内存规格参数
DDR 内存参数
一、CAS、RCD、RP是内存芯片的重要参数，它们表示内存工作的延迟时间，当延迟时间越短，其内存的工作效率就越高，其性能也就越好。
CAS：CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期（又可简称为CL）RCD：RAS-to-CAS Delay，行寻址至列寻址延迟时间RP：RAS Precharge Time，“行预充电时间”二、DDR400是JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council：联合电子设备工程协会）承认最高的DDR内存标准，而针对它以其工作时序参数划分了三个等级：DDR400A级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：2.5-3-3DDR400B级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-3-3DDR400C级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-4-4三、SPD（Serial Presence Detect）其实是一片EEPROM电可擦写可编程只读存储器，它一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压、行/列地址带宽等十分重要的参数信息。
当计算机开机工作时的BIOS就会自动读取内存SPD中的记录信息，以获让内存运行在规定的工作频率上内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。
内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。
因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。
在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。
CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。
不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。
内存芯片参数介绍
内存芯片参数介绍具体含义解释：例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A代表256MBit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C 为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
了解电脑内存条的不同规格
了解电脑内存条的不同规格电脑内存条，作为电脑硬件中的重要组成部分，扮演着存储和传输数据的关键角色。
然而，对于大部分普通用户而言，电脑内存条的规格和参数却往往是一头雾水，不知所云。
本文将带您了解电脑内存条的不同规格，为您的电脑升级选择提供更多的参考。
首先，让我们从最基本的概念开始。
电脑内存条的规格通常由两个重要参数所决定：容量和速度。
容量指的是内存条能够存储的数据量，而速度则决定了数据读写的快慢程度。
对于一般用户而言，一颗8GB容量的内存条已经足够满足日常使用需求。
但对于专业用户或者游戏爱好者来说，拥有16GB、32GB甚至64GB的内存条可能才能真正释放出电脑的潜力。
除了容量之外，内存条的速度也是不容忽视的。
常见的内存条速度参数包括频率和时序。
频率表示内存条每秒能够进行的数据传输次数，用赫兹（Hz）来衡量。
时序则指的是内存条进行数据传输时所需的延迟时间，通常用一组数字来表示，如16-18-18-36。
频率越高、时序越低，则内存条的传输速度越快。
当然，速度也有一定的兼容性限制，需要和主板以及处理器相匹配才能发挥最佳效果。
此外，您还有必要了解内存接口的规格。
内存条的接口规格表明了内存条与主板之间的互联方式。
当前主流的内存接口规格有DDR3和DDR4，其中DDR4相比DDR3在带宽、能效和稳定性等方面有所提升，是目前较为主流的选择。
最后，选择适合自己的内存条还需要考虑到使用场景和需求。
如果您是一位游戏爱好者，对于速度和容量的要求可能会更高；如果您是一位专业音视频编辑师，对于大容量内存的需求会更迫切。
所以，在购买内存条之前，一定要明确自己的使用需求，选择适合自己的规格。
综上所述，电脑内存条的规格参数包括容量、速度和接口规格。
通过了解这些参数，您能够更好地选择适合自己的内存条，提升电脑的性能和使用体验。
不管您是一位普通用户还是一位电脑爱好者，了解这些基础知识都是必不可少的。
希望本文对您有所帮助！。
内存参数
由于现在新版的BIOS对内存参数进行了释放，弄得大家措手不及，有的参数不会设置，导致机器无法启动，现在我把从网上搜集的全部内存设置列给大家，请大家对比设置，把自己的内存性能发挥到极致！！！1、CASLatency Control（tCL）Settings = Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5这是最重要的内存参数之一，通常玩家说明内存参数时把它放到第一位，例如3-4-4-8@275mhz，表示cl为3。
通常2可以达到更好的性能，但3能提供更佳的稳定性。
值得注意的是，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。
CAS表示列地址寻址（Column Address Strobe or Column Address Select），CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。
因为CAS 主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。
一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。
首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。
期间从CAS 开始到CAS结束就是CAS延迟。
所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。
同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。
这个参数越小，则内存的速度越快。
必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2。
5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。
而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
内存参数
内存内存的主流品牌目前市场上的主流品牌有金士顿（Kingston）、金邦（GEIL）、宇瞻（Apacer）、微刚（ADATA）、刚胜（Kingmax）、现代（Nynex）、三星（Samsung）、海盗船（Corsair）、芝奇（G.skill）、OCE、金泰克等。
这些内存采用的工艺略有不同，性能上也多少有些差异。
内存的分类现在市场上内存可以分为两种。
①SDRAM：SDRAM又称为同步动态存储器，可以与CPU外频同步运作，有PC100、PC133、PC150等规格，目前的SDRAM都是以168Pin DIMM的内存模块出现。
②DDR SDRAM：DDR是指Double Data Rate，它的传输速率是SDRAM的两倍，DDR标准包括DDR I、DDRII和DDRIII。
DDR插槽与SDRAM插槽两侧的线数不同，DDR应用184pins（针脚）。
因此，DDR内存和SDRAM的内存不能换插。
DDR I的主要型号有DDR266，工作频率为133MHz；DDR333，工作频率从为166MHz；DDR400，工作频率为200MHz。
现在DDRII正在逐渐占领主流市场，其频率在533MHz以上。
从长远来说，DDRII最终会取代DDR 1，但就目前来说，DDRII的优势还不是特别明显，虽然在频率上有很大提高，但是在时间延迟上却长于DDR400，所以目前的DDR400和DDRII（533）性能差不多，除非选择高端的DDR II（800）。
预计DDRIII将在不久的将来正是面世，工作电压将下降，并且将会使用更新的信号技术，实现更高的宽带，初始频率预计将达到800MHz，甚至更高。
内存的主要性能参数①容量每个时期的内存条的容量都多种规格、例如，早期的30线内存条有256KB、1MB、4MB等容量，后来72线的EDD内存有4MB、8MB、16MB等容量，目前流行的168线SDRAM内存常见的内存容量有32MB、64MB、128MB、256MB、512MB、1GB等。
内存参数的详细介绍
内存参数的详细介绍1.工作频率内存的工作频率即该内存的标准规范。
例如PC100标准的内存频率是100MHz，PC133的频率是133MHz。
而DDR内存它是在SDRAM内存基础上发展起来的，由于它是在同频的SDRAM的基础上的数据双倍传送，那么它的带宽就比同频的SDRAM多一倍，例如DDR266内存它以133MHz运行时其实际工作频率就是266MHz，带宽就是2.1GB/S。
如果你要买一根DDR333的内存，商家却拿了一根DDR266的给你，比较简单可行的辨别办法是，可从DDR内存的存取时间上来了解，例如-7和-7.5纳秒的一般为DDR266的内存，-6纳秒的一般为DDR333的内存，-5纳秒一般为DDR400内存。
而DDR的后续标准DDRII同DDR相比更加先进，它在DDR数据双倍传送的基础上发展成为数据四倍传送，比DDR又快了一倍!如果同样运行在133MHz的外频下，其工作频率为532MHz/S，它的带宽就可达4.2GB/S。
2.CAS值大家知道，内存有个CASColumn Address Strobe，列地址选通脉冲延迟时间，内存在存储信息时就象一个大表格一样，通过行Column和列Row来为所有存储在内存里的信息定位，CL就是指要多少个时钟周期后才能找到相应的位置。
对于SDRAM而言一般有2和3两个值选择，而DDR内存可分为2和2.5两种。
CAS值越小越好，也就是说DDR内存值为2的产品性能要好于2.5的产品，如果你需要的是CAS 值为2的产品，那么大家在选择时要注意JS用2.5的产品做2的产品来卖给大家可实际使用或用内存测试软件进行测试。
3.内存的标示常识此外，了解一些DDR内存芯片的编号知识也能让大家更深的了解DDR内存。
下面我们就以最常见的HY的DDR内存为例为大家做一讲解：HY XX X XX XX XX X X X X X-XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111：代表HY的厂标2：为内存芯片类型—5D：DDR SDRAMS3：工艺与工作电压—V：CMOS，3.3V;U:CMOS，2.5V4：芯片容量和刷新速率—64:64MB，4kref;66:64MB，2kref;28:128MB，4kref;56:256MB，8kref;12 :512MB，8kref5: 芯片结构数据宽度—4：X4数据宽度4bit;8:x8;16:x16;32:x326：BANK数量—1:2BANKs;2:4BANKs7：I/O界面—1:SSTL_3;2:SSTL_28：芯片内核版本—空白:第一代;A:第二代;B:第三代;C:第四代9：能量等级—空白:普通;L:低能耗10：封装形式—T:TSOP;Q:TQFP;L:CSPLF-CSP;F:FBGA11：工作速度—33:300MHz;4:250MHz;43:233MHz;45:222MHz;5:200MHz;55:183MHz;K:DDR266A;H:DDR266B; L:DDR200感谢您的阅读，祝您生活愉快。
查看内存条参数
查看内存条参数你们知道怎么查看内存条参数信息吗?跟着店铺一起学习怎么查看内存条参数信息吧。
·查看内存条参数信息的方法[内存标贴]如下图，观察内存条外观时看到的标贴。
标贴上一般会告诉我们品牌、参数、料号(P/N)、产品编号(S/N)等信息。
在选购内存时可以通过标贴得到内存基本信息。
[P/N与S/N]P/N又叫料号，宇瞻、金士顿等这些内存模组厂商生产内存时，如果生产内存选用的内存颗粒、PCB(印刷电路板)等原料一致，那么厂商就会为这些内存印上相同的P/N;也就是说，只要两条内存的P/N一致，那么这两条内存出现不兼容问题的几率非常非常低。
S/N称为产品编号，因为S/N都是唯一的，所以它对检查内存防伪有帮助。
[标贴表达方式1]内存标贴涵盖了上述几方面的内容，下面来研究标贴上最重要的部分—内存参数。
标贴上内存参数表达方式分了好几种，但几种表达方式所指的信息都基本一致，比如容量、带宽、延迟、频率等参数。
如下图标贴直接表达了内存的参数-内存代数(PC3=DDR3)、内存容量(4GB)、内存带宽(10600MB/S)全部标记在了上面，并可以计算出频率(1333MHz)。
[标贴表达方式2]下图红色方框里的内容，是目前金士顿内存比较常见的标注方式，可以从“KVR1333D3S9/1G”中的“1333”、“D3”、“1GB”这几个字样知道这条内存是DDR3 1333 1GB的内存。
如果觉得这种方法获取内存信息比较困难，可以注意之下的“1GB PC3-10600 CL9 204-Pin SDDIMM”的字样。
“1GB”、“CL9”、“204-Pin”分别告诉我们内存容量是1GB、延迟是9、金手指为204Pin(也就是指内存边缘的针脚两面加起来有204片)。
解释一下“PC3-10600”的含义，“PC3-10600”是内存模组厂商比较通用的一种用内存带宽表示内存参数的方法，虽然没有谁制定这种标法的标准，但很多厂商都依循着下面这种方法标示内存信息：PC3表示DDR3的意思，如果是PC则表示DDR，PC后面的数字代表内存是第几代;10600就是指的内存带宽为10.6GB/s，按照计算前端总线带宽的公式(带宽=位宽×频率÷8)，这个公式对于计算内存带宽同样适用。
内存的性能指标有哪些主要参数是什么
内存的性能指标有哪些主要参数是什么展开全文随着现在电子产品的盛行，人们对于电子产品的选购也越来越多，这就对于电子产品的质量及内存空间提出了很高要求，尤其是内存的性能指标一定要达标，下面就来介绍一下。
内存的性能指标知不知道内存的主要性能参数有哪些？1.容量。
内存的容量当然是越大越好，但它要受到主板支持最大容量的限制。
单条DDR内存的容量有128MB、256MB、512MB、1GB和2GB等几种。
主板上通常都至少提供两个内存插槽。
2.工作电压。
SDRAM的工作电压为3.3V，DDR为2.5V，DDR2为1.8V，DDR3为1.5V。
3.tCK时钟周期。
tCK时钟周期代表内存所能运行的最大频率，一般用存取一次数据所需的时间( 单位为ns，纳秒)作为性能指标，时间越短，速度越快。
一般内存芯片型号的后面印有-60、-10和-7等字样，...4.CAS延迟。
简称CL，指内存存取数据所需的延迟时间，也就是内存接到CPU的指令后的反应速度。
一般的参数值是2和3两种。
数字越小，代表反应所需的时间越短。
5.SPD芯片。
SPD(Serial Presence Detect)是一块附加在内存条上的8针ROM芯片，容量为256字节，里面主要记录了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商等。
内存的性能指标SPD芯片 SPD是一个8针256字节的EERROM(可电擦写可编程只读存储器) 芯片.位置一般处在内存条正面的右侧, 里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址、带宽等参数信息。
当开机时，计算机的BIOS将自动读取SPD中记录的信息。
工作电压：由于低电压内存要低于标准电压1.5V保证稳定工作，因此生产低电压内存要求更高的品质，出厂时内存电压越高就代表内存品质越不好，这也是低电压内存的优点之一。
因此，内存条高低电压的区别就在于低压内存条比高压内存条耗电量低，更加环保。
内存的性能指标电脑内存的性能指标有哪几种1、速度将内存的速度放在重要性的第一位是不容置疑的，不少使用组装机的朋友甚至后期通过扩大内存的容量来加快内存的存取速度，对于内存的速度来说，时间越短，速度就越快。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
内存规格参数内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。
而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。
而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。
如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。
内存种类目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。
DDR1内存第一代DDR内存DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
DDR2内存第二代DDR内存DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。
它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。
DDR3内存第三代DDR内存DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。
DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。
即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。
内存SPD芯片内存SPD芯片SPD(Serial Presence Detect): SPD是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器）, 容量为256字节，里面主要保存了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度等。
SPD的内容一般由内存模组制造商写入。
支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料，并以此设定内存的工作参数。
启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。
上述情况实现的前提条件是在BIOS 设置界面中，将内存设置选项设为“By SPD”。
当主板从内存条中不能检测到SPD信息时，它就只能提供一个较为保守的配置。
从某种意义上来说，SPD芯片是识别内存品牌的一个重要标志。
如果SPD内的参数值设置得不合理，不但不能起到优化内存的作用，反而还会引起系统工作不稳定，甚至死机。
因此，很多普通内存或兼容内存厂商为了避免兼容性问题，一般都将SPD中的内存工作参数设置得较为保守，从而限制了内存性能的充分发挥。
更有甚者，一些不法厂商通过专门的读写设备去更改SPD信息，以骗过计算机的检测，得出与实际不一致的数据，从而欺骗消费者。
XMP技术支持XMP技术的内存产品BIOS里的XMP设置Intel Extreme Memory Profiles 简称XMP，它是一种提高内存性能的技术，与NVIDIA的SLI Memory 技术类似。
Intel制定了Intel Extreme Memory Profiles (Intel XMP Specification)，会对DDR3内存作出认证，芯片组会自动识别通过认证的指定品牌和指定型号的内存模组产品，通过提高数据吞吐量，增加带宽等手段使其性能增加。
英特尔公司表示，由于主要面向未来的高端平台，因此这项技术并不会出现在DDR2内存模组上，要想使用“Extreme Memory”技术的首要条件就是要使用DDR3内存。
内存控制器（Memory Controller）内存控制器是计算机系统内部控制内存并且通过内存控制器使内存与CPU之间交换数据的重要组成部分。
内存控制器决定了计算机系统所能使用的最大内存容量、内存BANK数、内存类型和速度、内存颗粒数据深度和数据宽度等等重要参数，也就是说决定了计算机系统的内存性能，从而也对计算机系统的整体性能产生较大影响。
早期内存控制器集成在主板北桥芯片传统的计算机系统其内存控制器位于主板芯片组的北桥芯片内部，CPU要和内存进行数据交换，需要经过“CPU--北桥--内存--北桥--CPU”五个步骤，在此模式下数据经由多级传输，数据延迟显然比较大从而影响计算机系统的整体性能；而AMD的K8系列CPU（包括Socket 754/939/940等接口的各种处理器）内部则整合了内存控制器，CPU与内存之间的数据交换过程就简化为“CPU--内存--CPU”三个步骤，省略了两个步骤，与传统的内存控制器方案相比显然具有更低的数据延迟，这有助于提高计算机系统的整体性能。
AMD率先在桌面平台将内存控制器集成在CPU英特尔新酷睿家族处理器也集成了内存控制器CPU内部整合内存控制器的优点，就是可以有效控制内存控制器工作在与CPU核心同样的频率上，而且由于内存与CPU之间的数据交换无需经过北桥，可以有效降低传输延迟。
打个比方，这就如同将货物仓库直接搬到了加工车间旁边，大大减少了原材料和制成品在货物仓库和加工车间之间往返运输所需要的时间，极大地提高了生产效率。
这样一来系统的整体性能也得到了提升。
内存规格参数内存性能规格标签内存频率和CPU一样，内存也有自己的工作频率，频率以MHz为单位内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。
内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。
目前最为主流的内存频率为DDR2-800和DDR3-1333，作为DDR2的替代者，DDR3内存的频率已经在向3000MHz进发。
内存容量内存的容量不但是影响内存价格的因素，同时也是影响到整机系统性能的因素。
过去Windows XP平台，512M的内存还是主流，1GB已经是大容量；到了现在，64位系统开始普及，Windows Vista、Windows 7越来越多人使用，没有2GB左右的内存都不一定能保证操作的流畅度。
目前，单根内存的容量主要有1GB、2GB两种，高端的还有很罕有的单根4GB超大容量内存工作电压内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同，但各自均有自己的规格，超出其规格，容易造成内存损坏。
DDR2内存的工作电压一般在1.8V左右，而DDR3内存则在1.6V左右。
有的高频内存需要工作在高于标准的电压值下，具体到每种品牌、每种型号的内存，则要看厂家了。
只要在允许的范围内浮动，略微提高内存电压，有利于内存超频，但是同时发热量大大增加，因此有损坏硬件的风险。
内存时序参数BIOS内存时序设置tCL : CAS Latency Control(tCL)一般我们在查阅内存的时序参数时，如“8-8-8-24”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。
这个第一个“8”就是第1个参数，即CL参数。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency 是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。
CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。
因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。
一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。
首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。
期间从CAS 开始到CAS结束就是CAS延迟。
所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。
同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。
这个参数越小，则内存的速度越快。
必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据。
而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。
内存标签tRCD : RAS to CAS Delay该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的第2个参数，即第2个“8”。
RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。
对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。
在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。
如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
tRP : Row Precharge Timing(tRP)该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的第3个参数，即第3个“8”。
Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。
tRAS : Min RAS Active Timing该值就是该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的最后一个参数，即“24”。
Min RAS Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在24~30之间。
这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。