模拟电子书后习题答案第3章
电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案
七、
1.电容C的位置错，可去掉或改动 的位置
2.去掉电容C2
3. 的极性错
八、画出下面电路的直流通路和微变等效电路。
直流通路：
微变等效电路：
九、解：
1. 、 、
2.交流负载线：过Q点，与横轴的焦点是
3.到饱和区的最大 ；到截止区的最大 。因此这道题要出现失真，应该是饱和失真，答同时出现也可以。
二、选择题
1.B，A，A2.B，A3.A，B，C
三、填空题
1.放大区、截止区、饱和区、放大区
2.电源、直流信号、交流信号源、交流信号、电容、交流信号源、电容、电源
3.电压放大倍数、输入电阻、带宽
4.静态工作点、交流负载线、交流负载线的中间、基极电阻、增大
四、
1. X——发射极、Y——集电极、Z——基极、
负反馈自激振荡的条件是：
观察放大电路的波特图。当 时，若幅频响应曲线在零点以下，则电路稳定；否则可能产生自激振荡。
2.选择正确答案填空
A电压串联负反馈B电压并联负反馈
C电流串联负反馈D电流并联负反馈
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入C
(2)为了实现电流-电压转换，应引入B
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载能力，应引入A
(4)为了实现电流放大，应引入D。
三、判断图示电路引入了何种反馈？
模2第五章练习题答案
一、判断题
1 .√ 2. √ 3.X4. X 5. X
二、填空题
1. F D C A B E A C
2. C B A D
三、判断图示电路引入了何种反馈？
电流并联负反馈电压串联负反馈
电压并联正反馈电流并联负反馈
模拟电子技术基础 第三章 习题解答
成 都 信 息 工 程 学 院 实 验 中 心
1
1.4 电路如图P1.4所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管 导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出 幅值。
uO VCC ICQ RC 11V＜UBE 饱和，Uce＝Uces＝0.7V
5
1.11 电路如图P1.18所示，晶体管的β＝50，|UBE|＝0.2V，饱和 管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电 压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？
成 解：在空载和带负载情况下，
都
信 电路的静态电流、rbe均相
息 工
等，它们分别为:
程
学
院
实 验 中
I BQ
VCC
U BEQ Rb
U BEQ R
22μ
A
心 I CQ I BQ 1.76mA
rbe
rbb' EQ
1.3k
9
成
都
信
息
工 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出
RL Rc RL
I CQ (Rc ∥ RL ) 2.3V
中 心
A u
RL'
rbe
115
Ri Rb ∥rbe rbe 1.3k
A us
rbe Rs rbe
Au
47
Ro Rc 5k
11
2.9 已知图P2.10所示电路中晶体管的 ＝100，rbe=1kΩ。 （1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧； （2）若测得ui和uo的有效值分别为1mV和100mV，则负载电
模拟电子技术基础(第四版)习题解答之欧阳数创编
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于GS零，则其输入电阻会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。
图T1.3解：UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=-1.3V,UO4=2V, UO5=1.3V, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。
求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
(a)(b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V。
五、电路如图T1.5所示，VCC=15V ，=100，UBE=0.7V 。
试问： (1)Rb=50k 时，Uo=?(2)若T 临界饱和，则Rb=?解：(1)26BB BE B bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
(完整word版)电子技术基础 模拟部分 第五版 复习思考题答案
第二章运算放大器2.1 集成电路运算放大器2。
1。
1答；通常由输入级,中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能.中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo很大,直线几乎成垂直直线.非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。
理想情况下输出电压+Vom=V+，-Vom=V-。
2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2。
1答：将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。
2。
输出电阻很小，接近零.3.运放的开环电压增益很大。
2.2。
2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2。
3 基本线性运放电路2.3。
1答：1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2。
由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。
由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零.2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi—Vf=Vp—Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值,Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了,电压增益Av=Vo/Vi变小了。
由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。
模拟电子技术第三章习题答案
11.已知共基放大电路如题3-21图所示。
已知晶体管VT 的h fe =50，r bb’=50Ω，U BEQ =0.7V ,电路中的电容对交流可视为短路。
1．求静态工作点。
2．画出h 参数等效电路；求中频电压增益ＡU ,输入电阻和输出电阻。
分析：题3-21图电路为CB 组态放大电路。
在进行低频小信号分析时，可以使用CB 组态的h 参数模型，也可以使用比较熟悉的CE 组态的h 参数模型。
解： 方法一：1． 直流电路如题3-21图a 所示。
R L 3k Ω题3-21图V CC +12v题3-21图a2．利用CB 组态的h 参数模型进行交流特性分析。
交流等效电路如题3-21图b 所示。
方法二：1． 静态工作点的计算方法同方法一，略2． 利用CE 组态的h 参数模型进行交流特性分析。
交流等效电路如题3-21图c 所示。
()())V (75.32365.112)mA (03.050)mA (62.1)mA (62.165.151501)mA (65.1k 27.04)V (412301515E C CQ CC CEQ f eBQ EQ f e f e CQ E BE B CC B2B1B2B =+⨯-=+-==≈==⨯=+==-=-==⨯+=+=R R I V U h I I I h h I R U U I V R R R U CQ EQ题3-21图b+u o-+u i-()()()()bb'ie fe EQ ie ib fe fefb fe2626150150853Ω1.6585316.7Ω15111h r h I h h h h h h =++=++⨯====+-==≈-+()()()()E ib o c fb C L fb C L o U i e ib ib //16.7Ω//2k Ω16.5Ω3k Ω////13//38816.7i e r R h r R h i R R h R R u A u i h h =====⨯⨯-⨯==-=-=-=⨯输入电阻输出电阻中频电压增益为输入电阻输出电阻10.共集放大电路如题3-19图所示。
电子技术(数字部分)第二版课后习题参考答案
& 1
& 1
& Y
B
C
1.12 用代数法化简下列各式
（1）AB BC A(
)
（2）(A B AB
（3）ABC B C( ) （5）AB AB AB AB
)
4 ABABCABAB (
)
（6）(A B
) (A B) (AB AB)()
7
（7）B ABC AC AB BC
（8）ABC ABC ABC A
8
(
1)
() (1 C B
ABCD ABD BC D ABD DC BC BD ABD C BC BD ()
ABD ABC BC BD BD DA BC CA BD BA BC BA ()
AB BC BD
（10） AC ABC BC ABC AC ABC BC ABC (A C A B C BC ABC AB AC CA CB C BC ABC)(
2-4 ) ：
（l）43 (2)127 （3 ) 254.25 (4 ) 2.718
解：（1）
2 43 1 2 21 1 2 10 0
25 1 22 0 21 1
0
43=(101011)B (101 011)B=(53)O (0010 1011)B=(2B)H
（2）
2 127 1 2 63 1 2 31 1 2 15 1
10
通止止通通止止通通止 0
11
通止通止通止通止止通 1
同或 L AB AB A B
2.4 试分析图题 2.4 所示的 CMOS 电路，说明它们的逻辑功能。
解：
EN 1 EN 0 L 高阻 L A ( )a
EN=1，TN2、TP2 截止，电路不工作，L=高阻；EN=0，TN2、TP2 导通，TN1、TP1 为反相
模拟电子书后习题答案
6 1 4V 1 2
当输入电压大于4V时，运放的输出跳变为Uom = -15V，此时二极管VD1和VD2截止， R2回路不通，运放的阈值变为
U TH2 U REF 3V
于是可以画出电路的传输特性，见图13-11(b)。
uo? V
6uo V 6源自O3 4 ui V O
3 4 ui V
15 图13-11(b) 电压传输特性
+
R2
R3
C2
(d)
+VCC j k m
+
n
R1 R2
+
A
p +
A
(e)
-
k
m
C1
C3
n
C2
+ j
C3
p
k
R1
n
R2
+
+
-
m
A
C1
C2
j
(f)
【8-5】电路如图8.10.4所示。试用相位平衡条件判断哪些电路可能振荡？哪些电路不可 能振荡?并说明理由，对于不能振荡电路，应如何改接才能振荡？图中Ce 、Cb对交流信号 可认为短路。
。
第 6 章 集成运算放大器基本应用电路 188
uo
UZ
O
t
UZ
T1 T
uo1
T2
U'o1
O
t
U"o1
图 13-16(b) 题 13-16 的波形图
图 8.10.10 题 8-11 电路图
【8-12】图 8.10.11 给出的是能产生方波和三角波输出的压控振荡电路，设运放都是理想 的，电源电压为15V，VD1、VD2 是理想的二极管，0V＜Ui＜10V，双向稳压管的工作电 压为10V，请回答下列问题：
模拟电子技术教程第3章习题答案
第3章 习题1. 概念题：（1）在放大电路中，三极管或场效应管起的作用就是 将一种形式的电量转换为另一种形式的电量 。
（2）电源的作用是 为能量转换提供能源 ，如果离开电源，放大器可以工作吗（ 不能 ）（3）单管放大器的讲解从电容耦合形式开始，这是因为 阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点 ，如果信号和负载直接接入，其 工作点 的计算将要复杂的多。
（4）在共射放大器的发射极串接一个小电阻，还能认为是共射放大器吗（ 能 ）在共集放大器的集电极串接一个小电阻，还能认为是共集放大器吗（ 能 ）（5）在模电中下列一些说法是等同的，（A 、C 、F ）另一些说法也是等同的。
（B 、D 、E ）A. 直流分析B. 交流分析C. 静态分析D. 动态分析E. 小信号分析F. 工作点分析（6）PN 结具有单向导电性，信号电压和电流的方向是随时间变化的，而交流信号却能在放大电路中通过并获得放大，这是因为 放大器输出端获取的交流信号其实就是电流或电压的相对变化量 。
（7） β大的三极管输入阻抗 也大 ，小功率三极管的基本输入阻抗可表示为EQTbb'be I U )1(r r β++≈。
（8）画直流通路比画交流通路复杂吗（不）在画交流通路时直流电压源可认为 短路 ，直流电流源可认为 开路 ，二极管和稳压管只考虑其 动态内阻 即可。
（9）求输出阻抗时负载R L 必须 断开 ，单管放大器输出阻抗最难求的是共 集电极 放大器，其次是共 源 放大器。
（10）对晶体管来说，直流电阻指 晶体管对所加电源呈现的等效电阻 ，交流电阻指 在一定偏置下晶体管对所通过的信号呈现的等效电阻 ，对纯电阻元件有这两种电阻之区分吗（ 无 ）（11）在共射级放大器或共源放大器中，电阻R C 或R D 的作用是 把电流I C 或I D 的变化转换为电压的变化 。
（12）放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真，引起非线性失真的主要原因是 放大器工作点偏离放大区 。
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习题第3章【3-1】 如何用指针式万用表判断出一个晶体管是NPN 型还是PNP 型？如何判断出管子的三个电极？锗管和硅管如何通过实验区别？ 解： 1． 预备知识万用表欧姆挡可以等效为由一个电源（电池）、一个电阻和微安表相串联的电路，如图1.4.11所示。
μA正极红笔E-+-eeNPNPNP图1.4.11 万用表等效图 图1.4.12 NPN 和PNP 管等效图(1) 晶体管可视为两个背靠背连接的二极管，如图1.4.12所示。
(2)度很低。
2(1) （或(2) 红表笔与然后两如图图 1.4.13 测试示意图【3-2】 图3.11.1所示电路中，当开关分别掷在1、2、3 位置时，在哪个位置时I B 最大，在哪个位置时I B 最小？为什么?o图3.11.1 题3-2电路图[解] 当开关处于位置2 时，相当一个发射结，此时I B 最大。
当开关处于位置1时，c 、e 短路，相当于晶体管输入特性曲线中U CE =0V 的那一条，集电极多少有一些收集载流子的作用，基区的复合还比较大，I B 次之。
当开关处于位置3 时，因集电结有较大的反偏，能收集较多的载流子，于是基区的复合减少，I B 最小。
【3-3】 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地电位如图3.11.2所示，试判断晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)？+6V+12V---图3.11.2 题3-3电路图解：【3-4】[解(a)管压降U B I β(b)(c)电路中，BEB 12V 0.023mA 510k U I -=≈Ω，CE B 12V 5.1k 6.1V U I β=-⋅⋅Ω=，管压降足以建立集电极结反压，晶体管工作在放大区。
【3-5】分别画出图3.11.4所示各电路的直流通路和交流通路。
( )a ( )b图3.11.4 题3-5电路图解：直流通路，见图2-2(1)。
b c L 2．若不断加大输入正弦波电压的幅值，该电路先出现截止失真还是饱和失真？刚出 现失真时，输出电压的峰峰值为多大？3．计算放大电路的输入电阻、电压放大倍数A u 和输出电阻。
4．若电路中其他参数不变，只将晶体管换一个β值小一半的管子，这时BQ I 、CQ I 、CEQ U 以及u A 将如何变化？i(a) (b)图3.11.5 题3-6电路图[解]1．由图(b)可知I BQ =40μA 、I CQ =2m A 、U CEQ =5V 、V CC =10V ，所以CC BE b 6100.6235k V U R ---===Ω 对比可知2.由负半周的5-U CES ≈3i b be 输出电阻为o C 2.5k R R ==Ω放大倍数为L u be50 1.5780.963R A r β'⨯=-=-≈- 4．BQ I 基本不变；CQ I 减小50%；CEQ U 增加；根据公式LLL L u bb bb bb EQBQBQBQ26262626(1)(1)(1)R R R R A r r r I I I I βββββββ'''''''===≈++++++当β值减小时，电压增益的分子减小，但分母基本不变，故电压增益的绝对值下降。
【3-7】共射基本放大电路如图3.11.6所示。
设晶体管的β＝100，U BEQ =-0.2V ， V CC =10V ，bb r '=200Ω，C 1，C 2足够大。
1. 计算静态时的I BQ 、I CQ 和U CEQ ； 2. 计算晶体管的r be 的值；3. 求出中频电压放大倍数uA&； 4. 若输出电压波形出现底部削平的失真，问晶体管产生了截止失真还是饱和失真？若使失真消失，应该调整电路中的哪个参数？[解]1.2. be be bb E 26(mV)26(1)2001011513(mA)2r r I β'=++=+⨯=Ω3．求中频电压增益A u ，画出微变等效电路如图2.4.8所示。
图2.4.8 例2.4.4微变等效电路根据微变等效电路求解电压放大倍数C L L ubebe(//)1003//3991.513R R R A r r ββ'⨯=-=-=-=- 注意：电压增益的负号，与使用PNP 管（由-V CC 供电），还是使用NPN 管(由＋V CC 供电)无关，它只是说明该放大电路的输出交流电压与输入的交流输入信号电压的极性。
4.判断失真该例中PNP 晶体管构成的共射放大电路出现底部削平失真，根据表2.3.1可知，该电路出现的是截止失真。
了解了失真的类型，就容易采取措施了。
应该将工作点向上方移动，即增加静态工作点的电流，使U CEQ 适当减小（向原点移动）。
所以，适当减小R b 的数值即可。
【3-8】 电路如图3.11.7所示，设V CC ＝15V ，R b1=60k Ω、R b2=20k Ω、R c =3k Ω、R e =2k Ω、R s =600Ω，电容C 1、C 2和C e 都足够大，β＝60，U BE =0.7V ，R L =3k Ω。
试计算：1. 电路的静态工作点I BQ 、I CQ 、U CEQ ；2. 电路的中频电压放大倍数uA ，输入电阻R i 和输出电阻R o ； 3.4. [解 1.图2.4.4 例2.4.3直流通路在图2.4.4等效电路中，等效开路电压CCV '为 V V R R R V 3.75CC b2b1b2CC=+='=3.75V等效内阻bR ' 为 Ω=='K R R R 15//b2b1b=15 k Ω, 则：A R R U V I μβ22)1(''eb QBE CC Q B =++-=22μA ； CQ BQ 1.32I I mA β== =1.32mA ；CEQ c e ()8.4CC CQ U V I R R V =-+==8.4V2．求源电压放大倍数us A 时需先求出不考虑信号源内阻时的电压放大倍数uA ，画出该电路的微变等效电路，如图2.4.5所示。
图2.4.5 例2.4.3微变等效电路根据微变等效电路求解电压放大倍数26mV 26）（ (2.4.1)式中LR '=3us A 与uA 的关系为 【3-9】若保持β 图3.11.8 题3-9电路图[解]1．计算电压放大倍数L ube44.4R A r β'=-=- (2.4.2) 2．β＝50不变，R L 由4k Ω改为2k Ω，不会影响静态工作点，根据公式2.4.1可知r be不会改变。
又根据公式2.4.2，当LR '变小时电压放大倍数减小。
3．β 变为100，电压放大倍数会稍有增加，但不会增加一倍。
因为电压放大倍公式中，分母为be bb EQ 26mV (1)r r I β'=++，bb r '较小，可忽略不计，则be EQ EQ2626mV(1)r I I ββ≈+≈故：L EQ L LubeEQ26mV R I R R A r I βββ'''=-≈= 电压放大倍数uA 近似与β无关，所以单纯通过提高β 值来提高电压增益，效果不明显。
【3-10】图3.11.9为射极输出器，已知V cc =12V ，R b =110Ωk ，R e =3Ωk ，R L =3Ωk ，β=50，r be =1Ωk ，U BE =0.7V ，信号源内阻R s =0，耦合电容的容量足够大。
试计算电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
解：此放大电路为共集组态。
电压放大倍数o L151150987'+⨯====u U ()R .A .β【3-11解： 1．'b2CC b1b23.69V ==+V R R'b b1b2// 6.64k ==ΩR R R'CC BE BQ'b e8.54μA (1)-==++V U I R R β CQBQ 0.854mA ==I I βCEQ CC CQ c e ()10.3V =-+=U V I R R2． r be =bb EQ 26mV 1338k mA '++=Ω（）（）r ().I β；L be366'==u R A .r β3．R i = R e //[ r be /（1+β）]=33 Ω4．R o ≈ R c =2.1 k Ω【3-12】在图3.11.11所示电路中，已知晶体管的β＝100，U BEQ ＝0.6V ，r bb ’＝100Ω， V CC ＝10V 。
1. 求静态工作点；2. 画中频微变等效电路；3. 求u A 和usA ； 4. 求R i 和R o 。
解：路。
1． 2．3． o Lu i be L1U r ()R '++ β4．输入电阻i b1b2be L[(1)]816k '=++=ΩR R //R //r R .β 输出电阻be o e 331'+==Ω+s r R R R //β源电压增益ius s i0795=⨯=+u R A A .R R【3-13】共集基本放大电路如图3.11.12(a)所示，其输出波形产生了如图3.11.12 (b)所示的失真。
请问该失真属于饱和失真还是截止失真？消除该种失真最有效的方法是什么？如晶体管改为PNP 管，若出现的仍为底部失真，上面的答案又怎样？p 0p3p 2tw u o(b)图3.11.12 题3-13电路图解：1．波形图的上部电位水平高，下部电位水平低。
当晶体管趋于截止时，发射极的电位向地靠拢；当晶体管趋于饱和时，发射极的电位向电源电压靠拢。
所以图2-8(b)的底部失真是截止失真。
23采用。