专升本《模拟电子技术》
专升本《模拟电子技术》_试卷_答案
专升本《模拟电子技术》一、 (共61题,共150分)1、当PN给外加正向电压时,扩散电流漂移电流。
此时耗尽层 ( )。
(2分)A、大于变宽。
B、小于变窄。
C、等于不变。
D、大于变窄。
标准答案:D2、场效应管电流完全由组成,而晶体管的电流由组成。
因此,场效应管电流受温度的影响比晶体管( )。
(2分)A、多子少子大。
B、多子两种载流子小。
C、少子多子小。
D、多子多子差不多。
标准答案:B3、图示的共射极放大电路不能对交流信号放大的根本原因就是:( )。
(2分)A、交流信号不能输入。
B、没有交流信号输出。
C、没有合适的静态工作点。
D、发射结与集电结的偏置不正确。
标准答案:B4、当某电路要求输出信号的频率不高于420Hz,可采用( )的方式实现。
(2分)A、高通滤波器B、带阻滤波器C、带通滤波器D、低通滤波器标准答案:D5、 NPN型与PNP型晶体管的区别就是 ( )。
(2分)A、由两种不同材料的硅与锗制成。
B、掺入的杂质元素不同。
C、P区与N区的位置不同。
D、载流子的浓度不同。
标准答案:C6、某NPN型硅管,当其工作在放大状态时,电路中的三个电极电位应为下列哪组数据？( ) (2分)A、U1=3、5V,U2=2、8V, U3=12V。
B、U1=3V,U2=2、8V, U3=12V。
C、U1=6V,U2=11、3V,U3=12V。
D、U1=6V,U2=11、8V,U3=12V。
标准答案:A 7、图示的电路中,稳压管的反向击穿电压分别为6V与7V,正向导通电压均为0、6V,则输出电压为:( )。
(2分)A、6VB、7VC、6、6VD、5、4V标准答案:D8、如图所示的静态工作点及其放大电路,当输入的正弦信号逐渐增加时,放大电路的工作情况就是:( )。
(2分)A、先出现截止失真,为避免上述现象的发生,应减小偏置电阻R b。
B、先出现截止失真,为避免上述现象的发生,应增大偏置电阻R b。
C、先出现饱与失真,为避免上述现象的发生,应减小偏置电阻R b。
专升本《模拟电子技术》_试卷_答案
专升本《模拟电子技术》一、（共48题,共150分）1。
直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
（2分)A.电阻阻值有误差 B。
晶体管参数的分散性C。
晶体管参数受温度影响 D。
晶体管结电容不确定性。
标准答案：C2。
稳压二极管的有效工作区是（ )。
（2分）A。
正向导通区 B。
反向击穿区 C。
反向截止区 D。
死区。
标准答案：B3。
如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（）。
（2分）A。
放大状态 B。
微导通状态 C。
截止状态 D。
饱和状态。
标准答案:D4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。
（2分）A。
便于设计 B。
放大交流信号C.不易制作大容量电容 D。
不易制作大阻值的电阻。
标准答案：C5。
用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的（）. (2分）A。
抑制共模信号能力增强 B.差模放大倍数数值增大C。
差模输入电阻增大 D.差模输出电阻增大。
标准答案：A6。
半导体中PN结的形成主要是由于（）生产的。
（2分）A。
N区自由电子向P区的扩散运动B。
N区自由电子向P区的漂移运动C。
P区自由电子向N区的扩散运动D。
P区自由电子向N区的漂移运动标准答案：A7。
理想的功率放大电路应工作于( )状态. （2分）A。
甲类互补 B。
乙类互补 C。
甲乙类互补 D.丙类互补。
标准答案：C8。
NPN共射电路的Q点设置在接近于（）处将产生顶部失真。
(2分）A。
截止区 B.饱和区 C。
击穿区 D。
放大区。
标准答案:A9。
当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( ）。
（2分）A。
低通 B.高通 C。
带通 D。
带阻标准答案：C10。
差动放大电路的特点是抑制（）信号，放大（）信号。
(2分）A。
共模共模 B.共模差模C.差模差模 D。
差模共模。
标准答案：B11。
利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
（2分）（）。
山东电气自动化专升本电子技术复习-电子技术8套模拟题及答案
《模拟电子技术》模拟题1一、判断（10分）1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。
（）2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。
（）3、PN结具有单向导电特性。
（）4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。
（）5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
（）6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。
（）7、直流负反馈不能稳定静态工作点。
（）8、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（）9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。
（）10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。
（）二、选择（10分）1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。
A、3B、5C、2D、42、稳压管工作于 ( )状态下，可以稳定电压。
A、正偏导通B、反偏截止C、反向击穿3、三极管放大的外部条件 ( )。
A、正偏导通，反偏截止B、正偏截止，反偏导通C、正偏导通，反偏导通D、正偏截止，反偏截止4、既能放大电压，也能放大电流的电路 ( )。
A、共发射极B、共集电极C、共基级D、以上均不能K越大，表明电路（）。
5、共模抑制比CMRA、放大倍数越稳定；B、交流放大倍数越大；C、抑制温漂能力越强；D、输入信号中的差模成分越大。
6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（ ）反馈，为减小输出电阻，应引入（ ）反馈。
A 、电压 B 、电流 C 、串联 D 、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（ ）。
A 、RC 振荡电路B 、LC 振荡电路 C 、石英晶体振荡电路三、在图1所示的电路中，已知输入信号u i =5sin ωt V,试画出输出电压u o1和u o2的波形，设二极管为理想二极管。
（每题10分，共20分）R(a )(b )t图1四、简答题（每题5分，共10分）1.简述正弦波发生电路的组成结构、相位条件、幅度条件，以及起振条件。
《模拟电子技术》试卷(十套附答案)
《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级：姓名总分：一、填空（每空1分，共15分）1. 二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。
2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。
４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。
５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。
６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。
二、选择题（每空2分，共10分）1. 在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则（）。
A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。
Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声３. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。
Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联４. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。
电气及其自动化专升本模拟电子技术试题4
专升本复习题一、单选题 ( 每题 1 分 )1. 设图示电路工作于放大状态，当温度降低时，（）。
A ．三极管的 b 增大B ．三极管的 I CBO 增大C ． I CQ 增大D ． U CQ 增大2. 某放大电路f L =40Hz ， 3dB 带宽为 1MHz ，则下列哪种情况下输出会产生频率失真。
（）A. 输入 20Hz 正弦波信号B. 输入 2MHz 正弦波信号C. u i =[sin(2 π× 10 7 t )+10sin(2 π× 10 3 t )] mVD. u i =[sin(2 π× 10 5 t )+10sin(2 π× 10 3 t )] mV3. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）。
A. 增强型 PMOSB. 增强型 NMOSC. 耗尽型 PMOSD. 耗尽型 NMOS4. 图示电路中，出现下列哪种故障必使三极管截止（）。
A. R B1 开路B. R B2 开路C. R C 短路D. C E 短路5. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（）。
A. B. C. D.6. 欲对正弦信号产生 100 倍的线性放大，应选用（）运算电路。
A. 比例B. 加减C. 积分D. 微分7. 关于 BJT 放大电路中的静态工作点（简称 Q 点），下列说法中不正确的是（）。
A ． Q 点过高会产生饱和失真B ． Q 点过低会产生截止失真C ．导致 Q 点不稳定的主要原因是温度变化D ． Q 点可采用微变等效电路法求得8. 直接耦合电路中存在零点漂移主要是因为（）。
A. 晶体管的非线性B. 电阻阻值有误差C. 晶体管参数受温度影响D. 静态工作点设计不当9. 为了减小放大电路的输出电阻，应引入（）负反馈。
A. 直流B. 交流电流C. 交流电压D. 交流并联10. 在 PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当 PN 结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。
《模拟电子技术》课程简介
共发射极放大电路共集电极放大 电路正弦波振荡电路OTL互补对 称功率放大电路直流稳压电路
参考学时 理论 实验 学时 学时
13 7
12
11
6 5 3 5
20
五、课程的教学方法
● 在教学过程中， 强调尊重学生的主体作用和主动精神，注重开发学生的潜能，重点开展 互动教学，同时注意分层次 因材施教， 活跃教学气氛，激发学生的求知欲和潜质， 引 导学生主动学习。根据上述基本思想， 在实际的教学中，课程组主要通过三种渠道和方 式来贯彻落实：
●掌握模拟电子技术的基本概念、基本电路、基本 分析方法、基本实验技能 。
●具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的 能力，以及将所学电子技 术知识用于本专业的能力。
三、课程开发的主要特点
● 本课程开发与安徽省对口高考高校紧密结合，紧扣《考试大纲》，在课程 设计过程中要求与高校紧密联系，企业参与，一切以高校和企业的需要为 出发点，为了学生服务。主要讲解模拟信号的放大、产生、变换与处理等 相关知识。本课程注重知识的关联性，将知识点串成知识链,并且通过“问 题引导-问题分析-问题解决- 归纳总结”的思路进行教学； 从半导体基础 知识出发，以“器件-电路-应用”为主线，“兼顾分立，面向集成”来组 织教学内容，力求让同学们易懂易学。
半导体二极管半导体三极管场效 应管
单相整流电路具有稳定工作点的放大电路共
集、共基放大电路
反馈的基本概念负反馈对放大器 性能的影响振荡电路的基本概念
和原理石英晶体振荡器 直流放大器差分放大电路集成运
算放大器 功率放大的概念互补对称功率放
大器
直流稳压电源
脉冲的基本概念RC 波形变化电路 晶体管的开关特性
六、课程的考核评价
电气及其自动化专升本模拟电子技术试题6
一、单选题 ( 每题 1 分 )1. 放大电路如图所示，已知硅三极管的，则该电路中三极管的工作状态为（）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定2. 为了稳定放大倍数，应引入（）负反馈。
A. 直流B. 交流C. 串联D. 并联3. PN 结形成后，空间电荷区由（）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴4. 已知变压器二次电压为V ，负载电阻为 R L ，则半波整流电路流过二极管的平均电流为（）。
A. B. C. D.5. 甲类功率放大电路比乙类功率放大电路（）A ．失真小、效率高B ．失真大、效率低C ．管耗大、效率高D ．失真小，效率低6. 图示电路中，欲增大 U CEQ ，可以（）。
A. 增大 RcB. 增大 R LC. 增大 R B1D. 增大 b7. 引入（）反馈，可稳定电路的增益。
A. 电压B. 电流C. 负D. 正8. 交越失真是（）A ．饱和失真B ．频率失真C ．线性失真D ．非线性失真9. 对于 RC 桥式振荡电路，（）A ．若无稳幅电路，将输出幅值逐渐增大的正弦波B ．只有外接热敏电阻或二极管才能实现稳幅功能C ．利用三极管的非线性不能实现稳幅D ．利用振荡电路中放大器的非线性能实现稳幅10. 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入深度（）负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联二、判断题 ( 每题 2 分 )1. 采用单边带调幅是因为这种信号已完整地包含了要传输的信息，而由于抑制了载波和另一边带，因此能提高通信设备的功率利用率。
（）2. 由晶振电路、锁相环路和可变分频器构成的锁相频率合成电路，可以生成频率连续变化的信号。
（）3. 结构完全对称的差分放大电路，空载时单端输出电压放大倍数为双端输出时的一半。
（）4. 直接耦合的多级放大电路，各级之间的静态工作点相互影响；电容耦合的多级放大电路，各级之间的静态工作点相互独立。
电气及其自动化专升本模拟电子技术试题10
专升本复习演练一、单选题 ( 每题 1 分 )1. 对差分放大电路而言，下列说法不正确的为（）。
A ．可以用作直流放大器B ．可以用作交流放大器C ．可以用作限幅器D ．具有很强的放大共模信号的能力2. 关于 BJT 放大电路中的静态工作点（简称 Q 点），下列说法中不正确的是（）。
A ． Q 点过高会产生饱和失真B ． Q 点过低会产生截止失真C ．导致 Q 点不稳定的主要原因是温度变化D ． Q 点可采用微变等效电路法求得3. 深度负反馈的条件是指（）。
A. 1+AF<<1B. 1+AF>> 1 C . 1+AF<<0 D. 1+AF>>04. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的是负反馈。
A. 输入电阻增大B. 输出量增大C. 净输入量增大D. 净输入量减小5. 硅管正偏导通时，其管压降约为（）。
A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V6. 交越失真是（）A ．饱和失真B ．频率失真C ．线性失真D ．非线性失真7. 图示电路中，欲提高放大电路的电压放大倍数，可以（）。
A. 减小 RcB. 减小 R LC. 增大 R ED. 增大 R B28. 已知两共射极放大电路空载时电压放大倍数绝对值分别为 A 和 A ，若将它们接成两级放大电路，则其放大倍数绝对值（）。
A. A AB. A +AC. 大于 A AD. 小于 A A9. 设计一个两级放大电路，要求输入电阻为 1k Ω至 2k Ω，电压放大倍数大于 2000 ，第一级和第二级应分别采用。
A. 共射电路、共射电路B. 共源电路、共集电路C. 共基电路、共漏电路D. 共源电路、共射电路10. 某集成运放频率特性如图所示，则用于放大 100kHz 信号时能达到的最高电压放大倍数为（）。
A. 10B. 5000000 C . 50 D. 无法确定1. 二极管在工作频率大于最高工作频率 f M 时会损坏。
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一、单选（共20题,每题2分,共40分）
1.当半导体的温度升高后由于,以致其导电性能大幅度增强。
()
A.空穴数量增多
B.自由电子与空穴数量不变
C.自由电子与空穴同时增多，且数量相同
D.自由电子数量增多
2.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路。
()
A.U AO＝-6V，D1反偏截止D2正偏导通
B.U AO＝-6V，D1正偏导通D2反偏截止
C.U AO＝-12V，D1正偏导通D2反偏截止
D.U AO＝-12V，D1反偏截止D2正偏导通
3.当稳压型二极管工作在其伏安特性的时,其用途与普通二极管相当。
（）
A.反向区
B.死区
C.正向导通区
D.反向击穿区
4.如图所示的电路，以下结论正确的是。
（）
A.电路能实现复合管的作用，且=1+2。
B.电路能实现复合管的作用，且=12
C.电路不能实现复合管的作用
D.电路能实现复合管的作用，且1=2
5.下列电路中有可能正常放大的是：。
()
A. B.
C.
D.
6.图示的电路中，稳压管Dz1和Dz2的反向击穿电压分别为6V 和7V ，正向导通电压均为0.6V ，则输出电压为：。
（）
A.7V
B.6.6V
C.5.4V
D.6V
7.硅锗晶体二极管至少要高于约的电压才能正常工作。
()
A.0.4V
B.0.1V
C.0.7V
D.0.3V
8.共集电极放大电路的输出电压与输入电压的相位是:。
()
A.反相
B.不确定，需要通过实际计算才得到
C.同相
D.相差90
9.场效应管电流完全由组成，而晶体管的电流由组成。
因此，场效应管电流受温度的影响比晶体管。
（）
A.多子--多子--差不多
B.多子--少子--大
C.少子--多子--小
D.多子--两种载流子--小
10.如图所示的静态工作点及其放大电路，当输入的正弦信号逐渐增加时，放大电路的工作情况是：。
（）
A.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻Rb。
B.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻Rb。
C.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻Rb。
D.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻Rb。
11.根据反馈的采样特性，反馈可分为反馈。
()
A.串联和并联
B.直流和交流
C.正和负
D.电压和电流
12.三端集成稳压器CW7912的输出电压是。
()
A.9V
B.-12V
C.12V
D.7V
13.负反馈多用于。
()
A.提高电压增益
B.改善放大电路的性能
C.提高输出电压
D.产生振荡
14.某NPN型硅管，当其工作在放大状态时，电路中的三个电极电位U1、U2、U3应为下列哪组数据？（）
A.U1=3.5V，U2=2.8V，U3=12V。
B.U1=6V，U2=11.3V，U3=12V。
C.U1=6V，U2=11.8V，U3=12V。
D.U1=3V，U2=2.8V，U3=12V。
15.当PN给外加正向电压时，扩散电流漂移电流。
此时耗尽层。
()
A.大于--变窄
B.小于--变窄
C.等于--不变
D.大于--变宽
16.NPN型和PNP型晶体管的区别是。
()
A.掺入的杂质元素不同
B.由两种不同材料的硅和锗制成
C.载流子的浓度不同
D.P区和N区的位置不同
17.双极型晶体管只有当其发射结处于，而且集电结处于时，才处于截止状态。
()
A.反偏--正偏
B.反偏--反偏
C.正偏--正偏
D.正偏--反偏
18.场效应管放大作用的实质是。
()
A.把微弱的电信号加以放大
B.以弱电流控制强电流
C.以弱电压控制强电流，把直流电能转换为交流电能
D.以强电流控制弱电流
19.图示的共射极防大电路不能对交流信号放大的根本原因是。
（）
A.没有交流信号输出。
B.交流信号不能输入。
C.发射结和集电结的偏置不正确。
D.没有合适的静态工作点。
20.当某电路要求输出信号的频率不高于420Hz ，可采用。
（）
A.带阻滤波器
B.高通滤波器
C.低通滤波器
D.带通滤波器
二、判断 （共5题,每题4分,共20分）
1.一个放大电路只要接成负反馈，就一定能改善性能。
（）
2.
对于一个反馈放大电路，反馈系数
越大，越容易产生自激振荡。
（）
3.没有信号输入的状态即为电路的静态。
（）
一、单选 （共20题,每题2分,共40分）
1.标准答案：C
2.标准答案：A
3.标准答案：C
4.标准答案：B
5.标准答案：A
6.标准答案：C
7.标准答案：C
8.标准答案：C
9.标准答案：D 10.标准答案：B 11.标准答案：D 12.标准答案：B 13.标准答案：B 14.标准答案：A
F
15.标准答案：A
16.标准答案：D
17.标准答案：B
18.标准答案：C
19.标准答案：A
20.标准答案：C
二、判断（共5题,每题4分,共20分）
1.标准答案：正确。
2.标准答案：错误。
3.标准答案：正确。
一、单选（共10题,每题2分,共20分）
1.稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在_______状态。
A.小于
B.反偏
C.正偏
D.大于
2.
分析线性运算放大器电路的两个依据是_________。
3.当共射极放大电路的交流输出信号波形的上半周出现失真时，称之为______。
A.截止失真
B.饱和失真
C.交越失真
D.过调失真
4.为了使放大器带负载能力强，一般引入_________负反馈。
A.并联
B.串联
C.电流
D.电压
5. 用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是______。
A.（C、B、E）
B.（E、C、B）
C.（B、C、E）
D.（B、E、C）
6.共集电极放大电路的反馈组态是_____负反馈。
A.电流串联负
B.电流并联
C.电压并联
D.电压串联
7. 振荡器的输出信号最初由_______而来的。
A.干扰或噪声
B.反馈环节
C.基本放大器
D.选频网络
8. 差分放大电路是为了______而设置的。
A.增大Ri
B.抑制零点漂移
C.放大信号
D.稳定
9.差分放大电路上的直流电流近似等于单管集电极电流的___倍。
A. 2
B. 0.5
C. 3
D. 1
10. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo 为变压器次级端电压U2z 的_________倍。
A. 1.1
B. 1.2
C. 0.9
D. 0.45
二、填空 （共5题,每题2分,共10分）
1.P 型杂质半导体中，空穴为_____载流子，自由电子为_______载流子。
2.由漂移形成的电流是反向电流，它由____流子形成，其大小决定于_____，与外电场的大小_______。
3.晶体三极管的集电极电流Ic 是基极电流Ib 的_____倍，所以它是_____控制元件。
4.稳压二极管工作时是处于_____偏置状态，而二极管导通时是处于_____偏置状态。
5.PN 结的P 区接高电位，N 区接低电位称为______反之称为________。
四、计算 （共3题,每题20分,共60分）
1.电路如图所示，设A1、A2为理想运放。
1) 指出电路中存在哪些反馈，并判断反馈类型？ 2) 求o 的表达式。
一、单选 （共10题,每题2分,共20分）
1.标准答案：B
2.标准答案：B
3.标准答案：A
4.标准答案：D
5.标准答案：B
6.标准答案：D
7.标准答案：A
8.标准答案：B
9.标准答案：A
v
10.标准答案：C
二、填空 （共5题,每题2分,共10分）
1.标准答案：多数|少数
2.标准答案：少数|温度|无关
3.标准答案：
|电流
4.标准答案：反向|正向
5.标准答案：正偏|反偏
四、计算 （共3题,每题20分,共60分）
1.标准答案： 1)
2)
i 3421i234O i
211R2i22
i R2)1()R 1(R V R R R R V R V V R R R I V V I +⋅-=+
=⋅-=⋅-==。