如何看内存条型号(容量)

金士顿KVR *** X ** （s）C* /***1 2外频3 4 5 6延迟时间7 8容量1.KVR代表kingston value RAM2.外频速度单位：兆赫3.一般为X4. 64为没有ECC；72代表有ECC5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存6. 一般为C C3：CAS=3；C2.5：CAS=2.5；C2：CAS=27.分隔符号8.内存的容量我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256这条内存就是.金士顿ValueRAM外频400MHZ不带有ECC校验CAS=2.5256M内存HY（现代HYNIX）现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大.HY的编码规则：HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、HY代表现代.2、一般是57，代表SDRAM.3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V.4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新.5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；7、I／O界面：一般为08、产品线：从A－D系列9、功率：空白则为普通，L为低功耗.10、封装：一般为TC（TSOP）11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12：12NS，15：15NSLGS(LG Semicon)LGS的内存编码规则：GM 72 X XX XX X X X X X XXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、GM代表LGS公司.2、72代表SDRAM.3、V代表3V电压.4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64：64M，16K刷新.65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新.5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK7、I／O界面：一般为18、产品系列：从A至F.9、功耗：空白则是普通，L是低功10、封装模式：一般为T（TSOP）11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66），12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）SEC（三星SAMSUNG）做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考.SEC编码规则：KM4 XX S XX 0 X X XT－XX1 2 3 4 5 6 7 89 10 111、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4.2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.3、一般均为S4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量.5、一般均为06、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK7、I／O界面：一般为08、版本号9、封装模式：一般为T：TSOP10、功耗：F低耗，G普通11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS.Micron（美光）以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则.含义：MT——Micron的厂商名称.48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V.16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度.A2——内存内核版本号.TG——封装方式，TG即TSOP封装.-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz.实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造.该内存支持ECC功能.所以每个Bank是奇数片内存颗粒.其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）.Winbond（华邦）含义说明：WXXXXXXXX123451、W代表内存颗粒是由Winbond生产2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZMosel（台湾茂矽）台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5nsNANY A（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM 显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns.Kingmax(胜创)Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一.在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性.Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种.其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本.KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6，PC-133内存最后两位编号为-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）.Geil(金邦、原樵风金条)金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝”五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中：红色金条是PC133内存；金色金条针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存.金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32其中GL2000代表芯片类型GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量= 内存基粒容量* 基粒数目= 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP （第二代），U=μBGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号.以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP II封装，0.2微米3.3V，Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度.MT（MICRON美凯龙）美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用.美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高.MT48 XX XX M XX AX TG－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、MT代表美凯龙MICRON2、48代表SDRAM.3、一般为LC：普通SDRAM4、此数与M后位数相乘即为容量.5、一般为M6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk8、TG代表TSOP封装模式.9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322，222，222，所以D和E较好），10：10NS10、如有L则为低功耗，空白则为普通.HITACHI（日立HITACHI）日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！HM 52 XX XX 5 X X TT－XX1 2 3 4 5 6 7 8 91、HM代表日立.2、52代表SDRAM，51则为EDO3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为56、产品系列：A－F7、功耗：L为低耗，空白则为普通8、TT为TSOP封装模式9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）SIEMENS（西门子）西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）.西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错. HYB39S XX XX 0 X T X －X1 2 3 4 5 6 7 8 91、HYB代表西门子2、39S代表SDRAM3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为06、产品系列7、一般为T8、L为低耗，空白为普通9、速度：6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS FUJITSU（富士通FUJITSU）富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品.MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN1 2 3 4 5 6 7 8 91、MB81代表富士通的SDRAM2、PC100标准的多为F，普通的内存为13、容量4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK6、产品系列7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84：12NS，67：15NSTOSHIBA（东芝）东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等.TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多.TC59S XX XX X FT X－XX1 2 3 4 5 6 7 81、TC代表东芝2、59S代表普通SDRAM3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位5、产品系列：A－B6、FT为TSOP封装模式7、空白为普通，L为低功耗8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）MITSUBISHI（三菱）三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商.普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见. M2 V XX S X 0 X TP－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、M2代表三菱产品2、I／O界面.一般为V3、容量4、一般为S，说明是SDRAM5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位6、一般为07、产品系列8、TP代表TSOP封装9、速度：8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS.10、空白为普通，L为低耗.。