运放选型
运放选型参数
运放选型参数摘要：一、运放简介二、运放选型参数1.增益带宽积2.输入偏置电流3.输入偏置电压4.共模抑制比5.输出电流和电压6.电源电压范围7.功耗三、运放选型实例1.确定应用场景2.根据参数进行选型3.实际应用案例四、总结正文：运放，全称为运算放大器，是一种模拟电子器件，广泛应用于各种电子设备和系统中。
作为核心组件，运放的选择至关重要，其中运放选型参数是重要的参考依据。
本文将详细介绍运放选型参数，并以实际案例进行说明。
首先，我们来了解一下运放的增益带宽积。
增益带宽积是运放的一个重要参数，表示运放能够处理信号的最大增益和带宽。
在选择运放时，应根据所需信号的增益和带宽来选取合适的增益带宽积。
输入偏置电流和输入偏置电压是衡量运放输入性能的重要参数。
输入偏置电流是指输入端电流的差值，输入偏置电压是指输入端电压的差值。
这两个参数对运放的输入阻抗和共模抑制比产生影响，需要根据实际应用场景进行选择。
共模抑制比是运放抑制共模信号的能力，它影响了运放在实际应用中的抗干扰性能。
在选择运放时，应根据共模抑制比来选取能够满足抗干扰要求的运放。
输出电流和电压是运放输出性能的重要参数。
输出电流表示运放能够驱动负载的最大电流，输出电压表示运放能够输出的最大电压。
在选择运放时，应根据实际应用中负载的电流和电压需求来选取合适的输出电流和电压。
电源电压范围和功耗是运放的两个重要电气参数。
电源电压范围表示运放能够正常工作的电源电压范围，功耗表示运放在工作过程中的能量消耗。
在选择运放时，应根据实际应用场景的电源电压和功耗要求来选取合适的运放。
下面通过一个实际应用案例来说明如何进行运放选型。
某智能家居系统需要一个用于信号放大的运放，信号增益需求为100倍，信号带宽为10kHz。
根据这些参数，我们可以选择一个增益带宽积大于100kHz的运放。
接下来，我们需要考虑运放的输入性能，输入偏置电流和输入偏置电压应满足系统对输入阻抗和共模抑制比的要求。
运放关键参数及选型原则
运放参数解释及常用运放选型集成运放的参数较多，其中主要参数分为直流指标和交流指标，外加所有芯片都有极限参数。
本文以NE5532为例，分别对各指标作简单解释。
下面内容除了图片从NE5532数据手册上截取，其它内容都整理自网络。
极限参数主要用于确定运放电源供电的设计（提供多少V电压、最大电流不能超过多少），NE5532的极限参数如下：直流指标运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移（简称输入失调电流温漂）、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。
NE5532的直流指标如下：输入失调电压Vos输入失调电压定义为集成运放输出端电压为零时，两个输入端之间所加的补偿电压。
输入失调电压实际上反映了运放内部的电路对称性，对称性越好，输入失调电压越小。
输入失调电压是运放的一个十分重要的指标，特别是精密运放或是用于直流放大时。
输入失调电压与制造工艺有一定关系，其中双极型工艺（即上述的标准硅工艺）的输入失调电压在±1~10mV 之间；采用场效应管做输入级的，输入失调电压会更大一些。
对于精密运放，输入失调电压一般在1mV以下。
输入失调电压越小，直流放大时中间零点偏移越小，越容易处理。
所以对于精密运放是一个极为重要的指标。
输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）ΔVos/ΔT输入失调电压的温度漂移定义为在给定的温度范围内，输入失调电压的变化与温度变化的比值。
这个参数实际是输入失调电压的补充，便于计算在给定的工作范围内，放大电路由于温度变化造成的漂移大小。
一般运放的输入失调电压温漂在±10~20μV/℃之间，精密运放的输入失调电压温漂小于±1μV/℃。
输入偏置电流Ios输入偏置电流定义为当运放的输出直流电压为零时，其两输入端的偏置电流平均值。
运算放大器参数说明及选型指南
运算放大器参数说明及选型指南一、运放的参数说明：1.增益：运算放大器的增益是指输出信号与输入信号之间的比值，通常用V/V表示。
增益可以是固定的，也可以是可调的。
增益决定了输出信号相对于输入信号的放大程度。
2.带宽：运算放大器的带宽是指在其增益达到-3dB时的频率范围。
带宽决定了运放的工作频率范围，对于高频应用，需要选择具有宽带宽的运放。
3.输入偏置电压：输入偏置电压是指在无输入信号时，运放输入端的直流偏置电压。
输入偏置电压可能会引入偏置误差，对于精密测量电路，需要选择输入偏置电压尽可能小的运放。
4.输入偏置电流：输入偏置电流是指在无输入信号时，运放输入端的直流偏置电流。
输入偏置电流可能会引起输入端的电平漂移，对于高精度应用，需要选择输入偏置电流尽可能小的运放。
5.输入偏置电流温漂：输入偏置电流温漂是指输入偏置电流随温度变化的比例。
输入偏置电流温漂可能会导致运放的工作点发生变化，对于温度变化较大的应用，需要选择输入偏置电流温漂较小的运放。
6.输入噪声：输入噪声是指在无输入信号时，运放输入端产生的噪声。
输入噪声可能会影响信号的纯净度，对于低噪声应用，需要选择输入噪声较低的运放。
7.输出电流：输出电流是指运放输出端提供的最大电流。
输出电流决定了运放的输出能力，在驱动负载电流较大的应用中，需要选择输出电流较大的运放。
8.输出电压：输出电压是指运放输出端能够提供的最大电压。
输出电压决定了运放的输出范围，在需要大幅度信号放大的应用中，需要选择输出电压较大的运放。
二、选型指南：1.确定应用需求：根据实际应用需求确定所需的放大倍数、带宽、输入/输出电压等参数。
例如，对于音频放大器，需要考虑音频频率范围、输出功率等因素。
2.选择性能指标：根据应用需求选择合适的性能指标。
不同应用对各个参数的要求可能会有所差异，需根据实际情况进行权衡与选择。
3.查询产品手册：查询供应商的产品手册或网站，获取相关产品的详细参数信息。
产品手册通常会提供各项参数的典型值和极限值，可以用于评估是否满足需求。
运放如何选型
运放参数解释及常用运放选型集成运放的参数较多，其中主要参数分为直流指标和交流指标，外加所有芯片都有极限参数。
本文以NE5532为例，分别对各指标作简单解释。
下面内容除了图片从NE5532数据手册上截取，其它内容都整理自网络。
极限参数主要用于确定运放电源供电的设计（提供多少V电压、最大电流不能超过多少），NE5532的极限参数如下：直流指标运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移（简称输入失调电流温漂）、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。
NE5532的直流指标如下：输入失调电压Vos输入失调电压定义为集成运放输出端电压为零时，两个输入端之间所加的补偿电压。
输入失调电压实际上反映了运放内部的电路对称性，对称性越好，输入失调电压越小。
输入失调电压是运放的一个十分重要的指标，特别是精密运放或是用于直流放大时。
输入失调电压与制造工艺有一定关系，其中双极型工艺（即上述的标准硅工艺）的输入失调电压在±1~10mV之间；采用场效应管做输入级的，输入失调电压会更大一些。
对于精密运放，输入失调电压一般在1mV以下。
输入失调电压越小，直流放大时中间零点偏移越小，越容易处理。
所以对于精密运放是一个极为重要的指标。
输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）ΔVos/ΔT输入失调电压的温度漂移定义为在给定的温度范围内，输入失调电压的变化与温度变化的比值。
这个参数实际是输入失调电压的补充，便于计算在给定的工作范围内，放大电路由于温度变化造成的漂移大小。
一般运放的输入失调电压温漂在±10~20μV/℃之间，精密运放的输入失调电压温漂小于±1μV/℃。
输入偏置电流Ios输入偏置电流定义为当运放的输出直流电压为零时，其两输入端的偏置电流平均值。
运放分类及选型
运放分类及选型对于较大音频、视频等交流信号，选SR （转换速率）大的运放比较合适。
对于处理微弱的直流信号的电路，选用精度比较高的运放比较合适（即失调电流，失调电压及温漂均比较小）运算放大器大体上可以分为如下几类：1、 通用型运放2、 高阻型运放3、 低温漂型运放4、 高速型运放5、 低功耗型运放6、 高压大功率型运放1、 通用型运放其性能指标能适合于一般性（低频以及信号变化缓慢）使用，例如741A μ，LM358（双运放），LM324及场效应管为输入级的LF356.2、 高阻型运放这类运放的特点是差模输入阻抗非常高，输入偏置电流非常小。
实现这些指标的主要措施是利用场效应管的高输入阻抗的特点，但这类运放的输入失调电压较大。
这类运放有LF356、LF355、LF347、CA3130、CA3140等3、 低温漂型运放在精密仪器、弱信号检测等自动控制仪表中，希望运放的失调电压要小，且不随温度的变化而变化。
低温漂型运放就是为此设计的。
目前常用的低温漂型运放有OP07、OP27、OP37、AD508及MOSFET 组成的斩波稳零型低温漂移器件ICL7650等。
4、 高速型运放在快速A/D 及D/A 以及在视频放大器中，要求运放的转换速率SR 一定要高，单位增益带宽BWG 一定要足够大。
高速型运放的主要特点是具有高的转换速率和宽的频率响应。
常见的运放有LM318、175A μ等。
其SR=50~70V/ms5、 低功耗型运放由于便携式仪器应用范围的扩大，必须使用低电源电压供电、低功耗的运放。
常用的低功耗运放有TL-022C ，TL-160C 等。
6、 高压摆大功率型运放运放的输出电压主要受供电电源的限制。
在普通运放中，输出的电压最大值一般仅有几十伏，输出电流仅几十毫安，若要提高多输出电压或输出电流，运放外部必须要加辅助电路。
高压大功率运放外部不需要附加任何电路，即可输出高电压和大电流。
D41运放的电源电压可达V 150±，791A μ运放的输出电流可达1A 。
运放如何选型
运放参数解释及常用运放选型集成运放的参数较多，其中主要参数分为直流指标和交流指标，外加所有芯片都有极限参数。
本文以NE5532为例，分别对各指标作简单解释。
下面内容除了图片从NE5532数据手册上截取，其它内容都整理自网络。
极限参数主要用于确定运放电源供电的设计（提供多少V电压、最大电流不能超过多少），NE5532的极限参数如下：直流指标运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移（简称输入失调电流温漂）、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。
NE5532的直流指标如下：输入失调电压Vos输入失调电压定义为集成运放输出端电压为零时，两个输入端之间所加的补偿电压。
输入失调电压实际上反映了运放内部的电路对称性，对称性越好，输入失调电压越小。
输入失调电压是运放的一个十分重要的指标，特别是精密运放或是用于直流放大时。
输入失调电压与制造工艺有一定关系，其中双极型工艺（即上述的标准硅工艺）的输入失调电压在±1~10mV之间；采用场效应管做输入级的，输入失调电压会更大一些。
对于精密运放，输入失调电压一般在1mV以下。
输入失调电压越小，直流放大时中间零点偏移越小，越容易处理。
所以对于精密运放是一个极为重要的指标。
输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）ΔVos/ΔT输入失调电压的温度漂移定义为在给定的温度范围内，输入失调电压的变化与温度变化的比值。
这个参数实际是输入失调电压的补充，便于计算在给定的工作范围内，放大电路由于温度变化造成的漂移大小。
一般运放的输入失调电压温漂在±10~20μV/℃之间，精密运放的输入失调电压温漂小于±1μV/℃。
输入偏置电流Ios输入偏置电流定义为当运放的输出直流电压为零时，其两输入端的偏置电流平均值。
运放分类及选型
运放分类及选型对于较大音频、视频等交流信号，选SR （转换速率）大的运放比较合适。
对于处理微弱的直流信号的电路，选用精度比较高的运放比较合适（即失调电流，失调电压及温漂均比较小）运算放大器大体上可以分为如下几类：1、通用型运放2、高阻型运放3、低温漂型运放4、高速型运放5、低功耗型运放6、高压大功率型运放1、通用型运放其性能指标能适合于一般性（低频以及信号变化缓慢）使用，例如3741，LM358 （双运放），LM324及场效应管为输入级的LF356.2、高阻型运放这类运放的特点是差模输入阻抗非常高，输入偏置电流非常小。
实现这些指标的主要措施是利用场效应管的高输入阻抗的特点，但这类运放的输入失调电压较大。
这类运放有LF356、LF355、LF347、CA3130、CA3140 等3、低温漂型运放在精密仪器、弱信号检测等自动控制仪表中，希望运放的失调电压要小，且不随温度的变化而变化。
低温漂型运放就是为此设计的。
目前常用的低温漂型运放有OP07、OP27、OP37、AD508及MOSFET 组成的斩波稳零型低温漂移器件ICL7650等。
4、高速型运放在快速A/D及D/A以及在视频放大器中，要求运放的转换速率SR 一定要高，单位增益带宽BWG —定要足够大。
高速型运放的主要特点是具有高的转换速率和宽的频率响应。
常见的运放有LM318、从175等。
其SR=50~70V/ms5、低功耗型运放由于便携式仪器应用范围的扩大，必须使用低电源电压供电、低功耗的运放。
常用的低功耗运放有TL-022C, TL-160C等。
6、高压摆大功率型运放运放的输出电压主要受供电电源的限制。
在普通运放中，输出的电压最大值一般仅有几十伏，输出电流仅几十毫安，若要提高多输出电压或输出电流，运放外部必须要加辅助电路。
高压大功率运放外部不需要附加任何电路，即可输出高电压和大电流。
D41运放的电源电压可达-150V，J A791运放的输出电流可达1A。
运放关键全参数及选型原则
运放参数解释及常用运放选型集成运放的参数较多，其中主要参数分为直流指标和交流指标，外加所有芯片都有极限参数。
本文以NE5532为例，分别对各指标作简单解释。
下面容除了图片从NE5532数据手册上截取，其它容都整理自网络。
极限参数主要用于确定运放电源供电的设计（提供多少V电压、最大电流不能超过多少），NE5532的极限参数如下：直流指标运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移（简称输入失调电流温漂）、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。
NE5532的直流指标如下：输入失调电压Vos输入失调电压定义为集成运放输出端电压为零时，两个输入端之间所加的补偿电压。
输入失调电压实际上反映了运放部的电路对称性，对称性越好，输入失调电压越小。
输入失调电压是运放的一个十分重要的指标，特别是精密运放或是用于直流放大时。
输入失调电压与制造工艺有一定关系，其中双极型工艺（即上述的标准硅工艺）的输入失调电压在±1~10mV 之间；采用场效应管做输入级的，输入失调电压会更大一些。
对于精密运放，输入失调电压一般在1mV以下。
输入失调电压越小，直流放大时中间零点偏移越小，越容易处理。
所以对于精密运放是一个极为重要的指标。
输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）ΔVos/ΔT输入失调电压的温度漂移定义为在给定的温度围，输入失调电压的变化与温度变化的比值。
这个参数实际是输入失调电压的补充，便于计算在给定的工作围，放大电路由于温度变化造成的漂移大小。
一般运放的输入失调电压温漂在±10~20μV/℃之间，精密运放的输入失调电压温漂小于±1μV/℃。
输入偏置电流Ios输入偏置电流定义为当运放的输出直流电压为零时，其两输入端的偏置电流平均值。
输入偏置电流对进行高阻信号放大、积分电路等对输入阻抗有要求的地方有较大的影响。
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低噪 13nV/rtHz
1.8 MHz
DC性能非常好 输出 15MA电流
若想得到低输入电压失调、漂移和电压噪声，选双极型运放
型号 供电 耗电 Vos Vdrift Ib CMRR
噪声电压 噪声电压 密度 Vp-p
低噪 10.5nv 0.38uv
BW
其它特性
评价
OP07 AD706 MAX410
正负3V到正 静态电流： 负18V 500μ A
低噪声 19nv/sqrtH Z 3019nv/sq rtHZ
0.2MH 高输入阻抗1T、极低 Z 的功耗以及高增益 4.5
正负15v 正 负12v
2.8~4ma
JFET输入运放结合精 Vos性能在jfet运放中是 度和高速度 最好的)
AD820
单电源5.0 V 900µA to 36 V
100µV 800 典型1 μ V/ 25 pA 最大 μ V °C 偏置电流 maximum
100dB
低噪 8nv(30hz)5 nv(1khz)
10Mhz 输入阻抗低300k欧
高速低噪声双通道
CMOS 运算放大器 OPA333
极低的工作 超低静态电流 电压1.8V到 (17uA～25ua) 5.5V 超低失调电 零漂最大 压2～10uv 0.05uv/c 70～200pa 130db 1.1uv （0.01～ 10HZ） 350k cmos工艺目前市场上 尺寸最小功耗最低的 零漂移放大器静态电 流仅为性能最接近产 品的十分之一 22.91元 医疗仪器、温度测量、 测试仪器、传感器信号 调理和便携式仪器,TI最 杰出的运放产品之一 Zero-Drift Series
1.4~2.5ma
低失调、低温漂JFET输 入集成运放,,可用于高速 积分器、D/A转换器等电 路 3MHZ 高输入阻抗1T,低失真 双路低噪声JFET输入 1.40元 3MHZ 高输入阻抗1T,低失真 通用JFET输入 3MHZ MOSFET前级(高输入 阻抗1T)高输入阻抗双 通道 4.5MH MOSFET前级(高输入 Z 阻抗1.5T)高输入阻抗 双通道 160K biMOS轨对轨，比 TLC功耗更低带宽更 大 高输入阻抗1T、极低 的功耗以及高增益 低价,高速JFET输入并具 有低偏置电压 可在很多场合直接替代 741 输入阻抗大的高速 动放 4.5~7.2元 11uA/通道的 160kHz RR 输出双路运算放大器， 直流和噪声性能偏差， 好在功耗超低 LInCMOS 精密双运放低 价3元 性能改进版本 是TLC2252 10元 电池供电应用,四路满电 源幅度,低压微功耗运放
950uv
2uv
90dB共模抑 制比以及 105dB电源 抑制比 （PSRR） 低偏置电流 70dB 1pa 10pa 最大 30pa 100dB
低噪声9nv
2.180M HZ 5.4uv 300k 低价微电压低噪运放 (双通道)
0.05mv 最 大1.5mv
0.9uv/c
48nv
1.21美元 适合电池供电
5美金 用于高精度数
据采集 仪用运放
低输入失调 低温漂 低偏置电流 100db 电压 0.7~2.5μ V/ 2~12na 60~150uv ℃ 时漂也 小1.5uv/月 30uv~100uv 0.6uv/c 低偏置电流 50~110pa
0.6MH 可以较低价格代替斩 精密的低噪声低零漂运 Z 波运放,性能类似ua714 放,直流小信号放大不错
OPA2335 LTC1051
2.7~5.5v
QUIESCENT LOW OFFSET 0.05μ V/° 70～200pa CURRENT: 285μ VOLTAGE: 5 C max μ V (max) A
130db
1.4
2M
Single Supply Operation 4.75V to 16V
噪声电压 噪声电压 密度 Vp-p
BW
其它特性
高速度的JFET输入集 成运放还具有高输入 电阻，小偏置电流和 输入失调电流
评价
LF411 TL072 TL081 LF353 CA3240 TLV27L2 TLC27L2 TLC2252 LT1055
正负18V以 内 正负18V以 内 正负18V以 内 正负18V以 内
10uv最大 低漂1uv/c 40uv带自校 准
低偏置电流 100dB 1pa最大60pa
极低的输 入电压噪 声密度1.5 nV at 1kHz 12nv(1khz)
高精度 BiFET 偏置电 流是op07的1/20 噪声 是op07的1/5ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ耗电是 op07的1/6 并且有更高 的输入阻抗 28MHz 28MHz、低噪声、低 Unity- 电压、精密运算放大 Gain 器 桥接信号调理 低 Bandwi 噪声 非常适合源阻抗 dth 较低的应用 1.5uv(0.1~ 4.7Mhz 高输出能力50ma,高精 10hz) 度结合高带宽大输出 能力 无斩波运放的噪 声 0.5uv 800k
70~75uv
0.3uv/c
1~100pa
115dB
低失调电压 1.8uv/c 最大250uv 220~800uv 2~4uv/c
1pa 低输入 偏置电流 85C时80pa 4~100na
90dB
低噪8.9nv/ 760nv 1khz （电 流噪声也 低0.5fA ） 38nv 2.8uv
3MHZ 超低失真0.0002% 低噪低失真(四通道) 适 THD 轨对轨 单位增益 合低失真噪的电池供电 稳定 1000G输入阻抗 应用 adc缓冲 155kHZ 单位增益稳定,高阻抗 微功耗 适合高精度电池 应用Z 10E13 供电应用, 高输出20ma 反向电压 电池应用 4到20ma变送 保护18v 17M欧输入 阻抗 2K(f=1 10G欧输入阻抗 微电压 微功耗电池应用 00hz) 低压信号处理 微功耗滤 波器 180k
小的输入失 输入失调电 输入偏置电 70db 调电压 压温度系 流： 50pA 2~5mV 数：7μ V/ ℃ 3~10mv 18uv/c 18uv/c 10uv/c 低偏置电流 86db 20~200pa 低偏置电流 86dB 30~200pa 低偏置电流 100dB 50~200pa 10~40pa 90db 低噪15nv 18nv 低噪声电 压 18nv 40nv(1khz)
型号
供电
耗电
Vos
Vdrift Ib
CMRR
噪声电压 噪声电压 密度 Vp-p
BW
其它特性
满摆幅运算放大器， 低噪声
评价
高精度、低功耗、小体 积与温度稳定性的良好 结合，适合精度必须随 环境条件的波动而保持 稳定应用场合0.64美元 双路,低噪声,满电源幅度 运放 7.9元
AD8663
TLC2274 ISL28288 MAX4254 MCP609 LT1490 LT6005
双通道,低耗电2.28美元 是低频滤波器的极好选 择(12~14位数据采集)
双极型放大器 达到16位 精度
高级 LinEPIC 自校准精 密双路运放 自校准 最 高精度cmos单电源运放 使用范围大
ICL7650
正负9v
2ma
失调小 漂移低 0.7uV 最大 0.02uV/C 5uV
输入偏置电 超高增益,共 流小4~10pa 模抑制能力 强 超高 CMRR140D B
输入失调电 压：1~5mV
输入偏置电 90db 流： 80~500nA
通用型运算放大器
输入失调电 温度漂移： 输入偏置电 差模电压增 压： 2mV 7μ V/℃ 流： 45nA 益： 100dB
1 MHz 通用性运放，它具有 输出电压振幅大、电 源功耗小等优点
低功耗四运放滤波好
0.5~4mv
200~800na
正负2.5V到 低耗电600ua 正负18V
低噪声 15nv
± 2.4V to ± 2.5mA Supply 5V Current Per Amplifier
250µV (max) Offset Voltage
drift (1μ V/ 80na ° C)
130
TLC4502
4~6v 单5v
单路 1~1.5ma
2~44v 3v 5v 最大50ua 正负15v 1.6~16v 供电1ua
高cmmr98db
50nv
1u
500uv
2uv/c
低偏置90pa 100db
325nv f=100hz
3uv
若想得到低输入电流和电流噪声，选择FET运放
型号 供电 耗电
静态电流： 1.8mA
Vos
Vdrift Ib
CMRR
0.6~60pa 低温漂移 1.1uv/c 低 时漂0.1uv 每月
94db
68nV/sqrt HZ
85k
2.7~16v
低耗电35ua
最大850uv 0.5uv/c 低偏置电流 83db 典型200uv 0.003uv/mo 1pa典型 最 nth 大150pa 最大150uv 1.2~4uv/c 典型50uv 150pa最大 典型 40pa(70) 98db
Low Supply Current 1mA/Op Amp
Maximum Maximum offset Offset Voltage 5µ Voltage Drift 0.05µ V V/°C
Minimum CMRR, 114dB
Low Noise 1.5µVp-p
(0.1Hz to 10Hz)
Dual/Quad Low Cost Precision Op Amp Zero-Drift With Internal Capacitors
2uV
2MHZ 利用动态校零技术消 响应快, 除了CMOS器件固有 的失调和漂移,性能稳 定及价格低廉等优点,