2010光电子技术试卷B
(完整word版)《光电子技术》期末考试试卷及答案(B卷)
西南科技大学2009—2010学年第1学期《光电子技术》期末考试试卷（B卷）课程代码 1 6 3 1 4 0 3 6 0 命题单位理学院：应用物理教研室学院： ___ 班级: 姓名：学号： ___________一、选择题（20分，2分/题）1、光电子技术的主要特征是（）A.光源激光化B.传输波导化C.手段电子化D.模式和处理方法光学化2、光电子技术突飞猛进的时代标志是（）A.第一台激光器问世B.微电子技术出现C.光纤通信应用D. CCD摄相机生产3、激光的性质主要有（）A.波粒二象性B.偏振性C.费米粒子D.空间相干性4、光辐射按照波长分为（）A.紫外辐射B.可见光辐射C.红外辐射D.X射线辐射5、大气衰减主要与（）有关A.分子吸收B.离子散射C.气溶胶吸收D.电子散射6、电光晶体的线性电光效应主要与（）有关A.外加电场B.晶体性质C.光波波长D.晶体折射率变化7、激光调制按其调制的性质可以分为（）A.调幅B.调频C.调相D.调强8、拉曼-纳斯衍射的特点有（）A.形成与入射方向对称分布的多级衍射光B.衍射效率与附加相位延迟有关C.只限于低频工作，只具有有限的带宽D.声光介质可视为“平面相位栅”9、光敏电阻适于作为（）A.光的测量元件B.光电导开关元件C.加热元件D.发光元件10、2009年10月6日授予授予博伊尔和史密斯诺贝尔物理学奖，CCD 摄像器件的电荷存储是（）A.在瞬态和深度耗尽状态下进行的B.在势阱形成后才实现C.在电子定向移动下进行D.在MOS电容器中出现西南科技大学2009—2010学年第1学期《光电子技术》期末考试试卷（B）二、判断题（20分，2分/题，对用“√”、错用“×”标记）11、光电子技术的特征主要是光源激光化和光传输波导化。
( )12、在光度学中，光强是基本的能量单位，用J(焦耳)来度量。
( )13、在电光晶体介质中，电场可以是变化的，也可以是恒定的，但一般小于15伏特。
华中光电技术研究所2010年考研真题--B
七一七所二○一○年招收硕士研究生入学考试“电子技术”试题（B 卷） 总分150分）一、填空（25分）1、多级放大电路之间的耦合方式分为_______﹑_________﹑_________几种。
2、图1为由运放组成的__________放大电路，且v o=________vi 。
当R 2=_____、R 1=______时，vo 等于vi ，这时电压增益Av =____，电路被称为___________。
3、BJT 三极管可工作在三种状态：分别是_______，________和_________。
4、对电路中某三极管进行测试，测得三个电极的电压分别为4.5伏，0.5伏和1.1伏，各值分别对应三极管的_____极、______极和_______极。
该三极管属于_____型，工作在________状态。
5、在正弦波振荡电路中，为了满足振荡条件，应引入________反馈，而为了稳幅和减小非线性失真，可适当引入_________反馈；6、十进制数98对应的二进制数是__________________，对应的十六进制数是________，对应的BCD 码是_____________。
7、TTL 逻辑电路的标准输出高电平是_________伏，标准输出低电平是________伏。
8、ADC 输出为八位二进制数，输入信号的最大值为5V ，其分辨率为________。
二、（30分）、1）(5分)将二进制数011011010101转换为十进制数和十六进制数，并画出其对应的数字波形（设逻辑1的电压为5V ，逻辑0为0V ）。
2）(3分)用与非门实现逻辑函数))((D C B A Y ++=。
3）(5分)写出CD BC D C AB Y ++=的最小项表达式，画出卡诺图。
4）(5分)用框图简单表示出A /D 转换的工作过程。
一个n 位的A /D 转换器，可以达到的精度为多少？5）(6分)简要叙述如图2所示三极管的几种基本组态电路的工作特点和差别。
光电子技术基础考试题及答案
光电子技术基础考试题及答案光电子技术基础考试题及答案一、选择题1.光通量的单位是（ B ）.A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯2. 辐射通量φe的单位是（ B ）A 焦耳 (J)B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd)3.发光强度的单位是（ A ）.A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯4.光照度的单位是（ D ）.A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯5.激光器的构成一般由（ A ）组成A.激励能源、谐振腔和工作物质B.固体激光器、液体激光器和气体激光器C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料D. 电子、载流子和光子6. 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。
适当偏置是（D）A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置7.2009年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖，提到光纤以SiO2为材料的主要是由于（ A ）A.传输损耗低B.可实现任何光传输C.不出现瑞利散射D.空间相干性好8.下列哪个不属于激光调制器的是（ D ）A.电光调制器B.声光调制器C.磁光调制器D.压光调制器9.电光晶体的非线性电光效应主要与（ C ）有关A.内加电场B.激光波长C.晶体性质D.晶体折射率变化量10.激光调制按其调制的性质有（ C ）A.连续调制B.脉冲调制C.相位调制D.光伏调制11.不属于光电探测器的是（ D ）A.光电导探测器B.光伏探测器C.光磁电探测器D.热电探测元件/doc/021*******.html,D 摄像器件的信息是靠（ B ）存储A.载流子B.电荷C.电子D.声子13.LCD显示器，可以分为（ ABCD ）A. TN型B. STN型C. TFT型D. DSTN型14.掺杂型探测器是由（D ）之间的电子-空穴对符合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。
A.禁带B.分子C.粒子D.能带15.激光具有的优点为相干性好、亮度高及（ B ）A色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱16.红外辐射的波长为（ D ）.A 100-280nmB 380-440 nmC 640-770 nmD 770-1000 nm17.可见光的波长范围为（ C ）.A 200—300nmB 300—380nmC 380—780nmD 780—1500nm18.一只白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面1.5m的高处，用照度计测得正下方地面的照度为30lx，该灯的光通量为（ A ）.A .848lxB .212lxC .424lxD .106lx19.下列不属于气体放电光源的是（ D ）.A .汞灯B .氙灯C .铊灯D .卤钨灯20.ＬＣＤ是（Ａ）A.液晶显示器B.光电二极管C.电荷耦合器件D.硅基液晶显示器21.25mm的视像管，靶面的有效高度约为10mm，若可分辨的最多电视行数为400，则相当于（ A ）线对/mm.A.16B.25C.20D.1822. 光电转换定律中的光电流与 ( B ) .A 温度成正比 B光功率成正比 C暗电流成正比 D光子的能量成正比23. 发生拉曼—纳斯衍射必须满足的条件是( A )A 超声波频率低，光波平行声波面入射，声光作用长度短B 超声波频率高，光波平行声波面入射，声光作用长度短C 超声波频率低，光波平行声波面入射，声光作用长度长D 超声波频率低，光束与声波面间以一定角度入射，声光作用长度短24.光束调制中，下面不属于外调制的是 ( C )A 声光调制B 电光波导调制C 半导体光源调制D 电光强度调制25.激光具有的优点为相干性好、亮度高及 ( B )A 多色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱26.能发生光电导效应的半导体是 ( C )A本征型和激子型 B本征型和晶格型 C本征型和杂质型 D本征型和自由载流子型27.电荷耦合器件分 ( A )A 线阵CCD和面阵CCDB 线阵CCD和点阵CCDC 面阵CCD和体阵CCD D 体阵CCD和点阵CCD28.电荷耦合器件的工作过程主要是信号的产生、存储、传输和( C )A 计算B 显示C 检测D 输出29.光电探测器的性能参数不包括（D）A光谱特性 B光照特性 C光电特性 D P-I特性30.光敏电阻与其他半导体电器件相比不具有的特点是（B）A.光谱响应范围广B.阈值电流低C.工作电流大D.灵敏度高31.关于LD与LED下列叙述正确的是（C）A. LD和LED都有阈值电流 B .LD调制频率远低于LED C. LD发光基于自发辐射D .LED可发出相干光32.光敏电阻的光电特性由光电转换因子描述，在强辐射作用下（A ）A. ?=0.5B.? =1C. ?=1.5D. ?=233.硅光二极管主要适用于[D]A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见光及红外光谱区34.硅光二极管主要适用于[D]A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见光及红外光谱区35.光视效能K为最大值时的波长是（A ）A．555nm B.666nm C．777nm D.888nm36. 对于P型半导体来说，以下说法正确的是（D）A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶37. 下列光电器件, 哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压（C）A Si光电二极管B PIN光电二极管C 雪崩光电二极管D 光电三极管38. 对于光敏电阻，下列说法不正确的是：（D）A 弱光照下，光电流与照度之间具有良好的线性关系B 光敏面作成蛇形，有利于提高灵敏度C 光敏电阻具有前历效应D 光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动39. 在直接探测系统中, (B)A 探测器能响应光波的波动性质, 输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相位B 探测器只响应入射其上的平均光功率C 具有空间滤波能力D 具有光谱滤波能力40. 对于激光二极管（LD）和发光二极管（LED）来说，下列说法正确的是（D）A LD只能连续发光B LED的单色性比LD要好C LD内部可没有谐振腔D LED辐射光的波长决定于材料的禁带宽41. 对于N型半导体来说，以下说法正确的是（A）A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶42. 依据光电器件伏安特性, 下列哪些器件不能视为恒流源: （D）A 光电二极管B 光电三极管C 光电倍增管D 光电池43. 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。
2010光电子技术试卷B
1、一点辐射源辐射功率是 Pe,一半径为 R 的圆盘中心的到辐射源的 距离是 d（ d
R） ，盘面中心法线与光的传播方向相同，光在空间
传播的损失忽略不计；则盘面上的辐照照度 Ee= 2、为了提高光敏电阻的响应灵敏度，一方面 受光面积。
. 电极间的距离；另一方面
3、一块半导体样品，有光照时电阻为 100 ，无光照时电阻为 10000 ，求该样品的 光电导 ∆σ = 。 另一类是： 和 。 。 5、电荷耦合摄像器件，按结构可分为： 题号 二 得分 二、选择题（本题 10 分，每题 2 分） 选择题（ ） C.光出射度 D.光亮度 A.光强度 （ A. 热噪声 教务处印制 ） B. 散粒噪声 共 6 C. 产生-复合噪声 页 （第 1 页） D. 1/f 噪声 B.光照度 4、 硅光电池的用途大致可分为两类： 一类是：
题号 四（3） ）
得分
3、 （本题 8 分）已知硅光电池光敏面积为 10 × 10mm 2 ，环境温度 300k 时在 1000W / m 2 光照下，开路电压 uoc = 620mv ，短路电流
I sc = 30mA 。试求 300k 时在 (200 800)W / m2 光照下，保证线性电 压输出的最大负载电阻和电压变化值。 U m ≈ 0.6U oc , I m ≈ I sc ） （
季学期光电子技术基础试卷b命题教师命题小组系主任审核考试形式开卷考试类型学位课非学位课请在前面打选择考试班级应物081考试日期考试时间注意
2010 年 秋 季学期
命题教师 考试类型 考试班级 班 题 得 级 号 分 一 命题小组 学位课 应物 081
《光电子技术基础》
√ 非学位课
试卷（ 试卷（B）
开卷
阻 R = 8M Ω ,热释电器件的等效电容 C = 20 pF ，求该热释电探测器的电压灵敏度 Sv
（完整版）光电子技术题目与答案
（完整版）光电子技术题目与答案1) 色温是指在规定两波长处具有与热辐射光源的辐射比率相同的黑体的温度2) 自发跃迁是指处于高能级的粒子自发地跃迁到低能级上。
受激跃迁是指由于外界辐射场作用而产生的粒子能级间的跃迁。
3) 受激辐射下光谱线展宽的类型分为均匀展宽和非均匀展宽，其中均匀展宽有自然展宽、碰撞展宽、热振动展宽，非均匀展宽有多普勒展宽、残余应力展宽。
4) 常见的固体激光器有红宝石激光器、钕激光器、钛宝石激光器（写出两种），常见的气体激光器有He-Ne激光器、Ar激光器、CO2激光器（写出两种）。
5) 光是一种以光速运动的光子流，光子和其它基本粒子一样，具有能量、动量和质量；其静止质量为零。
6) 激光与普通光源相比具有如下明显的特点：方向性好、单色性好、相干性好、强度大7) 简述光子的基本特性。
答：1、光子能量E与光波频率v对应：E=hv2、光子具有运动质量m，m=E/c2=hv/c23、光子的动量与单色平面波矢对应：P=?k4、光子具有两种可能的独立偏振状态，对应于光波场的两个独立偏振方向5、光子具有自旋性，并且自旋量子数为整数1)声波在声光晶体中传播会引起晶体中的质点按声波规律在平衡位置振动，按照声波频率的高低以及声波和光波作用的长度不同，声光相互作用可以分为拉曼-纳斯衍射，布喇格衍射两种类型。
2) 磁光效应是指外加磁场作用所引起的材料光学各项异性，法拉第磁光效应的规律（1）对于给定的介质，光振动面的旋转角与样品的长度和外加的磁感应强度成正比（2）光的传播方向反转时，法拉第旋转的左右方向互换。
3) 电致折射率变化是指晶体介质的介电系数与晶体中的电荷分布有关，当晶体被施加电场后，将引起束缚电荷的重新分布，并导致离子晶格的微小型变，从而引起介电系数的变化，并最终导致晶体折射率变化的现象。
4) 光纤色散的主要危害是使脉冲信号展宽，限制了光纤的宽带或传输容量，多模光纤的色散主要有模色散、材料色散、波导色散1)光束调制按其调制的性质可分为调幅，调频，调相，强度调制。
光电子技术期末考试试卷及答案
光电子技术期末考试试卷及答案题目一：选择题（共10题，每题2分，共计20分）1. 光的波粒二象性是指：A. 光既可以看作电磁波，也可以看作光子；B. 光既可以看作电子，也可以看作波动；C. 光既可以看作光子，也可以看作粒子。
2. 下列器件中，能直接将光信号转换成电信号的是：A. 退化半导体；B. 光电二极管；C. PIN光电二极管；D. 功率光电二极管。
3. 一般情况下，LED在额定工作电流下的发光效率最高，约为：A. 50%；B. 60%；C. 70%；D. 80%。
4. 光路中可以用来调制光强的器件是：A. 光电晶体；B. 光致伸缩材料；C. 电调制器；D. 光盘（散射介质）。
5. 调制蓝光激光器的方法是：A. 直接调制法；B. 外差调频法；C. 电吸收调制法；D. 拉曼散射法。
6. 下列关于光纤损耗的说法，错误的是：A. 光纤中的散射损耗是连接损耗的主要来源；B. 光纤的折射率分布可以影响传导模态和传导损耗；C. 纤芯直径越小，聚光程度越高，散焦越少，损耗越小；D. 纤芯表面上越光滑，损耗越小。
7. 关于光器件中的H快捷开关，错误的说法是：A. 用于实现快速光学切换；B. 具有低损耗和短响应时间；C. 其中的H材料应保证具有高吸收，高速度和低色散；D. H快捷开关的部分实现需要利用量子效应。
8. 下列有关多层膜反射镜的说明中，正确的是：A. 多层膜反射镜是利用膜系构成的干涉层次来实现光反射的；B. 反射波的波峰和波谷能够分别叠加，加大反射效果；C. 多层膜反射镜在太赫兹波领域应用前景广阔；D. 多层膜反射镜将会淘汰传统的MgF2反射镜。
9. 下列器件中，主要应用于光纤通信系统中的是：B. 可调谐（Filter Tunable）半导体激光器；C. 狭缝（Slit）可调谐半导体激光器；D. 光放大器（EDFA）。
10. 下列关于宽带光通信技术说法，不正确的是：A. 宽带光通信技术可以实现对高速宽带信号的直接检测；B. 宽带光通信技术克服了复杂信号处理的难点，提高了数据传输速度；C. 宽带光通信技术是指通过改善光学传输模式、增大光传输载荷和使通信信号便于处理等手段来实现提高通信带宽；D. 宽带光通信技术是指利用空间光调制器等器件来提高通信带宽。
光电子技术试题
光电子技术试题1）某光纤传输的波段为0.8 0.9µm。
若每一路电话带宽为4kHz ，每套彩电节目带宽10MHz，则该光纤理论上可传送多少路电话或多少套彩电节目？2）波长为1.3µm 的光射入单模阶跃折射率光纤，其芯区与包层折射率分别为n1 =1.52 ，n2 =1.42⑴若将其至于空气（折射率1）中，则其数值孔径、最大入射角及芯径分别为多少？3）PIN光电二极管，受波长为1.55µm 的126⨯个光子的照射，其间输出端10产生122⨯光子。
计算量子效率和响应度。
104）内光电效应和外光电效应的差别5）简单叙述下面纵向电光调制原理6）简述p-n结电致发光原理答案1）某光纤传输的波段为0.8µm 0.9µm 。
若每一路电话带宽为4kHz ，每套彩电节目带宽 10MHz ，则该光纤理论上可传送多少路电话或多少套彩电节目？ 光纤传输的频率 λc =f ,故它传输波段为1410333.3⨯，141075.3⨯， 1410417.0f ⨯= 能传播的电话数目1031411004.110410417.0⨯=⨯⨯=N 能传播的彩电数目661411017.4101010417.0⨯=⨯⨯=N 2) 波长为1.3µm 的光射入单模阶跃折射率光纤，其芯区与包层折射率分别为n1 =1.52 ，n2 =1.42若将其至于空气（折射率1）中，则其数值孔径、最大入射角及芯径分别为多少？数值孔径542.042.152.1n n .222221=-=-=A Nmax 0sin n .ϕ=A N 得542.0arcsin max =ϕ，由于是单模传输，V<2.405m 836.1n n 1405.2a 222210μπλ=-<3) PIN 光电二极管，受波长为1.55µm 的 12106⨯个光子的照射，其间输出端产生12102⨯光子。
计算量子效率和响应度。
XXX大学第二学期光信息科学与技术专业《电子技术》期末考试题试卷(卷B)
XXX 大学第二学期 光信息科学与技术专业《电子技术》期末考试题试卷 （卷B ） 题号 一 二 三 四 五 六 总 分 得分 一、填空题。
1．＿＿＿＿负反馈可以稳定静态工作点，＿＿＿负反馈能改善放大电路的动态性能。
2．射极输出器是一种典型的＿＿＿＿＿＿＿＿＿反馈放大器。
3．用来放大缓慢变化的信号或某个直流量的变化的放大电路称为＿＿放大器。
4．直流放大器存在两种特殊问题：一是＿＿＿＿＿＿＿＿，二是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
5．直流放大器工作时受到＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿等外界因素的影响，会产生零漂现象，采用＿＿＿＿＿＿＿＿电路可以有效抑制。
6．通常把＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿的输入信号叫做共模信号；把＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿的输入信号叫差模信号。
7. 理想运算放大器由于两个输入端间的电压为零，而又不是短 …○…………○………装…………○…………订…………○…………线…………○…………院系：专业班级：学号：姓名：座位号：路，故称为＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
8．差动放大器的共模抑制比定义为其＿＿＿＿＿和＿＿＿＿之比。
其数值越高，则＿＿＿能力越强，理想情况下应是＿＿＿＿。
9．集成运放主要由以下四部分组成：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿___和＿＿＿＿＿＿。
10．工作于线性区的理想运放具有如下的特点：①、两输入端电位差＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿；②、输入电流＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
11．一个理想运放应具备下列条件：①、开坏电压放大倍数A od→＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿；②、输入电阻r id →＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿；③、输出电阻r od→＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿；④、共模抑制比K CMR →＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
12．比例运算放大器的闭环电压放大倍数与集成运放本身的参数＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，与外围电阻＿＿＿＿的比值有关，这是引入＿＿＿＿＿＿的结果。
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题号 五（3） ）
得分 3（本题 8 分）光电检测电路的基本技术要求有哪些？
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阻 R = 8M Ω ,热释电器件的等效电容 C = 20 pF ，求该热释电探测器的电压灵敏度 Sv
（本题 8 分） 某单沟道三相 512 位线阵 CCD， （1） 其转移损失率 ε = 10−4 ， 计算其电荷转移效率 η 和最末一位电荷传输效率 η ' 。 （2）若最末一位保 四（5） ） 持同样的电荷传输效率 η ' ，对于双沟道四相 1024 位线阵 CCD 其转移损 失率最多是多大？ 题号 得分
PbSe
）
三、判断正误（10 分） 判断正误（ 试判别下列结论， （试判别下列结论，正确的在括号里填 T， 错误的填 F。每题 2 分）
1．弱注入条件下，少数载流子的寿命与热平衡时多子的浓度成反比。 （ ） 2.光敏电阻的照度指数 γ ，辐照度越强，其值越大。 （ ） 3. 热释电探测器对恒定辐射无响应。 ( ） 4．光电探测器的光谱响应范围越宽越好。 （ ） 5．对同一个探测器而言，直接探测时的噪声等效功率比相干探测时的噪声等效功率大。 （ ） 题号 得分 计算题（ 四、计算题（40 分） 四 题号 四（1） ） 得分 1、 （本题6分）若光敏电阻在100 lx的光照下阻值是6kΩ,且已知它在 90∼120 lx范围内的γ=0.9，试求该光敏电阻在110 lx时光照下的阻值。
传播的损失忽略不计；则盘面上的辐照照度 Ee= 2、为了提高光敏电阻的响应灵敏度，一方面 受光面积。
. 电极间的距离；另一方面
3、一块半导体样品，有光照时电阻为 100 ，无光照时电阻为 10000 ，求该样品的 光电导 ∆σ = 。 另一类是： 和 。 。 5、电荷耦合摄像器件，按结构可分为： 题号 二 得分 二、选择题（本题 10 分，每题 2 分） 选择题（ ） C.光出射度 D.光亮度 A.光强度 （ A. 热噪声 教务处印制 ） B. 散粒噪声 共 6 C. 产生-复合噪声 页 （第 1 页） D. 1/f 噪声 B.光照度 4、 硅光电池的用途大致可分为两类： 一类是：
1. 光源单位面积向半空间发射的光通量称为（
2. 当 工 作 频 率 大 于 1000Hz, 光 敏 电 阻 的 固 有 噪 声 中 那 一 种 噪 声 起 主 要 作 用
3. 硅光电池在（ A．开路
）情况下有最大的功率输出。
B．自偏置 C．零伏偏置 D．反向偏置 4. 若要检测脉宽为 10-7S 的光脉冲，应选用（ ）为光电变换器件。 A．PIN 型光电二极管 B．3DU 型光电三相管 C．PN 结型光电二级管 D． 2CR 硅光电池 5. 若在常温下， 要使光敏电阻对可见光谱波段都有响应， 那一种光敏电阻合适 （ A. CdS 题号 三 得分 B. PbS C. InSb D.
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2、 （本题10分）一支氦-氖激光器（波长632.8nm）发出激光的功率 为3mW;该激光束的平面发散角为0.02mrad,激光器的放电毛细管直 四（2） ） 径1mm， 试求： （1） 632.8=0.235时， 当V 此光束的光度辐射通量Φv，λ ， 发光强度Iv，λ ， 光出度M v，λ等各为多少？（2）若将其投影到10 米远处的屏幕上，忽略光在空气中的衰减，则屏幕上的光照度是多少？ 题号 得分
题号 四（3） ）
得分
3、 （本题 8 分）已知硅光电池光敏面积为 10 × 10mm 2 ，环境温度 300k 时在 1000W / m 2 光照下，开路电压 uoc = 620mv ，短路电流
I sc = 30mA 。试求 300k 时在 (200 800)W / m2 光照下，保证线性电 压输出的最大负载电阻和电压变化值。 U m ≈ 0.6U oc , I m ≈ I sc ） （
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题号 五 题号 五（1） ）
得分
简答题（ 五 简答题（30 分）
得分 1、 （本题 12 分）光电倍增管各倍增极发射系数δ与哪些因素有 关？最主要的因素是什么？光电倍增管产生暗电流的原因有哪 些？如何降低光电倍增管的暗电流？
题号 五（2） ）
得分
2、 （本题 10 分）声光相互作用可以分为拉曼-纳斯衍射和布喇格 衍射两种类型。简述它们产生的条件和特征。
教务处印制
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题号 四（4） ）
得分
4、 （本题 8 分）某热释电探测器件的参数为：灵敏面面积 A=1mm2， 热释电系数为 2.5 × 10−8 C /(cm 2 K ) ，表面吸收率 α = 0.8 ，调制频率
f = 200 Hz ， Gt = 5 × 10−6W / K ，热容 Ct = 1.2 × 10−5 J / K ，电路负载电
注意：1．请用深蓝色墨水书写，字、图清晰，书写不出边框。 2．答题演草时不许使用附加纸，试卷背面可用于演草。试卷不得拆开。
题号 一
得分
一、
填空题（ 填空题（本题 10 分，每题 2 分）
1、一点辐射源辐射功率是 Pe,一半径为 R 的圆盘中心的到辐射源的 距离是 d（ d
R） ，盘面中心法线与光的传播方向相同，光在空间
2010 年 秋 季学期
命题教师 考试类型 考试班级 班 题 得 级 号 分 一 命题小组 学位课 应物 081
《光电子技术基础》
√ 非学位课
试卷（ 试卷（B）
开卷
系主任审核
考试形式
（请在前面打“√”选择） 请在前面打“√”选择） 选择 考试时间 学 号 五 总 分 2 小时
考试日期 姓 二 名 三 四