电子技术基础作业习题复习过程

电子技术基础作业习

题

一、填空题：

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。

2、三极管的内部结构是由区、区、区及结和结组成的。三极管对外引出的电极分别是极、极和极。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）

（） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

（）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。

（）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。

（）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。

三、选择题

1、单极型半导体器件是（）。

A、二极管；

B、双极型三极管；

C、场效应管；

D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。

A、三价；

B、四价；

C、五价；

D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是（）。

A、导通状态；

B、截止状态；

C、反向击穿状态；

D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（）。

A、已经击穿；

B、完好状态；

C、内部老化不通；

D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。

A、多子扩散；

B、少子扩散；

C、少子漂移；

D、多子漂移。

四、简述题

1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

2、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？

参考答案：

一、填空题

1. 五自由电子空穴正三空穴自由电子负

2. 发射基集电区发射集电发射基集电

二、判断题

1.×

2.√

3. ×

4. ×

5. ×

三、选择题

1.C

2.A

3.C

4.C

5.A

四、简述题

1.答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。

2.答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。