电子技术基础作业习题复习过程
电子技术基础第1到6章复习习题
模电复习习题一、选择题1.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是A 。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化2.大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是A 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适3.当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的B。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降A 。
A.3dBB.4dBC.5dB4. 多级直接耦合放大电路中，（A）的零点漂移占主要地位。
A) 第一级B) 中间级C) 输出级5. 一个三级放大电路，测得第一级的电压增益为0dB，第二级的电压增益为40dB，第三级的电压增益为20dB，则总的电压增益为（B）A) 0dB B) 60dB C) 80dB D) 800dB6.在相同条件下，多级阻容耦合放大电路在输出端的零点漂移（B ）。
A）比直接耦合电路大B）比直接耦合电路小C）与直接耦合电路基本相同7.要求静态时负载两端不含直流成分，应选( D )耦合方式。
A）阻容B）直接C）变压器D）阻容或变压器8.差动放大电路是为了（C）而设置的。
A) 稳定增益B) 提高输入电阻C）克服温漂D) 扩展频带9. 差动放大电路抑制零点漂移的能力，双端输出时比单端输出时（A ）A) 强B) 弱C）相同10. 在射极耦合长尾式差动放大电路中，eR 的主要作用是（B ）A) 提高差模增益 B ）提高共模抑制比C) 增大差动放大电路的输入电阻 D) 减小差动放大电路的输出电阻11. 差动放大电路用恒流源代替发射极电阻是为了（ A ）。
A ）提高共模抑制比 B ）提高共模放大倍数 C ）提高差模放大倍数 12. 集成运放的输出级一般采用（C ）。
电子技术基础(上习题)(附答案).docx
电子技术基础一、 填空第一章 直流电路分析基础1.电路一般由 电源 、 负载 和 中间环 三部分组成。
2.电源是将 其他形式的能转换成电能 的装置。
3.负载是将 电能转换为其他形式的能 的设备。
4.电路的作用包括 能源转换 和 信号处理 两个方面。
5.交流电是指 大小和方向随时间变换而变化 的电压或电流。
6.数字信号是指 大小和方向不随时间变化而变化 的电压或电流信号。
7.模拟信号是指 大小和方向随时间连续变化 的电压或电流信号。
8.电路中的元件分为有源元件和无源元件，其中无源元件包括 电阻 、电感 和 电容 三种。
9.在电路中起激励作用的是独立电源，包括理想独立电流源 和 非理想电压源 。
10.电路中有两种电源，其中起激励作用的是独立电源，不起激励作用的是 受控 电源。
11. 一般来说，电流分为 直流 、 交流 和 随机电流 三种类型。
12.求出的功率如果大于0，表示该元件吸收功率 ；如果功率小于0，表示该元件 发出功率 。
13.一般来说，电压分为 直流电压 、 交流电压 和 随机电压 三种类型。
14.对于一个二端元件，在关联参考方向的时，该元件功率的计算公式习惯表示为 P=UI ；与此相反，在非关联参考方向的时，其功率计算公式习惯表示为 P= -UI 。
15.根据是否提供激励，电源分为 独立 和 受控 两种。
第二章 一阶过渡电路1.一阶过渡电路的全响应分析通常用三要素法，三要素分别指 初始值f 、 稳态值f 和 时间常数 。
2.RC 过渡电路中的时间常数的表达式为 ；RL 过渡电路中的时间常数的表达式为。
3.根据是否有信号输入，一阶过渡电路分为 零输入 响应和 零状态 响应。
4.一阶电路的全响应既可以用零输入响应和零状态响应表示，也可用 多个暂态 和 多个稳态 表示。
第三章 正弦交流电1.正弦交流电源的三要素是指 振幅 、 频率 和 出相位 。
2.已知某交流正弦电流的瞬时表达式为 ()3143i t t π⎛⎫=+ ⎪⎝⎭，则该正弦交流电流的最大值为 5 A ，频率为 50Hz ，初相位为。
康华光《电子技术基础-模拟部分》（第5版）笔记和课后习题（含考研真题）..
目 录第1章 绪 论1.1 复习笔记1.2 课后习题详解1.3 名校考研真题详解第2章 运算放大器2.1 复习笔记2.2 课后习题详解2.3 名校考研真题详解第3章 二极管及其基本电路3.1 复习笔记3.2 课后习题详解3.3 名校考研真题详解第4章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 复习笔记4.2 课后习题详解4.3 名校考研真题详解第5章 场效应管放大电路5.1 复习笔记5.2 课后习题详解5.3 名校考研真题详解第6章 模拟集成电路6.1 复习笔记6.2 课后习题详解6.3 名校考研真题详解第7章 反馈放大电路7.1 复习笔记7.2 课后习题详解7.3 名校考研真题详解第8章 功率放大电路8.1 复习笔记8.2 课后习题详解8.3 名校考研真题详解第9章 信号处理与信号产生电路9.1 复习笔记9.2 课后习题详解9.3 名校考研真题详解第10章 直流稳压电源10.1 复习笔记10.2 课后习题详解10.3 名校考研真题详解第11章 电子电路的计算机辅助分析与设计第1章 绪 论1.1 复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。
信号是信息的载体，按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类：①时间连续、数值连续信号，即模拟信号；②时间离散、数值连续信号；③时间连续、数值离散信号；④时间离散、数值离散信号，即数字信号。
二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波)，从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号，过滤掉不需要的频率信号，也可以过滤掉某些频率信号，保留其它频率信号。
幅度频谱：各频率分量的振幅随频率变化的分布。
相位频谱：各频率分量的相位随频率变化的分布。
三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路，所谓放大作用，其放大的对象是变化量，本质是实现信号的能量控制。
放大电路有以下4种类型：1．电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2．电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3．互阻放大电路电路的互阻增益为4．互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻：输入电压与输入电流的比值，即对输入为电压信号的放大电路，R i越大越好；对输入为电流信号的放大电路，R i越小越好。
电工电子技术基础直流部分复习题
《电工与电子基础》直流部分复习题一、直流电路复习知识点1、电路的组成2、实际电源与理想电源的区别3、电位的概念电压的概念电位与电压（电压降或电位差）的关系电压与电动势的关系4、电压、电流的参考方向的概念关联参考方向与非关联参考方向5、电功率指某元件的电功率P＞0表明该元件是消耗功率P＜0表明该元件是发出功率6、部分电路欧姆定律有源电路欧姆定律全电路欧姆定律7、电路的三种工作状态8、基尔霍夫电流、电流定律9、电阻的串、并联，电阻Y—Δ的等效变换10、电压源、电流源的等效变换11、支路电流法，叠加定理二、练习题（一）填空题1、如题2图电路所示，图（a）的U ab= V，图（b）的E= 。
2、在题4图所示电路中，U ab= V。
3、在题5图电路中，当开关S闭合时U a= V，U c= V，U ab= V；当开关S打开时，U a= V，U c= V，U ab= V。
4、已知题6图中电源E=10V，此电源在电路中吸收功率为30W，则流过此电源的电流I= A，电流实际方向由指向。
5、如题7电路中，已知I=8mA，U1=4V，U2=－2V，U3=－6V，由此可判断方框内元件是发出能量还是吸收能量。
元件1：，元件2：，元件3：。
6、在题8图所示电路中，I4= ，I5= ，E= 。
7、题9图所示电路为一含源支路，I1= ，I2= 。
8、题10图所示电路中，开关S打开，则U ab= 。
9、在题11图所示电路中，U1= ，U2= 。
10、一个量程为200mV，内阻为1KΩ的电压表，则应与该电压表一个阻值为R V= 的电阻。
11、在题14图电路中，开关S打开时R ab= ，开关S闭合时R ab= 。
12、在题15图所示电路中，已知I=9A，I1=3A，R1=4Ω，R3=6Ω，可知支路电阻R2= Ω，总电阻R= Ω。
13、在题1-16图（a）、（b）、（c）电路中，a b间等效电阻为：（a）Rab= Ω；（b）Rab= Ω；（c）Rab= Ω。
电子技术基础第五版习题册参考答案
电子技术基础第五版习题册参考答案电子技术基础是一门涉及广泛且实用性强的学科，其第五版习题册对于学习者巩固知识、提升能力具有重要意义。
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一、直流电路部分1、电路的基本概念和定律习题 1：计算通过电阻 R ＝5Ω 的电流，已知电阻两端的电压为10V。
解：根据欧姆定律 I ＝ U/R，可得 I ＝ 10V ／5Ω ＝ 2A。
习题 2：已知电源电动势 E ＝ 12V，内阻 r ＝1Ω，外接电阻 R ＝5Ω，求电路中的电流和电源的端电压。
解：电路中的总电阻 R总＝ R ＋ r ＝5Ω ＋1Ω ＝6Ω，电流 I ＝ E ／ R总＝ 12V ／6Ω ＝ 2A。
电源的端电压 U ＝ IR ＝2A × 5Ω ＝ 10V。
2、电阻的串联、并联和混联习题 3：三个电阻 R1 ＝2Ω，R2 ＝3Ω，R3 ＝6Ω 串联，求总电阻。
解：总电阻 R ＝ R1 ＋ R2 ＋ R3 ＝2Ω ＋3Ω ＋6Ω ＝11Ω。
习题 4：两个电阻 R1 ＝4Ω，R2 ＝12Ω 并联，求总电阻。
解：总电阻 1/R ＝ 1/R1 ＋ 1/R2 ，即 1/R ＝1/4Ω ＋1/12Ω ，解得 R ＝3Ω 。
3、基尔霍夫定律习题 5：在如图所示的电路中，已知 I1 ＝ 2A，I2 ＝－1A，I3 ＝3A，求 I4 。
解：根据基尔霍夫电流定律，在节点处电流的代数和为零，所以 I1 ＋ I2 ＋ I3 ＋ I4 ＝ 0 ，即 2A 1A ＋ 3A ＋ I4 ＝ 0 ，解得 I4 ＝－4A 。
习题 6：在如图所示的电路中，已知 U1 ＝ 10V，U2 ＝－5V，U3＝ 3V，求 U4 。
解：根据基尔霍夫电压定律，在回路中电压的代数和为零，所以U1 U2 U3 ＋ U4 ＝ 0 ，即 10V （－5V) 3V ＋ U4 ＝ 0 ，解得 U4 ＝－12V 。
二、交流电路部分1、正弦交流电的基本概念习题 7：已知正弦交流电压 u ＝ 10sin(314t ＋ 30°） V，求其最大值、有效值、角频率、频率和初相位。
《电子技术基础》作业
《电子技术基础》作业一．电路如图所示：1、请计算该电路的静态工作点Q ；112:b B a b R Q V V R R =⋅+ B BE E eV V I R -= c E I I ≈ c B I I β= c B I I β-= 12////b b be Rin R R γ= o c R R =2、 请画出该电路的微变等效电路图；3、请计算该电路的输入电阻Ri;输出电阻Ro;12////b b be Rin R R γ= o c R R =二．电路如图所示，试判断：1.该电路的反馈类型； 答：该反溃为电压串联页反溃2.该反馈稳定什么输出量，该反馈对输入输出电阻有什么影响。
答：该反溃稳定输出电压，该反溃减少输出电阻，增大输入电阻三．电路如图所示：a) 请画出该电路的差模单边等效电路并计算差模输入电阻Rid ，输出电阻Rod ； 22(//)b be Rid R γ= 2c Rod R =b) 请画出该电路的共模单边等效电路并计算共模输入电阻Ric ，输出电阻Roc ；12(//)ic b be R R γ= 2c Rod R =c) 请计算该电路的差模电压放大倍数Aud ， cud beR A βγ=-d) 共模电压放大倍数Auc 。
四．电路如图所示，请分析输入与输出之间的关系。
o12o if V V R R -= 12f o i R V V R =- 1o o V V = 2f o i R V V R =-五．请分析下列电路，试分析：1.该电路中二极管的作用；该电路中的二极管给12,V V2.计算该电路的最大输出功率。
答：222(182max 8a a aL L LV V V Po R R R ===六．请判断该波形描述何种电路元件。
结型N 沟道场效应管七．请分析下列电路图，试判断：1.该电路的反馈类型；答：A 图为电压串联页反溃 B 图为电流并联页反溃 2.该反馈稳定什么输出量,该反馈对输入输出电阻有什么影响。
电子技术基础(1、2、5)复习题
半导体二极管一、、选择1、下图中，（）二极管处于正向偏置（全部为硅管）。
2、杂质半导体比纯净半导体导电能力（）。
A．强B．弱C．一样3.PN结正向偏置时（）。
A．P区接电源正极，N区接电源负极B．N区接电源正极，P区接电源负极C．电源极性可以任意调换D．不接电源4.当外界温度升高时，半导体的导电能力（）。
A．不变B．增加C．显著增加D．先减小后增加5. PN结的最大特点是具有（）。
A．导电性Ｂ．绝缘性Ｃ．单向导电性6. 变容二极管在电路中使用时，其PN结是（）。
A．正向运用B．反向运用 C. 正反向均可7 、PN结加正向电压时，空间电荷区将A、变窄B、基本不变C、变宽8. 测量二极管（小功率）的管脚极性时，万用表的电阻档应选（）。
A．R×1 B．R×10 C．R×100或R×1k D．R×10k9.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V，判断二极管应是（）。
A．正偏B．反偏C．零偏10. 测量二极管反向电阻时，若用两手将两管脚捏紧，其电阻值会（）。
A．变大B．先变大后变小C．变小D．不变11. 2AP9表示（）。
A．N型材料整流管B．N型材料稳压管C．N型材料普通管D．N型材料开关管12.二极管正反向电阻相差（）。
A．越小越好B．越大越好C．无差别最好D．无要求13. 加在二极管上的正向电压大于死区电压，其两端电压为( )。
A.随所加电压增加而变大B. 0.7V左右C.随所加电压增加而减小D．随所加电压增加变化不大14. 用万用表R×100Ω挡来测试二极管，其中( )说明管子是好的。
A．正、反向电阻都为零B．正、反向电阻都为无穷大C．正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D．反向电阻为几百欧，正向电阻为几百欧15. 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）。
A．基本正常B．击穿C．烧坏D．电流为零16.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管( )。
电子技术基础期末复习重点及例题
1 1 1
1 0 不变
截止 导通 不变
单稳态触器:
+UDD
ui
0
R
t1
t2 t3
t
8 6
4
ui
C
2 555 3 71 5
uo
u 2 C U 3 DD
0
t
uo
0
t tW
暂稳态待续时间:tW =
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1.1RC
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用555定时器组成施密特触发器
根据右表所示555定时器的工作原理, 输出波形如右 下图。 vI
习题：4.1.4 4.2.9 4.4.6 4.4.19
组合逻辑电路的分析步骤：
(1) 由逻辑图写出各输出端的逻辑表达式；
(2) 化简和变换各逻辑表达式； (3) 列出真值表； (4) 根据真值表和逻辑表达式对逻辑电路进行分析， 最后确定其功能。
已知逻辑电路，写出逻辑表达式,列真值表。
A B & C &
小项，组成它们的变量中，只有一个不同，其余都相同
（3）卡诺图化简逻辑函数 (P53):2.2.4/2.2.6
(P65)习题2.2.3
1.1997年“1”做异或运算，结果是什么？ 2.下列等式不成立的是（ ） A． AB A B B．AB+AC+BC=AB+BC A C．(A+B)(A+C)=A+BC D． AB AB AB 1 AB 3.A+B+C+ A AB =（ ） 4.函数F=A+B与下列哪个表达式相等:( ) A. A+AB B. AB+B C. A AB D. A AB 5.用卡诺图化简逻辑函数时, 包围圈内最小项的个数 是 ;同一个小方格能否被不同包围圈多次使 用? ;无关项可否被不同包围圈多次使 用? ;如果某个包围圈中的所有小方格都被使用 过两次,则这个包围圈是否有效? ;如果某个包 围圈中的所有小方格都是无关项,则这个包围圈是否 有效? ;
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电子技术基础作业习
题
一、填空题：
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。
P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。
2、三极管的内部结构是由区、区、区及结和结组成的。
三极管对外引出的电极分别是极、极和极。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）
（） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
（）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。
（）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
三、选择题
1、单极型半导体器件是（）。
A、二极管；
B、双极型三极管；
C、场效应管；
D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。
A、三价；
B、四价；
C、五价；
D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（）。
A、导通状态；
B、截止状态；
C、反向击穿状态；
D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（）。
A、已经击穿；
B、完好状态；
C、内部老化不通；
D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。
A、多子扩散；
B、少子扩散；
C、少子漂移；
D、多子漂移。
四、简述题
1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。
上述说法对吗？为什么？
2、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？
参考答案：
一、填空题
1. 五自由电子空穴正三空穴自由电子负
2. 发射基集电区发射集电发射基集电
二、判断题
1.×
2.√
3. ×
4. ×
5. ×
三、选择题
1.C
2.A
3.C
4.C
5.A
四、简述题
1.答：这种说法是错误的。
因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
2.答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。
单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。