模电 习题答案
模电考试题及答案
模电考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，三极管工作在放大区的条件是（）。
A. 基极电流小于集电极电流B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置C. 发射结反向偏置，集电结正向偏置D. 发射结和集电结都反向偏置答案：B2. 理想运算放大器的输入电阻是（）。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C3. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。
A. 相同B. 相反C. 相差90度D. 相差180度答案：B4. 差分放大器的主要优点是（）。
A. 放大差模信号B. 抑制共模信号C. 放大共模信号D. 放大差模信号和抑制共模信号答案：D5. 场效应管的控制量是（）。
A. 漏极电流B. 栅源电压C. 漏源电压D. 栅漏电流答案：B6. 集成运放的输出电压范围主要取决于（）。
A. 电源电压B. 输入信号C. 反馈电阻D. 负载电阻答案：A7. 负反馈可以（）。
A. 增加放大倍数B. 减少非线性失真C. 增加输入电阻D. 减少输出电阻答案：B8. 直流稳压电源中的滤波电路是（）。
A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：A9. 正弦波振荡器的振荡条件是（）。
A. 相位平衡条件B. 幅度平衡条件C. 相位平衡条件和幅度平衡条件D. 只有幅度平衡条件答案：C10. 调制的目的是（）。
A. 放大信号B. 改变信号的频率C. 使信号便于传输D. 改变信号的相位答案：C二、填空题（每题2分，共20分）1. 在共基极放大电路中，输入阻抗与输出阻抗相比，输入阻抗________输出阻抗。
答案：小2. 理想运算放大器的差模输入电阻为________，共模抑制比为________。
答案：无穷大，无穷大3. 差分放大器的差模电压增益是共模电压增益的________倍。
答案：1+2Rf/R4. 场效应管的漏极电流与栅源电压的关系是________。
答案：非线性5. 负反馈可以提高放大电路的________。
模电习题库答案
模电习题库答案⼀、填空题1、P型半导体多数载流⼦为空⽳，⽽N型半导体的多数载流⼦为电⼦。
2、为了使三极管具有放⼤作⽤，要求外加电压保证发射结正偏，集电结反偏。
3、甲类功放电路管⼦的导通⾓为2π，⼄类功放电路管⼦的导通⾓为π。
4、同相⽐例运算电路可实现Au>1的放⼤器；反相⽐例运算电路可实现Au<0的放⼤器。
5、差分放⼤电路能够放⼤差模信号，⽽抑制共模信号。
6、在具有反馈的放⼤电路中，如果令输出电压0u，反馈信号消失，说明它o的反馈类型属于电压反馈，否则就是电流反馈。
KH信号通过，应该选7、在某个信号处理系统中，要求让输⼊信号中的10～15ZKH的⼲扰信号，不使其通过可采⽤带通滤波器，如果要抑制20～30Z⽤带阻滤波器。
8、振荡电路的⾃激振荡条件中，幅值平衡条件为AF=1，相位平衡条件为：ψa+ψf=2nπ。
9、当静态⼯作点Q的位置偏低，⽽输⼊电压u的幅值⼜相对较⼤，则很容易引i起截⽌失真，当静态⼯作点Q的位置偏⾼，⽽输⼊电压u的幅值⼜i相对较⼤，则很容易引起饱和失真。
10、正弦波振荡电路由放⼤器、正反馈⽹络和选频⽹络和稳幅环节四部分构成。
11、PN结外加正向偏置电压时，在外电场的作⽤下，空间电荷区的宽度要变窄，于是多⼦的扩散运动将增强。
12、当三极管⼯作在放⼤区（线性区）时，集电极电流的变化基本与Uce⽆关，⽽主要受 Ib 的控制。
13、半导体中的载流⼦为电⼦和空⽳。
14、三极管根据结构不同可分成PNP型和NPN 型。
15、共模抑制⽐K等于差模放⼤倍数与共模放⼤倍数之⽐的绝对值，CMRK值越⼤，表明电路抑制共模信号的能⼒越强。
CMR16、在对放⼤电路的输⼊、输出电阻的影响中，串联负反馈的影响是使输⼊电阻的阻值增⼤，⽽电压负反馈的影响是使得输出电阻的阻值减⼩。
17、在某个信号处理系统中，为了获得输⼊电压中的低频信号，应该选⽤低通滤波器，为了避免50HZ电⽹电压的⼲扰进⼊放⼤器，应该选⽤带阻滤波器。
模电习题课(答案版)
C．+10V D．共源极放大电路第 3 页，共3 页]共源极放大电路页，共 7 页3-1 图3-2构成互补对称输出级电路；、2T 提供预偏置，使1T 、2T 微导通而达到消除图3-3同类题VD = 0.7v ，Vom = ±15v 解：（1）当i V ＞0时，0102,i om V V V V ==-图3-41）1T 、2T 构成差分放大电路；3T 、4T 构成比例式镜像电流源电路；同时作为差放的长尾，理想运放A 构成同相比例运算电路。
2）()4030120.7112 4.61R V R K I i mA R K K K---==⋅≈+ T 1 T 2 T 4 T 3第 10 页，共 10 页f R 引入深度电压串联负反馈，则采用分离法：101111f vf ff vf vf V R R V R R R A R R ==+∴==+R f页第 12 页，共页4．图示放大电路中，三极管的β＝40，U BE ＝0.8V ，C 1、C C E 足够大。
求：（1）输入电压u i =0.15sin ωtV 时，输出电压u 0=?（2）输出端接负载电阻R L ＝1.5k Ω后，输出电压u （3）R L ＝1.5k Ω时，换一个同类型的三极管β＝50BE ＝0.7V ，C 1、C 2、C E 足够大。
时，输出电压u 0=?Ω后，输出电压u 0=?时，换一个同类型的三极管β＝60，输出电压u 0=?页第 14 页，共 14 页（3）分别是什么反馈类型？对电路有什么影响？2-1 图2-2管构成共基极放大电路；页第16 页，共页页VZ=6V，稳定电流范围为IZ=5～20mA，额定功率为能稳压，设V0 = 6V页页页（2）画出满足要求的电路图。
页页页页三、判断以下电路能否放大交流信号，若不能，请改正其中的错误使其能起放大作用。
第25 页，共25页26 页（C ）A 图 不能放大交流信号，改正：去掉B 图 能够放大交流信号四、请判断下列电路中的反馈的类型，并说明哪些元件起反馈作用。
模电 习题答案(精选.)
2.10 在图P2.9所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。
试问：当负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？解：由于I C Q ＝2mA ，所以U C E Q ＝V C C －I C Q R c ＝6V 。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。
故 V 82.32CESCEQ om ≈-=U U UΩ=k 3L R 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。
故V 12.22'LCQ om ≈=R I U2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。
（1）求电路的Q 点、uA &、R i 和R o ； （2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：（1）静态分析：V7.5)( A μ 101mA1V 2e f c EQ CEQEQBQ e f BEQBQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β动态分析：Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥&（2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A &减小，ef 'LR R R A u+-≈&2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的β＝80，r b e =1k Ω。
（1）求出Q 点；（2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的uA &和R i ；（3）求出R o 。
解：（1）求解Q 点：V17.7mA61.2)1(Aμ3.32)1(e EQ CC CEQ BQ EQ eb BEQ CC BQ ≈-=≈+=≈++-=R I V U I I R R U V I ββ（2）求解输入电阻和电压放大倍数： R L ＝∞时996.0)1()1(k 110])1([ebe ee be b i ≈+++=Ω≈++=R r R A R r R R uβββ&∥R L ＝3k Ω时992.0))(1())(1( k 76)])(1([L e be L e L e be b i ≈+++=Ω≈++=R R r R R A R R r R R u∥∥∥∥βββ&（3）求解输出电阻： Ω≈++=371beb s e o βr R R R R ∥∥2.19 电路如图P2.19所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。
模电课后习题解答
解：由题意
vi＝6sinωt(V)波形如图2.1.7所示：
当 时，二极管D1导通，vo＝3.7V，
当 时，二极管D2导通，vo＝−3.7V，
当 时，二极管D1、D2截止，vo＝vi。
2.2.2已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
，
大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 。
（2）当VI＝10V时，若VO2＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
对于图b所示的电路，当 时，稳压管DZ反向击穿，vo＝VZ，当 时，稳压管DZ未击穿，vo＝vi。
2.2.4已知题图2.2.4所示电路中稳压管的稳定电压VZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算vi为10V、15V、35V三种情况下输出电压vO的值；
（2）若vi＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
解：（1）当vi＝10V时，若vO＝VZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
当vi＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以
vO＝VZ＝6V
同理，当vi＝35V时，vO＝VZ＝6V。
主观检测题
2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设 ）
解：由公式
由于 ，VT=0.026V
正向偏置VD=0.26V时
当反向偏置 时
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模电课后习题答案
模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3，103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
模电习题（含答案）
模电习题（含答案）1. _⾮常纯净的单晶体结构的半导体_ 称本征半导体。
2. 杂质半导体分_N _型半导体和_P _型半导体，前者中多数载流⼦是_⾃由电⼦_，少数载流⼦是_空⽳_，后者中多数载流⼦是_空⽳_，少数载流⼦是_⾃由电⼦_。
3. 本征硅中若掺⼊5价元素的元素，则多数载流⼦应是_⾃由电⼦_，掺杂越多，则其数量⼀定越_多_，相反，少数载流⼦应是_空⽳_，掺杂越多，则其数量⼀定越_少_。
4. P 区侧应带_负电_，N 曲⼀侧应带_正电_。
空间电荷区内的电场称为_内电场_，其⽅向从_N 区_指向_P 区_。
5. 在PN 结两侧外加直流电压，正端与P 区相连，负端与N 区相连，这种接法称之为PN 结的_正向_偏置。
6. 半导体三极管的输⼊特性曲线与⼆极管的正向特性相似，⽽输出特性曲线可以划分为三个⼯作区域，它们是_截⽌_区、_饱和_区和_放⼤_区。
7. 温度变化对半导体三极管的参数有影响，当温度升⾼时，半导体三极管的β值_增⼤_，ICBO 值_增⼤_，UBE 值_减⼩_。
8. 半导体三极管能够放⼤信号，除了内部结构和⼯艺特点满⾜要求外，还必须具备的外部⼯作条件是_发射结正偏、集电结反偏_。
9. ⼯作在放⼤区的某晶体管，当IB 从20微安增⼤到40微安时，Ic 从2毫安变为4毫安，它的β值约为_100_。
10. 半导体三极管的三个极限参数是_CM I _、_CEO RB U )(_、_CM P _。
11. NPN 型硅三极管处于放⼤状态时，在三个电极电位中，其电位⾼低关系为_E B C U U U >>_；基极和发射极电位之差约等于_0.7V _ 。
12. 半导体三极管从结构上分可以分为_PNP _型和_NPN _型两⼤类，他们⼯作时有_⾃由电⼦_、_空⽳_两种载流⼦参与导电。
13. 在⽤万⽤表测量⼆极管的过程中，如果测得⼆极管的正反向电阻都为0Ω，说明该⼆极管内部已_击穿_；如果所测得的正反向电阻都为⽆穷，说明该⼆极管已_断路损坏_。
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2.10 在图P2.9所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。
试问：当负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？解：由于I C Q ＝2mA ，所以U C E Q ＝V C C －I C Q R c ＝6V 。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。
故 V 82.32CESCEQ om ≈-=U U UΩ=k 3L R 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。
故V 12.22'LCQ om ≈=R I U2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的＝100，'bb r =100Ω。
（1）求电路的Q 点、uA &、R i 和R o ； （2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：（1）静态分析：V7.5)( A μ 101mA1V 2e f c EQ CEQEQBQ e f BEQBQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β动态分析：Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥&（2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A &减小，ef 'LR R R A u+-≈&2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的＝80，r b e =1k Ω。
（1）求出Q 点；（2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的uA &和R i ；（3）求出R o 。
解：（1）求解Q 点：V17.7mA61.2)1(Aμ3.32)1(e EQ CC CEQ BQ EQ eb BEQ CC BQ ≈-=≈+=≈++-=R I V U I I R R U V I ββ（2）求解输入电阻和电压放大倍数： R L ＝∞时996.0)1()1(k 110])1([ebe ee be b i ≈+++=Ω≈++=R r R A R r R R uβββ&∥R L ＝3k Ω时992.0))(1())(1( k 76)])(1([L e be L e L e be b i ≈+++=Ω≈++=R R r R R A R R r R R u∥∥∥∥βββ&（3）求解输出电阻： Ω≈++=371beb s e o βr R R R R ∥∥2.19 电路如图P2.19所示，晶体管的＝60，'bb r =100Ω。
（1）求解Q 点、uA &、R i 和R o ； （2）设s U ＝10mV （有效值），问i U ＝？o U ＝？若C 3开路，则i U ＝？o U ＝？解：（1）Q 点：V56.4)(mA86.1 Aμ 31)1(e c EQ CC CEQ BQ CQ eb BEQ CC BQ =+-≈≈=≈++-=R R I V U I I R R U V I ββuA &、R i 和R o 的分析：Ω==-≈-=Ω≈=Ω≈++=k 3 95)( 952 952mV26)1( c o beL c be b i EQbb'be R R r R R A r R R I r r u∥∥ββ&（2）设s U ＝10mV （有效值），则mV 304 mV2.3 io s i s ii ≈=≈⋅+=U A U U R R R U u & 若C 3开路，则mV 4.14mV6.95.1k 3.51])1([io is ii e L c e be b i ≈=≈⋅+=-=-≈Ω≈++=U A U U R R R U R R R A R r R R u s u&&∥∥β2.20 已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b ）(c)所示。
（1）利用图解法求解Q 点；（2）利用等效电路法求解uA &、R i 和R o 。
解：（1）在转移特性中作直线u G S ＝－i D R S ，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出I D Q ＝1mA ，U G S Q ＝－2V 。
如解图P2.21（a ）所示。
解图P2.21在输出特性中作直流负载线u D S ＝V D D －i D （R D ＋R S ），与U G S Q ＝－2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点，U D S Q ≈3V 。
如解图P2.21（b ）所示。
（2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。
mA/V 12DQ DSS GS(off)GSD m DS=-=∂∂=I I U u i g UΩ==Ω==-=-=k 5M 1 5D o i Dm R R R R R g A g u &2.21已知图P2.22（a ）所示电路中场效应管的转移特性如图（b ）所示。
求解电路的Q 点和uA &。
解：（1）求Q 点：根据电路图可知， U G S Q ＝V G G ＝3V 。
从转移特性查得，当U G S Q ＝3V 时的漏极电流 I D Q ＝1mA因此管压降 U D S Q ＝V D D －I D Q R D ＝5V 。
（2）求电压放大倍数：20VmA 22Dm DO DQ GS(th)m -=-===R g A I I U g u &3.2 设图P3.2所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出uA &、R i 和R o 的表达式。
解：（1）图示各电路的交流等效电路如解图P3.2所示。
（2）各电路uA &、R i 和R o 的表达式分别为 图（a ）{}22be23o be11i 32be232be1132be2211)1()1(])1([βββββ++=+=+++⋅+++-=R r R R r R R R r R r R R r R A u∥∥&图（b ）4o be2321be11i be242be2321be1be2321)])(1([)())(1())(1(R R r R R r R R r Rr R R r r R R A u=++=-⋅+++=∥∥∥∥∥∥∥ββββ&图（c ）{}3obe11i d2be232be11d 2be221])1([])1([R R r R R r r R r R r r R A u=+=++-⋅+++-=ββββ∥&图（d ）8o 213i 2be 82be2764m )()]([R R R R R R r R r R R R g A u =+=-⋅-=∥∥∥∥β&解图P3.23.6 图P3.6所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'bb r =100Ω，U B E Q ≈0.7。
试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I E Q ，以及动态参数A d 和R i 。
解：R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下：mA 517.02222e WBEQEE EQEE e EQ WEQ BEQ ≈-==+⋅+R R U V I V R I R I U ＋ A d 和R i 分析如下：Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5.20)1(2972)1( k 18.5mV26)1(W be i Wbe cd EQbb'be R r R R r R A I r r ββββ3.14电路如图3.14所示。
已知电压放大倍数为－100，输入电压u I 为正弦波，T 2和T 3管的饱和压降｜U C E S ｜=1V 。
试问：（1）在不失真的情况下，输入电压最大有效值U i m a x 为多少伏？ （2）若U i ＝10mv(有效值)，则U o ＝？若此时R 3开路，则U o =？若R 3短路，则U o =？解：（1）最大不失真输出电压有效值为 V 78.72CESCC om ≈-=U V U故在不失真的情况下，输入电压最大有效值U i m a x mV 8.77omimax ≈=uAU U & （2） 若U i ＝10mV ，则U o ＝1V （有效值）。
若R 3开路，则T 1和T 3组成复合管，等效β≈β1β3，T 3可能饱和，使得u O ≈－11V （直流）。
若R 3短路，则u O ≈11.3V （直流）。
三、电路如图T4.3所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的U B E 均为0.7V ，试求I C 2的值。
解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAβCC B1C0B2C0E1E2CC1C0I I I I I I I I I I I I R +=+=+====1001C =≈⋅+=R R I I I ββμA4.4 多路电流源电路如图P4.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，U B E 均为0.7V 。
试求I C 1、I C 2各为多少。
解：因为T 1、T 2、T 3的特性均相同，且U B E 均相同，所以它们的基极、集电极电流均相等，设集电极电流为I C 。
先求出R 中电流，再求解I C 1、I C 2。
1000BE BE4CC =--=RU U V I R μARR I I I I I I I I I ⋅+++=++=++=+=3)1( 31322C C C BC0B3C0βββββββ当β（1＋β）＞＞3时100C2C1=≈=R I I I μA4.13 在图P4.13所示电路中，已知T 1～T 3管的特性完全相同，β＞＞2；反相输入端的输入电流为i I 1，同相输入端的输入电流为i I 2。
试问： （1）i C 2≈? （2）i B 2≈?（3）A u i =△u O /(i I 1－i I 2)≈？解：（1）因为T 1和T 2为镜像关系，且β＞＞2，所以i C 2≈i C 1≈i I 2 。
（2）i B 3＝i I 1－i C 2≈i I 1－i I 2（3）输出电压的变化量和放大倍数分别为c3B3O I2I1O c B33c C3O )(R i u i i u A R i R i u ui ββ-=∆∆≈-∆∆=∆-=∆-=∆4.17 图4.17所示简化的高精度运放电路原理图，试分析： （1）两个输入端中哪个是同相输入端，哪个是反相输入端； （2）T 3与T 4的作用； （3）电流源I 3的作用；（4）D 2与D 3的作用。