MOS管应用于调光器MOS管
mos管的功能作用讲解
mos管的功能作用讲解1. MOS管的基本概念在电子世界里，MOS管可是个大明星，嘿，别小看它！MOS管，全名金属氧化物半导体场效应晶体管，听起来是不是有点复杂？其实，它就是一个可以控制电流流动的小开关，像是你家里的灯开关一样，但它的作用可大得多哦。
无论是手机、电脑，还是家里的冰箱、洗衣机，几乎所有的电子设备里都离不开它。
这小家伙能帮助设备省电，调节功率，让我们的生活更加智能、方便。
2. MOS管的工作原理2.1 电子“开关”想象一下，MOS管就像是个电子世界里的开关，控制着电流的流动。
它通过电场来控制电流，简单来说，就是用电压来打开或关闭电流，就像你用遥控器控制电视机一样。
这种特性让它在电路中如鱼得水，能够实现各种复杂的功能。
你只需给它一个电压，它就能乖乖地让电流流动或者停止，简直是个小乖乖！2.2 省电高手说到省电，MOS管真是个高手。
由于它在工作时的导通电阻很低，所以即使是大电流，也能轻松应对，避免了能量的浪费。
比如，家里用的LED灯，靠的就是这种神奇的器件，让光线亮得更加节能。
它就像一个勤奋的“守门员”，只在有需要的时候才放电，让我们的钱包也跟着“省省省”！3. MOS管的应用场景3.1 家电中的英雄家电产品中，MOS管的身影随处可见，真的是忙得不可开交。
比如，冰箱的温控系统、洗衣机的马达控制，都是靠它来调节电流的。
想象一下，洗衣机里那一缸水咕噜咕噜地转，背后少不了MOS管的功劳，它在默默为我们分担着电流的“重任”。
就像一位无名英雄，平时不显山露水，一到关键时刻，就发挥出色，让生活变得顺畅。
3.2 电子设备的“护航员”除了家电，MOS管在各类电子设备中也扮演着重要角色。
从手机到电脑，几乎每个小零件都能找到它的身影。
比如，在手机的电源管理中，MOS管帮助调节电压，确保电池不会因为过载而损坏。
这就像是个细心的“保姆”，时刻照顾着设备的安全，保护我们的小宝贝。
4. 未来的无限可能4.1 新技术的引领者随着科技的飞速发展，MOS管的未来可谓是光明无限。
MOS管介绍解读
MOS管介绍解读MOS管是一种双极性场效应晶体管（FET），也称为MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。
它是一种由金属层、氧化物层和半导体层构成的晶体管。
MOS管被广泛用于数字电路、模拟电路和功率放大器等应用中，因为它具有很高的开关速度、较低的功耗和较高的承受电压能力。
MOS管的工作原理是通过控制栅极电压来控制电流的流动。
当栅极电压为零时，MOS管处于关闭状态，没有电流流过。
当栅极电压增加到临界值以上时，MOS管进入开启状态，允许电流流过。
MOS管的导电能力主要取决于栅极电压与漏极电压之间的差异。
当栅极电压较高时，MOS管的导电性较好，电流流过的能力较大。
相反，当栅极电压较低时，MOS管的导电性较差，电流流过的能力较小。
MOS管有两种类型，分别是N沟道MOS管和P沟道MOS管。
它们的区别在于所使用的材料类型和电流流动方向。
N沟道MOS管使用N型半导体材料构成，通过负栅极电压来控制正电流的流动。
P沟道MOS管使用P型半导体材料构成，通过正栅极电压来控制负电流的流动。
这两种类型的MOS管可以用于不同的应用中，具体选择取决于电路设计和所需的电流极性。
与其他晶体管相比，MOS管具有许多优势。
首先，MOS管的开关速度较快，可以实现高频率的信号放大和处理。
其次，MOS管的功耗较低，因为它只需要很小的电压来控制电流流动。
此外，MOS管可以承受较高的电压，使其适用于高功率应用。
另外，MOS管具有良好的线性特性和温度稳定性，可以在不同的工作条件下提供稳定的性能。
MOS管还有一些应用注意事项。
首先，由于MOS管是压阻性器件，它的输入特性受到栅极电容的影响。
因此，在高频应用中，需要注意匹配负载和输入电容，以避免信号衰减和失真。
其次，MOS管还有最大额定电压和最大额定电流。
在设计电路时，需要确保不超过这些限制，以防止损坏MOS管。
最后，MOS管的工作温度范围也需要考虑，因为过高或过低的温度可能会影响性能和寿命。
mos管做调光电路
mos管做调光电路
MOS管是一种常用的功率器件，它可以被用于许多不同的应用中，调光电路就是其中之一。
调光电路可以被用于改变电灯的亮度，从而为用户提供更舒适的环境。
本文将介绍如何使用MOS管制作一个简单的调光电路。
首先，我们需要选择一个合适的MOS管。
在选择MOS管时，要考虑到它的额定电压和电流。
另外，还要考虑到它的开关速度和损耗。
选择合适的MOS管可以提高调光电路的效率和可靠性。
接下来，我们需要设计调光电路的电路图。
调光电路通常由一个变阻器、一个电容器和一个MOS管组成。
变阻器用于调节电流，电容器用于滤波，MOS管用于控制电流的流动。
在电路图中，我们需要注意到MOS管的极性和引脚。
MOS管的源极需要连接到地，而栅极和漏极则需要分别连接到控制信号和负载电路。
最后，我们需要制作和测试调光电路。
在制作电路时，要注意到焊接的质量和布线的规范。
测试时，我们需要使用万用表和示波器来测量电流、电压和波形等参数，以确保调光电路工作正常。
总之，制作一个简单的MOS管调光电路并不难，只要我们了解相关的电路原理和注意到一些细节问题。
通过制作和测试，我们可以更好地理解电路的工作原理和优化方法，从而提高我们的工程能力和创新能力。
- 1 -。
MOS管工作原理详细讲解
MOS管工作原理详细讲解MOS管，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种重要的电子器件，广泛应用于各种电路中。
其工作原理是利用金属-氧化物-半导体的结构来实现电流的控制和放大。
MOS管的结构包括：金属基片、氧化层和半导体层。
金属基片作为整个晶体管的主要载流子通道，氧化层用于隔离金属基片和半导体层，同时承受着场效应电路中的控制电压，半导体层作为控制电压的接收器。
MOS管的工作原理可以分为三个阶段：截止区、增强区和饱和区。
在截止区，当MOS管的栅电压低于阈值电压时，没有足够的电子进入沟道区域，电子通路被截断，无法形成导电通路，MOS管的电阻十分高，相当于一个断路，电流几乎为零。
当栅电压高于阈值电压时，MOS管进入增强区。
在这个区域，随着栅电压的增加，沟道中的自由电子越来越多，电子通路逐渐形成，电阻也开始降低。
当达到一定的栅电压时，电阻达到最小值，此时沟道已经完全形成，MOS管可导通大量电流。
随着栅电压的继续增加，MOS管进入饱和区。
在这个区域，增加栅电压不再能够显著改变沟道中自由电子的浓度，电流基本保持不变，此时MOS管的电阻达到最小值。
可以将饱和区看作是增强区的延伸，两者没有明显的分界线。
通过调节栅电压，可以实现对MOS管的控制。
当栅电压低于阈值电压时，MOS管截止，没有电流通过；当栅电压高于阈值电压时，沟道中的电子浓度与栅电压成正比，电流通过MOS管；当栅电压进一步增大，MOS管进入饱和区，电流几乎不再增加。
MOS管具有许多优点，如高输入电阻、低功耗、噪声小、电压增益高等，因此得到了广泛的应用。
在数字电路中，MOS管被用作开关，可以实现逻辑门的功能；在模拟电路中，MOS管可以作为电流放大器使用；同时，MOS管还可以用于制作存储器、微处理器、操作放大器等各种集成电路。
总之，MOS管的工作原理是通过控制栅电压来改变沟道中自由电子的浓度，从而实现电流的控制和放大。
通过调节栅电压，可以使MOS管处于截止、增强或饱和区，实现不同的电路功能。
mos管 作用
mos管作用
MOS管是一种常见的半导体器件，也被称为金属氧化物半导体场效应管。
它是一种电子元件，可以用来控制电流的流动。
MOS管的作用非常广泛，它被广泛应用于各种电子设备中，如计算机、手机、电视等。
MOS管的作用主要是通过控制栅极电压来控制电流的流动。
当栅极电压为零时，MOS管处于关闭状态，电流无法通过。
当栅极电压为正时，MOS管处于导通状态，电流可以通过。
因此，MOS管可以用来控制
电路的开关。
MOS管还可以用来放大电信号。
当输入信号的电压变化时，MOS管
的输出电流也会相应地变化。
这种放大作用使得MOS管可以用来放
大音频信号、视频信号等。
除了控制电流和放大信号外，MOS管还可以用来存储信息。
MOS管
的栅极和源极之间的电容可以用来存储电荷，从而实现信息的存储。
这种存储作用使得MOS管可以用来制造存储器芯片。
MOS管的作用不仅仅局限于上述几种，它还可以用来实现各种电子功能。
例如，MOS管可以用来实现电压调节、电流限制、电压比较等功能。
这些功能使得MOS管成为电子工程师的重要工具。
总之，MOS管是一种非常重要的半导体器件，它的作用非常广泛。
无论是控制电流、放大信号、存储信息还是实现各种电子功能，MOS管都发挥着重要的作用。
随着科技的不断发展，MOS管的应用也在不断扩展，它将继续在各种电子设备中发挥着重要的作用。
LED调光器用到的MOS管
Power MOSFETFEATURES•Isolated Package•High Voltage Isolation = 2.5 kV RMS (t = 60 s;f = 60 Hz)•Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm •P-Channel•175 °C Operating Temperature •Dynamic dV/dt Rating •Low Thermal Resistance •Lead (Pb)-free AvailableNotes a.Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).b.V DD = - 25 V, starting T J = 25 °C, L = 5.0 mH, R G = 25 Ω, I AS = - 5.3 A (see fig. 12).c.I SD ≤ - 6.7 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, V DD ≤ V DS , T J ≤ 175 °C.d.1.6 mm from case.PRODUCT SUMMARYV DS (V)- 60R DS(on) (Ω)V GS = - 10 V0.40Q g (Max.) (nC)12Q gs (nC) 3.8Qgd (nC) 5.1ConfigurationSingleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, unless otherwise notedPARAMETER SYMBOL LIMIT UNIT Drain-Source Voltage V DS - 60V Gate-Source Voltage VGS ±20Continuous Drain Current V GS at - 10 VT C = 25 °C I D - 5.2A T C = 100 °C- 3.8Pulsed Drain Current aI DM -21Linear Derating Factor0.18W/°C Single Pulse Avalanche Energy b E AS 120mJ Repetitive Avalanche Current a I AR - 5.2 A Repetitive Avalanche Energy a E AR 2.7mJ Maximum Power Dissipation T C = 25 °CP D 27W Peak Diode Recovery dV/dt cdV/dt -4.5V/ns Operating Junction and Storage Temperature Range T J , Tstg- 55 to + 175°C Soldering Recommendations (Peak Temperature)for 10 s 300d Mounting Torque 6-32 or M3 screw10 lbf · in 1.1N · mG TO-236(SOT-23)S DTop V ie wNotesa.Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).b.Pulse width ≤ 300 µs; duty cycle ≤ 2 %.THERMAL RESISTANCE RATINGSPARAMETERSYMBOL TYP.MAX.UNIT Maximum Junction-to-Ambient R thJA -65°C/WMaximum Junction-to-Case (Drain)R thJC- 5.5TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise notedFig. 1 - Typical Output Characteristics, T C= 25 °CFig. 2 - Typical Output Characteristics, T C = 175 °CFig. 3 - Typical Transfer CharacteristicsFig. 4 - Normalized On-Resistance vs. TemperatureFig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source VoltageFig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source VoltageFig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward VoltageFig. 8 - Maximum Safe Operating AreaFig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature Fig. 10a - Switching Time Test Circuit Fig. 10b - Switching Time WaveformsFig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-CaseFig. 12b - Unclamped Inductive WaveformsFig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain CurrentFig. 13a - Basic Gate Charge WaveformFig. 13b - Gate Charge Test CircuitC u rrent reg Same type as D.U.T.SOT-23 (TO-236): 3-LEADDimMILLIMETERS INCHES MinMax Min Max A0.89 1.120.0350.044 A10.010.100.00040.004 A20.88 1.020.03460.040b0.350.500.0140.020c0.0850.180.0030.007D 2.803.040.1100.120E 2.10 2.640.0830.104E1 1.20 1.400.0470.055e0.95 BSC0.0374 Refe1 1.90 BSC0.0748 RefL0.400.600.0160.024L10.64 Ref0.025 RefS0.50 Ref0.020 Refq3°8°3°8°ECN: S-03946-Rev. K, 09-Jul-01DWG: 5479A P P L I C A T I O N N O T ERECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SOT-23Power MOSFETFEATURES•Isolated Package•High Voltage Isolation = 2.5 kV RMS (t = 60 s;f = 60 Hz)•Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm •P-Channel•175 °C Operating Temperature •Dynamic dV/dt Rating •Low Thermal Resistance •Lead (Pb)-free AvailablePRODUCT SUMMARYV DS (V)- 60R DS(on) (Ω)V GS = - 10 V0.40Q g (Max.) (nC)12Q gs (nC) 3.8Q gd(nC) 5.1ConfigurationSingleG TO-236(SOT-23)S DTop V iew。
常用mos管开关电路
常用mos管开关电路一、引言MOS管（MOSFET）是一种常用的电子器件，在电子电路中起着重要的作用。
它具有低导通电阻和高阻断电阻的特点，被广泛应用于各种开关电路中。
本文主要介绍常用的几种MOS管开关电路。
二、MOS管的基本工作原理MOS管是一种基于金属-氧化物-半导体结构的三电极器件，由栅极（G）、源极（S）和漏极（D）组成。
通过控制栅极与源极之间的电压，可以控制漏极和源极之间的导通情况。
当栅极与源极之间的电压小于阈值电压时，MOS管处于导通状态，电流可以流过；当栅极与源极之间的电压超过阈值电压时，MOS管处于截止状态，电流无法流过。
三、开关电路中的常用MOS管1. 单N沟道MOS管（NMOS）单N沟道MOS管是最为常见的一种MOS管。
在开关电路中，当栅极与源极之间的电压高于阈值电压时，漏极和源极之间转变为低导通电阻，实现导通；当栅极与源极之间的电压低于阈值电压时，漏极和源极之间的电阻增大，实现截止。
2. 单P沟道MOS管（PMOS）单P沟道MOS管与单N沟道MOS管相反，当栅极与源极之间电压低于阈值电压时，漏极和源极之间转变为低导通电阻，实现导通；当栅极与源极之间电压高于阈值电压时，实现截止。
3. N沟道与P沟道MOS管混合使用在一些特殊的开关电路中，可以通过N沟道和P沟道MOS管的混合使用实现更复杂的功能。
如N沟道MOS管和P沟道MOS管串联使用，可以实现更好的电压控制特性；N沟道MOS管和P沟道MOS管并联使用，可以实现更高的电流控制特性。
四、常见的MOS管开关电路应用1. 开关电源在开关电源中，常用MOS管作为开关元件，通过控制其导通和截止状态，实现整个电源的开关控制。
由于MOS管具有低导通电阻和高截止电阻，可以提高开关电源的效率和稳定性。
2. DC-DC变换器DC-DC变换器是一种常用的电源转换电路，广泛应用于各种电子设备中。
MOS管作为DC-DC变换器的主要开关元件，通过控制其导通和截止状态，实现电能的高效转换。
mos管的工作原理
mos管的工作原理MOS管的工作原理。
MOS管，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种常用的半导体器件，广泛应用于集成电路和电子设备中。
它的工作原理是基于半导体材料的特性和场效应的原理，通过控制栅极电场来调节漏极和源极之间的电流，实现信号放大、开关控制等功能。
MOS管由金属-氧化物-半导体三层结构组成，其中金属层作为栅极，氧化物层作为绝缘层，半导体层作为导电层。
当在栅极上加上一定电压时，栅极与半导体之间就会形成一个电场，这个电场会影响半导体内部的载流子分布，从而改变漏极和源极之间的电流。
MOS管的工作原理可以简单描述为，当栅极上施加正电压时，形成的电场会吸引半导体内的自由电子，使得漏极和源极之间形成导通通道，电流可以通过；而当栅极上施加负电压时，电场会排斥自由电子，导致通道关闭，电流无法通过。
在实际应用中，MOS管可以用作放大器、开关、逻辑门等功能。
在放大器中，通过调节栅极电压，可以控制漏极和源极之间的电流，实现信号的放大；在开关中，通过控制栅极电压，可以实现开闭状态的切换；在逻辑门中，可以根据输入信号的不同，控制输出信号的高低电平。
除了基本的工作原理外，MOS管还有一些特殊的工作模式，如饱和区和截止区。
在饱和区，栅极电压足够高，使得漏极和源极之间的电流达到最大值；而在截止区，栅极电压不足，导致电流几乎为零。
这些特殊的工作模式为MOS管的应用提供了更多的可能性。
总的来说，MOS管作为一种重要的半导体器件，其工作原理基于场效应的调节原理，通过控制栅极电场来实现电流的调节和控制。
在实际应用中，MOS管可以实现信号放大、开关控制等功能，对于现代电子设备的发展具有重要意义。
通过深入理解MOS管的工作原理，可以更好地应用它，推动电子技术的发展。
mos管应用
目录∙• MOS/CMOS 集成电路 ∙• CMOS 集成电路的性能及特点 ∙• CMOS 集成电路的工作原理 ∙ • 制作CMOS 集成电路需要注意的问题[显示全部]MOS/CMOS 集成电路编辑本段回目录MOS 集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。
MOS 集成电路包括:NMOS 管组成的NMOS 电路、PMOS 管组成的PMOS 电路及由NMOS 和PMOS 两种管子组成的互补MOS 电路，即CMOS电路。
PMOS 门电路与NMOS 电路的原理完全相同，只是电源极性相反而已。
数字电路中MOS 集成电路所使用的MOS 管均为增强型管子，负载常用MOS 管作为有源负载，这样不仅节省了硅片面积，而且简化了工艺利于大规模集成。
常用的符号如图1所示。
CMOS 集成电路的性能及特点编辑本段回目录（1）功耗低CMOS 集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。
实际上，由于存在漏电流，CMOS 电路尚有微量静态功耗。
单个门电路的功耗典型值仅为20mW ，动态功耗（在1MHz 工作频率时）也仅为几mW 。
（2）工作电压范围宽CMOS 集成电路供电简单，供电电源体积小，基本上不需稳压。
国产CC4000系列的集成电路，可在3~18V 电压下正常工作。
（3）逻辑摆幅大CMOS 集成电路的逻辑高电平「1」、逻辑低电平「0」分别接近于电源高电位VDD 及电影低电位VSS 。
当VDD=15V ，VSS=0V 时，输出逻辑摆幅近似15V 。
因此，CMOS 集成电路的电压利用系数在各类集成电路中指针是较高的。
（4）抗干扰能力强CMOS 集成电路的电压噪声容限的典型值为电源电压的45%，保证值为电源电压的30%。
随着电源电压的增加，噪声容限电压的绝对值将成比例增加。
mos管应用实例
mos管应用实例
MOS管是一种常见的半导体器件，具有高速、低功耗、高可靠性等优点，被广泛应用于各种电子设备中。
下面将介绍几个MOS管的应用实例。
1. 电源管理
MOS管可以用于电源管理，例如电池充电器、DC-DC转换器等。
在电池充电器中，MOS管可以控制电池的充电电流，保证电池充电时的安全性和稳定性。
在DC-DC转换器中，MOS管可以控制输入电压和输出电压之间的转换，实现高效的电源管理。
2. 电机控制
MOS管可以用于电机控制，例如步进电机、直流电机等。
在步进电机中，MOS管可以控制电机的步进角度和转速，实现精确的位置控制。
在直流电机中，MOS管可以控制电机的转速和转向，实现高效的电机控制。
3. LED驱动
MOS管可以用于LED驱动，例如LED灯、LED显示屏等。
在LED灯中，MOS管可以控制LED的亮度和颜色，实现高效的LED驱动。
在LED显示屏中，MOS管可以控制LED的显示内容和刷新频率，实现高质量的LED显示。
4. 无线通信
MOS管可以用于无线通信，例如手机、无线路由器等。
在手机中，MOS管可以控制手机的信号放大和滤波，实现高质量的通信。
在无线路由器中，MOS管可以控制无线信号的放大和传输，实现高速的无线通信。
总之，MOS管具有广泛的应用领域，可以用于电源管理、电机控制、LED驱动、无线通信等方面。
随着科技的不断进步，MOS管的应用将会越来越广泛，为人们的生活带来更多的便利和舒适。
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2
DTS2301S
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)
10
10 T C = 25 °C
8
ID - Drain Current (A)
V GS = 10 V thru 2.5 V
ID - Drain Current (A)
0.8
VGS(th) Variance (V)
0.3 ID = 250 μA 0.2 ID = 5 mA 0.1 0
0.6
0.4
0.2
T J = 150 °C T J = 25 °C 0 1 2 3 4 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 5
- 0.1 - 0.2 - 50
100
ID = 2.8 A
1.7
IS - Source Current (A)
10 T J = 150 °C 1 T J = 25 °C 0.1
1.4
1.1 V GS = 4.5 V 0.8 V GS = 2.5 V 0.5 - 50
0.01
0.001
- 25 0 25 50 75 100 125 TJ - Junction Temperature (°C) 150 175
0.0
- 25
0
25 50 75 100 TJ - Temperature (°C)
125
150
175
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
- 22 ID = 1 mA - 23
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
1
DTS2301S
SPECIFICATIONS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER Static Drain-Source Breakdown Voltage Gate-Source Threshold Voltage Gate-Source Leakage Zero Gate Voltage Drain Current On-State Drain Currenta Drain-Source On-State Resistancea Forward Transconductancea Dynamicb Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Total Gate Chargec Gate-Source Chargec Gate-Drain Chargec Gate Resistance Turn-On Delay Timec Rise Timec Turn-Off Delay Fall Timec Source-Drain Diode Ratings and Pulsed Currenta Forward Voltage Timec Ciss Coss Crss Qg Qgs Qgd Rg td(on) tr td(off) tf Characteristicsb ISM VSD IF = - 1.6 A, VGS = 0 - 0.8 -3 - 1.2 A V VDD = - 10 V, RL = 10 ID - 1 A, VGEN = - 4.5 V, Rg = 1 f = 1 MHz VGS = - 4.5 V VDS = - 10 V, ID = - 2.8 A VGS = 0 V VDS = - 10 V, f = 1 MHz 5.5 340 80 55 5 0.7 1.3 10 15 14 30 9 425 100 70 8 14.5 22 21 45 15 ns nC pF VDS VGS(th) IGSS IDSS ID(on) RDS(on) gfs VGS = 0, ID = - 250 μA VDS = VGS, ID = - 250 μA VDS = 0 V, VGS = ± 8 V VGS = 0 V VGS = 0 V VGS = 0 V VGS = - 4.5 V VGS = - 4.5 V VGS = - 2.5 V VDS = - 20 V VDS = - 20 V, TJ = 125 °C VDS = - 20 V, TJ = 175 °C VDS5 V ID = - 2.8 A ID = - 2 A - 20 - 0.45 -8 0.080 0.110 7 - 1.5 ± 100 -1 - 50 - 150 0.105 0.130 A S μA V nA SYMBOL TEST CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
DTS2301S
P-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET
FEATURES PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = - 4.5 V RDS(on) () at VGS = - 2.5 V ID (A) Configuration
Output Characteristics
0.5
T C = - 55 °C g fs - Transconductance (S)
RDS(on) - On-Resistance (Ω)
Transfer Characteristics
10
8 T C = 25 °C T C = 125 °C 4
0.4
0
1
2 3 Qg - Total Gate Charge (nC)
4
5
Capacitance
Gate Charge
3
DTS2301S
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)
2.0
RDS(on) - On-Resistance (Normalized)
- 24
- 25
- 26
- 27 - 50
- 25
50 75 100 125 0 25 TJ - Junction Temperature (°C)
150
175
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
4
DTS2301S
THERMAL RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)
VDS = - 1.6 V, ID = - 2.8 A
Notes a. Pulse test; pulse width 300 μs, duty cycle 2 %. b. Guaranteed by design, not subject to production testing. c. Independent of operating temperature.
S
G
1 3 D
G
S
2
Tohannel MOSFET
ORDERING INFORMATION
Package Lead (Pb)-free and Halogen-free SOT-23 DTS2301S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)
600
4.5 4.0
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
500
C - Capacitance (pF)
ID = 2.8 A 3.5 V DS = 10 V 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0
400 Ciss 300
200 Coss 100
Crss
0 0 5 10 15 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 20
PARAMETER Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current Continuous Source Current (Diode Conduction)a Pulsed Drain Currentb L = 0.1 mH TC = 25 °C TC = 125 °C Single Pulse Avalanche Current Single Pulse Avalanche Energy Maximum Power Dissipationb Operating Junction and Storage Temperature Range TC = 25 °C TC = 125 °C SYMBOL VDS VGS ID IS IDM IAS EAS PD TJ, Tstg LIMIT - 20 ±8 -3 - 2.2 -3 - 15 -6 4 3 1 - 55 to + 175 mJ W °C A UNIT V
8
T C = - 55 °C T C = 125 °C
6
V GS = 2 V
6
4 V GS = 1.5 V
4
2
2
0 0
V GS = 1 V 1 2 3 4 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 5
0 0 1 2 3 4 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 5
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.