常见内存型号
怎样识别内存条
怎样识别内存条我想为电脑填加一个内存,但我不知道到内存条的编号和型号,我看很多朋友对内存条编号识别的知识,点怎么都是现代产品厂商,那别的怎么识别?比如:RME860MG28C5T_400PC3200_33332Mχ64 DDR都是什么意思?怎么样识别编号和型号?请帮帮忙谢谢检举 1.怎样识别内存条内存条(RAM条)，它的全称为单列存储器模块(SIMM)，是一块装有3～36片动态随机存贮器(DRAM)的电路板。
早期PC机的主存储器采用的是双列直插封装(DIP)的DRAM芯片，因其安装位置较大，不便于扩展，故现在普遍采用SIMM，因为安装一条SIMM相当于安装原来的9片DIP型DRAM芯片。
识别内存条容量和速度可以采用以下办法，拿出一内存条，看其芯片的背面，找出2的幂数64、128、256、512或数字10、100、1000，其中2的幂数直接指出芯片容量为64K、128K、256K、512K，10的倍数表示1M，它们都代表了这条SIMM的容量。
要确定内存条速度，可以看芯片连字符后面的数字，增加1个或2个0即得到以纳秒(ns)为单位表示的速度，常见的有70ns、80ns、120ns三种，数字越小、速度越快。
而数字串中的第2位表示该芯片的位数。
请注意，因生产厂家的不同，有些芯片的标写方法也不一样，但总的规则基本一致。
例如：4164-1表示64K×1位芯片(9片一起构成64KB)，速度100ns；41256-7表示256K×1位芯片(9片一起构成256KB)，速度70ns；441000表示1M×4位芯片，用两片441000和1片411000(奇偶校验用)即可构成1MB内存条。
(辽宁刘赤兵)2.常见内存条介绍内存条是每台计算机不可或缺的重要部件，目前我们在市场上常见到和在计算机中经常用到的内存条大致有三种：30 线SIMM 内存条、72 线SIMM 内存条和168 线DIMM 内存条。
如何看内存条型号(容量)
金士顿1.KVR代表kingston value RAM2.外频速度单位：兆赫3.一般为X4.64为没有ECC；72代表有ECC5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是效劳器内存6.一般为C C3：CAS=3；C2.5：CAS=2.5；C2：CAS=27.分隔符号8.内存的容量我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256这条内存就是.金士顿ValueRAM外频400MHZ不带有ECC校验CAS=2.5256M内存HY〔现代HYNIX〕现代是韩国著名的内存消费厂，其产品在国内的占用量也很大.HY的编码规那么：HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、HY代表现代.2、一般是57，代表SDRAM.3、工艺：空白那么是5V, V是3V, U是2.5V.4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新.5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；7、I／O界面：一般为08、产品线：从A－D系列9、功率：空白那么为普通，L为低功耗.10、封装：一般为TC〔TSOP〕11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS〔CL2&3〕，10S：10NS，〔PC100，CL3〕，10：10NS，12：12NS，15：15NSLGS(LG Semicon)LGS的内存编码规那么：GM 72 X XX XX X X X X X XXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、GM代表LGS公司.2、72代表SDRAM.3、V代表3V电压.4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64：64M，16K刷新.65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新.5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK7、I／O界面：一般为18、产品系列：从A至F.9、功耗：空白那么是普通，L是低功10、封装形式：一般为T〔TSOP〕11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS〔CL2〕，7J〔10NS，CL2&3〕，10K〔10NS[一说15NS]，PC66〕，12〔12NS，83HZ〕，15〔15NS，66HZ〕SEC〔三星SAMSUNG〕做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考.SEC编码规那么：KM4 XX S XX 0 X X XT－XX1 2 3 4 5 6 7 89 10 111、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4.2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.3、一般均为S4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量.5、一般均为06、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK7、I／O界面：一般为08、版本号9、封装形式：一般为T：TSOP10、功耗：F低耗，G普通11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS〔CL2&3〕，L：10NS〔CL3〕，10：10NS.Micron〔美光〕以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规那么.含义：MT——Micron的厂商名称.48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V.16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M〔地址〕×8位数据宽度.A2——内存内核版本号.TG——封装方式，TG即TSOP封装.-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz.其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB〔兆字节〕.Winbond〔华邦〕含义说明：WXXXXXXXX123451、W代表内存颗粒是由Winbond消费2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZMosel〔台湾茂矽〕台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5nsNANY A〔南亚〕、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S〞表示是SDRAM 显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns.Kingmax(胜创)Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一.在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量进步三倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热途径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性.Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种.其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3〔有些能上CL=2〕的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本.KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6，PC-133内存最后两位编号为-07；而PC100内存芯片有两种情况：局部是-8的〔例如编号KSV884T4A0-08〕，局部是-7的〔例如编号KSV884T4A0-07〕.Geil(金邦、原樵风金条)金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝〞五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中：红色金条是PC133内存；金色金条针对PC133效劳器系统，合适双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存.金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32其中GL2000代表芯片类型GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族〔6=SDRAM〕；16M8是设备号码〔深度*宽度，内存芯片容量= 内存基粒容量* 基粒数目= 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB〕；4表示版本；TG是封装代码〔DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP 〔第二代〕，U=μBGA〕；-7是存取时间〔7=7ns〔143MHz〕〕；AMIR是内部标识号.MT〔MICRON美凯龙〕美凯龙是美国著名的计算机消费商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品出名全美国，被广泛的机器所采用.美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高.MT48 XX XX M XX AX TG－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、MT代表美凯龙MICRON2、48代表SDRAM.3、一般为LC：普通SDRAM4、此数与M后位数相乘即为容量.5、一般为M6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位7、AX代表write Recovery(twr)，A2那么代表twr=2clk8、TG代表TSOP封装形式.9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS〔其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322，222，222，所以D和E较好〕，10：10NS10、如有L那么为低功耗，空白那么为普通.HITACHI〔日立HITACHI〕日立是日本的著名的微电子消费厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！HM 52 XX XX 5 X X TT－XX1 2 3 4 5 6 7 8 91、HM代表日立.2、52代表SDRAM，51那么为EDO3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为56、产品系列：A－F7、功耗：L为低耗，空白那么为普通8、TT为TSOP封装形式9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS〔CL2&3〕，B60：10NS〔CL3〕SIEMENS〔西门子〕西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一〔另一是PHILIPS〕.西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错. HYB39S XX XX 0 X T X －X1 2 3 4 5 6 7 8 91、HYB代表西门子2、39S代表SDRAM3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为06、产品系列7、一般为T8、L为低耗，空白为普通9、速度：6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS〔CL2〕，8B：10NS〔CL3〕，10：10NS FUJITSU〔富士通FUJITSU〕富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供给OEM商，市场上仅有少量零售产品.MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN1 2 3 4 5 6 7 8 91、MB81代表富士通的SDRAM2、PC100标准的多为F，普通的内存为13、容量4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK6、产品系列7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS〔CL2&3〕，103：10NS〔CL3〕，100：10NS，84：12NS，67：15NSTOSHIBA〔东芝〕东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等.TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多.TC59S XX XX X FT X－XX1 2 3 4 5 6 7 81、TC代表东芝2、59S代表普通SDRAM3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位5、产品系列：A－B6、FT为TSOP封装形式7、空白为普通，L为低功耗8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS〔CL3〕MITSUBISHI〔三菱〕三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化开展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供给商.普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见. M2 V XX S X 0 X TP－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、M2代表三菱产品2、I／O界面.一般为V3、容量4、一般为S，说明是SDRAM5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位6、一般为07、产品系列8、TP代表TSOP封装9、速度：8A：8NS，7：10NS〔CL2&3〕，8：10NS〔CL3〕，10：10NS.10、空白为普通，L为低耗.。
选购内存条的基本本流程
选购内存条的基本本流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor. I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!以下是选购内存条的基本流程：1. 确定需求了解你的计算机或设备的型号和规格，以确定支持的内存类型和最大容量。
G.SKILL DDR3内存型号参考清单说明书
G.SKILL F3-3000C12Q-16GTXDG16GB (4 x 4GB )SS--- 1.65V●●●G.SKILL F3-2933C12D-8GTXDG8GB (2 x 4GB )SS--12-14-14-35 1.65V●●G.SKILL F3-2933C12Q-16GTXDG16GB (4 x 4GB )SS--12-14-14-35 1.65V●●●G.SKILL F3-2800C11Q-16GTXD(XMP)16GB(4GBx4)DS--11-13-13-35 1.65V●●CORSAIR CMD16GX3M4A2666C11 (XMP)4GB DS--11-13-13-35 1.65V●●●G.SKILL F3-2666C11Q-16GTXD(XMP)16GB(4GBx4)DS--11-13-13-35 1.65V●●●Team TXD34G2666HC11CBK8GB ( 2x 4GB )SS--11-13-13-35 1.65V●●●Team TXD38G2666HC11CBK16GB ( 2x 8GB )DS--11-13-13-35 1.65V●●G.SKILL F3-2600CL10Q-16GBZMD(XMP)16GB(4x 4GB)DS--10-12-12-31 1.65V●●G.SKILL F3-2600CL11Q-32GBZHD(XMP)32GB(8GBX4)DS--11-13-13-35 1.65V●●ADATA AX3U2600GW8G1116GB ( 2x 8GB )DS--11-13-13-35 1.65V●●CORSAIR CMGTX8(XMP)8GB (2GBx 4)SS--10-12-10-27 1.65V●●G.SKILL F3-2400C10D-8GTX(XMP)8GB(2x 4GB)SS--10-12-12-31 1.65V●●●G.SKILL F3-19200CL11Q-16GBZHD(XMP1.3)16GB ( 4GB x4 )DS--11-11-11-31 1.65V●●G.SKILL F3-19200CL 10Q-32GBZHD(XMP)8GB DS--10-12-12-31 1.65V●●●KINGMAX FLLE88F-C8KKAA HAIS(XMP)2GB SS--10-11-10-30 1.8V●●●KINGSTON KHX24C11T2K2/8X(XMP)4GB DS--- 1.65V●●●ADATA AX3U2400GW8G1116GB ( 2x 8GB )DS--11-13-13-35 1.65V●●ADATA AX3U2400G4G10-DG2(XMP)4GB DS--10-12-12-31 1.65V●●Team TXD38G2400HC10QBK8GB DS--10-12-12-31 1.65V●●●KINGSTON KHX2250C9D3T1K2/4GX(XMP)4GB ( 2x 2GB )DS--- 1.65V●●●GEIL GET34GB2200C9DC(XMP)2GB DS--9-10-9-28 1.65V●●GEIL GET38GB2200C9ADC(XMP)4GB DS--9-11-9-28 1.65V●●KINGMAX FLKE85F-B8KJAA-FEIS(XMP)2GB DS--- 1.5V●●CORSAIR CMT16GX3M4X2133C9(XMP 1.3)16GB ( 4GB x4 )DS--9-11-10-27 1.50V●●●CORSAIR CMT4GX3M2A2133C9(XMP)4GB(2x 2GB)DS--9-10-9-24 1.65V●●●CORSAIR CMT4GX3M2B2133C9(XMP)4GB(2x 2GB)DS--9-10-9-27 1.50V●CORSAIR CMT8GX3M2B2133C9(XMP)8GB ( 4GB x 2)DS--9-11-9-27 1.50V●●●G.SKILL F3-17000CL9Q-16GBZH(XMP1.3)16GB ( 4GB x4 )DS--9-11-10-28 1.65V●●●G.SKILL F3-17000CL11Q2-64GBZLD(XMP)8GB DS--11-11-11-31 1.5V●●●G.SKILL F3-2133C11Q-32GZL(XMP)8GB DS--11-11-11-31 1.5V●●●GEIL GE34GB2133C9DC(XMP)2GB DS--9-9-9-28 1.65V●●GEIL GU34GB2133C9DC(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-28 1.65V●●KINGSTON KHX2133C11D3K4/16GX(XMP)16GB ( 4GB x4 )DS--- 1.65V●●●KINGSTON KHX2133C11D3T1K2/16GX(XMP)16GB(8GB x 2)DS--- 1.6V●●●KINGSTON KHX21C11T1BK2/16X(XMP)16GB(8GBx2)DS--- 1.6V●●●KINGSTON KHX2133C9AD3T1K2/4GX(XMP)4GB ( 2x 2GB )DS--- 1.65V●●●KINGSTON KHX2133C9AD3X2K2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-11-9-27 1.65V●●●KINGSTON KHX2133C9AD3T1K4/8GX(XMP)8GB(4 x 2GB)DS--9-11-9-27 1.65V●KINGSTON KHX21C11T1BK2/8X(XMP)8GB(4GBx2)DS--- 1.6V●●●KINGSTON KHX2133C9AD3T1FK4/8GX(XMP)8GB(4x 2GB)DS--- 1.65V●●KINGSTON KHX21C11T3K4/32X8GB DS--- 1.65V●●●ADATA AX3U2133XW8G1016GB ( 2x 8GB )DS--10-11-11-30 1.65V●●●ADATA AX3U2133XC4G10-2X(XMP)4GB DS--10-11-11-30 1.65V●●●ADATA AX3U2133XW8G10-2X(XMP)8GB DS--10-11-11-30 1.65V●●●Team TXD34096M2133HC11-L4GB SS--- 1.5V●●●Team TLD38G2133HC11ABK8GB DS--11-11-11-31 1.65V●●●Apacer78.AAGD5.9KD(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--9-9-9-27 1.65V●●●CORSAIR CMZ4GX3M2A2000C10(XMP)4GB(2 x 2GB)SS--10-10-10-27 1.50V●●●CORSAIR CMT6GX3M3A2000C8(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--8-9-8-24 1.65V●●●G.SKILL F3-16000CL9D-4GBFLS(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●G.SKILL F3-16000CL9D-4GBTD(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-27 1.65V●●G.SKILL F3-16000CL6T-6GBPIS(XMP)6GB (3x 2GB )DS--6-9-6-24 1.65V●●●GEIL GUP34GB2000C9DC(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-28 1.65V●●KINGSTON KHX2000C9AD3T1K2/4GX(XMP)4GB ( 2x 2GB )DS--- 1.65V●●KINGSTON KHX2000C9AD3W1K2/4GX(XMP)4GB ( 2x 2GB )DS--- 1.65V●●KINGSTON KHX2000C9AD3W1K3/6GX(XMP)6GB ( 3x 2GB )DS--- 1.65V●●KINGSTON KHX2000C9AD3T1K3/6GX(XMP)6GB (3x 2GB )DS--- 1.65V●●CORSAIR CMT4GX3M2A1866C9(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●●CORSAIR CMT6GX3MA1866C9(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●CORSAIR CMZ8GX3M2A1866C9(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--9-10-9-27 1.50V●●●CRUCIAL BLE4G3D1869DE1TXO.16FMD(XMP)4GB DS--9-9-9-27 1.5V●●●CRUCIAL BLT4G3D1869DT1TX0.13FKD(XMP)4GB DS--9-9-9-27 1.5V●●●CRUCIAL BLT4G3D1869DT2TXOB.16FMR(XMP)4GB DS--9-9-9-27 1.5V●●G.SKILL F3-14900CL9Q-16GBZL(XMP1.3)16GB ( 4GB x4 )DS--9-10-9-28 1.5V●●●G.SKILL F3-14900CL10Q2-64GBZLD(XMP1.3)64GB ( 8GBx 8 )DS--10-11-10-30 1.5V●●●G.SKILL F3-14900CL9D-8GBXL(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--9-10-9-28 1.5V●●G.SKILL F3-14900CL9Q-8GBXL(XMP)8GB(2GBx4)DS--9-9-9-24 1.6V●●●KINGSTON KHX1866C9D3K4/16GX(XMP)16GB ( 4GB x4 )DS--- 1.65V●●●KINGSTON KHX1866C11D3P1K2/8G8GB ( 4GB x 2)DS--- 1.5V●●●KINGSTON KHX1866C9D3K2/8GX(XMP)8GB(4GBX2)DS--- 1.65V●●●KINGSTON KHX18C10T3K4/32X8GB DS--- 1.5V●●●ADATA AX3U1866XW8G1016GB ( 2x 8GB )DS--10-11-10-30 1.5V●●●Team TLD38G1866HC10SBK8GB DS--10-11-10-30 1.5V●●●APACER4GB UNB PC3-12800 CL114GB SS APACER AM5D6008BQQSCK--●●●Apacer78.B1GE3.9L10C4GB DS Apacer KZZC AM5D5908DEQSCK--●●●APACER8GB UNB PC3-12800 CL118GB DS APACER AM5D6008BQQSCK--●●●CORSAIR CMD12GX3M6A1600C8(XMP)12GB(6x2GB)DS--8-8-8-24 1.65V●●●CORSAIR CMZ32GX3M4X1600C10(XMP)32GB(8GBx4)DS--10-10-10-27 1.50V●●●CORSAIR CMP4GX3M2A1600C8(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--8-8-8-24 1.65V●●●CORSAIR CMP4GX3M2A1600C9(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●●CORSAIR CMP4GX3M2C1600C7(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--7-8-7-20 1.65V●●●CORSAIR CMX4GX3M2A1600C9(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●●CORSAIR TR3X6G1600C8 G(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--8-8-8-24 1.65V●●●CORSAIR TR3X6G1600C8D G(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--8-8-8-24 1.65V●●●CORSAIR TR3X6G1600C9 G(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●●CORSAIR CMP8GX3M2A1600C9(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●●CORSAIR CMZ8GX3M2A1600C7R(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--7-8-7-20 1.50V●●CORSAIR CMX8GX3M4A1600C9(XMP)8GB(4 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●●CORSAIR CMZ8GX3M1A1600C10(XMP)8GB DS--10-10-10-27 1.50V●●●Crucial BL25664BN1608.16FF(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--- 1.65V●●●G.SKILL F3-12800CL7D-4GBRH(XMP)4GB(2 x 2GB)SS--7-7-7-24 1.6V●●●G.SKILL F3-12800CL7D-4GBRM(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--7-8-7-24 1.6V●●●G.SKILL F3-12800CL8D-4GBRM(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--8-8-8-24 1.60V●●G.SKILL F3-12800CL9D-4GBECO(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24XMP 1.35V●●G.SKILL F3-12800CL9D-4GBRL(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.5V●●●G.SKILL F3-12800CL7D-8GBRH(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--7-8-7-24 1.6V●●●G.SKILL F3-12800CL8D-8GBECO(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--8-8-8-24XMP 1.35V●●●G.SKILL F3-12800CL9D-8GBRL(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--9-9-9-24 1.5V●●●G.SKILL F3-12800CL10S-8GBXL(XMP)8GB DS--10-10-10-30-●●●GEIL GET316GB1600C9QC(XMP)16GB ( 4x 4GB )DS--9-9-9-28 1.6V●●●HYNIX HMT351U6CFR8C-PB4GB DS HYNIX H5TQ2G83CFR PBC--●●●KINGMAX FLGE85F-B8KJ9A FEIS(XMP)2GB DS--- 1.5V●●●KINGMAX FLGE85F-B8MF7 MEEH(XMP)2GB DS--7 1.8V/1.9V●KINGSTON KHX1600C9D3P1K2/4G4GB(2 x 2GB)SS--- 1.5V●●●KINGSTON KHX1600C9D3K3/12GX(XMP)12GB(3x4GB)DS--9-9-9-27 1.65V●●●KINGSTON KHX1600C9D3T1BK3/12GX(XMP)12GB(3x4GB)DS--9-9-9-27 1.65V●●KINGSTON KHX1600C9D3K4/16GX(XMP)16GB ( 4GB x4 )DS--- 1.65V●●●KINGSTON KHX16C9K2/1616GB(8GBx2)DS--- 1.5V●●KINGSTON KHX1600C9AD3/2G2GB DS--- 1.65V●●●KINGSTON KVR1600D3N11/2G-ES2GB DS KTC D1288JPNDPLD9U11-11-11-28 1.35V-1.5V●●●KINGSTON KHX1600C7D3K2/4GX(XMP)4GB ( 2x 2GB )DS--- 1.65V●●●KINGSTON KHX1600C8D3K2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--8 1.65V●●●KINGSTON KHX1600C8D3T1K2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--8 1.65V●●●KINGSTON KHX1600C9D3K2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9 1.65V●●●KINGSTON KHX1600C9D3LK2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9XMP 1.35V●●●KINGSTON KHX1600C9D3X2K2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-27 1.65V●●●KINGSTON KVR16N11/4(矮版）4GB DS KINGSTON D2568GEROPGGBU- 1.5V●●●KINGSTON KHX1600C9D3T1K3/6GX(XMP)6GB ( 3x 2GB )DS--- 1.65V●●KINGSTON KHX1600C9D3K3/6GX(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--9 1.65V●●KINGSTON KHX1600C9D3T1BK3/6GX(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--9-9-9-27 1.65V●●●KINGSTON KHX1600C9D3K2/8GX(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--- 1.65V●●KINGSTON KHX1600C9D3P1K2/8G8GB(2 x 4GB)DS--- 1.5V●●●KINGSTON KHX16C10B1K2/16X(XMP)8GB DS--- 1.5V●●●KINGSTON KHX16C9P1K2/16(XMP)8GB DS--- 1.5V●●●PSC AL9F8L93B-GN2E4GB SS PSC XHP284C3G-M--●●●PSC ALAF8L93B-GN2E8GB DS PSC XHR425C3G-M--●●●Transcend8G DDR3 1600 DIMM CL118GB DS SEC 222 HYKO6MD9639W--●●●Transcend8G DDR3 1600 DIMM CL118GB DS Transcend E223X8BO648S--●●●ADATA AD3U1600C2G11-B2GB SS-N/A--●●●ADATA AD3U1600W4G11-B4GB SS ADATA F209X8BR6413--●●●ADATA AX3U1600GW8G916GB ( 2x 8GB )DS--9-9-9-24 1.5V●●●ADATA AX3U1600W8G1116GB ( 2x 8GB )DS--11-11-11-28 1.5V●●●ADATA AXDU1600GW8G9B16GB ( 2x 8GB )DS--11-11-11-28 1.5V●●●ADATA AD3U1600C4G11-B4GB DS-N/A--●●●ADATA AD3U1600W8G11-B8GB DS ADATA F211X8B0640A--●●SanMax SMD-4G68HP-16KZ4GB DS HYNIX H5TQ2G83BFR PBC--●●●TEAM TED34G1600HC11BK4GB DS--11-11-11-28-●●●TEAM TLD34G1600HC9BK(XMP)4GB DS--9-9-24 1.5V●●●Team TED38G1600HC11BK8GB DS--11-11-11-28-●●●A-DATA AD3U1333C2G92GB SS A-DATA3CCD-1509HNA1126L--●●●A-DATA AX3U1333C2G9-BP2GB SS----●●●A-DATA AD31333G002GMU2GB DS--8-8-8-24 1.65-1.85V●●Apacer78.A1GC6.9L12GB DS Apacer AM5D5808DEWSBG--●●●Apacer78.A1GC6.9L12GB DS Apacer AM5D5808FEQSBG9-●●●Apacer AU02GFA33C9NBGC2GB DS Apacer AM5D5808APQSBG--●●●Apacer78.B1GDE.9L10C4GB DS Apacer AM5D5908CEHSBG--●●●CORSAIR TR3X6G1333C9 G6GB(3x 2GB)SS--9-9-9-24 1.50V●●●CORSAIR CMD24GX3M6A1333C9(XMP)24GB(6x4GB)DS--9-9-9-24 1.60V●●CORSAIR TW3X4G1333C9D G4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.50V●●●CORSAIR CM3X4GA1333C9N24GB DS CORSAIR256MBDCJGELC04011369-9-9-24-●●●CORSAIR CMX4GX3M1A1333C94GB DS--9-9-9-24 1.50V●●●CORSAIR CMD8GX3M4A1333C78GB(4 x 2GB)DS--7-7-7-20 1.60V●●●Crucial CT25664BA1339.16FF2GB DS Micron9KF27D9KPT9-●●●Crucial BL25664BN1337.16FF (XMP)6GB(3 x 2GB)DS--7-7-7-24 1.65V●●●ELPIDA EBJ21UE8EDF0-DJ-F2GB DS ELPIDA J1108EDSE-DJ-F- 1.35V(low voltage)●●●G.SKILL F3-10666CL8D-4GBECO(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--8-8-8-8-24XMP 1.35V●●●G.SKILL F3-10666CL7T-6GBPK(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--7-7-7-18 1.5~1.6V●G.SKILL F3-10666CL7D-8GBRH(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--7-7-7-21 1.5V●●●GEIL GG34GB1333C9DC4GB(2 x 2GB)DS GEIL GL1L128M88BA12N9-9-9-24 1.3V(low voltage)●●●GEIL GV34GB1333C9DC4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.5V●●●GEIL GVP34GB1333C7DC4GB(2 x 2GB)DS--7-7-7-24 1.5V●●●Hynix HMT325U6BFR8C-H92GB SS Hynix H5TQ2G83BFRH9C--●●●Hynix HMT125U6TFR8A-H92GB DS Hynix H5TC1G83TFRH9A- 1.35V(low voltage)●●●Hynix HMT351U6BFR8C-H94GB DS Hynix H5TQ2G83BFRH9C--●●●KINGMAX FLFE85F-C8KF9 CAES2GB SS KINGMAX KFC8FMFXF-DXX-15A--●●●KINGMAX FLFE85F-C8KL9 NAES2GB SS KINGMAX KFC8FNLXF-DXX-15A--●●●KINGMAX FLFE85F-C8KM9 NAES2GB SS KINGMAX KFC8FNMXF-BXX-15A--●●KINGMAX FLFE85F-B8KL9 NEES2GB DS KINGMAX KKB8FNWBFGNX-26A--●●●KINGMAX FLFF65F-C8KL9 NEES4GB DS KINGMAX KFC8FNLXF-DXX-15A--●●●KINGMAX FLFF65F-C8KM9 NEES4GB DS KINGMAX KFC8FNMXF-BXX-15A--●●●KINGSTON KVR1333D3N9/2G(矮版)2GB SS Hynix H5TQ2G83AFRH9C9-●●●KINGSTON KVR1333D3S8N9/2G2GB SS Micron IID77 D9LGK- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3S8N9/2G-SP(矮版)2GB SS ELPIDA J2108BCSE-DJ-F- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/2G(矮版)2GB DS ELPIDA J1108BFBG-DJ-F9 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/2G-SP(矮版)2GB DS KTC D1288JEMFNGD9U- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/2G-SP(矮版)2GB DS KINGSTON D1288JPSFPGD9U- 1.5V●●●KINGSTON KHX1333C7D3K2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--7 1.65V●●●KINGSTON KHX1333C9D3UK2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9XMP 1.25V●●KINGSTON KVR1333D3N9/4G(矮版)4GB DS ELPIDA J2108BCSE-DJ-F- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/4G4GB DS KTC D2568JENCNGD9U- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/4G4GB DS Hynix H5TQ2G83AFR--●●●KINGSTON KVR1333D3N9/4G-SP(矮版)4GB DS KINGSTON D2568JENCPGD9U- 1.5V●●●Micron MT8JTF25664AZ-1G4D12GB SS Micron OJD12D9LGK--●●●Micron MT8JTF25664AZ-1G4M12GB SS MICRON IJM22 D9PFJ--●●●Micron MT16JTF51264AZ-1G4D14GB DS Micron OLD22D9LGK--●●●NANYA NT4GC64B8HG0NF-CG4GB DS NANYA NT5CB256M8GN-CG--●●●PSC AL8F8G73F-DJ22GB DS PSC A3P1GF3FGF--●●●SAMSUNG M378B5773DH0-CH92GB SS SAMSUNG K4B2G0846D--●●●SAMSUNG M378B5673FH0-CH92GB DS SAMSUNG K4B1G0846F--●●●SAMSUNG M378B5273CH0-CH94GB DS SAMSUNG K4B2G0846C--●●●SAMSUNG M378B1G73AH0-CH98GB DS SAMSUNG K4B4G0846A-HCH9--●●Super Talent W1333UB2GS2GB DS SAMSUNG K4B1G0846F9-●●●Super Talent W1333UB4GS4GB DS SAMSUNG K4B2G0846C--●●●Super Talent W1333UX6GM6GB(3x 2GB)DS Micron0BF27D9KPT9-9-9-24 1.5V●●●Transcend JM1333KLN-2G2GB SS HYNIX H5TQ2G83BZRH9C--●●●Transcend8G DDR3 1333 DIMM CL98GB DS Transcend E207X8BO643Y--●●Transcend8G DDR3 1333 DIMM CL98GB DS-N/A--●●●KINGSTEK KSTD3PC-106002GB SS MICRON PE911-125E--●●●TEAM TED34G1333HC9BK4GB DS--9-9-9-24-●●TEAM TED38G1333HC9BK8GB DS--9-9-9-24-●●●Crucial CT25664BA1067.16FF2GB DS Micron9HF22D9KPT7-●●●ELPIDA EBJ21UE8EDF0-AE-F2GB DS ELPIDA J1108EDSE-DJ-F- 1.35V(low voltage)●●●KINGSTON KVR1066D3N7/2G2GB DS ELPIDA J1108BFSE-DJ-F- 1.5V●●●KINGSTON KVR1066D3N7/4G4GB DS Hynix H5TQ2G83AFR7 1.5V●●●4 DIMM Slots• 1 DIMM: Supports one module inserted in any slot as Single-channel memory configuration• 2 DIMM: Supports one pair of modules inserted into eithor the yellow slots or the dark brown slots as one pair of Dual-channel memory configuration• 4 DIMM: Supports 4 modules inserted into both the yellow and dark brown slots as two pairs of Dual-channel memory configuration-When installing total memory of 4GB capacity or more, Windows 32-bit operation system may only recognize less than 3GB. Hence, a total installed memory of less than 3GB is recommended.-It is recommended to install the memory modules from the yellow slots for better overclocking capability.-The default DIMM frequency depends on its Serial Presence Detect (SPD), which is the standard way of accessing information from a memory module.Under the default state, some memory modules for overclocking may operate at a lower frequency than the vendor-marked value.。
电脑内存条型号选择有哪些技巧
电脑内存条型号选择有哪些技巧在如今的数字化时代，电脑已经成为我们生活和工作中不可或缺的工具。
而电脑的性能很大程度上取决于其硬件配置，其中内存条就是一个关键的部件。
选择合适的内存条型号对于提升电脑的运行速度和稳定性至关重要。
那么，在面对众多的内存条型号时，我们应该如何做出明智的选择呢？下面就为大家介绍一些实用的技巧。
首先，我们需要了解内存条的类型。
目前常见的内存条类型有DDR4、DDR3 和 DDR2 等。
DDR4 是最新的一代，具有更高的频率和更低的功耗，性能相对更为出色。
如果您的电脑主板支持DDR4 内存，那么优先选择 DDR4 是个不错的选择。
但如果您的电脑较旧，主板只支持 DDR3 或 DDR2 ，那么就只能选择相应的型号。
其次，关注内存条的频率。
频率越高，内存的数据传输速度就越快。
例如，常见的 DDR4 内存频率有 2133MHz、2400MHz、2666MHz、3000MHz 甚至更高。
但需要注意的是，内存频率并不是越高越好，还需要考虑您的电脑主板和 CPU 是否支持。
如果主板和 CPU 不支持过高的频率，那么购买高频率的内存条也无法发挥其全部性能。
容量也是选择内存条时需要重点考虑的因素。
对于一般的日常办公和娱乐使用，8GB 的内存通常已经足够。
但如果您经常进行大型游戏、图形设计、视频编辑等高强度的任务，那么 16GB 甚至 32GB 的内存可能会更合适。
在选择内存容量时，要根据自己的实际需求和预算来决定。
除了上述几个关键因素外，还有一些细节也需要留意。
比如，内存条的时序。
时序参数越低，内存的性能通常会越好，但这通常也意味着价格会更高。
对于大多数普通用户来说，不必过于追求低时序，只要在合理范围内即可。
另外，品牌也是一个重要的参考因素。
一些知名品牌通常在质量和售后方面更有保障，例如金士顿、三星、海盗船等。
但这并不意味着其他品牌就不好，只是在选择时可以多做一些品牌的比较和了解。
在购买内存条之前，一定要确认自己电脑主板支持的内存类型、频率和最大容量。
内存芯片型号
内存芯片型号内存芯片是一种常见的集成电路芯片，用于存储和处理计算机数据。
在计算机系统中，内存芯片承担着临时存储和快速数据访问的功能，是计算机运行和数据传输的重要组成部分。
下面是一些常见的内存芯片型号的详细介绍：1. DDR3：DDR3是一种双数据速率3的SDRAM（同步动态随机存取存储器），在2007年首次推出。
DDR3内存芯片具有高带宽和低功耗的优点，广泛应用于个人电脑、工作站和服务器等计算设备。
2. DDR4：DDR4是DDR3的后继产品，在2014年发布。
DDR4内存芯片相比于DDR3芯片在带宽和能效方面有所提升，能够提供更快的数据传输速度和更低的功耗，适用于高性能计算和数据中心等领域。
3. LPDDR4：LPDDR4（低功耗高速动态随机存取存储器4）是一种专门用于移动设备的内存芯片。
相比于DDR4，LPDDR4芯片功耗更低，且具有更高的数据传输速度和更高的带宽，适合于手机、平板电脑和笔记本电脑等便携设备。
4. XDR：XDR（eXtreme Data Rate）内存芯片是由Rambus公司开发的一种高端内存技术。
XDR芯片在带宽和时钟速度上相比于其他内存技术有很大提升，适用于高性能计算和高要求多媒体应用等领域。
5. HBM：HBM（高带宽内存）是一种先进的堆叠式内存技术，提供了优异的带宽和能效。
HBM芯片具有多个独立的内存层次，可以实现大容量的数据存储和高速数据传输，广泛应用于显卡、服务器和人工智能等领域。
6. SLC NAND：SLC NAND（单层单元闪存）是一种高性能、高可靠性的闪存存储技术。
SLC NAND芯片以单层存储单元来存储数据，速度快、寿命长，适用于需要高速读写和长时间数据保持的应用，如车载导航、工业控制等。
总结起来，以上是一些常见的内存芯片型号。
每种型号的内存芯片都有其特定的优点和应用领域，根据不同的需求和预算，选择适合的内存芯片可以提升计算机系统的性能和稳定性。
如何看内存条型号(容量)
金士顿1.KVR代表kingston value RAM2.外频速度单位：兆赫3.一般为X4. 64为没有ECC；72代表有ECC5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存6. 一般为C C3：CAS=3；C2.5：CAS=2.5；C2：CAS=27.分隔符号8.内存的容量我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256这条内存就是.金士顿ValueRAM外频400MHZ不带有ECC校验CAS=2.5256M内存HY（现代HYNIX）现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大.HY的编码规则：HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、HY代表现代.2、一般是57，代表SDRAM.3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V.4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新.5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；7、I／O界面：一般为08、产品线：从A－D系列9、功率：空白则为普通，L为低功耗.10、封装：一般为TC（TSOP）11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12：12NS，15：15NSLGS(LG Semicon)LGS的内存编码规则：GM 72 X XX XX X X X X X XXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、GM代表LGS公司.2、72代表SDRAM.3、V代表3V电压.4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64：64M，16K刷新.65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新.5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK7、I／O界面：一般为18、产品系列：从A至F.9、功耗：空白则是普通，L是低功10、封装模式：一般为T（TSOP）11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66），12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）SEC（三星SAMSUNG）做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考.SEC编码规则：KM4 XX S XX 0 X X XT－XX1 2 3 4 5 6 7 89 10 111、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4.2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.3、一般均为S4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量.5、一般均为06、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK7、I／O界面：一般为08、版本号9、封装模式：一般为T：TSOP10、功耗：F低耗，G普通11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS.Micron（美光）以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则.含义：MT——Micron的厂商名称.48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V.16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度.A2——内存内核版本号.TG——封装方式，TG即TSOP封装.-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz.实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造.该内存支持ECC功能.所以每个Bank是奇数片内存颗粒.其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）.Winbond（华邦）含义说明：WXXXXXXXX123451、W代表内存颗粒是由Winbond生产2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZMosel（台湾茂矽）台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5nsNANY A（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM 显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns.Kingmax(胜创)Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一.在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性.Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种.其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本.KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6，PC-133内存最后两位编号为-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）.Geil(金邦、原樵风金条)金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝”五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中：红色金条是PC133内存；金色金条针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存.金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32其中GL2000代表芯片类型GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量= 内存基粒容量* 基粒数目= 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP （第二代），U=μBGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号.以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP II封装，0.2微米3.3V，Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度.MT（MICRON美凯龙）美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用.美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高.MT48 XX XX M XX AX TG－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、MT代表美凯龙MICRON2、48代表SDRAM.3、一般为LC：普通SDRAM4、此数与M后位数相乘即为容量.5、一般为M6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk8、TG代表TSOP封装模式.9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322，222，222，所以D和E较好），10：10NS10、如有L则为低功耗，空白则为普通.HITACHI（日立HITACHI）日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！HM 52 XX XX 5 X X TT－XX1 2 3 4 5 6 7 8 91、HM代表日立.2、52代表SDRAM，51则为EDO3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为56、产品系列：A－F7、功耗：L为低耗，空白则为普通8、TT为TSOP封装模式9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）SIEMENS（西门子）西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）.西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错. HYB39S XX XX 0 X T X －X1 2 3 4 5 6 7 8 91、HYB代表西门子2、39S代表SDRAM3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为06、产品系列7、一般为T8、L为低耗，空白为普通9、速度：6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS FUJITSU（富士通FUJITSU）富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品.MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN1 2 3 4 5 6 7 8 91、MB81代表富士通的SDRAM2、PC100标准的多为F，普通的内存为13、容量4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK6、产品系列7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84：12NS，67：15NSTOSHIBA（东芝）东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等.TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多.TC59S XX XX X FT X－XX1 2 3 4 5 6 7 81、TC代表东芝2、59S代表普通SDRAM3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位5、产品系列：A－B6、FT为TSOP封装模式7、空白为普通，L为低功耗8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）MITSUBISHI（三菱）三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商.普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见. M2 V XX S X 0 X TP－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、M2代表三菱产品2、I／O界面.一般为V3、容量4、一般为S，说明是SDRAM5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位6、一般为07、产品系列8、TP代表TSOP封装9、速度：8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS.10、空白为普通，L为低耗.。
内存常用颗粒识别
内存颗粒编号识别内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。
现在我们就详细列出内存编号的各项含义。
（1）HYUNDAI（现代）现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。
其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：其中HY代表现代的产品：5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；<9> 代表接口（0=LVTTL［Low V oltage TTL］接口）；<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
常见内存型号
DDR=Double Data Rate双倍速率同步固态随机处理器
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
什么是DDR1?
有时候大家将老的存储技术DDR 称为DDR1 ，使之与DDR2 加以区分。
尽管一般是使用“DDR” ，但DDR1 与DDR 的含义相同。
什么是DDR2?
DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。
换句话说，DDR2 内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。
回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
什么是DDR3?
DDR3是针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为16M X 32bit，搭配中高端显卡常用的
128MB显存便需8颗。
而DDR3显存颗粒规格多为32M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。
如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。
由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。
目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。