流管承受的最大反向电压等于负载电压平均值参考答案：B9.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外,工艺上还要采取如下措施()。
A、发射区掺杂浓度高,集电结面积小B、发射区掺杂浓度高,集电结面积大C、发射区掺杂浓度低,集电结面积小D、发射区掺杂浓度第低,集电结面积大参考答案：B10.多级放大器采用________耦合方式,都可以保证前后级静态工作点不受影响。
电子元件考题及参考答案
电子元器件试题及参考答案一、填空题：1、电阻是电子设计中应用最多的元器件之一,在电路中多用来进行 降压、限流、上拉等.电阻用 “R ” 表示﹐它的基本单位是 欧姆(Ω)2、电阻的定义：是一个在电路中起阻碍作用的一个元器件。
3、电阻的单位换算：1M Ω（兆欧）=1000K Ω（千欧）=1000000Ω（欧姆）4、色环电阻中颜色 棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰、白、黑来分别表示1、2、3、4、5、6、7、8、9、0数值，用颜色金、银、本色来表示它的误差值为 ±5%、±10%、±20%。
5、常用的直插电阻有三种﹕金属膜电阻﹑碳膜电阻﹑水泥电阻。
6．电阻按材质分：有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻、水银电阻等。
7、电阻按焊接方式分：可分插件电阻和贴片电阻。
8、电阻按用途：光敏电阻、压敏电阻。
9、正温度系数的热敏电阻阻值随温度上升而增大。
10、色环电阻按功率：有1W 、2W 、1/2W 、1/4W 、1/8W ，色环电阻体积越大功率越大。
11、电容的定义：是一个在电路中起储存电作用的一个元器件。
12、电容按工作特性及电路的作用：可分为固定电容器、可变电容器和半可变电容器三类。
13、电容符号:如下图其中a 为电解电容的符号，b 为普通瓷介电容的符号a b 14、电容用字母“C ”表示﹐它的基本单位是法拉(F) 。
15、电容的单位换算：1F （法拉）= 103 mF(毫法)= 106 μF(微法)= 109 n F(納法)= 1012 pF(皮法)16、电容按材料及结构：可分为云母电容、瓷介电容、电解电容等。
其中 瓷介电容 和 云母电容 无极性之分，而 电解电容 有极性之分，在组装时要特别小心，如果按装反，很容易造成 损坏 或 爆炸。
17、电感在电路中一般用“L ”表示，基本单位是 亨利(H)。
18、电感的定义:电感是一个通直隔交的电子元器件，它一般主要用虑波电路以及高频电路中。
19、二极管：从它的名字可解释为有两个极的元器件，它在电路中一般用D 表示。
功能材料试题及参考答案
功能材料试题及参考答案功能材料试题及参考答案篇一：功能材料试题参考答案一、名词解释（共24分，每个3分）居里温度：铁电体失去自发极化使电畴结构消失的最低温度（或晶体由顺电相到铁电相的转变温度）。
铁电畴：铁电晶体中许许多多晶胞组成的具有相同自发极化方向的小区域称为铁电畴。
电致伸缩：在电场作用下，陶瓷外形上的伸缩（或应变）叫电致伸缩。
介质损耗：陶瓷介质在电导和极化过程中有能量消耗，一部分电场能转变成热能。
单位时间内消耗的电能叫介质损耗。
n型半导体：主要由电子导电的半导体材料叫n型半导体。
电导率：电导率是指面积为1cm2，厚度为1cm的试样所具有的电导（或电阻率的倒数或它是表征材料导电能力大小的特征参数）。
压敏电压：一般取I=1mA时所对应的电压作为I随V陡峭上升的电压大小的标志称压敏电压。
施主受主相互补偿：在同时有施主和受主杂质存在的半导体中，两种杂质要相互补偿，施主提供电子的能力和受主提供空状态的能力因相互抵消而减弱。
二、简答（共42分，每小题6分）1.化学镀镍的原理是什么？答：化学镀镍是利用镍盐溶液在强还原剂（次磷酸盐）的作用下，在具有催化性质的瓷件表面上，使镍离子还原成金属、次磷酸盐分解出磷，获得沉积在瓷件表面的镍磷合金层。
由于镍磷合金具有催化活性，能构成催化自镀，使得镀镍反应得以不断进行。
2.干压成型所用的粉料为什么要造粒？造粒有哪几种方式？各有什么特点？答：为了烧结和固相反应的进行，干压成型所用粉料颗粒越细越好，但是粉料越细流动性越差；同时比表面积增大，粉料占的体积也大。
干压成型时就不能均匀地填充模型的每一个角落常造成空洞、边角不致密、层裂、弹性后效等问题。
为了解决以上问题常采用造粒的方法。
造粒方式有两种方式：加压造粒法和喷雾干燥法。
加压造粒法的特点是造出的颗粒体积密度大、机械强度高、能满足大型和异型制品的成型要求。
但是这种方法生产效率低、自动化程度不高。
喷雾干燥法可得到流动性好的球状团粒，产量大、可连续生产，适合于自动化成型工艺。
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第一章作业1．形状记忆合金为什么具有形状记忆的功能？答：马氏体相变过程如右图。
将形状记忆合金从高温母相（a）冷却，在低于室温附近的某一温度时，母相（a）变为马氏体相（b），这时的马氏体是由晶体结构相同，结晶方向不同的复数同系晶体构成，同母相相比，各同系晶体都发生了微小变形，但形成同系晶体时避免相互之间形变，从而保证在外形上没有改变。
马氏体相中的A面和B面在足够小的力下即能移位，所以马氏体相材料柔软，易变形，在外力作用下，马氏体向着外力择优的方向变形为变形马氏体相（c）。
此材料在加温时，又能返回母相（a），从而恢复形状，马氏体相（b）在温度高于一定程度逆相变点Af时也能返回高温母相。
一般来说，高温母相只有温度冷却到马氏体相变温度Ms以下时，才开始向马氏体相转变，但在外力作用下，即使温度高于逆相变点（Af），也能形成马氏体相，但此时仅能形成择优方向的变形马氏体，由于在温度高于（Af）时，马氏体相能量不稳定，除去电荷后立即能恢复到母相（a）。
综上可知，形状记忆合金具有形状记忆功能。
2．分析说明温度变化对高纯的Cu，Si及(Cu-Al-Ti-Ni)形状记忆合金电阻率（ρ）的影响1）Cu(金属)：温度升高散射作用增大，电阻率（ρ）升高；温度下降散射作用减小，电阻率（ρ）下降；2）Si（半导体）：温度升高晶格散射加剧会使μn减小，但激发产生的载流子增多，使ρ减小占优势，从而使宏观电阻率ρ减小，使Si呈现负温度特性。
3）(Cu-Al-Ti-Ni)形状记忆合金：①.母相立方晶体，晶格畸变小，散射作用弱，ρ小，马氏体相为斜方晶体，晶格畸变大，散射作用大，ρ大。
②相变过程中，混合相看哪相比例大。
③温度升高，散射作用大，ρ增大；温度下降，散射作用小，ρ减小；④实线（降温过程）：母相（高温）→ M s: T减小，ρ减小；Ms → M f:立方→斜方变化，T减小，ρ增大；M f→ 马氏体：T减小，ρ减小虚线（升温过程）：马氏体→As: T升高，ρ增大。
As→ A f:斜方→ 立方变化，T升高，ρ减小；A f→母相：T升高，ρ升高3.．超导体处于超导态时应具备哪些特征？如何理解超导体的“零电阻”？特征：1）零电阻效应（T<T c，R→0）2）迈斯纳效应（T<T c，B=0）3）临界磁场效应（T<T c，H>H c超导态破坏）4）临界电流效应（T<T c，I>I c超导态破坏）“零电阻”：1）T<T c，R→0（比常导体的剩余电阻小得多）2）对直流而言3）T<T c，R突变为04..解释超导机理的BCS理论的主要内容是什么？并讨论超导体中常导电子和超导电子的关系如何？要点：1）具有相同速度方向相反的电子在点阵阳离子作用下可结成库伯对——超流粒子。
2）电子按费米球分布，能量低的在费米球内形成常导电子，能量高的在费米面附近。
3）常导电子和超导电子可以温度而相互转化T>T c，全部为常导电子。
关系：T<T c，形成的库伯对随T降低而增多，T≈0K时，全部形成库伯对。
5.以GaAs/GaAlAs组成的超晶格为例，讨论材料厚度变化对晶格材料性质有哪些影响？要点：如果交替生长的薄膜厚度较大，那么量子阱和子能带就不明显，甚至消失而不具有超晶格作用，只能表现出两种禁带宽度E1和E2不同异质结作用。
性质：（1）晶格常数（2）禁带宽度（3）隧道效应（4）子能带（5）高速化6. 组分超晶格中子能带是如何形成的，影响其禁带宽度的因素有哪些？P.18 影响其禁带宽度的因素：有效质量和势阱宽度。
7.分析设计应变超晶格材料时，影响其晶格常数和禁带宽度的因素及相互关系p.198.电介质中通常会产生那几种极化方式，简要说明。
p.249.分析外电场对晶界势垒及材料的宏观电导率的影响。
p.3210.在实际应用中，如何来调整半导体陶瓷材料的电阻呢？p.3211.分析石英晶体各个轴向产生压电效应的机理。
第二章作业1.MO晶体中，常见的点缺陷有哪些？并说明电离缺陷的电学性质及成因常见点缺陷种类：施主：M i,V x,F M(高价替代)受主：V M，F M,(高价替代)Xi 难生成成因：1）具有弗朗克（FrenKel）缺陷的整比化合物2）反弗朗克缺陷的整比化合物3）肖特基（Schottky）缺陷4）反肖特基缺陷5）反结构缺陷6）非整比化合物M1-y X（产生V M）7）Vx空位的产生：MX1-y8）非整比化合物M1+y X（M i产生）9）产生Xi缺陷MX1+y2.写出处理金属氧化物（MO）晶体中缺陷平衡问题的方法步骤；若真空热处理的MO中主要缺陷为间隙金属原子（M (i)），且为全电离状态，试推导其电导率与氧分压（PO2）的关系式方法：1）根据所给工艺条件，写出产生的主要缺陷反应式；2）写出相应质量作用定律表达式； 3）写出简化的电中性条件；4）利用简化的电中性方程和质量作用定律求出缺陷的浓度表达式5）讨论缺陷浓度与T, P O2关系。
()212'2i MO M e O g =++2122[][']i O K M e P = （1）电中性方程：[']2[]i e M = （2）（2）代入（1）有：21136[']O n e K P -== （3）21136n n Onq K q P σμμ-== （5）3. 分析非化学计量比MO 中Vo 占优点缺陷,电导率与氧分压（Po2）的关系。
（分高温和低温时讨论即双电离和电电离时讨论）o V ⨯占优：低温时：()'oO 21OV e O g 2⨯++质量作用定律： 222[][']o O K V e P = （1）电中性方程：'O e V ⎡⎤⎡⎤=⎣⎦⎣⎦ （2） 24[']O K e P = （3）()21144[']O n e K P -== （4）电导率： ()21144n n O nq K q P σμμ-== （5）高温（）质量作用定律： 224[][']o O K V e P = （6）电中性方程： [']2[]o e V =（7） （2）代入（1）有： 261[']4O K e P = ()21166[']4O n e K P -== （8）电导率： ()211664n n On q Kq P σμμ-== （9） 4.要熟练掌握杂质对非化学计量比组成的晶体中的缺陷平衡的影响的推导，包括金属间隙型氧化物M 1+y O ，和金属缺位型氧化物M 1-y O 的高价和低价掺杂情况(四种情况)。
5.对2-2和2-3节进行小结，充分了解不同类型缺陷浓度与PO2的关系及变化规律。
上课时总结过。
6.写出对M2O3体系中分别进行高价、低价掺杂的缺陷反应。
Ppt 上有。
7.对施主掺杂的晶体MO ，分别进行快速降温和正常降温，缺陷浓度及分布状态有何不同？ P62。
第三章作业1．还望焦克模型及其局限性 p70p73 2.丹尼尔斯模型要点及其解释的实验事实p733.势垒高度表达式 p714.如何理解铁电补偿在解释PTC 效应中的作用机理。
p725.NTC 导电机制与结构关系. p766.在MnO 中加入NiO 经高温处理，可形成半反或全反尖晶石结构，写出相应的结构式和导电 过程。
p777.试说明由A,B 两种导体组成的热电偶的工作原理并推导出其总热电势的表达式接触电势：两种不同导体接触时，在接触处由于载流子浓度的不同相互扩散而形成接触电势差。
温差电势： 一种导体两端由于温度不同，电子从高温端向低温端扩散而产生温差电势。
热电偶回路中包括两个方向相反的接触电势和两个温差电势。
当两端置于不同温度下，则产生总的热电势。
接触电势： e A.B (T) =BAn n e KT lne A.B (T 0) =BA n n e KT ln0 总的接触电势为： e A.B (T) - e A.B (T 0) =()BA n n T T eKT ln 0-A,B 各自的温差电势： e A (T,T 0) =dT TT A ⎰σe B (T,T 0) =dT TT B ⎰σ总的温差电势： e A (T,T 0) - e B (T,T 0) = ()dT TT B A⎰-0σσ热电偶的总热电势为：E AB (T.T 0) = e AB (T) – e AB (T 0) - e A (T.T 0)+e B (T.T 0) =()BAn n T T eK ln 0- -()dT TT B A⎰-0σσE AB (T.T 0) = [e AB (T)–()dT TB A ⎰-0σσ] - [e AB (T 0)–()dT T B A ⎰-0σσ] = E AB (T) - E AB (T 0)第四章作业1.利用能带理论说明N 或P 型半导体的气敏N 型在书上， P 型如下：（1）单晶颗粒Ａ<Ｗｓ的气体吸附，即还原性气体吸附。
空穴将由半导体表面向气体转移，形成正电荷吸附。
导致半导体表面空穴减少，能带向下弯曲。
电导下降。
Ａ>Ｗｓ的气体吸附，即氧化性气体吸附。
空穴将由气体向半导体表面转移，形成负电荷吸附。
导致半导体表面空穴增多，能带向上弯曲。
电导增大。
（2）晶界P 型半导体晶界处势垒如图在晶界处，空气中的氧的吸附很难形成，所以晶界处势垒即接触势垒P 型半导体的正电荷吸附Ａ<Ｗｓ的气体吸附 平衡状态当接触还原性气体时，能带将进一步向下弯曲，电阻增大，即电导下降。
当接触氧化性气体时，能带向下弯曲的程度减小，电阻下降，即电导上升。
总电阻R=Rv+Rs ，所以P 型半导体接触还原性气体时，电导下降。
P 型半导体接触氧化性气体时，电导上升。
2. SnO2气敏元件为什么呈现高阻状态？高阻成因：1）晶界势垒2）表面氧的负离子吸附（O ads -、O ads 2-）3.试分析说明SnO2气敏元件检测H2气的工作机理。
高阻成因：1）晶界势垒2）表面吸附氧形成的负离子吸附（将N-半材导带电子束缚） 反应：H 2在N-SnO 2晶粒表面形成正离子吸附（将电子给SnO 2）H 2 (g) = 2H ads另，2222'adsH O H O e -+=+（将电子释放还给SnO 2） 使器件的R↓，σ↑，且与H 2浓度成正比。
5.电阻型气敏元件的灵敏度定义方法，提高灵敏度的方法 p 89和 p1006.电阻型气敏元件的选择性定义方法，提高选择性的方法 p 90和 p1007. 说明掺Y2O3的ZrO2氧传感器的工作原理O 2传感器原理：P O2(1)> P O2(2) Pt(+):O 2+4e→2O 2- Pt(-):2O 2-→O 2+4eO 2穿过多孔Pt 电极，并在电极处形成O 2-，在ZrO 2中借助V O 空位扩散到Pt(-)，并形成O 2。