模拟电子技术》复习题
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
模拟电子技术复习题
一、填空题1、半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物体。
2、N型半导体也称为型半导体。
3、PN结具有单向导电性，即加_正向____电压时，PN结导通；加__反向___电压时，PN结截止。
4、三极管在放大区内，发射结正向偏置，而集电结反向偏置。
5、三极管与二极管的最大不同之处就是它具有电流放大作用，二极管具有单向导电性。
6、三极管对外引出电极分别是基极、集电极和发射极。
7、静态工作点Q点设置过低将会产生截止失真，设置过高将会产生饱和 _失真，这些失真都称为非线性失真。
8、多级放大器常用的耦合方式有___直接耦合____、__变压器耦合_和__阻容耦合______三种形式。
10、串联负反馈使输入电阻增大，并联负反馈使输入电阻减小。
11、自然界中的物质按其导电的能力强弱可分为导体、半导体和绝缘体。
12、电子和空穴同时参与导电，是半导体导电的重要特性。
15、三极管在正常工作时的发射结压降变化不大，硅管的约为0.7 V，锗管的约为0.3 V。
16、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
17、三极管的内部结构是由基区、集电区、发射区，有两个PN结，分别是集电结和发射结组成的。
18、某三级放大电路中，测得A U1=20，A U2=20，A U3=50，总的放大倍数是_____20000______。
19、工程中，通常把反馈深度1+AF>>1时的反馈称为深度负反馈。
20、电压负反馈使输出电阻减小，电流负反馈使输出电阻增大。
21．两个大小相等、方向相反的信号叫共模信号；两个大小相等、方向相同的信号叫差模信号。
22．差动放大电路的电路结构应对称，电阻阻值应相等。
23．选用差动放大电路的原因是 .24.在多个输入信号的情况下,要求各输入信号互不影响,宜采用__反相输入______方式的电路;如要求能放大两信号的差值,又能抑制共模信号,采用___差动输入__方式电路.25.由集成运放组成电路如图P4.1所示.其中图a是___D_____，图b是_____B___;图C是___C__。
模拟电子技术综合复习
4.放大电路的输入电压 Ui=10mV，输出电压 UO=1V，该放大电路的电压放大倍数为 -100 ， 电压增益为 40 dB。
5.集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输
出端 相同 ，后者的极性与输出端 相反 。 6.理想运算放大电器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为
2. 在单相桥式整流电路中，若将 4 只二极管全部反接，试分析对输出有何影响？若将其中的 1 只二极管反接，对输出有何影响？
VT1 VT2
V1
VT4
V2
VT3
+
R uo
-
六、计算题
= 100，RS= 1 k，RB1= 62 k，RB2= 20 k, RC= 3 k，RE = 1.5 k，RL= 5.6 k，VCC = 15 V。 求：“Q”，Au，Ri，Ro。
（√ ）
10.乙类互补对称功率放大电路产生的失真是交越失真。
（ √）
四、判断三极管工作状态（每小题 4 分，共 12 分）
-5V
-1.7 V
3.3V 3.7V
6V 2V
-2V
3V
a.（截止
） b.（ 饱和 ）
3V
c.（ 截止
）
五、分析题（每小题 9 分，共 18 分）
1. 试分析图示电路中，级间交流反馈 是正反馈还是负反馈，是电压反馈还是电 流反馈，是串联反馈还是并联反馈？
（ ×）
2.二极管在工作电流大于最大整流电流 IF 时会损坏。 3.三极管基极为高于发射极电位，三极管一定处于放大状态。
（√ ） （ ×）
4.放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无关。（ × ）
模拟电子技术期末复习试题及答案
《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。
为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。
9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。
10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。
11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。
12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。
13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。
15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共30分）1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（）A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术综合复习题(有答案)
1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
变宽 D. 无法确定。
反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
B. 前者正偏、后者反偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将 A 。
A.增大B.不变C.减小D. 都有可能14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。
16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。
A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负，也可为零18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。
A.可变电阻（欧姆）区B.截止区C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。
D.电压控制电流21、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术复习题
模拟电子技术复习题1、什么是N型半导体？P型半导体？2、在图示电路中，已知变压器副边电压有效值U2，变压器内阻和二极管导通电压均可忽略不计，R << R L（R为电感线圈电阻），u D波形如图所示，试述下图的工作原理已经U2,UD,UO间的关系。
3功率放大电路的分类？给出OCL,OTL的电路图及工作原理。
乙类功放有什么缺点，如何改进，给出改进后电路图及原理。
5、图中VT为小功率硅晶体管，当R b不同，VT可能处于放大、饱和、截止状态，把不同状态下基射极电压U BE、集射极电压U CE的大致数值范围填入表内。
晶6、差分放大电路如图所示。
各晶体管参数相同，当环境温度（T）变化，如温度升高（用T表示），在分析该电路抑制温漂，稳定工作电流原理后，用箭头（增大用表示，减小用 表示）填画下列各电量后的括号：T（）→I＝I C2（）→U B4＝U B5（）→U B3（）→I E3（）→I C1＝I C2 C1（）。
7、图（a）所示为某电路的方框图，已知u I、u O1～u O3的波形如图（b）所示。
将各电路的名称分别填入空内：1．电路1为；2．电路2为；3．电路3为。
8、图（a）所示电路中，A为理想运算放大器，其输出电压的最大幅度为V；输入信号、的波形如图（b）所示。
试画出的波形。
9、已知图示电路中晶体管的＝120，，U＝0.7V，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。
1．若要求静态电流＝1.5mA，估算的值；2．求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。
10、某放大电路的低频段交流等效电路如图所示，求放大电路的下限截止频率f L。
11、某放大电路电的折线近似波特图如图所示，试问该放大电路是同相放大电路还是反向放大电路，它的上限截止频率、下限截止频率和通频带宽度各为多少？12、反馈放大电路如图所示，设电容器对交流信号均可视为短路。
1．指出级间交流反馈支路、极性和组态及其对输入电阻、输出电阻的影响；2．写出深度负反馈条件下、、的表达式。
模拟电子技术复习资料
《模拟电子技术》复习资料一.选择题1.1在单级共射极放大电路中，输入电压信号和输出电压信号的相位是 B 。
A.同相B.反相C.相差90º1.2在单相桥式整流（有滤波时）电路中，输出电压的平均值U O与变压器副边电压有效值U2应满足 D 关系。
A.U0=0.45U2B.U0=1.4U2C.U0=0.9U2D.U0=1.2U21.3半导体的特性不包括 D 。
A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.遗传性1.4在分压式偏置放大电路中，除去旁路电容C E，下列说法正确的是 D 。
A.输入电阻减小B.静态工作点改变C. 电压放大倍数增大D.输出电阻不变1.5晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构 B 。
A.发射区B.截止区C.基区D.集电区1.6集成运放制造工艺使得同类半导体晶体管的 C 。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C．参数一致性好1.7工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为 A 。
A. U BE>0，U BC<0B. U BE>0，U BC>0C. U BE<0，U BC<0D. U BE<0，U BC>01.8在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 A 。
A. 1.4VB. 4.6VC. 5.3VD. 6V1.9在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是 A 。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.10在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 C 。
A. 1.4VB. 4.6VC. 0.7VD. 6V1.11半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为 B 。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.12二极管的用途不包括 D 。
模拟电子技术复习题(填空选择)
填空题1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th 约为0.5伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ增大，I CQ增大，U CEQ减小。
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《模拟电子技术》复习一、选择题：1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、2.7V，则该BJT三个电极分别是 C 。
（A） B、C、E （B）.C、B、E （C）E、C、B2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V，则该BJT三个电极分别是 B 。
（A） B、C、E （B）.C、E、B （C）E、C、B3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为VC =6V，VB=0.7V，VE=0V，则该管子工作在A 。
（A）放大区（B）截止区（C）饱和区4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为VC =6V，VB=4V，VE=3.6V，则该管子工作在B 。
（A）放大区（B）截止区（C）饱和区5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。
（A）正向导通（B）反向截止（C）反向击穿6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
（A）增大（B）减小（C）不变7. 工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β值约为 C 。
（A）83 （B）91 （C）1008. 三极管放大电路的三种组态中， B 组态的电压放大倍数总是略小于1。
（A）共射（B）共集（C）共基9. 共射极放大电路的交流输出波形正半周失真时为 B 。
（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真10.共射极放大电路的交流输出波形负半周失真时为 A 。
（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真11.差分式放大电路是为了 C 而设置的。
（A）稳定电压增益（B）放大信号（C）抑制零点漂移12.共模抑制比是差分式放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路 A 能力。
（A）放大差模抑制共模（B）输入电阻高（C）输出电阻低13.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 B 。
（A）差模电压增益增大（B）抑制共模信号的能力增强（C）差模输入电阻增大14.差分式放大电路的共模信号是两个输入端信号的 C 。
（Ａ）差值（Ｂ）和值（Ｃ）平均值15.将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成双端输入-双端输出时，其差模放大倍数将 A 。
（A）不变（B）增大一倍（C）减小一半16.将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成单端输入-单端输出时，其差模放大倍数将C 。
（A）不变（B）增大一倍（C）减小一半17.为了放大变化缓慢的小信号，放大电路应采用____A 耦合方式。
（A）直接（B）阻容（C）变压器18.为了抑制共模信号，输入级应采用____C_ 。
（A）共射放大电路（B）共集放大电路（C）差分放大电路19.直流负反馈是指____C___。
（A）只存在于直接耦合电路中的负反馈（B）放大直流信号时才有的负反馈（C）直流通路中的负反馈20.交流负反馈是指___A____。
（A）交流通路中的负反馈（B）放大正弦信号时才有的负反馈（C）只存在于阻容耦合及变压器耦合电路中的负反馈21.为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 B 。
（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈22.为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 C 。
（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈23.要使放大器向信号源索取电流小，同时带负载能力强，应引入 A 。
（A）电压串联（B）电压并联（C）电流串联24.振荡器的输出信号最初由 C 而来的。
（A）基本放大器（B）选频网络（C）干扰或噪声信号25.从结构上来看，正弦振荡电路是一个 B 。
（A）有输入信号的负反馈放大器（B）没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器（C）没有输入信号的不带选频网络的正反馈放大器26. 正弦波振荡电路中正反馈网络的作用是 A 。
（A）保证电路满足相位平衡条件（B）提高放大器的放大倍数（C ）保证放大器满足幅值条件27.在RC 文氏桥正弦波振荡电路中，为了满足振荡的相位平衡条件，放大电路的输出信号与输入信号的相位差的适合值为 C 。
（A ）90° （B ）180° （C ）360°28.两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。
（A ）β （B ）β2 （C ）2β29.两级放大电路，Au1=-40，Au2=-50，若输入电压U1=5mv ，则输出电压Uo 为 C 。
（A ）-200mv （B ）-250mV （C ）10V30.一个放大器由两级相同的放大器组成，已知它们的增益分别为30dB 和40dB ，则放大器的总增益为 C 。
（A ）30dB （B ）40dB （C ）70dB 31.为了从信号中提取高频部分，应选用 C 。
（A ）低通滤波器 （B ）带阻滤波器 （C ）高通滤波器 32.为防止50Hz 电网电压干扰混入信号之中，应选用 B 。
（A ）低通滤波器 （B ）带阻滤波器 （C ）高通滤波器 33.为获取信号中的直流成分，应选用 A 。
（A ）低通滤波器 （B ）带阻滤波器 （C ）高通滤波器 34.收音机用于选台的滤波器应为 C 。
（A ）低通滤波器 （B ）高通滤波器 （C ）带通滤波器35.若电源变压器次级电压有效值为10V ，其内阻和二极管的正向电阻可忽略不计，整流电路后无滤波电路。
若采用半波整流电路，则输出电压平均值()≈AV O U C 。
（A ）12V （B ）9V （C ）4.5V36.若电源变压器次级电压有效值为10V ，其内阻和二极管的正向电阻可忽略不计，整流电路后无滤波电路。
若采用桥式整流电路，则输出电压平均值()≈AV O U B 。
（A ）12V （B ）9V （C ）4.5V37.桥式整流电路中二极管所承受的最大反向电压 B 半波整流电路中二极管所承受的最大反向电压。
（A ）大于 （B ）等于 （C ）小于38.桥式整流电路输出电压的交流分量 C 半波整流电路输出电压的交流分量。
（A ）大于 （B ）等于 （C ）小于 39.理想二极管在半波整流电容滤波电路中的导通角为 A 。
（A ）小于180° （B ）等于180° （C ）大于180° 40.为了工作在线性工作区，应使集成运放电路处于 B 状态。
（A ）正反馈 （B ）负反馈 （C ）正反馈或无反馈 41.为了工作在非线性工作区，应使集成运放电路处于 C 状态。
（A ）正反馈 （B ）负反馈 （C ）正反馈或无反馈 42.关于理想集成运放的输入电阻和输出电阻论述正确的是 A 。
（A ）输入电阻为∞，输出电阻为0 （B ）输入电阻为0，输出电阻为∞ （C ）输入电阻和输出电阻均为∞二、判断题 ：1. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)2. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
(√)3. 只要是共射极放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
(×)4. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
(×)5. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数一定为10000。
(×)6. 为了稳定静态工作点，应引入直流负反馈。
(√)7. 差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的差值，共模信号是两个输入端信号的平均值。
(√)8. 共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。
(×)9. 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的差模放大倍数数值增大。
(×)10.在长尾式差分放大电路单端输入情况时，只要发射极电阻R e足够大，则R e可视为开路。
(√)11.一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。
(√)12.在电压比较器电路中，集成运放不是工作在开环状态，就是只引入了正反馈。
（√）13.对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，发射极电阻R e一概可视为短路。
（√）14.欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入电压串联负反馈。
（√）15.欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入电流并联负反馈。
（√）16.在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用高通滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用低通滤波器。
(×)17.已知输入信号的频率为10kHz ~12kHz ，为了防止干扰信号的混入，应选用带通滤波电路。
（√）18. RC 正弦波振荡电路的振荡频率较低，LC 正弦波振荡电路的振荡频率较高。
（√） 19.在RC 桥式正弦波振荡电路中，若RC 串并联选频网络中的电阻均为R ，电容均为C ，则其振荡频率fo=1/RC 。
(×)20.整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。
（√）三、运算放大器：1、（1）试指出图示电路中各运放组成何种运算电路，写出输出电压O u 的表达式。
（2）若令m V 5I1=u 、5m V I2-=u 、10m V I3=u ，问?O =u 解：（1）A 1：反相求和运算 A 2：电压跟随器 A 3：减法运算（2）()m V 905464I3I2I1O =++=u u u u2、由理想运放组成的电路如图所示。
（1）求O u 与的关系式。
(2) 若I1u 、I2u 分别如图所示之阶跃信号。
且知t ＝0时()V 00=C u 。
画出O u 在0～4s 期间的波形图。
解：1． ()I2I113O1u u R R u +-= 1R = 2R ⎰-=tt u CR u 0O14O d 1()t u u CR R R I2I14131+⋅=6 2．O u 波形图s 1~0=t 时，O u ＝0s 2~0=t 时，O u = ()21I1⨯-t u s 3~0=t 时，O u ＝()()2OI2I122=+-+t u t u u当 s 3=t 时，O u ＝()V 6212I2I1=+⨯+u u3、如图所示积分运算电路中，A 为理想运算放大器，输入电压I u 波形如图所示。
已知输出电压O u 的起始值为0V 。
（1）试计算t ＝10ms 、20ms 时的O u ；（2）画出输出电压O u （t ）的波形图，并标出幅值。
解：（1）t RCt u RC u t 1d 1 0 I O -=-=⎰m s 101=t 时，O u ＝－1V ；m s 202=t 时，()()V 01O 12IO =+--=t u t t RCu u （2）4、图示运算电路中，A 1、A 2、A 3为理想运放，输出电压O u 的起始值为0V 。
（1）写出输出电压O u 与输入电压I1u 、I2u 的关系式。