MSP430电容式单触摸传感器设计指南(中文)
浅谈电容触摸技术的各类解决方案

浅谈电容触摸技术的各类解决方案摘要:各类家电的操作器普遍采用触摸按键的方式对设备进行控制,在抗干扰以及响应速度上有不错的表现,结构上不易损坏,而且也有整体性的外观亮点。
其中电容式触摸按键响应快被广泛使用,本文针对电容触摸方式探讨了各公司提出和设计的电容触摸按键解决方案以及设计所需注意事项。
关键词:电容;触摸按键;Brief discussion on various solutions of capacitive touch technology(TCL Air Conditioner(ZhongShan)Co.,Ltd, 528400)Abstract:The operators of all kinds of household appliances generally use touch keys to control the equipment, in the anti-interference and response speed has a good performance, the structure is not easy to damage, but also has the overall appearance of bright spots. Capacitive touch key response is widely used. This paper discusses the capacitive touch key solutions proposed and designed by various companies and the matters needing attention in design.Key words: capacitance; Touch key;引言电容传感器可以解决许多不同类型的传感和测量问题。
它们能够被集成到一个印刷电路板或一个微芯片中,并且具有非常优秀的精确性,对温度良好的稳定性,以及很少的耗电量。
MSP430FW427中文数据手册

MSP430 的典型应用包括热量仪表、热水和冷水仪表、气体仪表和工业传感器系统。定时器支持额外 的计数器应用、射频位流操作、IrDA 和 M-Bus 通讯。
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利尔达单片机技术有限公司 杭州市文二路 207 号文欣大厦 301 座 0571-88259199
TA –40°C to 85°C
MSP430xW42x引脚功能
输入/ 序
输出 号
说
明
64
电源正端,为SVS,上电复位,振荡器,FLL+,比较器A,I/O端口6和LCD电阻分
压电路供电,不能先于DVCC上电
62
电源负端,为SVS,上电复位,振荡器,FLL+,比较器A,I/O端口6供电,必须外
部连接到DVSS。内部连接到DVSS
1
数字供电电源正端,为除了由AVCC/AVSS供电的所有数字部分供电
可选型号 封装器件
64 脚 QFP 封装(PM) MSP430CW423IPM MSP430CW425IPM MSP430CW427IPM MSP430FW423IPM MSP430FW425IPM MSP430FW427IPM
MSP430xW42x 引脚
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TDI/TCLK
55
I 测试数据输入或测试时钟输入。芯片保护熔丝连接到TDI/TCLK
TDO/TDI
54 I/O 测试数据输出。TDO/TDI数据输出或者编程数据输入引脚
TMS
56
I 测试模式选择。TMS用于芯片编程和测试的输入端口
XIN
8
I 晶体振荡器XT1的输入端口。可以连接标准或者钟表晶振
MSP430中文数据手册

MSP430混合信号微控制器数据手册产品特性●低电压范围:2.5V~5.5V●超低功耗——活动模式:330μA at 1MHz, 3V——待机模式:0.8μA——掉电模式(RAM数据保持):0.1μA●从待机模式唤醒响应时间不超过6μs●16位精简指令系统,指令周期200ns●基本时钟模块配置——多种内部电阻——单个外部电阻——32kHz晶振——高频晶体——谐振器——外部时钟源●带有三个捕获/比较寄存器的16位定时器(Timer_A)●串行在线可编程●采用保险熔丝的程序代码保护措施●该系列产品包括——MSP430C111:2K字节ROM,128字节RAM——MSP430C112:4K字节ROM,256字节RAM——MSP430P112:4K字节OTP,256字节RAM●EPROM原型——PMS430E112:4KB EPROM, 256B RAM●20引脚塑料小外形宽体(SOWB)封装,20引脚陶瓷双列直插式(CDIP)封装(仅EPROM)●如需完整的模块说明,请查阅MSP430x1xx系列用户指南(文献编号:SLAU049产品说明TI公司的MSO43O系列超低功耗微控制器由一些基本功能模块按照不同的应用目标组合而成。
在便携式测量应用中,这种优化的体系结构结合五种低功耗模式可以达到延长电池寿命的目的。
MSP430系列的CPU采用16位精简指令系统,集成有16位寄存器和常数发生器,发挥了最高的代码效率。
它采用数字控制振荡器(DCO),使得从低功耗模式到唤醒模式的转换时间小于6μs.MSP430x11x系列是一种超低功耗的混合信号微控制器,它拥有一个内置的16位计数器和14个I/0引脚。
典型应用:捕获传感器的模拟信号转换为数据,加以处理后输出或者发送到主机。
作为独立RF传感器的前端是其另一个应用领域。
DW封装(顶视图)可用选型功能模块图管脚功能简介:1.CPUMSP430的CPU采用16位RISC架构,具有高度的应用开发透明性。
MSP430系列MCU选型手册

MSP430系列MCU选型手册msp430芯片选型中文手册指南F1XX系列Vcc1.8V-3.6V型号MSP430F1101A参数说明1KBflash,128BRam;slopeA/D;14个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器),比较器_A;20DW、PW封装型号MSP430F1111A参数说明2KBflash,128BRam;slopeA/D;14个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器),比较器_A;20DW、PW封装型号MSP430F1121A参数说明4KBflash,256BRam;slopeA/D;14个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器),比较器_A;20DW、PW封装型号MSP430F1122参数说明4KBflash,256BRam;5通道10bitA/D;14个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器),温度传感器;20DW、PW封型号MSP430F1132参数说明8KBflash,256BRam;5通道10bitAD;14个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);温度传感器;20DW、PW封型号MSP430F122参数说明4KBflash,256BRam;slopeA/D;22个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口,比较器A;28DW、PW封装型号MSP430F123参数说明8KBflash,256BRam;slopeA/D;22个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口,比较器A;28DW、PW封装型号MSP430F1222参数说明4KBflash,256BRam;8通道10bitA/D;22个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;温度传感器;28DW、PW封装型号MSP430F1232参数说明8KBflash,256BRam;8通道10bitA/D;22个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;温度传感器;28DW、PW封装型号MSP430F133参数说明8KBflash,256BRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F135参数说明16KBflash,512BRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F147参数说明32KBflash,1024BRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F1471参数说明32KBflash,1024BRam;slopeA/D;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;64PM封装型号MSP430F148参数说明48KBflash,2048BRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F1481参数说明48KBflash,2048BRam;slopeA/D;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;64PM封装型号MSP430F149参数说明60KBflash,2048BRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F1491参数说明60kflash,2048BRam;slopeA/D;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;64PM封装型号MSP430F155参数说明16KBflash,512BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;I2C;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F156参数说明24KBflash,512BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;I2C;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F157参数说明32KBflash,1024BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;I2C;比较器_A;温度传感器;64PM 封装型号MSP430F167参数说明32KBflash,1024BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;I2C;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F168参数说明48KBflash,2048BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;I2C;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F169参数说明60KBflash,2048BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;I2C;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F1610参数说明32KBflash,5120BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;I2C;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F1611参数说明48KBflash,10240BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B (7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;I2C;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F1612参数说明55kBflash,5120BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;I2C;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装F21X1系列Vcc1.8V-3.6V型号MSP430F2101参数说明1KBflash,128BRam;slopeA/D;16个I/O口;15/16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);比较器_A;BrownoutProtection;20DW、PW、DGV封装型号MSP430F2111参数说明2KBflash,128BRam;slopeA/D;16个I/O口;15/16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);比较器_A;BrownoutProtection;20DW、PW、DGV封装型号MSP430F2121参数说明4KBflash,256BRam;slopeA/D;16个I/O口;15/16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);比较器_A;BrownoutProtection;20DW、PW、DGV封装型号MSP430F2131参数说明8KBflash,256BRam;slopeA/D;16个I/O口;15/16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);比较器_A;BrownoutProtection;20DW、PW、DGV封装F4XX系列Vcc1.8V-3.6VWithLCD驱动型号MSP430F412参数说明4KBflash,256BRam;slopeA/D;48个I/O口;96段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);比较器_A;64PM封装型号MSP430F413参数说明8KBflash,256BRam;slopeA/D;48个I/O口;96段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);比较器_A;64PM封装型号MSP430F415参数说明16kBflash,512BRam;slopeA/D;48个I/O 口;96段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A (3或5个捕获/比较寄存器);比较器_A;64PM 封装型号MSP430F417参数说明32kBflash,1024BRam;slopeA/D;48个I/O口;96段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3或5个捕获/比较寄存器);比较器_A;64PM 封装型号MSP430FE423参数说明8KBflash,256BRam;SD16A/D;Emeter计量模块;14个I/O口;128段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个USART 接口;温度传感器;64PM封装型号MSP430FE425参数说明16KBflash,512BRam;SD16A/D;Emeter计量模块;14个I/O口;128段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个USART 接口;温度传感器;64PM封装型号MSP430FE427参数说明32KBflash,1KBRam;SD16A/D;Emeter计量模块;14个I/O口;128段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个USART 接口;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F4250参数说明16KBflash,256BRam;32个I/O 口;56段LCD;SD16位ADC (具有内部参考电压);12位DAC,1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);温度传感器模块;电源检测功能;48DL封装型号MSP430F4260参数说明24KBflash,256BRam;32个I/O 口;56段LCD;SD16位ADC (具有内部参考电压);12位DAC,1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);温度传感器模块;电源检测功能;48DL封装型号MSP430F4270参数说明32KBflash,256BRam;32个I/O 口;56段LCD;SD16位ADC (具有内部参考电压);12位DAC,1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);温度传感器模块;电源检测功能;48DL封装型号MSP430FG437参数说明32KBflash,1024BRam;12通道12bitA/D;双12bitD/A;48个I/O口;DMA;128段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;温度传感器;80PN 封装型号MSP430FG438参数说明48KBflash,2048BRam;12通道12bitA/D;双12bitD/A;48个I/O口;DMA;128段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;温度传感器;80PN 封装型号MSP430FG439参数说明60KBflash,2048BRam;12通道12bitA/D;双12bitD/A;48个I/O口;DMA;128段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;温度传感器;80PN 封装型号MSP430FW423参数说明8KBflash,256BRam;slopeA/D;流量测量ScanIF模块;48个I/O口;96段LCD;16位WDT;8bit 基本定时器;1个16位Timer_A(3或5个捕获/比较寄存器);比较器_A;64PM封装型号MSP430FW425参数说明16KBflash,512BRam;slopeA/D;流量测量ScanIF模块;48个I/O口;96段LCD;16位WDT;8bit 基本定时器;1个16位Timer_A(3或5个捕获/比较寄存器);比较器_A;64PM封装型号MSP430FW427参数说明32KBflash,1024BRam;slopeA/D;流量测量ScanIF模块;48个I/O口;96段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3或5个捕获/比较寄存器);比较器_A;64PM封装型号MSP430F435参数说明16KBFlash,512BRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;128/160段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器)_B;1个USART接口;比较器_A;温度传感器;80PN/100PZ封装型号MSP430F436参数说明24KBFlash,1024KRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;128/160段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器)_B;1个USART接口;比较器_A;温度传感器;80PN/100PZ封装型号MSP430F437参数说明32KBFlash,1024KRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;128/160段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器)_B;1个USART接口;比较器_A;温度传感器;80PN/100PZ封装型号MSP430F447参数说明32KBFlash,1024KRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;160段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B (7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;温度传感器;100PZ 封装型号MSP430F448参数说明48KBflash,2048BRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;160段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B (7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;温度传感器;100PZ 封装型号MSP430F449参数说明60KBflash,2048BRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;160段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B (7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;温度传感器;100PZ 封装型号TSS721AD参数说明M-BUS总线型号TRF6901PT参数说明无线射频率收发芯片。
DMP英文官方手册翻译中文

嵌入式的运动驱动程序5.1.1 教程TABLE OF CONTENTSREVISION HISTORY ............................. PURPOSE .............................................. REQUIREMENTS .................................. NTRODUCTION TO MOTION DRIVER目的运动驱动程序是一个传感器驱动程序层,轻松地配置和利用机上数字运动处理器(DMP) InvenSense 的运动跟踪设备的功能。
运动驱动程序是嵌入式MotionApps 软件,使更容易移植到多个单片机体系结构的一个子集。
本文档说明了运动驱动库的实际应用。
包括教程与msp430 单片机嵌入式单片机兼容性从TI,和msp430 单片机体系结构的一些知识为此,提出建议。
采用MSP430 单片机作为示例平台只。
运动驱动程序可以方便地移植到任何MCU。
要求3.1 作曲家的工作室(编译MSP430 示例只)的代码3.2 议案的驱动程序源代码文件3.3 MotionFit ™发展局或类似的硬件(例如只)运动驱动程序简介运动驱动程序包括了一整套的API 的ANSI 兼容C 使用和配置不同功能的InvenSense 运动跟踪设备,包括DMP 操作编写的。
本教程提供一个样本项目,从加速度计和陀螺仪(6 轴四元数)出融合四元数的数据发送到由客户端用python 写的显示和旋转屏幕上一个 3 维多维数据集进行处理的pc 机的串行端口上。
在此驱动程序支持 6 轴和9 轴InvenSense 设备。
以下被解决本议案驱动程序教程:如何加载、配置和利用DMP 功能.Msp430 单片机的I2C 驱动程序示例。
陀螺仪和加速度计自我测试基于硬件自我测试文档的函数调用。
(请参阅完整自我测试描述产品注册地图文档)。
MSP-EXP430G2 LacunchPad口袋实验平台用户手册

4.11 I2C 扩展 IO .................................................................................. 31 4.12 LCD 显示自检 ............................................................................. 34 4.13 拨盘电位器 .................................................................................. 36 4.14 温度传感器采样及显示.............................................................. 38 4.15 SPWM 波形合成及采样 .............................................................. 40 4.16 任意波形发生器 AWG ............................................................... 43 4.17 基于 AWG 的音频播放器 .......................................................... 45 4.18 自校验 DCO ................................................................................ 47
1
口袋实验平台可以不借助其它测试仪器实现对单片机的内 部资源和外设的学习和实验。三个综合实验的录像中,使用了 部分仪器来丰富实验效果。 1) 在例程“20_Sin_Gen_and_Sample ”中可以使用示波器 观测 PWM 滤波波形,也可以利用仿真器间接观测波 形。 2) 例程 “21_1_DAC_AWG” 中使用了示波器,如无示波 器,可用例程“21_2_TF_Audio”替代学习 DAC 的使 用。 3) 例程“22_DCO_Calb_Test”录像中示波器和频率计的使 用是为了验证自校验 DCO 频率的精度,利用单片机 自制的频率计一样能满足要求,可自行编程实现频率 计功能。
msp430g2553数据手册中文版

28 引脚
24 TSSOP 封
LF,
装
-
1
DCO,
VLO
20 引脚
16 TSSOP 封
装
16
20 引脚 PDIP 封装
24
32 引脚 QFN 封装
28 引脚
24 TSSOP 封
LF,
装
-
1
DCO,
VLO
20 引脚
16 TSSOP 封
装
16
20 引脚 PDIP 封装
24
32 引脚 QFN 封装
28 引脚
3
MSP430G2x53 MSP430G2x13
ZHCS178E – APRIL 2011 – REVISED JANUARY 2012
器件引出脚配置、MSP430G2x13 和 MSP430G2x53、20 引脚器件、 TSSOP 和 PDIP 封装
DVCC 1 P1.0/TA0CLK/ACLK/A0/CA0 2 P1.1/TA0.0/UCA0RXD/UCA0SOMI/A1/CA1 3 P1.2/TA0.1/UCA0TXD/PUCA0SIMO/A2/CA2 4 P1.3/ADC10CLK/CAOUT/VREF-/VEREF-/A3/CA3 5 P1.4/SMCLK/UCB0STE/UCA0CLK/VREF+/VEREF+/A4/CA4/TCK 6 P1.5/TA0.0/UCB0CLK/UCA0STE/A5/CA5/TMS 7
P2.0/TA1.0 8 P2.1/TA1.1 9 P2.2/TA1.1 10
N20 PW20 (TOP VIEW)
20 DVSS 19 XIN/P2.6/TA0.1 18 XOUT/P2.7 17 TEST/SBWTCK 16 RST/NMI/SBWTDIO 15 P1.7/CAOUT/UCB0SIMO/UCB0SDA/A7/CA7/TDO/TDI 14 P1.6/TA0.1/UCB0SOMI/UCB0SCL/A6/CA6/TDI/TCLK 13 P2.5/TA1.2 12 P2.4/TA1.2 11 P2.3/TA1.0
mps430G2553中文资料

时钟
I/O 封装类型
16
512 2x TA3
8
8
512 2x TA3
8
4
256 2x TA3
8
2
256 2x TA3
8
1
256 2x TA3
8
24
32 引脚 QFN 封装
28 引脚
24 TSSOP 封
LF,
装
-
1
DCO,
VLO
20 引脚
16 TSSOP 封
装
16
20 引脚 PDIP 封装
24
32 引脚 QFN 封装
引导加 载器 (BSL)
嵌入式 仿真模
块 (EEM)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
表 1. 提供的选项(1)(2) (接下页)
ZHCS178E – APRIL 2011 – REVISED JANUARY 2012
闪存 (KB)
RAM (B)
Timer_A
COMP_A+ 通道
10 通道 ADC
USCI A0/B0
典型应用包括低成本传感器系统,此类系统负责捕获模拟信号、将之转换为数字值、随后对数据进行处理以进行显 示或传送至主机系统。
1
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MSP430电容式单触摸传感器设计指南Vincent Chan, Steve Underwood MSP430摘要此应用报告探讨了基于MSP430的RC类型的电容式单触摸传感器设计方案。
MSP430具有一些独特的性质。
MSP430的特性使得它适合作为电容式触摸传感器的接口。
RC型设计方案不需要特别的外围设备,能够完全使用MSP430系列产品来实现。
报告中的方案是一种低功耗设计的解决方案。
应用报告中包含了在产品中实现电容式传感器的指南。
目录1 工作原理 (1)2 基本电容测量 (2)3 提高抗噪和灵敏度的技术 (3)3.1 伪差分测量 (3)3.2 软件低通滤波器 (5)3.3 跟踪电容基值 (6)4 处理测量结果 (7)5 制作实验板 (9)5.1 实例演示 (11)6 系统资源 (12)7 电路板设计的考虑 (12)7.1 连接电路板和触摸板 (12)7.2 触摸板的形状和大小 (12)7.3 PCB的厚度和接地面 (15)8 覆盖物 (15)8.1 覆盖物材料 (15)8.2 覆盖物的厚度与灵敏度 (16)8.3 粘合剂和其它填料 (17)8.4 射频发射和敏感度测试结果 (17)9 参考文献 (19)1 工作原理单触摸敏感电容式传感器是由开放式电容结构构成,电容极板间形成的电场能被外部具有导电性的物体,如手指等,干扰。
图1为用PCB实现电容的实例。
焊盘和周围的地之间形成电容,而极板间电场存在于电容上空的区域内。
当手指靠近电容上空时,将干扰电场并引起电容的相应变化。
Figure 1. Open Capacitor Acting as a Sensor.图1. 开放式电容充当传感器.接地层一般被设计在焊盘的下面,用以屏蔽来自其它电子产品或电路模块的干扰。
此类型设计易受PCB上的寄生电容和周围环境的影响,比如温度、湿度等。
因此,需要长时间的监视系统工作环境的变化。
2 基本电容测量这一节介绍基于RC充放电原理的基本电容测量方法和所需的硬件。
RC的放电时间能够用来测量传感器中的电容。
此方法最早由1976年的一个专利(现在已过期)提出。
电容式传感器构成了RC电路中的电容。
测量时采用一条I/O线来对电容进行充放电,并当电容的电压超过所设阈值时产生中断。
电容测量过程如下:1.电阻的一端接传感器,另一端接地。
传感器接到I/O线。
2.I/O端口的输出设为高电平。
这样能很快使电容式传感器的电压接近V CC。
可以采用定时器记录开始时间。
本例中使用Timer_A中的TAR。
3.I/O设置为输入在下降沿产生中断。
然后电阻对电容式传感器放电。
微控制器进入低功耗模式0.4.当传感器的电压经过V IL就产生中断。
5.中断服务程序再次读取计时器并计算放电至电压V IL所需要时间。
6.微控制器退出低功耗模式继续运行。
放电时间和传感器焊盘的电容容量成正比。
因此,为了提供足够的测量精度,RC放电必须足够慢。
为了确保足够的放电时间,采用接近6 MΩ的电阻。
采用这个阻值的电阻,电容的充电电流只有大约500 nA。
因此,I/O端口的泄漏电流必须很小。
MSP430 I/O端口的最大泄漏电流为50 nA,因此比较适合用此方法感应电容容量。
端口1和端口2分别有八个独立的中断线,因此在一个系统中一次最多可以检测16个传感器。
图2描述了为前面描述的方法。
图2底部的条状显示了微控制器的活动状况,它在超低功耗的应用中十分重要。
采用MSP430构造的检测器每次按键消耗的电流仅为10 µA到20 µA,这在低功耗的遥控器中很重要,因为检测器将一直处于工作状态。
Figure 2. Charge-Discharge Sequence.图2. 充放电顺序.3 提高抗噪和灵敏度的技术高阻抗系统虽然有低功耗的优点,但是对噪声很敏感。
系统中的噪声主要来自经人体传播的50/60 Hz工频干扰,以及系统电源。
可以用两种技术来解决存在的噪声问题。
此文档中,灵敏度定义为当手指覆盖焊盘时造成的有效电容变化,也称之为C delta。
3.1 伪差分测量图3中采用简单的硬件技术过滤掉共模噪声,并利用充放电时间长度计算电容的大小。
测量值的平均值将用于下一步骤的计算中。
如果快速、连续的执行这两个测量,相对于较慢的共模噪声来说,测量结果的平均值能够被近似为一个差分信号,因此可以用这种方法减小工频噪声。
在测量周期中,对电容冲放电时间测量有不同的阈值电平,因此存在着静态测量误差,并反应为测量电容值的误差。
设计的应用是为了检测电容相对于基值或标准值的变化,因此由充放电阈值电平不同给电容测量带来的误差不会对检测产生影响。
Figure 3. Measurement Cycle for Improved Noise Rejection.图3. 改进的抑制噪声的测量环.为了实施这个方案,在两个I/O间接一个电阻(见图4)。
当P1.0用来感应触摸板时,P1.1转为输出模式并充当充放电循环的电源和地。
当P1.1用来感应触摸板时,P1.0转为输出模式并充当充放电循环的电源和地。
这种方法的另一优点就是系统中所需的电阻数目减少一半。
Figure 4. Multi-Sensor Charge/Discharge Configuration.图4. 多个传感器充放电结构.3.2 软件低通滤波器前级的输出需通过附加的IIR滤波器。
这实际是一个直流追踪滤波器。
此滤波器可以滤除所有残余噪声并增加焊盘的灵敏度。
虽然降低了测量速度,但提高了系统的整体性能。
图5为滤波器的结构。
Figure 5. Software Low-Pass Filter.图5. 软件低通滤波器.滤波器的输入是焊盘的瞬时检测到的焊盘电容值和电容基值的差值。
电容基值是焊盘处于开放状态时的电容值。
图6 为使用示波器捕捉的,由手指隔着1 mm厚的塑料材料触摸传感器所引起的电容变化。
在图中能够清晰的看到50/60 Hz的工频干扰。
Figure 6. Oscilloscope With Mains Noise.图6. 有电源噪声的示波器.图7 为增加一个软件数字滤波器对捕捉信号滤波改进后的结果。
此滤波器有效的抑制了50/60 Hz的工频干扰,同时也对信号进行了放大。
Figure 7. Oscilloscope With IIR Filter.图7. 带有IIR滤波器的示波器.3.3 跟踪电容基值触摸板的电容基值(当触摸板开放在空气中的电容值)随温度变化而产生改变。
因此,对这个缓慢变化的跟踪在系统设计中很重要。
跟踪周期一般是几分钟而不是几秒钟。
对这一特性的跟踪速度是不对称的,对电容基值增长的跟踪速度比对电容基值减少的跟踪速度慢(在此应用中其比例为10)。
例如,当手指慢慢接近触摸板,检测器的反应速度应较慢,以避免影响检测器的检测灵敏度,而当手指移走时,检测器迅速回到处于开放空间中的原始值。
图8显示了这个过程。
当接触板被手指激活,调制器停止工作。
Figure 8. Tracking Base Capacitance Flow Chart.图8. 追踪电容基值的流程图.4 处理测量结果IIR输出的结果应是具有很好分辨度的电容值。
方案中提供了简单的以单键按钮、或滑动器为基础的测量方案。
在此应用实例中,滑动器是由14个焊盘按照电话拨号装置的方式排列组成的(如图9所示)。
Figure 9. Slider Function.图 9. 滑动器功能.采用了加权平均的方法构建一个测量用滑动器。
此方法能够对每两个焊盘之间进行16步的精确定位,因而滑动器中的16个键总共产生了240步的测量精度。
gain C i C C i C i C ni delta delta n i delta delta s Hi ×−−−−×=∑∑==11Re min)]1[(]min)]1[()[( Figure 10. Weighted Averaging Method.图 10. 加权平均值法.图11为手指向上和向下滑动滑动条的输出结果,其中滑动条由五个电容焊盘组成。
线性结果显示了测量方法针对每个焊盘可以产生多步测量精度,结果中测量的最大值和最小值之差大致为60个计数周期.Figure 11. Slider Output Steps.图 11. 滑动器输出步骤.5 制作实验板可以用MSP430F2013来演示滑动器功能。
F2013是MSP-EXP430FG4618实验板的一部分(如图12所示)。
Figure 12. MSP430 Experimenter's Board.图12. MSP430实验板.实验板上有16个焊盘,它们排列成数字4的形状(如图13所示)。
I/O重复驱动这些焊盘。
Figure 13. Experimenter's Board Pad Layout.图13. 实验板焊盘布局.MSP430触摸板处理器和主处理器连接在一起,主处理器接收触摸板的输出并显示出来。
它也把数据发送到PC,应用程序可以将这些数据以不同的形式显示(如图14所示)。
Figure 14. Touchpad Processor.图14. 触摸板处理器.5.1 实例演示演示代码在EXP430FG4618上运行。
为了运行此实验,必须先连接FET和JTAG把主软件FG4619_host_comms装载在U3上。
PC上运行的程序(touch_strip.exe)和与板连接的串口COM1一起运行。
然后把应用程序载入目标设备U4。
这个应用报告中包含两个应用实例:1.使用五个焊盘(焊盘7,6,1,4)产生滑动功能并输出从1到255中的一个技术值。
当手指沿着滑动器移动,读数通过I2C发送给具有LCD驱动的主处理器(MSP430FG4618)。
显示的数字是递增或递减的数字。
PC上运行的程序touch_strip.exe能够把这个数字显示在音量栏上(数字通过UART发送)。
2.用五个焊盘(焊盘1,3,0,6)检测按键从一到五按下。
当手指按每个按钮,数字就会通过I2C发送给主处理器(MSP430FG4618)。
按键的数字会通过UART显示在PC程序touch_strip.exe上,并且指向被按键方向(4=上,0=下,3=右和6=左)的箭头也显示在LCD屏幕上。
6 系统资源前面叙述的基于I2C通信的滑动器用到的系统资源如下:1 1950 bytes 的ROM2 96 bytes的RAM3 低于0.1 MIPS实际需要的MIPS很小,因为处理器的大部分时间处在睡眠模式。
只有所需RAM的大小随按键数目增至16时也将成比例的增长。
7 电路板设计的注意事项7.1 连接电路板和触摸板触摸板的连线应该尽可能短,因为连线可以增加基电容。
保持连线形状尽可能一致很重要,因为弯曲能够影响整体电容的变化。