最新三星FLASH命名规则
超微产品命名规则
2 0 2 7 R - N 3
1st 2nd 3rd 4th 5th 6th 7th
R
8th
F 4
9th
+
第1码 规格 1 = 1U 2 = 2U 3 = 3U 4 = 4U/Tower
第2码 保留数字 0
SMIC准系统命名原则（INTEL 2.5 HDD） 准系统2.5
SMIC准系统命名原则（INTEL 3.5 HDD） 准系统3.5
第7码 冗余
R = 冗余电源 第8码 附加
+=18(x8)/24(x9) DIMM 内存插槽 F=On board BMC (IPMI) T= 10G 网卡 4=4个独立的LAN端口
准系统2.5
SMIC准系统命名原则（INTEL 2.5 HDD） 准系统2.5
第3码 支持CPU数量 5 = 单路 CPU 6 = 双路 CPU(1U/2U/3U) 7 = 双路 CPU(4U/Tower) 8 = 四路 CPU 第4码 系统型号 5 = X7 Series 6 = X8 Series 7 = X9 Series
第5码 芯片组 A = Atom B = Bigby/Skt B2 C = Cougar Point I = Foxhollow M = Mukilteo P = Pxx R = Socket R ST = Storage Server T = Tylersburg xT = x: platform (ex: T-Twin, G-GPU);
X9 Series MBD产品命名原则 X9
X9 Series MBD产品命名原则
X9 S C L - F
1st 2nd 3rd 4th 5th
2012年最新内存命名规则
2012年最新内存命名规则三星内存目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G 代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
从闪存芯片编号识容量
从闪存芯片编号识容量根据芯片编号识容量三星的闪存芯片均以K9打头，与容量相关的字段是从第4位到第7位。
第4～5位表示闪存密度，12代表512M、16代表16M、28代表128M、32代表32M、40代表4M、56代表256M、64代表64M、80代表8M、1G代表1G 、2G代表2G、4G代表4G、8G代表8G、00代表没有。
第6～7位表示闪存结构，00代表没有、08代表×8.16代表×16. 32代表×32。
闪存芯片的容量=闪存密度×闪存结构÷8通过上述公式就可以计算出闪存芯片的真实容量了编号为K9K1G08U0M-YC80的SUMSUNG闪存芯片。
这块闪存芯片的规格为：128M×8bit、50ns 速度，单颗容量 128MB。
工作电压2.4～2.9V。
芯片编号K9F5608U0A，32M×8bit规格50ns速度，单颗容量32MB。
工作电压2.7～3.6V，内部分成块写区域大小（16K＋512）。
三星型号详解K9×××××：Nand FlashK8×××××：Nor FlashK7×××××：Sync SRAM(同步SRAM，带clock，速度快，网络产品，6个晶体管)K6×××××：Aync SRAM(异步SRAM，不带clock，速度快，手机产品，6个晶体管)K5×××××：MCP（相当于K1+K8+K9）K4×××××：DRAMK3×××××：Mask RomK2×××××：FRAMK1×××××：utRAM(使用SRAM技术，但只有2个晶体管跟1个电容，所以比SRAM功耗大，但成本低)samsung 编号：K9LAG08U0M，容量为2G，以K9L为开头的三星闪存一般都为MLC闪存，使用MLC闪存是大势所趋* K9K8G(1GB)、K9W8G(1GB)、K9WAG(2GB)* K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte)* K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)* K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)* K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)* (1 Byte = 8 bits)SAMSUNG K9F2808U0B-YCB0 32MBK9F2808U0C-VCB0 32MBK9F5608U0B-YCB0 16MBK9F5608U0C-YCB0 16MBK9F1208U0M-YCB0 64MBK9F1208U0A-YCB0 64MBK9F1208U0A-YIB0 64MBK9F1208U0A-VCB0 64MBK9K1G08U0A-YCB0 128MBK9K1G08U0M-YCB0 128MBK9K1G08U0M-VIB0 128MBK9F1G08U0M-YCB0 128MBK9F1G08U0A-YCB0 128MBK9F1G08U0M-VCB0 128MBK9F1G08U0M-VIB0 128MBK9F1G08U0M-FIB0 128MBK9K2G08U0M-YCB0 256MBK9K2G08U0A-FIB0 (90nm) 256MBK9K2G08U0M-VCB0 256MBK9K2G08U0M-VIB0 256MBK9K2G08U0A-VIB0 (90nm) 256MBK9F2G08U0M-YCB0 (90nm) 256MBK9K4G08U0M-YCB0 (90nm) 512MBK9K4G08U0M-YCBO(90nm) 512MBK9K4G08U0M-PIB0(90nm) 512MBK9W8G08U1M-YCB0(90nm) 1GBK9W8G08U1M-YIB0(90nm) 1GBK9WAG08U1M 2GMNAND闪存芯片, 一般都是Samsung 或Hynix 芯片. SAMSUNG闪存的型号及对应容量:K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte) K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) (1 Byte = 8 bits)Hynix闪存的型号及对应容量:HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte) HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte) HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte) HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) (1 Byte = 8 bits)Part No Description MfgNANDFLASHHY27US08281A-T(P)CB 16Mx8 HYNIXHY27US08561A-T(P)CB 32Mx8 HYNIXHY27US08121A-T(P)CB 64Mx8 HYNIXHY27UF081G2M-T(P)CB 128Mx8 HYNIXHY27UF082G2M-T(P)CB 256Mx8 HYNIXHY27UF082G2A-TPCB 256Mx8 HYNIXHY27UG084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UF084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UT084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UH088G2M-TPCB 1Gx8 HYNIXHY27UU085G2M-TPCB 1Gx8 HYNIXHynix闪存的型号及对应容量:HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte); HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte); HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte); HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) ATJ2051/ATJ2085主控支持的闪存FLASH型号列表品牌型号内存ATJ2085(2051) samsung K9K4G08U0M 512M ysamsung K9W4G08U1M 512M ysamsung K9W8G08U1M 1GB ysamsung K9F4G08U0M 512M ysamsung K9F4G08U0A 512M ysamsung K9K8G08U0M 1G ysamsung K9K8G08U0A 1G nsamsung K9WAG08U1M 2G ysamsung K9G4G08U0M 512M nsamsung K9L8G08U0M 1G nsamsung K9HAG08U1M 2G nHynix HY27UG084G1M 512M yHynix HY27UG084G2M 512M yHynix HY27UH084G1M 512M nHynix HY27UH084G2M 512M yHynix HY27UG088G2M 1G y Hynix HY27UG088G5M 1G n Hynix HY27UG088GDM 1G n Hynix HY27UH088G2M 1G y Hynix HY27UH088GDM 1G n Hynix HY27UH08AG5M 2G n Hynix HY27UH08AGDM 2G n Hynix HY27UF084G2M 512M y Hynix HY27UG088G5M 1GB n Hynix HY27UU088G5M 1G n Hynix HY27UV08AG5M 2G n Hynix HY27UT084G2A, 512M n Hynix HY27UT084G2M 512M n Hynix HY27UU088G 1GB nHynix HY27UU8G5M(MLC) 1GB n Hynix HY27UT4G2M(MLC) 512M n Hynix HY27UVAG5M(MLC) 2GB n Hynix HY27US08561M VPCB 428A 32MB HY27US08561M TPIB 427A 32MBHY27US08121M TCB 64MBHY27US08121M TPIB 407T 64MBHY27US08121M TCB 416A 64MBHY27US08121M TCB 422A 64MB HY27US08121M TCB 426A 64MB HY27US08121M TPCB 427B 64MB HY27US08121M VPCB 429A 64MB HY27UA081G1M TCB 128MBHY27UA081G1M TPCB 128MBHY27UA081G1M TCB 423A 128MB HY27UG082G2M 256MBHY27UH084G2M 512MBHY27UG088G5M 1GBHY27UH088G2M 1GBHY27UH08AG5M 2GBTOSHIBA TC58128AFT 16MBTC58128AFTI 16MBTC58DVM72A1FT00/05 16MBTC58256AFT 32MBTC58NVM8S0AFTI0 32MBTC58DVM82A1FT00/05 32MBTC58DVM82A1FTI0 32MBTC58512FT 64MBTC58DVM92A1FT00/05 64MBTH58100FT 128MBTC58DVG02A1FT00/05 128MBTC58NVG0S3AFT00/05 128MBTC58NVG0S3AFTI5 128MBTH58NVG1S3AFT00/05 256MBTH58NVG1S3AFTI0 256MBTC58NVG1S3BFT00 256MBTC58005FT 64MBTC58DVM94B1FT00/05 64MBTC58010FT 128MBTC58DVG04B1FT00/05 128MBTC58DVG14B1FT00/05 256MBTC58DVG14B1FTI0 256MBTH58DVG24B1FT00/05 512MBTC58NVG1D4BFT00 256MBTC58NVG1D4BFT00 256MBTC58NVG2D4BFT00 512MBTH58NVG3D4BFT00 1GBTH58NVG3D4BFTI0 1GBTC58NVG3D4CTG10 1GBTH58NVG4D4BTG20 2GBSANDISK SDTNFAH-128, SDTNGAHE0-128 16M SDTNFAH-256, SDTNGAHE0-256 32MSDTNFAH-512, SDTNGAHE0-512 64M SDTNFCH-512, SDTNGCHE0-512 64M SDTNFBH-1024, SDTNGBHE0-1024 128M SDTNFCH-1024, SDTNGCHE0-1024 128M SDTNFDH-2048, SDTNGDHE0-2048 256M Micron MT29F2G08A 256MBMT29F4G08B 256MBMT29F4G08BAB 512MMT29F8G08FAB 1G。
三星emmc命名规则
三星emmc命名规则随着科技的不断发展，手机的运行速度和内存容量已经成为了各大手机厂商争夺的重点之一。
三星作为一个全球知名的电子产品制造商，在手机存储领域拥有着非常大的优势，其产品的稳定性和性能也备受广大用户的青睐。
今天我们就来学习一下三星emmc命名规则，帮助大家更好地了解三星存储芯片。
首先，什么是emmc？emmc的全称为embedded MultiMediaCard（嵌入式多媒体卡），是一种可以直接搭载在手机主板上的存储芯片，通常包括闪存芯片、控制器、接口和引脚等组成部分。
因为具有速度快，耐用度高，安装容易等特点，因此emmc已经成为了移动设备存储方案的标配。
那么，三星emmc命名规则是怎样的呢？下面我们就来一一解释。
第一步：识别芯片代号三星的emmc芯片命名规则通常是由两部分组成：首先是识别芯片代号，其次是函数代码和工艺制程等信息。
例如，三星最新推出的64GB emmc存储芯片代号为KMQX10013M-B419。
第二步：识别函数代码在上述芯片代号中，KMQX10013M表示函数代码，每个emmc芯片都有自己的函数代码，用于描述其功能和特性。
其中，“K”表示芯片级别，M是指该芯片支持的存储介质类型，QX代表该芯片的功能代码。
第三步：识别工艺制程在上述芯片代号中，B419则表示该芯片的工艺制程，其中B表示的是三星的第二代UFS产品。
UFS是指通用闪存存储器，是异步NAND闪存的升级版本，拥有更高的数据传输速度和更低的延迟时间。
通过以上三个步骤的识别后，我们就能够准确地了解三星emmc芯片的功能和特性，更好地为移动设备选购存储芯片，提供了保证。
值得一提的是，三星的emmc芯片技术在行业内领先，其芯片的读写速度和存储空间均达到了很高的水平，也因此成为了众多手机厂商的首选。
三星电容命名规则
规格说明：CL=积层陶瓷电容03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220)电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：105 = 10 00000 （单位pF）如果中间一位为R 则表示"."如：3R3 = 3.3pFA=常规产品 钯/银/镍屏蔽/锡 100% N=常规产品 镍/铜/镍屏蔽/锡100%G=常规产品 铜/铜/镍屏蔽/锡 100% L=低侧面产品 镍/铜/镍屏蔽/锡 100%A =阵列(2-元素) L =LICCB =阵列(4-元素) N =常规 P =自动 C=高频预留的用途第1页规格事例:I类符号EIA编码工作温度范围（℃）温度系数范围（ppm/℃）C C0G -55～+125 0±30P P2H -55～+125 -150±60R R2H -55～+125 -220±60S S2H -55～+125 -330±60T T2H -55～+125 -470±60U U2J -55～+125 -750±120L S2L -55～+125 -1000～+350II类符号EIA编码工作温度范围（℃）电容变化（?C%）A X5R -55～+85 ±15B X7R -55～+125 ±15X X6S -55～+105 ±22F Y5V -30～+85 -82～+22**系列TC电容步骤***第2页外型尺寸：特征.尺寸的大小从：从0402到2220；.PCB高可靠公差和高速自动芯片更换；.大电容范围；.大温度补偿和电压范围：从COG到Y5V和从6.3V到50V；.高可靠性性能；.高电阻端子金属；.表面贴装组件的带料和料盘尺寸表示图（值见下表）鈀 MLCC(MLCC=A鈀零件编码第12号).I类电容<10pF（I类。
英特尔 nand flash 命名规则
英特尔nand flash 命名规则
英特尔的NAND Flash命名规则通常包括以下几个部分：
1. 容量：NAND Flash的容量通常以GB（千兆字节）或TB（太字节）为单位表示。
例如，256GB或1TB表示存储容量。
2. 速度：NAND Flash的速度可以通过不同的规格进行标识，例如读取速度、写入速度和擦除速度等。
这些规格通常以MB/s为单位表示。
3. 寿命：NAND Flash的寿命通常以写入周期数或保修期限来表示。
例如，10000次写入周期或5年保修期限。
4. 接口：NAND Flash的接口类型可能有所不同，例如SATA、PCIe 等。
这些接口类型决定了NAND Flash与计算机或其他设备之间的连接方式。
5. 制造商和品牌：NAND Flash的制造商和品牌可能对命名规则产生影响。
例如，某些品牌可能采用特定的命名方式来标识其产品。
总的来说，英特尔的NAND Flash命名规则通常根据其容量、速度、寿命、接口和制造商品牌等方面进行标识。
具体命名规则可能会因产品而异，因此建议参考英特尔官方文档或与制造商联系以获取更准确的信息。
三星电容命名规则
规格说明：CL=积层陶瓷电容03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220)电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：105 = 10 00000 （单位pF）如果中间一位为R 则表示"."如：3R3 = 3.3pFA=常规产品 钯/银/镍屏蔽/锡 100% N=常规产品 镍/铜/镍屏蔽/锡100%G=常规产品 铜/铜/镍屏蔽/锡 100% L=低侧面产品 镍/铜/镍屏蔽/锡 100%A =阵列(2-元素) L =LICCB =阵列(4-元素) N =常规 P =自动 C=高频预留的用途第1页规格事例:I类符号EIA编码工作温度范围（℃）温度系数范围（ppm/℃）C C0G -55～+125 0±30P P2H -55～+125 -150±60R R2H -55～+125 -220±60S S2H -55～+125 -330±60T T2H -55～+125 -470±60U U2J -55～+125 -750±120L S2L -55～+125 -1000～+350II类符号EIA编码工作温度范围（℃）电容变化（?C%）A X5R -55～+85 ±15B X7R -55～+125 ±15X X6S -55～+105 ±22F Y5V -30～+85 -82～+22**系列TC电容步骤***第2页外型尺寸：特征.尺寸的大小从：从0402到2220；.PCB高可靠公差和高速自动芯片更换；.大电容范围；.大温度补偿和电压范围：从COG到Y5V和从6.3V到50V；.高可靠性性能；.高电阻端子金属；.表面贴装组件的带料和料盘尺寸表示图（值见下表）鈀 MLCC(MLCC=A鈀零件编码第12号).I类电容<10pF（I类。
三星Flash闪存资料
x8
K9LBG08U1M-PCB00
PRODUCTION(MASS PRODUCTION) 32G
x8
K9LBG08U1M-PCB0T
PRODUCTION(MASS PRODUCTION) 3on
32G bit
x8
K9LBG08U0M-PCB00
NAND Flash > SLC-large block
part number K9NCG08U5M K9NCG08U5M-PCB00 K9NCG08U5M-PCK00 K9NBG08U5A K9WBG08U1M K9WBG08U1M-PCB00 K9WBG08U1M-PCB0T K9WBG08U1M-PCK00 K9WBG08U1M-PIB00 K9WAG08U1A K9WAG08U1A-IIB0T K9WAG08U1A-PCB00 K9WAG08U1A-PCB0T K9WAG08U1A-PCK00 K9WAG08U1A-PIB00 K9WAG08U1A-PIB0T K9KAG08U1M K9KAG08U1M-IIB00 K9KAG08U0M K9KAG08U0M-PCB00 K9KAG08U0M-PCK00 K9KAG08U0M-PIB00
Density 64G bit 64G 64G 32G bit 32G bit 32G 32G 32G 32G 16G bit 16G 16G 16G 16G 16G 16G 16G bit 16G 16G bit 16G 16G 16G
Organization 64Mx8 x8 x8 x8 x8 x8 x8 64Mx8 x8 x8 64Mx8 32Mx8 x8 SDR,x8 SDR,x8 SDR,x8 SDR,x8 SDR,x8 SDR,x8 SDR,x8 x8 32Mx8 SDR,x8 x8 32Mx8
三星电容命名规则
规格说明：CL=积层陶瓷电容03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220)电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：105 = 10 00000 （单位pF）如果中间一位为R 则表示"."如：3R3 = 3.3pFA=常规产品 钯/银/镍屏蔽/锡 100% N=常规产品 镍/铜/镍屏蔽/锡100%G=常规产品 铜/铜/镍屏蔽/锡 100% L=低侧面产品 镍/铜/镍屏蔽/锡 100%A =阵列(2-元素) L =LICCB =阵列(4-元素) N =常规 P =自动 C=高频预留的用途第1页规格事例:I类符号EIA编码工作温度范围（℃）温度系数范围（ppm/℃）C C0G -55～+125 0±30P P2H -55～+125 -150±60R R2H -55～+125 -220±60S S2H -55～+125 -330±60T T2H -55～+125 -470±60U U2J -55～+125 -750±120L S2L -55～+125 -1000～+350II类符号EIA编码工作温度范围（℃）电容变化（?C%）A X5R -55～+85 ±15B X7R -55～+125 ±15X X6S -55～+105 ±22F Y5V -30～+85 -82～+22**系列TC电容步骤***第2页外型尺寸：特征.尺寸的大小从：从0402到2220；.PCB高可靠公差和高速自动芯片更换；.大电容范围；.大温度补偿和电压范围：从COG到Y5V和从6.3V到50V；.高可靠性性能；.高电阻端子金属；.表面贴装组件的带料和料盘尺寸表示图（值见下表）鈀 MLCC(MLCC=A鈀零件编码第12号).I类电容<10pF（I类。
FLASH型号容量对照表
FLASH型号容量对照表FLASH型号容量对照表FLASH型号容量对照表各品牌 FLASH型号容量对照表三星（SAMSUNG）FLASH： 8M K9F6408UOC-TCBO16M K9F2808UOB/C-YC/IBO32M K9F5608UOA/B/C-YC/IBO64M K9F1208UOM/A-YCIBO128M K9K1G08UOM/A-YC/IBOK9F1G08UOM-YC/IBO256M K9F2G08UOM-YC/IBOK9K2G08UOM-YC/IBO512M K9W4G08U1M-YC/IBOK9K4G08UOM-YC/IBO东芝（TOSHIBA）FLASH：16M TC58128AFT/TC58DVM72A1FTOO32M TC58256FT/TC58DVM82A1FT00 64MTC58512FT/TC58DVM92A1FT00 128MTH58100FT/TC58DVG02A1FT00 TC58NVGOS3AFT05 256M TC58NVG1S3AFT05sandiak sdtnfbh-1024 128m -512 64K9F2808U0C-YCB0 16MBK9F2808U0C-VCB0 16MBKM29U128(I)T 16MBK9F5608U0B-YCB0 32MBK9F5608U0C-YCB0 32MBK9F5608U0C-YIB0 32MBSmall K9F5608U0C-VCB0 32MBBlock K9F1208U0M-YCB0 64MBK9F1208U0A-YCB0 64MBK9F1208U0A-YIB0 64MBK9F1208U0A-VCB0 64MBK9K1G08U0A-YCB0 128MBK9K1G08U0M-YCB0 128MBK9K1G08U0M-VIB0 128MBK9T1G08U0A-YCB0 128MBK9T1G08U0M-YCB0 128MBSamsung SLC K9T1G08U0M-VIB0 128MBK9F1G08U0M-YCB0 128MBK9F1G08U0A-YCB0 128MB K9F1G08U0M-VCB0 128MB K9F1G08U0M-VIB0 128MB K9F1G08U0M-FIB0 128MB K9K2G08U0M-YCB0 256MB K9K2G08U0A-FIB0(90nm) 256MB K9K2G08U0M-VCB0 256MB K9K2G08U0M-VIB0 256MB Large K9K2G08U0A-VIB0(90nm) 256MBBlock K9F2G08U0M-YCB0(90nm) 256MBK9K4G08U0M-YCBO(90nm) 512MBK9K4G08U0M-PIB0(90nm) 512MBK9W4G08U1M-YCB0(90nm) 512MBK9W4G08U1M-YIB0(90nm) 512MBK9W8G08U1M-YCB0(90nm) 1GBK9W8G08U1M-YIB0(90nm) 1GBTC58128FT 16MBTC58DVM72A1FT00/05 16MBTC58DVM72A1FTI0 16MBTC58256FT 32MBSmall TC58DVM82A1FT00/05 32MBBlock TC58DVM82A1FTI0 32MBSLC TC58512FT 64MBTC58DVM92A1FT00/05 64MBToshiba TH58100FT 128MBTC58DVG02A1FT00/05 128MBTC58DVG04B1FT00/05 128MBTC58DVG04B1FTI0 128MBSmall TC58DVG14B1FT00/05 256MB MLC Block TC58DVG14B1FTI0 256MB TH58DVG24B1FT00/05 512MBTH58DVG24B1FTI0 512MBHY27US08561M 32MBSmall HY27US08121M 64MBBlock HY27UA081G1M 128MBHynix SLC HY27UB082G4M 256MB Large HY27UF081G2M 128MBBlock HY27UG082G2M 256MBHY27UH084G2M 512MBInfineon HYF33DS512800ATC 64MB NAND128W3A 16MBSmall NAND256W3A 32MBBlock NAND512W3A 64MBNAND01GW3A 128MBNAND128W3B 16MBST SLC NAND256W3B 32MBLarge NAND512W3B 64MBBlock NAND01GW3B 128MBNAND02GW3B 256MBNAND04GW3B 512MBNAND08GW3B 1GBMicron SLC Large MT29F2G08A 256MB Block MT29F4G08B 256MBSanDisk MLC Small SDTNFCH-512 64MBBlock SDTNGCHE0-1024 128MBHN29V1G91T-30 128MBAG-AND HN29V2G74WT-30 256MBHN29V25691BT 32MBRenesas R1FVH04G13R 512MBSUPER HN29V51211T-50H 64MBAND HN29V51211T-50 64MB补充一下，大家只要记住，最常见的，在MP3中应用的，就是SAMSUNG | HYNIXK9K/K9F 128M 1G08；| HY 1G1M/1G2M，有一个共同的特征，1G代表128M, 如果是2GXX就代表256M,以此类推。
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三星F L A S H命名规则
Samsung nand flash ID spec
三星在nand flash存储方面也是投入了很多精力，对于pure nand flash、OneNAND（带controller的nand flash模块）以及nand的驱动都有很深层的开发。
后面说的nand都会基于Samsung的产品，包括驱动。
三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：
1. Memory (K)
2. NAND Flash : 9
3. Small Classification
(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,
SM : SmartMedia, S/B : Small Block)
1 : SLC 1 Chip XD Card
2 : SLC 2 Chip XD Card
4 : SLC 4 Chip XD Card
A : SLC + Muxed I/ F Chip
B : Muxed I/ F Chip
D : SLC Dual SM
E : SLC DUAL (S/ B)
F : SLC Normal
G : MLC Normal
H : MLC QDP
J : Non-Muxed One Nand
K : SLC Die Stack
L : MLC DDP
M : MLC DSP
N : SLC DSP
Q : 4CHIP SM
R : SLC 4DIE STACK (S/ B)
S : SLC Single SM
T : SLC SINGLE (S/ B)
U : 2 STACK MSP
V : 4 STACK MSP
W : SLC 4 Die Stack
4~5. Density
12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M
32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M
64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G
2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G
AG : 16G BG : 32G CG : 64G
DG : 128G 00 : NONE
6~7. organization
00 : NONE 08 : x8
8. Vcc
A : 1.65V~3.6V
B : 2.7V (2.5V~2.9V)
C : 5.0V (4.5V~5.5V)
D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)
E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V)
Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V
U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V)
W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE
9. Mode
0 : Normal
1 : Dual nCE & Dual R/ nB
4 : Quad nCE & Single R/ nB
5 : Quad nCE & Quad R/ nB
9 : 1st block OTP
A : Mask Option 1
L : Low grade
10. Generation
M : 1st Generation
A : 2nd Generation
B : 3rd Generation
C : 4th Generation
D : 5th Generation
11. "─"
12. Package
A : CO
B B : TBGA
C : CHIP BIZ
D : 63-TBGA
E : TSOP1 (Lead-Free, 1217)
F : WSOP (Lead-Free)
G : FBGA
H : TBGA (Lead-Free)
I : ULGA (Lead-Free) J : FBGA (Lead-Free)
K : TSOP1 (1217) L : LGA
M : TLGA N : TLGA2
P : TSOP1 (Lead-Free)
Q : TSOP2 (Lead-Free)
R : TSOP2-R S : SMART MEDIA
T : TSOP2 U : COB (MMC)
V : WSOP W : WAFER
Y : TSOP1
13. Temp
C : Commercial I : Industrial
S : SmartMedia
B : SmartMedia BLUE
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)
3 : Wafer Level 3
A : Apple Bad Block
B : Include Bad Block
D : Daisychain Sample
K : Sandisk Bin
L : 1~5 Bad Block
N : ini. 0 blk, add. 10 blk
S : All Good Block
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception
handling code)
15. NAND-Reserved
0 : Reserved
16. Packing Type
- Common to all products, except of Mask ROM
- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)
17~18. Customer "Customer List Reference"。