MOSFET的重要特性
mosfet快通慢断
mosfet快通慢断摘要：1.MOSFET简介2.MOSFET的快通慢断特性3.快通慢断的应用场景4.快通慢断的优缺点5.如何选择合适的MOSFET正文：mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。
它具有快通慢断的特性，可以在高压、高电流条件下稳定工作，因此在我国的电子行业中有着广泛的应用。
MOSFET的快通慢断特性使其在电路中起到了重要作用。
快通是指在输入电压不变的情况下，MOSFET的导通电阻随电压的变化而迅速变化，从而实现快速开启和关闭。
慢断则是指当输入电压去除时，MOSFET的导通电阻变化缓慢，从而使得电流逐渐减小，实现缓慢断开。
快通慢断的应用场景主要包括：电源管理、电机控制、照明控制、无线充电等领域。
在这些场景中，MOSFET的快通慢断特性能够实现对电流的精确控制，提高系统的能源效率和稳定性。
然而，MOSFET的快通慢断特性也存在一定的局限性。
快通时，导通电阻的变化会导致开关速度较快，但同时也容易产生电磁干扰（EMI）。
而慢断时，由于电流减小速度较慢，可能会导致功耗增加。
因此，在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的MOSFET。
如何选择合适的MOSFET呢？首先，需要根据电路的电压、电流、频率等参数选择合适的导通电阻和开关速度。
其次，要考虑快通慢断特性对系统性能的影响，如EMI、功耗等。
最后，还要考虑MOSFET的稳定性、可靠性以及成本等因素。
总之，MOSFET的快通慢断特性使其在电子电路中具有广泛的应用前景。
在实际应用中，我们需要根据具体需求选择合适的MOSFET，以实现最佳的性能和稳定性。
mosfet漏极电流和漏源电压的关系曲线
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，其工作原理和特性曲线对于电子学的学习和理解具有重要意义。
其中，漏极电流和漏源电压是MOSFET的重要特性之一，掌握它们之间的关系对于MOSFET的应用和设计具有重要意义。
一、MOSFET基本特性MOSFET是一种常用的场效应晶体管，它由金属-氧化物-半导体组成。
通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流，因此具有很好的电压控制特性。
在实际应用中，MOSFET被广泛应用于电子设备的电路设计中。
二、漏极电流和漏源电压的关系1. 漏极电流随漏源电压变化的关系曲线MOSFET的漏极电流与漏源电压之间存在一定的关系。
一般情况下，当漏源电压增大时，漏极电流也会随之增大。
但是在一定范围内，漏极电流并不是简单地正比于漏源电压的变化。
具体的关系取决于MOSFET的工作模式和电路中的其他参数。
在实际应用中，需要详细分析MOSFET的参数特性曲线，才能准确地描述漏极电流和漏源电压之间的关系。
2. MOSFET不同工作区域的特性曲线MOSFET的工作状态可以分为截止区、饱和区和线性区。
在不同的工作区域，漏极电流和漏源电压的关系呈现出不同的特性曲线。
通过详细研究这些特性曲线，可以有效地分析MOSFET在不同工作状态下的性能，为电路设计和应用提供重要的参考。
三、MOSFET漏极电流和漏源电压关系的影响因素1. 动态漏极电阻MOSFET的动态漏极电阻是影响漏极电流和漏源电压关系的重要因素之一。
动态漏极电阻随着漏源电压的变化而变化，它直接影响了MOSFET的导通特性和电压控制特性。
在MOSFET的实际应用中，需要充分考虑动态漏极电阻对漏极电流和漏源电压关系的影响。
2. 结渗容量效应结渗容量效应也是影响MOSFET漏极电流和漏源电压关系的重要因素之一。
由于MOSFET的特殊结构，漏极电流和漏源电压之间存在一定的耦合效应。
当漏源电压发生变化时，结渗容量效应会对漏极电流产生一定的影响，这需要在电路设计和分析中予以充分考虑。
mosfet的实验报告
mosfet的实验报告《实验报告：探索mosfet的特性与应用》摘要：本实验报告旨在探索mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性和应用。
通过实验，我们对mosfet的工作原理、特性曲线以及在电子电路中的应用进行了深入研究。
实验结果表明，mosfet作为一种重要的半导体器件，在放大、开关和调节等方面具有重要的应用价值。
引言：mosfet是一种常见的半导体器件，其在电子电路中具有重要的应用价值。
本实验旨在通过实际操作，深入了解mosfet的特性和应用，为进一步的学习和研究打下基础。
实验一：mosfet的基本特性在本实验中，我们首先搭建了一个简单的mosfet电路，通过测量电压和电流的变化，绘制了mosfet的特性曲线。
实验结果显示，mosfet的特性曲线呈现出明显的非线性特性，且具有一定的开启电压和饱和电流。
通过分析特性曲线，我们对mosfet的工作原理有了更深入的理解。
实验二：mosfet在放大电路中的应用在本实验中，我们将mosfet应用于放大电路中，通过调节mosfet的工作点，实现了对输入信号的放大。
实验结果表明，mosfet在放大电路中具有良好的线性特性，能够有效地放大输入信号，为电子设备的放大功能提供了重要支持。
实验三：mosfet在开关电路中的应用在本实验中，我们将mosfet应用于开关电路中，通过控制mosfet的导通和截止，实现了对电路的开关功能。
实验结果表明，mosfet在开关电路中具有快速响应的特性，能够实现高效的开关控制，为电子设备的开关功能提供了重要支持。
结论：通过本次实验，我们深入了解了mosfet的特性和应用。
mosfet作为一种重要的半导体器件，在放大、开关和调节等方面具有重要的应用价值。
我们相信，通过不断的学习和研究，mosfet将会在电子领域发挥更加重要的作用。
MOSFET参数理解及其主要特性
MOSFET参数理解及其主要特性MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关和放大器装置，被广泛应用于电子电路中。
它具有比双极晶体管更优异的特性，如较强的电流和电压承受能力、低输入电流、高输入阻抗等。
下面将对MOSFET的参数和主要特性进行详细介绍。
1. N沟道（N-channel）和P沟道（P-channel）：根据导体中所控制的载流子的类型，MOSFET可分为N沟道和P沟道两种类型。
N沟道MOSFET是通过负电压来控制电子流动的，而P沟道MOSFET则是通过正电压控制空穴流动。
2. 阈值电压（Threshold Voltage）：阈值电压（Vth）是指控制栅极电压必须达到的电压水平，以使MOSFET通导。
在N沟道MOSFET中，正电压将引起电子在沟道中流动，而在P沟道MOSFET中，负电压将引起空穴在沟道中流动。
阈值电压的大小决定了MOSFET的开启和关闭的电压。
3. 最大额定电压（Maximum Rated Voltage）：最大额定电压（Vds max）是指MOSFET能够承受的最大电压。
超过这个电压，MOSFET可能会受到损坏。
4. 最大额定电流（Maximum Rated Current）：最大额定电流（Ids max）是指MOSFET能够承受的最大电流。
超过这个电流，MOSFET可能会受到过热和损坏。
5. 开启电阻（On-Resistance）：开启电阻（Rds on）是指当MOSFET处于导通状态时，它的内部电阻大小。
开启电阻越小，MOSFET在导通状态下的功耗就越小。
6. 导通电压降（Voltage Drop）：导通电压降（Vds on）是指当MOSFET处于导通状态时，源极和漏极之间的电压降。
导通电压降越小，MOSFET在导通状态时损耗的电压就越小。
1. 低输入电流（Low Input Current）：由于MOSFET的输入电流极小，所以它不会消耗太多的能量，适用于节能和低功耗的应用。
MOS管的作用
MOS管的作用
电子学中的MOS管是一种电子晶体管，通常可以指的是金属氧化物半导体晶体管（MOSFET），它具有以下特性：
（1）MOS管可以非常高效地控制一个电流，只需要很小的驱动电压和功率就可以控制一个电流；
（2）MOS管具有极高的效率，可以取得良好的电压放大能力，从而提高系统的效率；
（3）MOS管具有较高的功率增益，可以把较小的输入电压变成较大的输出电压；
（4）MOS管可以实现较大的信号输出幅度，具有较高的信号强度和电路灵敏性；
（5）MOS管有较高的抗干扰能力、结构简单可靠，维护简单，电路噪声很小；
（6）MOS管抗辐射能力强，可以适用于空间环境条件较为恶劣的环境；
（7）MOS管可以很好地兼容CMOS（模拟转换数字）工艺，可实现模拟交叉转换、低
功率消耗及高集成度等要求；
以上是MOS管的基本功能和特点，它在电子电路系统中可以实现一些非常重要的功能
和重要作用，如低成本高效率、节约电能、减少无调节性噪声、受累能量大、抗辐照强等。
MOS管作为电路元件用于实现各种电路，它被广泛应用于电子电路的传输、放大、控
制和信号变换等功能，即供电模块、控制模块、掉控模块和滤波模块等各种电路工程和传
感应用中受到了广泛的应用。
如今，随着晶体管的不断进步，MOS管也可用于计算机的逻
辑控制、模拟信号传输和模拟转数字转换等，也可以用于通信<工程、汽车电子系统等领域。
总之，MOS管作为一种新型电子元件，在电子技术领域有着非常广泛的应用，它已经
成为电子信息和计算机世界的基础建设，起到了不可或缺的重要作用。
MOSFET的工作原理与特性分析
MOSFET的工作原理与特性分析MOSFET(transistor)简介MOSFET是一种重要的半导体器件，广泛应用于数字电路、模拟电路和功率电子系统中。
它是一种三端设备，由门极、漏极和源极组成。
在工作时，通过对门极电压的控制来改变源漏电路的导电状态，这样就能实现信号放大、切换等功能。
MOSFET的三个区域MOSFET器件具有三个区域: 管子区、沟道区和衬底区。
其中管子区和衬底区是PN结，沟道区则是N型或P型半导体。
沟道区是MOSFET的关键区域，其厚度和电荷密度的变化会显著影响MOSFET的电学性能。
MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理可以分为三个阶段: 开关关闭、开关开启和饱和。
当门极施加低电压时，沟道内的载流子导电性较弱，开关处于关闭状态。
当门极施加足够高的电压时，沟道内的载流子导电性增强，电流开始流动，开关处于开启状态。
当门极施加过高电压时，沟道内的电场会足够强以将沟道中的电荷完全排出，此时开关处于饱和状态。
MOSFET的特性分析MOSFET的主要特点包括输入电容容量小、输入阻抗高、开关速度快等优点。
此外，MOSFET还能够承受较高的漏极电压，且散热能力较强。
因此，在功率电子控制领域中，MOSFET器件被广泛应用。
然而，MOSFET也存在一些缺点。
例如，在温度较高时，沟道区中的电荷易被热激发捕获，导致输出特性发生变化。
另外，在高频率条件下，MOSFET的损耗也会增加，从而限制其在高频电路中的应用。
MOSFET的发展趋势近年来，MOSFET技术在模拟和数字电路中得到快速发展。
一些新型器件如原创DMOS（Double-Diffused MOS）技术、中空MOSFET技术等得以应用，因此，MOSFET的特性和性能将继续得到不断提升。
总结MOSFET是一种广泛应用的半导体器件，其原理和特性分析可帮助我们更好地理解其在电子领域中的应用。
虽然MOSFET存在一些缺点，但其在功率电子控制和数字领域中的应用前景广阔，未来可继续期待其发展。
MOSFET介绍解读
MOSFET介绍解读MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，是现代电子设备中的重要组成部分。
它具有高速开关速度、低功耗和较低的驱动电压等优势，广泛用于各种集成电路和功率电子应用中。
本文将对MOSFET进行介绍和解读。
MOSFET是一种三端器件，包括源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
它是由P型或N型半导体基片、氧化层和金属电极组成。
栅极下方通过氧化层与基片隔离，形成栅氧化物层，从而实现对栅极与基片之间的电荷的控制。
MOSFET的工作原理是通过调节栅极电场来控制漏极和源极之间的电流。
当MOSFET的栅极电压低于阈值电压时，它处于截止状态，漏极和源极之间的电阻很大，几乎没有电流通过。
当栅极电压高于阈值电压时，MOSFET处于开启状态，可以通过控制栅极电压来控制漏极和源极之间的电流大小。
此特性使得MOSFET成为理想的开关器件。
此外，MOSFET还具有较低的驱动电压要求。
由于栅极控制电路的电流很小，MOSFET可以通过低电压驱动，减少功耗和成本。
这也为集成电路提供了更多的设计灵活性。
然而，MOSFET也存在一些局限性和挑战。
首先，栅极电荷的建立和移除需要一定的时间，导致MOSFET的开关速度受到限制。
其次，MOSFET 的工作温度范围较窄，而且对温度的敏感性较高。
另外，MOSFET在高电压应用中也存在一些问题，如漏电和击穿等。
为了克服这些挑战，研究人员和工程师不断改进MOSFET的设计和制造工艺。
例如，引入新的材料和结构可以提高MOSFET的开关速度和功率密度。
而采用新的封装和散热技术可以提高MOSFET的功率处理能力和热稳定性。
总的来说，MOSFET是一种重要的半导体器件，具有许多优点，如低功耗、高速开关速度和较低的驱动电压要求。
它在各种领域的应用广泛，包括集成电路、功率电子、射频和通信等。
通过不断的研究和创新，MOSFET的性能将进一步得到改善，为我们的现代电子设备提供更高效、更可靠的解决方案。
MOSFET_MOS管特性参数的理解
MOSFET_MOS管特性参数的理解MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，具有较高的性能和功耗优势。
了解MOSFET的特性参数对于设计和应用电子电路至关重要。
下面将从基本结构、特性参数和其理解等方面进行详细阐述。
MOSFET 的基本结构如下：它由源极、漏极、栅极和底座四个引脚组成，其中源极(source)和漏极(drain)与半导体结成二极管，栅极(gate)则是介质氧化铝上的金属引脚。
其中金属层和介质氧化铝之间的结构形成了场效应管，因此被称为MOS管。
接下来是几个关键的特性参数：1. 阈值电压：阈值电压（Threshold Voltage，简称Vth）是MOSFET 的一个重要参数，它表示了在栅极和漏极之间形成导电路径的最低电压。
当栅极电压高于Vth 时，MOSFET 开始工作并形成导通通道。
2. 饱和电流：饱和电流（Saturation Current，简称Isat）是指在MOSFET 处于饱和工作区时的漏极电流，也称为最大漏极电流。
在饱和区，漏极电流与栅极电压成非线性关系。
3. 输出电导：输出电导（Output Conductance，简称gds）表示了MOSFET 在饱和状态时，输出电流变化对栅极漏极电压的敏感程度。
较高的输出电导意味着MOSFET 在饱和区的输出电流更敏感，从而使其在放大器等应用中更可靠。
4. 线性区增益：线性区增益（Linear Region Gain，简称gm）表示MOSFET 在线性工作区时，输入阻抗和输出阻抗间的关系。
该参数也可以用来衡量MOSFET 对输入信号的放大能力。
5. 输出电容：输出电容（Output Capacitance，简称Coss）表示栅极和漏极之间的电容。
这个电容会导致MOSFET 在高频应用中的频率响应减弱，影响其性能。
以上只是几个主要的特性参数，实际上MOSFET 还有很多其他的参数，如输入电容（Input Capacitance）、迁移率（Mobility）、开启延迟（Turn-on Delay）和反向转移电容（Reverse Transfer Capacitance）等。
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MOSFET的重要特性（1）为什么E-MOSFET的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大？而随着温度的升高而下降？【答】E-MOSFET的阈值电压就是使半导体表面产生反型层（导电沟道）所需要加的栅极电压。
对于n沟道E-MOSFET，当栅电压使得p型半导体表面能带向下弯曲到表面势ψs≥2ψB时，即可认为半导体表面强反型，因为这时反型层中的少数载流子（电子）浓度就等于体内的多数载流子浓度（～掺杂浓度）；这里的ψB是半导体Fermi势，即半导体禁带中央与Fermi能级之差。
阈值电压VT包含有三个部分的电压（不考虑衬偏电压时）：栅氧化层上的电压降Vox；半导体表面附近的电压降2ΨB：抵消MOS系统中各种电荷影响的电压降——平带电压VF。
在阈值电压的表示式中，与掺杂浓度和温度有关的因素主要是半导体Fermi势ψB。
当p 型半导体衬底的掺杂浓度NA提高时，半导体Fermi能级趋向于价带顶变化，则半导体Fermi 势ψB增大，从而就使得更加难以达到ψs≥2ψB的反型层产生条件，所以阈值电压增大。
当温度T升高时，半导体Fermi能级将趋向于禁带中央变化，则半导体Fermi势ψB 减小，从而导致更加容易达到ψs≥2ψB的反型层产生条件，所以阈值电压降低。
（2）为什么E-MOSFET的源-漏电流在沟道夹断之后变得更大、并且是饱和的（即与源-漏电压无关）？【答】E-MOSFET的沟道夹断是指栅极电压大于阈值电压、出现了沟道之后，源-漏电压使得沟道在漏极端夹断的一种状态。
实际上，沟道在一端夹断并不等于完全没有沟道。
当栅电压小于阈值电压时，则完全没有沟道，这是不导电的状态——截止状态。
而沟道的夹断区由于是耗尽区，增加的源-漏电压也主要是降落在夹断区，则夹断区中存在很强的电场，只要有载流子到达夹断区的边缘，即可被电场拉过、从漏极输出，因此夹断区不但不阻止载流子通过，而相反地却能够很好地导电，所以有沟道、并且沟道在一端夹断的状态，是一种很好的导电状态，则沟道夹断之后的输出源-漏电流最大。
E-MOSFET的沟道在漏极端夹断以后，由于夹断区基本上是耗尽区，则再进一步增加的源-漏电压，即将主要是降落在夹断区，这就使得未被夹断的沟道——剩余沟道的长度基本上保持不变；而在沟道夹断之后的源-漏电流主要是决定于剩余沟道的长度，所以这时的源-漏电流也就基本上不随源-漏电压而变化——输出电流饱和。
（3）为什么短沟道E-MOSFET的饱和源-漏电流并不完全饱和？对于短沟道MOSFET，引起输出源-漏电流饱和的原因基本上有两种：一种是沟道夹断所导致的电流饱和；另一种是速度饱和所导致的电流饱和。
对于沟道夹断的饱和，因为夹断区的长度会随着其上电压的增大而有所增大，则使得剩余沟道的长度也将随着源-漏电压而减短，从而就会引起源-漏电流相应地随着源-漏电压而有所增大——输出电流不完全饱和。
不过，这种电流不饱的程度与沟道长度有关：对于长沟道MOSFET，这种夹断区长度随源-漏电压的变化量，相对于整个沟道长度而言，可以忽略，所以这时沟道夹断之后的源-漏电流近似为“饱和”的；但是对于短沟道MOSFET，这种夹断区长度随源-漏电压的变化量，相对于整个沟道长度而言，不能忽略，所以沟道夹断之后的源-漏电流将会明显地随着源-漏电压的增大而增加——不饱和。
对于速度饱和所引起的电流饱和情况，一般说来，当电场很强、载流子速度饱和之后，再进一步增大源-漏电压，也不会使电流增大。
因此，这时的饱和电流原则上是与源-漏电压无关的。
对于短沟道MOSFET，还有一个导致电流不饱和的重要原因，即所谓DIBL（漏极感应源端势垒降低）效应。
因为源区与沟道之间总是存在一个高低结所造成的势垒，当源-漏电压越高，就将使得该势垒越低，则通过沟道的源-漏电流越大，因此输出电流不会饱和。
总之，导致短沟道MOSFET电流不饱和的因素主要有沟道长度调制效应和DIBL效应。
（4）为什么E-MOSFET的饱和源-漏电流与饱和电压之间具有平方的关系？【答】增强型MOSFET（E-MOSFET）的饱和源-漏电流表示式为饱和电压(VGS-VT)就是沟道夹断时的源-漏电压。
在MOSFET的转移特性（IDsat～VGS）曲线上，E-MOSFET的饱和源-漏电流IDsat与饱和电压(VGS-VT)的关系即呈现为抛物线。
导致出现这种平方关系的原因有二：①沟道宽度越大，饱和源-漏电流越大，饱和电压也就越高；②电流饱和就对应于沟道夹断，而夹断区即为耗尽层，其宽度与电压之间存在着平方根的关系，这就导致以上的平方结果。
正因为MOSFET具有如此平方的电流-电压关系，所以常称其为平方率器件。
（5）为什么一般MOSFET的饱和源-漏电流具有负的温度系数？【答】MOSFET的饱和源-漏电流可表示为在此关系中，因为材料参数和器件结构参数均与温度的关系不大，则与温度有关的因素主要有二：阈值电压VT和载流子迁移率μn。
由于MOSFET的阈值电压VT具有负的温度系数，所以，随着温度的升高，就使得MOSFET的输出饱和源-漏电流随之增大，即导致电流具有正的温度系数。
而载流子迁移率μn，在室温附近一般将随着温度的升高而下降（主要是晶格振动散射起作用）：式中T o=300K，m=1.5～2.0。
迁移率的这种温度特性即导致MOSFET的增益因子也具有负的温度系数。
从而，随着温度的升高，迁移率的下降就会导致MOSFET的输出源-漏电流减小，即电流具有负的温度系数。
综合以上阈值电压和载流子迁移率这两种因素的不同影响，则根据MOSFET饱和电流的表示式即可得知：①当饱和电压(VGS-VT)较大（即VGS>>VT）时，阈值电压温度关系的影响可以忽略，则输出源-漏电流的温度特性将主要决定于载流子迁移率的温度关系，即具有负的温度系数（温度升高，IDS下降）；②当饱和电压(VGS-VT)较小（即VGS～VT）时，则输出源-漏电流的温度特性将主要决定于阈值电压的温度关系，从而具有正的温度系数（温度升高，IDS也增大）。
而对于一般的MOSFET，为了获得较大的跨导，往往把饱和电压(VGS-VT)选取得较大，因此可以不考虑阈值电压的影响，于是饱和源-漏电流通常都具有负的温度系数。
也因此，一般的MOSFET都具有一定的自我保护的功能，则可以把多个管芯直接并联起来，也不会出现因电流分配不均匀而引起的失效；利用这种并联管芯的办法即可方便地达到增大器件输出电流的目的（实际上，功率MOSFET就是采用这种措施来实现大电流的）。
（6）为什么MOSFET的饱和区跨导大于线性区的跨导？【答】饱和区与线性区都是出现了沟道的状态，但是它们的根本差别就在于沟道是否被夹断。
电压对沟道宽度的影响是：栅极电压将使沟道宽度均匀地发生变化，源-漏电压将使沟道宽度不均匀地发生变化（则会导致沟道首先在漏极端夹断）。
在线性区时，由于源-漏电压较低，则整个沟道的宽度从头到尾变化不大，这时栅极电压控制沟道导电的能力相对地较差一些，于是跨导较小。
同时，随着源-漏电压的增大，沟道宽度的变化增大，使得漏端处的沟道宽度变小，则栅极电压控制沟道导电的能力增强，跨导增大。
而在饱和区时，源-漏电压较高，沟道夹断，即在漏极端处的沟道宽度为0，于是栅极电压控制沟道导电的能力很强（微小的栅极电压即可控制沟道的导通与截止），所以这时的跨导很大。
因此，饱和区跨导大于线性区跨导。
可见，沟道越是接近夹断，栅极的控制能力就越强，则跨导也就越大；沟道完全夹断后，电流饱和，则跨导达到最大——饱和跨导。
（7）为什么MOSFET的饱和跨导一般与饱和电压成正比？但为什么有时又与饱和电压成反比？【答】①在源-漏电压VDS一定时：由E-MOSFET的饱和电流IDsat对栅电压的微分，即可得到饱和跨导gmsat与饱和电压(VGS-VT)成正比：这种正比关系的得来，是由于饱和电压越高，就意味着沟道越不容易夹断，则导电沟道厚度必然较大，因此在同样栅极电压下的输出源-漏电流就越大，从而跨导也就越大。
②在饱和电流IDsat一定时：饱和跨导gmsat却与饱和电压(VGS-VT)成反比：这是由于饱和电压越高，就意味着沟道越难以夹断，则栅极的控制能力就越小，即跨导越小。
总之，在源-漏电压一定时，饱和跨导与饱和电压成正比，而在源-漏电流一定时，饱和跨导与饱和电压成反比。
这种相反的比例关系，在其他场合也存在着，例如功耗P与电阻R的关系：当电流一定时，功耗与电阻成正比（P=IV=I2R）；当电压一定时，功耗与电阻成反比（P=IV=V2/R）。
（8）为什么MOSFET的线性区源-漏电导等于饱和区的跨导（栅极跨导）？【答】MOSFET的线性区源-漏电导gdlin和饱和区的栅极跨导gmsat，都是表征电压对沟道导电、即对源-漏电流控制能力大小的性能参数。
在线性区时，沟道未夹断，但源-漏电压将使沟道宽度不均匀；这时源-漏电压的变化，源-漏电导gdlin即表征着在沟道未夹断情况下、源-漏电压对源-漏电流的控制能力，这种控制就是通过沟道宽度发生不均匀变化而起作用的。
而饱和区的栅极跨导——饱和跨导gmsat是表征着在沟道夹断情况下、栅-源电压对源-漏电流的控制能力，这时剩余沟道的宽度已经是不均匀的，则这种控制也相当于是通过沟道宽度发生不均匀变化而起作用的，因此这时的栅极跨导就等效于线性区源-漏电导：（9）为什么在E-MOSFET的栅-漏转移特性上，随着栅-源电压的增大，首先出现的是饱和区电流、然后才是线性区电流？【答】E-MOSFET的栅-漏转移特性如图1所示。
在栅-源电压VGS小于阈值电压VT 时，器件截止（没有沟道），源-漏电流电流很小（称为亚阈电流）。
在VGS>VT时，出现沟道，但如果源-漏电压VDS=0，则不会产生电流；只有在VGS>VT 和VDS>0时，才会产生电流，这时必然有VDS >(VGS-VT)，因此MOSFET处于沟道夹断的饱和状态，于是源-漏电流随栅-源电压而平方地上升。
相应地，饱和跨导随栅-源电压而线性地增大，这是由于饱和跨导与饱和电压(VGS-VT)成正比的缘故。
而当栅-源电压进一步增大，使得VDS<(VGS-VT)时，则MOSFET又将转变为沟道未夹断的线性工作状态，于是源-漏电流随栅-源电压而线性地增大。
这时，跨导不再变化（与栅电压无关）。
（10）为什么MOSFET的电流放大系数截止频率fT与跨导gm成正比？【答】MOSFET的fT就是输出电流随着频率的升高而下降到等于输入电流时的频率。
器件的跨导gm越大，输出的电流就越大，则输出电流随频率的下降也就越慢，从而截止频率就越大，即fT与gm有正比关系：由于fT与gm的正比关系，就使得fT与饱和电压（VGS-VT）也有正比关系，从而高频率就要求较大的饱和电压。