模拟电子技术课程习题 第二章 基本放大电路
模电综合复习题
模电综合复习题中国石油大学现代远程教育《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件dfadasfds 一、选择sdasdasda[ A ]asdasdasdasdasd A. B. C. D.NPN型硅管PNP型硅管NPN型锗管2V 6V PNP型锗管1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]asdasdasdas A.饱和 B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ C ] =2mA 2mA D.不能确定4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ B ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[ C ] A.放大特性 B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ B ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7、下列选项中，不属三极管的参数是[ B ] A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM 8、温度升高时，三极管的β值将[ A ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 9、在N型半导体中，多数载流子是 [ A ]中国石油大学现代远程教育A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大11、在P型半导体中，多数载流子是[ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质四、 asdasdsafsdafsadfas在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。
已量出I1=-，I2=-，I3=。
此可知：1、电极①是 C 极，电极②是 B 极，电极③是 E 极。
模拟电子技术基础课后习题答案
第2章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)(总13页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--6第2章 半导体三极管及其基本放大电路一、填空题2．1 BJT 用来放大时，应使发射结处于 偏置，集电结处于 偏置；而工作在饱和区时，发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。
2．2 温度升高时，BJT 的电流放大系数β ，反向饱和电流CBO I ，发射结电压BE U 。
2．3用两个放大电路A 和B 分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，O B O A U U =；都接人负载L R 电阻时，测得O B O A U U 〈，由此说明，电路A 的输出电阻比电路B 的输出电阻 。
2．4对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用组态；若希望带负载能力强，应选用 组态；若希望从信号源索取电流小，应选用 组态；若希望高频性能好，应选用 组态。
2．5 FET 是通过改变 来改变漏极电流(输出电流)的，所以它是一个 器件。
2．6 FET 工作在可变电阻区时，D i 与D S u 基本上是 关系，所以在这个区域中，FET 的d 、s 极间可以看成一个由GS u 控制的 。
2．7 FET 的自偏压电路只适用于 构成的放大电路；分压式自偏压电路中的栅极电阻S R 一般阻值很大，这是为了 。
二、选择正确答案填写(只需选填英文字母)2．8 BJT 能起放大作用的内部条件通常是：(1)发射区掺杂浓度 (a 1．高，b 1．低，c 1．一般)；(2)基区杂质浓度比发射区杂质浓度 (a 2．高，b 2．低，c 2．相同)，基区宽度(a 3．高，b 3．窄，c 3．一般)；集电结面积比发射结面积 (a 4．大，b 4．小，c 4．相等)。
2．9 测得BJT I B =30μA 时，I C = mA ；I B =40μA 时，I C =3 mA ，则该管的交流电流放大系数β为 (a ．80，b ．60，c ．75)。
模拟电子技术基础第四版习题解答
图T1.3解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，?=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k ?时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BE B bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
图T1.5(2)∵ 2.86CC BE CS cV U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BSV U R k I -==Ω 六、测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。
试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3解：波形如解图Pl.3所示。
1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
《模拟电子技术基础》习题册
第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应 。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。
电子技术基础第二章 基本放大电路
图2.3.4 基本共 （2）输出电路方程：uCE=VCC-iCRc
图2.3.5 用图解法求解静态工作点和电压放大倍数
二、电压放大倍数的分析 当加入输入信号△uI时，输入回路方程为 uBE=VBB+ △uI-iBRb
Q点高，同样的△uI产生的△iB越大，因而Au大。 Rc变化时，影响负载线的斜率，从而影响Au的大小。
图2.1.1 扩音机示意图
2.1.2
放大电路的性能指标
图2.1.2 放大电路 的示意图
一、放大倍数
二、输入电阻
三、输出电阻
根据图2.1.2有
输入电阻和输出电阻是影响多级放大电路 连接的重要参数。
图2.1.3
两个放大电路的连接
四、 通频带
通频带用于衡量放大电路对不同频率 信号的放大能力。
图2.1.4 fbw=fH-fL
2、输入电阻Ri 3、输出电阻Ro 分析输出电阻，也可令其信号源电压 ，但 保留其内阻Rs。然后在输出端加一正弦波测试信 号Uo，必然产生动态电流Io， 为恒压源，其内 阻为0，且 =0时， =0， =0，所以
2.4
放大电路工作点的稳定
2.4.1 静态工作点稳定的必要性
图2.4.1
2.4.2 典型的静态工作点稳定电路 一、电路组成和Q点稳定原理
图2.4.2 静态工作点稳定电路 (a) 直接耦合 (b) 阻容耦合 (c) 直流通路
B点的电流方程为 I2=I1+IBQ 一般选择 I1» IBQ 所以, I2I1 B点电位为
五、非线性失真系数
六、最大不失真输出电压
当输入电压再增大就会使输出波形 产生非线性失真时的输出电压。此时的 非线性失真系数要被定义，如10%。
七、最大输出功率与效率
模拟电子技术基础-课程作业
教材 模拟电子技术基础（第四版） 清华大学模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。
(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。
(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。
(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4若将PN 结短接，在外电路将( c )。
(a)产生一定量的恒定电流 (b)产生一冲击电流 (c)不产生电流5电路如图所示，二极管D 1、D 2为理想元件，则在电路中( b )。
(a)D 1起箝位作用，D 2起隔离作用 (b)D 1起隔离作用，D 2起箝位作用 (c)D 1、D 2均起箝位作用 (d)D 1、D 2均起隔离作用D 1V 2V u O6二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而( a )。
(a)增大(b)减小 (c)不变7电路如图所示，二极管型号为2CP11，设电压表内阻为无穷大，电阻R =5k Ω，则电压表V 的读数约为( c )。
(a)0.7V (b)0V (c)10VR8电路如图所示，二极管D 为理想元件，输入信号u i 为如图所示的三角波，则输出电压u O的最大值为( c )。
(a)5V (b)10V (c)7VDu O9电路如图所示，二极管为理想元件，u i =6sin ωt V ，U =3V ，当ωt =π2瞬间，输出电压 u O 等于( b )。
(a)0V (b)6V(c)3VDu O10电路如图所示，二极管D 1，D 2，D 3均为理想元件，则输出电压u O ＝( a )。
(a)0V (b)－6V (c)－18V0V3--11电路如图所示，设二极管D1，D2为理想元件，试计算电路中电流I1，I2的值。
23k+-答：D1导通、D2截止.所以：I1=（12V+3V）/ 3k=5mA I2=012电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压uO的波形，并说明t1,t2时间内二极管D1，D2的工作状态。
模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路
在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ] A．差分放大电路 B．共基电路C．共射电路 D．共集电路晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性对于图所示的复合管，穿透电流为（设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）A.ICEO = ICEO2ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =（1+2）ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图 [ ]在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ ] B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真对于基本共射放大电路， Rb 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在基本共射放大电路中，信号源内阻RS 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。
模拟电子技术基础第二章练习题
模拟电⼦技术基础第⼆章练习题注意：答案仅供参考！⼀、填空题1. 半导体三极管属于电流控制器件，⽽场效应管属于电压控制器件。
2. 放⼤器有两种不同性质的失真，分别是线性失真和⾮线性失真。
3. 共射极放⼤电路中三极管集电极静态电流增⼤时，其电压增益将变⼤；若负载电阻R L 变⼩时，其电压增益将变⼩。
4. 单级共射极放⼤电路产⽣截⽌失真的原因是静态Ic 偏⼩；产⽣饱和失真的原因是 Ic 偏⼤；若两种失真同时产⽣，其原因是输⼊信号太⼤。
5.静态⼯作点Q 点⼀般选择在交流负载线的中央。
6.静态⼯作点Q 点选得过低会导致截⽌失真；Q 点选得过⾼会导致饱和失真。
7.对于下图所⽰电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω，V BE =，V CE （sat ）=,当β=50，静态电流I BQ = 22µA ，I CQ = ，管压降V CEQ = ；若换上⼀个当β=80，静态电流I BQ = 22µA ，I CQ = ，管压降V CEQ = ，三级管⼯作在饱和状态。
8.对于下图所⽰电路，设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =，若要求静态电流I CQ =2mA ，V CEQ =4V ，则电路中的R b = k Ω，R C = 4 k Ω。
9.对于下图所⽰电路，已知VCC =12V，Rb1=27 kΩ，Rc=2 kΩ,Re=1 kΩ,VBE=,现要求静态电流ICQ =3mA，则R= 12 kΩ。
10.已知图⽰的放⼤电路中的三级管β=40，VBE =，稳压管的稳定电压VZ=6V，则静态电流IBQ = ，ICQ= 11mA ，管压降VCEQ= 3V 。
11. 当环境温度升⾼时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放⼤系数β增⼤，穿透电流ICEO 增加，当IB不变时，发射结正向压降|UBE| 减⼩。
12.若下图所⽰放⼤电路在冬天调试时能正常⼯作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增⼤，这时发⽣的失真是饱和失真，失真的主要原因是由于夏天室温升⾼后，三级管的 ICBO 、 V和β三个参数的变化，引起⼯作点上移；输出波形幅度增⼤，则是因为β参数随温度升⾼⽽增⼤所造成，输出波形幅度增⼤也是引起失真的⼀个原因。
模拟电子技术习题答案
模拟电⼦技术习题答案模拟电⼦技术习题答案电⼯电⼦教学部第⼀章绪论⼀、填空题：1. ⾃然界的各种物理量必须⾸先经过传感器将⾮电量转换为电量，即电信号。
2. 信号在频域中表⽰的图形或曲线称为信号的频谱。
3. 通过傅⽴叶变换可以实现信号从时域到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的振幅随⾓频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的相位随⾓频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由直流分量、基波分量以及⽆穷多项⾼次谐波分量组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号称为数字信号。
9. 放⼤电路分为电压放⼤电路、电流放⼤电路、互阻放⼤电路以及互导放⼤电路四类。
10. 输⼊电阻、输出电阻、增益、频率响应和⾮线性失真等主要性能指标是衡量放⼤电路的标准。
11. 放⼤电路的增益实际上反映了电路在输⼊信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量的能⼒。
12. 放⼤电路的电压增益和电流增益在⼯程上常⽤“分贝”表⽰，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益、dB lg 20i A =电流增益。
13. 放⼤电路的频率响应指的是，在输⼊正弦信号情况下，输出随输⼊信号频率连续变化的稳态响应。
14. 幅频响应是指电压增益的模与⾓频率之间的关系。
15. 相频响应是指放⼤电路输出与输⼊正弦电压信号的相位差与⾓频率之间的关系。
⼆、某放⼤电路输⼊信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少属于哪⼀类放⼤电路解：Ω105A10V50pA 10mV 5001011i o r ?====-.i v A 属于互阻放⼤电路三、某电唱机拾⾳头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少如果在拾⾳头与扬声器之间接⼊⼀个放⼤电路，它的输⼊电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
模拟电子技术习题解
2.6 晶体管＝50，VCC＝12V，晶体管饱和管压降
UCES＝0.5V。
解：设UBE＝0.7V。则
（1）正常情况：基极静态电流
IB
VCC UBE Rb2
UBE Rb1
0.022mA
U CV C CIC R c6.4V
)
26mV IEQ
Ui
2.73k
R b1
R b2
rbe
Ib RL
Uo
A urbe (R (1 c∥ R)LR )f 7.7
Rf
Rc
R i R b ∥ 1 R b ∥ 2 [ r b e ( 1 ) R f] 3 .7 k
Ro Rc 5k
（2）若电容Ce开路，对Q点没有影响，但影响交流 参数。
∥R3 rbe
Ro R2∥R3
Ri rbe∥R1
2.15 试求出图P2.3（b）所示电路Q点、 Au 、Ri和Ro
(9)Ro 5k
(10 )Ro2.5k
(1)1U s 20 mV (12 )U s 60 mV
2.6 电路如图P2.6所示，已知晶体管＝50，在下列情
况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别
为 多 少 ？ 设 VCC ＝ 12V ， 晶 体 管 饱 和 管 压 降 UCES ＝ 0.5V。
电容Ce开路的微变等效电路：
Ib Ic
Au RfRL' Re
1.92
Ui
R b1
R b2
rbe
Ib RL
Uo
Au 下降
Rf
Rc
Re
R i R b ∥ 1 R b ∥ 2 [ r b e ( 1 ) R f( R e ) 4 ] . 1 k
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第二章基本放大电路
在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ]
A.共射放大电路
B.共基放大电路
C.共集放大电路
D.不能确定
在基本共射放大电路中，负载电阻R L减小时，输出电阻R O将[ ]
A.增大
B.减少
C.不变
D.不能确定
在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ]
A.共射放大电路
B.共基放大电路
C.共集放大电路
D.不能确定
在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路
B 共基电路
C 共集电路
D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ]
A.共射放大电路
B.共基放大电路
C.共集放大电路
D.不能确定
在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ]
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.频率失真
以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ] A．差分放大电路B．共基电路
C．共射电路D．共集电路
晶体三极管的关系式i E=f(u EB)|u CB代表三极管的
A.共射极输入特性
B.共射极输出特性
C.共基极输入特性
D.共基极输出特性
对于图所示的复合管，穿透电流为（设I CEO1、I CEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）
A.I CEO= I CEO2I CEO
B.I CEO=I CEO1+I CEO2
C.I CEO=（1+2）I CEO1+I CEO2
D.I CEO=I CEO1 图[ ] 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正
弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是 [ ]
B. 饱和失真 B.截止失真
C.交越失真
D.频率失真
对于基本共射放大电路， R b 减小时，输入电阻R i 将 [ ]
A.增大
B.减少
C.不变
D.不能确定 在基本共射放大电路中，信号源内阻R S 减小时，输入电阻R i 将 [ ]
A.增大
B.减少
C.不变
D.不能确定
在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是 [ ]
A.共射放大电路
B.共基放大电路
C.共集放大电路
D.不能确定 在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是 [ ]
A.共射放大电路
B.共基放大电路
C.共集放大电路
D.不能确定
某放大电路的负载开路时的输出电压为4V ，接入3K 的负载电阻后输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为 。
双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 、集电结 。
对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(a.增大，b.减小，c.不变)，选择正确的答案填入空格。
1、R b 减小时，输入电阻R i 。
2、R b 增大时，输出电阻R o 。
3、信号源内阻R s 增大时，输入电阻R i 。
4、信号源内阻R s 减小时，电压放大倍数|||
|o us s U A U = 。
5、负载电阻R L 增大时，电压放大倍数||||o us s
U A U = 。
6、负载电阻R L 减小时，输出电阻R o 。
选择正确的答案填空。
1、复合管的额定功耗是 。
(a.各晶体管额定功耗之和；b.前面管子的额定功耗；c.后面管子的额定功耗；d.各晶体管额定功耗的平均值)
2、复合管的反向击穿电压等于 。
(a.各晶体管反向击穿电压之和；b.前面管子的反向击穿电压；c.后面管子的反向击穿电压；d.各晶体管反向击穿电压
值中的较小者)
3、复合管的集电极最大允许电流等于。
(a.各晶体管集电极最大允许电流之和；b.前面管子的集电极最大允许电流；c.后面管子的集电极最大允许电流；
d.各晶体管集电极最大允许电流值中的较小者)
4、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下测得A的输出电压小。
这说明A的。
a.输入电阻大
b.输入电阻小
c.输出电阻大
d.输出电阻小
在实验桌上放有下列仪器：
A、WQ-2-A型直流稳压电源：输出电压在0~30V范围内可调；
B、FG-163型函数发生器：可产生正弦波、三角波、方波等信号，频率范围为~20MHz，输出电阻约为50Ω；
C、DA-16型晶体管毫伏表：频率范围为20Hz~1MHz，输入电阻在频率为1kHz 时大于1MQ，输入电容为50~70pF；
D、DT-830型数字万用表：交、直流挡的输入电阻均为10MΩ
，交流电压挡的频率范围45~500Hz，输入电容为100pF；
E、CS-1830型示波器：频率范围为0~30MHz，输入电阻为1MΩ
，输入电容为23pF。
问测量放大电路的下列性能指标需用哪些仪器设备（只需写出上述仪器设备的标号，如A、B等）
1、静态工作点：
2、电压放大倍数：
3、输入电阻：
4、输出电阻：
5、上限截止频率（预计约1MHz）：
为了测量交流放大电路的电压放大倍数，需要在放大电路的输入端加进10mV 的正弦信号。
问下列几种获取信号的方法是否正确为什么
1、调整信号发生器的电压幅度，利用信号发生器上的表头指示和衰减倍数产生10mV的正弦电压，然后将它加到放大电路的输入端。
2、调整信号发生器的电压幅度，利用晶体管毫伏表测量其输出端电压，从而得到10mV信号。
然后将它接到放大电路的输入端。
3、先将尚无输出电压的信号发生器连接到放大电路的输入端，然后由小到大地调节信号源的电压幅度，用晶体管毫伏表测量其大小，使之达到10mV。
某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系，在线性放大条件下对同一个电路测了四级数据。
试找出其中错误的一组。
=，U i=10mV，U o=
=，U i=10mV，U o=
=，U i=10mV，U o=
=2mA，U i=10mV，U o=
判断下列说法是否正确，对的画√，错的画×。
1、晶体管的输入电阻r be是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。
（）
2、在基本共射放大电路中，若晶体管的β增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。
（）
3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1，故不能用来实现功率放大。
（）
4、只有当两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管）时才能组成复合管。
（）
5、复合管的类型（NPN或PNP）与组成它的最前面的管子类型相同。
（）
6、只要把两个晶体管的复合管，一定可以提高管子的输入电阻。
（）
7、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。
（）
8、复合管的空透电流等于组成它的各晶体管的空透电流之和。
（）
9、两个同类晶体管（例如都是NPN管）复合，由于两管的U BE叠加，受温度的影响增大，所以它产生的漂移电压比单管大。
（）
10、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以两个场效应管不能组成复合管。
（）
11、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以场效应管与双极型晶体管也不能级成复合管。
（）用两个晶体管分别组成下面的两种复合管：
1、输入电阻与单管相同的NPN型复合管；
2、输入电阻明显增大的PNP型复合管。
3、用一个NPN和一PNP型晶体管，分别组成一个NPN和一个PNP型的复合管；
4、用两个NPN型晶体管组成一个NPN型的复合管。
通常功率管的电流放大系数β较小，而小功率管的β较大，现需要一个β较大而基-射极电压UBE温漂较小的NPN型大功率管，拟采用复合管的结构来实现。
试画出该复合管的接线图。
设图所示电路中各电容对交流信号可视为短路，晶体管的=50，r bb’=200,U BEQ=,
求：
1）静态工作点I CQ、U CEQ各为多少
2）输入电阻Ri ,输出电阻Ro各为多少
3）电压放大倍数Au为多少
图
在图的电路中，T1、T2特性相同，且很大，求I C2和U CE2 的值。
设U BE=。
图
判断如图、b所示电路是否可能对正弦信号实现放大，不能放大的说明原因。
图图
2．28设图所示电路中各电容对交流信号可视为短路，晶体管的β=50,r bb’=200Ω,U BEQ=,求:
①.求静态工作点I CQ=
②.该电路的输入电阻Ri输出电阻Ro各为多少
③.该电路的电压放大倍数Au为多少
图
在右图所示电路中，设Vcc=12V，Rc=Ω，R1=R2=150KΩ，Rs=300Ω，R L=∞，晶体管的=49，r bb’=300Ω，U BE=，设各电容对交流信号均可视为短路。
1．估算静态工作点I CQ和U CEQ；
2．画出该电路的简化h参数微变等效电路；
3．计算出A U=U O/U i、A US=U O/U S、R i和R O的值；
4．若将C3开路，试问对该电路的Q点、A US 、R i和R o有何影响
图
指出并改正图电路中的错误使电路能够正常放大信号。
图。