美国半导体元件命名规则
半导体命名法
1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP 型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
半导体型号命名方法
半导体器件型号命名方法一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F＜3MHz,Pc＜1W)、G-高频小功率管（f＞3MHz,Pc＜1W)、D-低频大功率管（f＜3MHz,Pc ＞1W)、A-高频大功率管（f＞3MHz,Pc＞1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN 型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
半导体型号命名方法(精)
半导体器件型号命名方法一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F＜3MHz,Pc＜1W)、G-高频小功率管（f＞3MHz,Pc＜1W)、D-低频大功率管（f＜3MHz,Pc ＞1W)、A-高频大功率管（f＞3MHz,Pc＞1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN 型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
美国军用半导体器件型号和标志
美国军用半导体器件型号和标志QML-19500简介1．美国军用半导体器件型号和标志在美国军用标准中，半导体器件包括二极管，三极管，光藕等分立器件。
其军用产品型号和标志，按美军标准MIL-PRF-19500N《半导体器件总规范》（2005年发布）1.3条规定如下：A XN YYYY ZZZJANQQQ 或JANQCW前缀RHA等级器件类型识别号后缀见1.1见1.2见1.3见1.4.见1.51.1 前缀此前缀用于表示军用产品质量等级.对于已密封器件和未密封器件(即芯片)的质量等级及其相应标志规定如下:1.1.1密封器件的质量等级和标志密封器件的质量等级如上述”QQQ”所示, 质量等级从低到高顺序如下:JAN, JANTX JANTXV, JANJ 和JANS.JANS是适用于空间用途的等级,我们常称之为宇航级;JAN, JANTX, JANTXV, JANJ是高可靠军用等级,以前的标准中,曾这样描述:JAN---------标准军用等级JANTX-----特军级JANTXV---超特军级JANJ--------按标准规定,应在JANS生产线制造,质量等级比JANTXV高.1.1.2未密封器件即芯片的质量等级和标志未密封器件的质量等级如上述”QC”所述,质量等级从低到高顺序如下; JANHCJANKC.JANHC---适用于标准军事用途JANKC---适用于空间(宇航)用途上述”QCW”中的”W”表示此类产品—芯片,必须将适用的等级标志符,标志在包装盒的适当位置上.1.1.3 JAN和J标志按MIL—PRF—19500N 3.10.6.1条规定,当器件打印标志的位置较小时,“JAN”标志可以简化为“J”.这二个标志都是向联邦政府注册的,“JAN”的注册号为:504860;“J”的注册号为:1586261.因此,当器件管壳较小时,军用产品质量等级可以标志如下缩写前缀:质量等级 质量等级缩写JAN------------------- JJANTX----------------- JXJANTXV------------- JVJANJ------------------ JJJANS----------------- JS1.2 辐射加固保证(RHA)等级RHA等级采用一个字母表示,其等级从低到高顺序为:M,D,P,L,R,F,G和H.加固剂量如下: (除非另有规定)等级字母总剂量 Rad(si)中子流量 N/cm2M3×1032×1012D1×1042×1012P3×1042×1012L5×1042×1012R1×1052×1012F3×1052×1012G6×1052×1012H1×1062×10121.3 器件类型半导体器件的标志符用“XN”表示，其中“X”用一个数字表示，它比器件有源电极终端（引出端）数目少一，例如，二极管用“1N”表示，三极管用“2N”表示。
电子工程师必备基础知识手册(五)：半导体器件
电子工程师必备基础知识手册(五)：半导体器件.txt珍惜生活——上帝还让你活着，就肯定有他的安排。
雷锋做了好事不留名，但是每一件事情都记到日记里面。
电子工程师必备基础知识手册(五)：半导体器件半导体器件一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N 型锗材料、B-P 型锗材料、C-N 型硅材料、D-P 型硅材料。
表示三极管时：A-PNP 型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN 型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18 表示NPN 型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2 三极或具有两个pn 结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn 结的其他器件、┄┄依此类推。
半导体命名方式
用数字表示器件 用字母表示 的电极数目 半导体器件 符 号 0 1 2 3 意 义 符 号 意 义
用拉丁字母表示 器件的结构和类型 符号 A 意 义
用拉丁字母表示同一种 型号器件的改进型
光电器件 二极管 三极管 有三个 PN 结 的器件 S 半导体 器件
高频 PNP 型三极管 快速开关三极管 低频大功率 PNP 管 高频及快速开关 NPN 三极管 低频大功率 NPN 管 P 控制极可控硅 N 控制极可控硅 N 基极单结管 P 沟道场效应管 N 沟道场效应管 双向可控硅
B C D F G H J K M
例如 2SA53 表示高频 PNP 型三极管，1S92 表示半导体二极管。
表示不加 热即半导 体器件
登记顺 序号
表示器件改进型
例如 1N4148 表示开关二极管，2N3464 表示高频大功率 NPN 型硅管。 2．日本半导体器件命名法 日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如 2。 表 2 日本半导体器件命名法 第一部分 第 二 部 分 第 三 部 分 第 四 部 分 用 2～3 位数 字表示器件 登记顺序号 第 五 部 分
半导体三极管的命名方法(中日欧韩美)
半导体三极管的命名方法（中日欧韩美）按国家标准GB/T 249- 89 的规定，三极管的型号命名同二极管一样由五部分组成，其型号组成部分及其含义见表。
一、我国三极管的型号组成部分及其含义常见的三极管型号有3DG130C, 3AX52B等，其含义如下:头，日本产的半导体三极管是以“2S”开头，目前市场上以“2S”开头的日本品比较多。
日本产半导体器件命名方法如下:半导体三极管型号中的第三部分用A表示PNP型高频管，用B表示PNP型低频管，用C表示NPN型高频管，用D表示NPN型低频管;第四部分由数字组成，表示日本电子工业协会注册登记的顺序号，数字越大，表示产品越新;第五部分用字母表示对原型号的改进产品。
二、日本三极管的型号组成部分及其含义（常用）例子：三、欧洲常采用国际联合会制定的标准，对三极管型号的命名方法是:第一部分用A或B开头(A表示锗管，B表示硅管);第二部分用C表示低频小功率管，用F表示高频小功率管，用D表示低频大功率管，L表示高频大功率管，用S和U表示小功率开关管和大功率开关管;第三部分用数字表示登记序号，如BC87表示硅低频小功率管。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、D、E┄┄表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
半导体器件命名规则
半导体器件命名规则半导体器件命名规则一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
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标准制造信息（第一行）
元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。
小组件制造信息（第一行）
在较小的封装（例如 SOIC、8 引脚 MDIP 和 20 引脚 PLCC）中，编码的信息可能稍有不同，以容纳下图中所示的较小可用区域。
典型元件描述（第二行）
标记的第二行描述封装中的特定电路。
下面的图显示典型元件以及编程元件的信息。
车用产品拥有独特的识别码(NSID)，在标准商用产品的NSID 标记中会加入“Q”字母作识别，而在该行代码中所包含的信息包括：
顶端
其他信息, 第三行和第四行
根据元件、封装大小和客户的不同，第三行和第四行可能显示的信息包括：
•元件标识的延续部分（如果该标识太长，第二行无法容纳）
•特定客户请求和规格可能要求“加盖”编号
•与版权（c）或商标（TM, R）有关的注意事项
其它标记
由于美国国家半导体生产多种产品，有时需要添加其它标记以表示一种不同的性能级别或标识特定功能。
例如，出现在封装代码或裸片批次代码之后的某些标记可能包含下列信息：
•特殊可靠性工艺处理 (/A+)
•处理MIL-STD-883C (/883)
•指示可调整的输出元件 (-ADJ)
•指示输出电压级别 (-5.0)
•指示工作频率 (-33)
•产品推出状态代码 (ES)
•上面各项以外的其它信息
制造日期代码
单位日期代码：
单位日期代码标记为 4 位、3 位、2 位或个位数字形式。
4 位日期代码通常用于军事/航空元件。
3 位日期代码用于标准的商用元件，这些元件的封装标记表面足够大，可以容纳所有必要的标记信息。
2 位和 1 位日期代码用于标表面有限的小型封装。
商用元件：
定制商用元件日期代码以周为单位，此类日期代码根据日历周而每周变化。
标准商用元件以及所有小型封装日期代码以6周为一单位，每 6 周更换一次。
尽管日期代码每 6 周进行更新, 从NSID，日期代码和裸片批次代码, 使用美国国家半导体的在线系统可以追溯产品的准确生产日期。
6 周日期代码如下所示。
2007200620052004
XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X
0706 706 71 S0606 606 61 J0506 506 51 A0406 406 41 S
0712 712 72 T0612 612 62 K0512 512 52 B0412 412 42 T
0718 718 73 U0618 618 63 L0518 518 53 C0418 418 43 U
0724 724 74 V0624 624 64 M0524 524 54 D0424 424 44 V
0730 730 75 W0630 630 65 N0530 530 55 E0430 430 45 W
0736 736 76 X0636 636 66 60536 536 56 F0436 436 46 X
0742 742 77 Y0642 642 67 P0542 542 57 G0442 442 47 Y
0748 748 78 Z0648 648 68 80548 548 58 H0448 448 48 Z
0752 752 79 =0652 652 69 R0552 552 59 90452 452 49 =
2003200220012000
XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X
0306 306 31 J0206 206 21 A0106 106 11 S0006 006 01 J
0312 312 32 K0212 212 22 B0112 112 12 T0012 012 02 K
0318 318 33 L0218 218 23 C0118 118 13 U0018 018 03 L
0324 324 34 M0224 224 24 D0124 124 14 V0024 024 04 M
0330 330 35 N0230 230 25 E0130 130 15 W0030 030 05 N
0336 336 36 O0236 236 26 F0136 136 16 X0036 036 06 O 0342 342 37 P0242 242 27 G0142 142 17 Y0042 042 07 P 0348 348 38 Q0248 248 28 H0148 148 18 Z0048 048 08 Q 0352 352 39 R0252 252 29 I0152 152 19 =0052 052 09 R 1999199819971996 XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X 9906 906 91 A9806 806 81 S9706 706 71 J9606 606 61 A 9912 912 92 B9812 812 82 T9712 712 72 K9612 612 62 B 9918 918 93 C9818 818 83 U9718 718 73 L9618 618 63 C 9924 924 94 D9824 824 84 V9724 724 74 M9624 624 64 D 9930 930 95 E9830 830 85 W9730 730 75 N9630 630 65 E 9936 936 96 F9836 836 86 X9736 736 76 O9636 636 66 F 9942 942 97 G9842 842 87 Y9742 742 77 P9642 642 67 G 9948 948 98 H9848 848 88 Z9748 748 78 Q9648 648 68 H 9952 952 99 I9852 852 89 =9752 752 79 R9652 652 69 I 2008200920102011 XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X 0806 806 81 A0906 906 91 J1006 006 01 S0106 106 11 A 0812 812 82 B0912 912 92 K1012 012 02 T0112 112 12 B 0818 818 83 C0918 918 93 L1018 018 03 U0118 118 13 C 0824 824 84 D0924 924 94 M1024 024 04 V0124 124 14 D 0830 830 85 E0930 930 95 N1030 030 05 W0130 130 15 E 0836 836 86 F0936 936 96 61036 036 06 X0136 136 16 F 0842 842 87 G0942 942 97 P1042 042 07 Y0142 142 17 G 0848 848 88 H0948 948 98 81048 048 08 Z0148 148 18 H 0952 852 89 90952 952 99 R1052 052 09 =0152 152 19 9
裸片批次代码
裸片批次代码是由两个字母组成，由内部制造系统自动分配给每批裸片。
当元件出现任何问题时，可以根据此代码追溯到有关的工艺流程，来制订补救和修正措施。
这些措施最终可减少或完全消除对客户的负面影响。
元件系列，产品线和元件类型
基本元件标识通常在元件标记的第二行中提供。
如上所述，标识的常规格式是产品线加上特定元件的数字描述。
下表列出了元件系列代码的一个样本。
元件的完整列表（按元件系列前缀排列）可在总產品匯集中找到。
电气等级信息
个别产品有可能再细分, 这可视作产品的不同“等级”。
这些“等级”的标志会出现在元件标识字符与封装代码之间。
它们可能代表：
•更高的精度
•改进的裸片修订
•更宽或更窄的规格范围
•不同温度下的精度
温度范围代码
元件工作的指定温度范围可能因元件的不同版本而所有不同。
在这些情况下，一个温度范围代码表示指定的范围。
尽管下表列出了最常见的一些范围，但是客户应尽可能通过总产品汇集中的产品链接数据表，确认这些数据。
•0°C 至+70°C (代码C)
•-40°C 至+85°C (代码I)
•-55°C 至+125°C (无代码)
封装代码
为了满足客户的需求，美国国家半导体为其产品提供了多个封装选项。
每个元件类型的各个封装选项可在定价与供货中查看。
从该网页中，可以通过链接获得关于每个封装类型的详细信息（例如机械和温度规格）。
其中在元件说明标记中找到的封装代码的少量样件，于下表中列出：。