三极管主要参数
三极管的主要参数
三极管的主要参数1、直流参数(1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流.良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级.(2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大.(3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流,它实际上是发射结的反向饱和电流.(4)直流电流放大系数β1(或hEF) 这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值,即:β1=Ic/Ib2、交流参数(1)交流电流放大系数β(或hfe) 这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比,即:β= △Ic/△Ib一般晶体管的β大约在10-200之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定.(2)共基极交流放大系数α(或hfb) 这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比,即:α=△Ic/△Ie因为△Ic<△Ie,故α<1.高频三极管的α>0.90就可以使用α与β之间的关系:α= β/(1+β)β= α/(1-α)≈1/(1-α)(3)截止频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频时的0.707倍的频率,就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为:fβ≈(1-α)fα(4)特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数.3、极限参数(1)集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2,这时的Ic值称为ICM.所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但β值显著下降,影响放大质量.(2)集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO.(3)发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO.(4)集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿.(5)集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic,温度要升高,管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM.管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc=Uce×Ic.使用时庆使PcPCM与散热条件有关,增加散热片可提高PCM.2、Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流3、IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感4、to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）。
三极管的主要参数
三极管的主要参数
三极管是一种常用电子元件，它能控制电流或电压，是电子工程中最
基本的部件。
三极管的主要参数包括型号标识、集电极（C）发射极（E）
和控制极（B）的击穿电压以及正向和反向两种状态下的最大电流值等。
1.型号标识：三极管的型号标识是由字母和数字组成的，用于区分不
同型号的三极管。
由于三极管有多种型号，因此每个型号的型号标识也不
尽相同，国内的三极管一般以“TXX”开头显示，其中“T”表示三极管，“XX”表示三极管型号的编号。
2.集电极（C）：三极管的集电极也叫正极，简称C，它是三极管的
主要出口，用于连接电源供电。
它不仅可以接收电流，还可以把它转化为
电压输出，给电路供电。
3.发射极（E）：三极管的发射极也叫负极，简称E，它是三极管的
主要入口，可以接收外部电路的电流。
它可以把电流转化为信号，通过晶
体管调节输出电流和电压的大小，这是三极管最主要的功能。
4.控制极（B）：三极管的控制极简称B，它是三极管的主要控制极，在电路中，通常是应用信号或电压来控制三极管的工作状态，从而控制晶
体管的输出电流或电压。
5.击穿电压：击穿电压是指三极管正向或反向时，由于电压的升高。
常用三极管数据
常用三极管数据三极管是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
三极管的性能参数对电路的工作性能起着至关重要的作用。
本文将介绍常用的三极管数据，匡助读者更好地了解和应用三极管。
一、三极管的基本参数1.1 饱和电流（Icmax）：三极管在饱和状态下的最大电流。
通常情况下，饱和电流越大，三极管的工作性能越好。
1.2 最大功耗（Pmax）：三极管能够承受的最大功率。
超过最大功耗可能导致三极管损坏。
1.3 最大耗散功率（Pdmax）：三极管在正常工作状态下能够承受的最大耗散功率。
二、三极管的频率参数2.1 最大工作频率（fT）：三极管能够正常工作的最高频率。
频率越高，三极管的响应速度越快。
2.2 输入电容（Cib）：三极管输入端的电容。
输入电容越小，三极管对输入信号的响应越灵敏。
2.3 输出电容（Cob）：三极管输出端的电容。
输出电容越小，三极管对输出信号的响应越灵敏。
三、三极管的放大特性参数3.1 峰值电流增益（hFE）：三极管的放大倍数。
峰值电流增益越大，三极管的放大效果越好。
3.2 输入电阻（Rin）：三极管输入端的电阻。
输入电阻越大，三极管对输入信号的影响越小。
3.3 输出电阻（Rout）：三极管输出端的电阻。
输出电阻越小，三极管对输出信号的影响越小。
四、三极管的温度特性参数4.1 温度系数（α）：三极管的基极电流随温度变化的系数。
温度系数越小，三极管的温度稳定性越好。
4.2 温度上升系数（β）：三极管的饱和电流随温度升高的系数。
温度上升系数越小，三极管的工作稳定性越好。
4.3 温度范围（Tj）：三极管能够正常工作的温度范围。
超出温度范围可能导致三极管性能下降。
五、三极管的封装参数5.1 封装类型：三极管的封装形式，如TO-92、SOT-23等。
不同封装类型适合于不同的应用场景。
5.2 封装材料：三极管封装的材料，如塑料、金属等。
封装材料的选择影响三极管的散热性能。
5.3 封装尺寸：三极管封装的尺寸，包括封装的长、宽、高等参数。
三极管参数详解
三极管参数详解
三极管是一种电子器件，它是由三个P型或N型材料构成的。
三极管具有放大、开关和稳压等多种功能。
由于三极管具有很多种类，下面分别介绍不同种类的三极管的参数。
1. NPN三极管
NPN三极管是由两个N型半导体夹一个P型半导体构成的。
NPN三极管是一种常见的三极管。
下面介绍NPN三极管的几个重要参数：
（1）最大耐压：指三极管的最大工作电压。
在超过此电压后，三极管会发生击穿。
（4）放大系数：也称为电流增益，指输出电流与输入电流之比。
在放大电路中，使用NPN三极管时，需要保证其放大系数在一个可接受的范围内。
3. MOSFET
MOSFET又称MOS场效应管，是一种通用的高频低噪声功率放大器。
MOSFET的导通与截止是通过施加控制电压来实现的。
其控制电压可以是电压、电流、光等。
下面介绍MOSFET 的几个重要参数：
（1）阈值电压：MOSFET的导通与截止需要一个阈值电压来控制，这个电压即为阈值电压。
当控制电压小于这个电压时，MOSFET处于截止状态；当控制电压大于这个电压时，MOSFET处于导通状态。
（3）最大电流：指MOSFET的最大电流负载能力。
在超过此电流后，MOSFET会被烧毁。
（4）漏极电流：指MOSFET导通时从漏极流过的电流。
4. JFET
（4）增益：指JFET的放大倍数。
三极管的相关参数
三极管的相关参数三极管是一种重要的电子器件，广泛应用于电子电路中的放大、开关、斩波等功能。
它具有许多关键参数，下面将详细介绍三极管的相关参数。
1. 最大集电极电流（ICmax）：三极管可以承受的最大集电极电流。
超过这个电流极限，三极管可能会损坏。
2. 最大集电极-基极电压（VCEOmax）：三极管可以承受的最大集电极到基极的电压。
超过这个电压极限，三极管可能发生击穿。
3. 最大功耗（PDmax）：三极管可以承受的最大功耗。
超过这个功耗极限，三极管可能会过热，导致故障。
4. 最大集电极-发射极电压（VCESmax）：三极管可以承受的最大集电极到发射极的电压。
超过这个电压极限，三极管可能发生击穿。
5.最大集电极电流放大倍数（hFE）：三极管的集电极电流与基极电流之间的比例关系。
它表示三极管的放大能力，通常在工作区域内具有较高的值。
6. 饱和区（Saturation Region）：当三极管的基极电流足够大时，集电极-发射极间的电压达到最低值，此时三极管工作在饱和区。
7. 切断区（Cut-off Region）：当三极管的基极电压较低时，集电极-发射极间的电压达到最高值，此时三极管工作在切断区。
8. 属性（Transconductance）：三极管的输入特性之一，它是指集电极电流变化与基极-发射极电压变化之比，常用单位是毫安每伏特（mA/V）。
9. 剪切频率（Cut-off Frequency）：三极管的输出特性之一，它是指在特定放大倍数下，三极管的功耗输出能力降低到原来的一半所对应的频率。
10. 输入电阻（Input Resistance）：三极管的输入电阻，也称为基极电阻，是指输入端电压与输入端电流之比。
11. 输出电阻（Output Resistance）：三极管的输出电阻，是指输出端电压与输出端电流之比。
12. 射极电阻（Emitter Resistance）：三极管的发射极电阻，是指发射极电压与发射极电流之比。
三极管的参数
ICEO是指基极开路，集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流。ICEO与ICBO的关系为：
ICEO = ICBO＋ICBO＝（1＋）ICBO GS0125
该电流好象从集电极直通发射极一样，故称为穿透电流。ICEO和ICBO一样，也是衡量三极管热稳定性的重要参数。
三极管的3个极限参数PCM 、ICM、BVCEO和前面讲的临界饱和线 、截止线所包围的区域，便是三极管安全工作的线性放大区。一般作放大用的三极管，均须工作于此区。
三、频率参数
频率参数是反映三极管电流放大能力与工作频率关系的参数，表征三极管的频率适用范围。
1．共射极截止频率fβ
三极管的β值是频率的函数，中频段β=βo几乎与频率无关，但是随着频率的增高，β值下降。当β值下降到中频段βO1／倍时，所对应的频率，称为共射极截止频率，用fβ表示。
3．反向击穿电压BVCEO与BVCEO
BVCEO是指基极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压。
BVCBO是指发射极开路时，集电极与基极间的反向击穿电压。一般情况下同一管子的
BVCEO（0.5～0.8）BVCBO 。三极管的反向工作电压应小于击穿电压的（1／2～1／3），以保证管子安全可靠地工作。
（2）共基极交流电流放大系数α，它表示三极管作共基极连接时，在UCB 恒定的情况下，IC和IE的变化量之比，即：
通常在ICBO很小时，与β，与α相差很小，因此，实际使用中经常混用而不加区别。
二、极间反向电流
1．集-基反向饱和电流ICBO
ICBO是指发射极开路，在集电极与基极之间加上一定的反向电压时，所对应的反向电流。它是少子的漂移电流。在一定温度下，ICBO 是一个常量。随着温度的升高ICBO将增大，它是三极管工作不稳定的主要因素。在相同环境温度下，硅管的ICBO比锗管的ICBO小得多。
三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数
三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数
三极管的主要参数包括直流参数、交流参数和极限参数。
1. 直流参数：直流参数描述了三极管在直流电路中的电流和电压特性。
- 最大集电极电流（Icmax）：三极管集电极能够承受的最大
电流值。
- 最大基极-发射极电压（Vbeo）：基极和发射极之间能够承
受的最大电压值。
- 最大集电极-发射极电压（Vceo）：集电极和发射极之间能
够承受的最大电压值。
- 饱和压降（Vcesat）：三极管处于饱和状态时，集电极和发
射极之间的电压降。
2. 交流参数：交流参数描述了三极管在交流信号下的放大能力和频率特性。
- 增益（β或hfe）：三极管的电流放大倍数。
- 输入电阻（Rin）：输入端的电阻，影响输入信号的放大效果。
- 输出电阻（Rout）：输出端的电阻，影响输出信号的传输效果。
- 频率响应：描述了三极管在不同频率下放大能力的变化情况，常用的参数包括截止频率和增益带宽积。
3. 极限参数：极限参数描述了三极管在工作过程中的极限条件。
- 最大功耗（Pdmax）：三极管能够承受的最大功率。
- 集电极-发射极击穿电压（BVceo）：集电极和发射极之间的
最大击穿电压。
- 集电极-基极击穿电压（BVceo）：集电极和基极之间的最大击穿电压。
- 储能时间（Ton、Toff）：三极管进行开关动作的能力。
这些参数是设计和使用三极管时需要考虑的重要指标，不同的应用场合可能需要不同的参数要求。
三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数
三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数题目三极管的主要参数包括直流参数，交流参数，极限参数。
A.正确B.错误答案：A三极管的主要参数有直流参数、交流参数、极限参数三类。
它们是选用三极管的依据。
三极管的分类三极管有多种类型:三极管如按结构可分为NPN型和PNP型;按所用的半导体材料可分为硅管和锗管;按功率可分为大功率管、中功率管、小功率管;按频率特性可分为低频管、中频管、高频管和超频管;按输人方式不同可分为普通三极管、光敏三极管、磁敏三极管;按封装内电路结构分为普通三极管、带阻三极管、达林顿三极管、差分对管、功率对管;按封装形式不同分为金属封装三极管、塑料封装三极管表面封装三极管、陶瓷封装三极管:按用途分为通用管、RF三极管列和达林顿管等;按安装方式分为插件三极管和贴片三极管。
1、大功率、中功率、小功率三极管按照耗散功率的不同,三极管可分为大功率三极管、中功率三极管、小功率三极管、极管功率不同,在封装形式上是有明显区别的。
一般来说功率大的，封装外形体积也就主一般可以从外形体积大小大致看出三极管的功率类型。
2.高低频三极管频率特性是三极管的重要指标。
一般把特征频率低于3MHz的三极管称为低频三极管;把特征频率高于3MHz而低于30MHz的三极管称为中频三极管;把特征频率高于30MHz而低于300MHz的三极管称为高频三极管;把特征频率高于300MHz的三极管称为超高频三极管。
超高频三极管也称微波三极管，其频率特性一般高于500MHz，主要用于电视机、雷达和导航等领域中处理微波波段（300MHZ以上的频率）的信号。
三极管的频率特性不能从它的外观看出，只能从型号参数中查到！半导体三极管的应用广泛，主要用途是利用其电流放大作用组成各种放大电路。
其次是在开关电路、逻辑电路以及作为驱动电路的应用。
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特征频率f T
:当f= f T时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于f T,电路将不正常工作.
工作电压/电流
用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.
h FE
电流放大倍数.
V CEO
集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.
P CM
最大允许耗散功率.
封装形式
指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现.
晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。
为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。
名称共发射极电路共集电极电路（射极输出器）共基极电路
输入阻抗中（几百欧～几千欧）大（几十千欧以上）小（几欧～几十欧）
输出阻抗中（几千欧～几十千欧）小（几欧～几十欧）大（几十千欧～几百千欧）
电压放大倍数大小（小于1并接近于1）大
电流放大倍数大（几十）大（几十）小（小于1并接近于1）
功率放大倍数大（约30～40分贝）小（约10分贝）中（约15～20分贝）
频率特性高频差好好
应用多级放大器中间级低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路
三极管的三种工作状态
三极管的三种工作状态（放大、截止、饱和）；
放大电路的静态、动态；直流通路、交流通路；
截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
一般将IB≤0的区域称为截止区, 在图中为IB＝0的一条曲线的以下部分。
此时IC也近似为零。
由于各极电流都基本上等于零, 因而此时三极管没有放大作用。
其实IB＝0时, IC并不等于零, 而是等于穿透电流ICEO。
一般硅三极管的穿透电流小于1μA, 在特性曲线上无法表示出来。
锗三极管的穿透电流约几十至几百微安。
当发射结反向偏置时, 发射区不再向基区注入电子, 则三极管处于截止状态。
所以, 在截止区, 三极管的两个结均处于反向偏置状态。
对NPN三极管, UBE＜0, UBC＜0。
放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
此时发射结正向运用, 集电结反向运用。
在曲线上是比较平坦的部分, 表示当IB一定时, IC的值基本上不随UCE而变化。
在这个区域内,当基极电流发生微小的变化量ΔIB时, 相应的集电极电流将产生较大的变化量ΔIC, 此时二者的关系为
ΔIC＝βΔIB
该式体现了三极管的电流放大作用。
对于NPN三极管, 工作在放大区时UBE≥0.7V, 而UBC＜0。
饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。
三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
曲线靠近纵轴附近, 各条输出特性曲线的上升部分属于饱和区。
在这个区域, 不同IB值的各条特性曲线几乎重叠在一起, 即当UCE较小时, 管子的集电极电流IC基本上不随基极电流IB而变化, 这种现象称为饱和。
此时三极管失去了放大作用, IC＝βIB或ΔIC＝βΔIB关系不成立。
一般认为UCE＝UNE, 即UCB＝0时, 三极管处于临界饱和状态, 当UCE＜UBE时称为过饱和。
三极管饱和时的管压降用UCES表示。
在深度饱和时, 小功率管管压降通常小于0.3V。
三极管工作在饱和区时, 发射结和集电结都处于正向偏置状态。
对NPN三极管,UBE＞0, UBC＞0。
根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。