电子技术基础作业习题教学文案

电子技术基础作业习题教学文案
电子技术基础作业习题教学文案

精品文档

一、填空题:

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为,少数载流子为,不能移动的杂质离子带电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为,少数载流子为,不能移动的杂质离子带电。

2、三极管的内部结构是由区、区、区及结和结组成的。三极管对外引出的电极分别是极、极和极。

二、判断正误:(每小题1分,共10分)

()1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。()2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

()3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。

()4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。

()5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。

三、选择题

1、单极型半导体器件是()。

A、二极管;

B、双极型三极管;

C、场效应管;

D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。

A、三价;

B、四价;

C、五价;

D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是()。

A、导通状态;

B、截止状态;

C、反向击穿状态;

D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管()。

A、已经击穿;

B、完好状态;

C、内部老化不通;

D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。

A、多子扩散;

B、少子扩散;

C、少子漂移;

D、多子漂移。

四、简述题

1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?

2、半导体和金属导体的导电机理有什么不同?单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同?

精品文档

电工电子技术基础——习题解答

第1章习题 1-1 判断题 1.电荷的定向移动形成电流。(√) 2.直流电路中,电流总是从高电位流向低电位。(√) 3.电阻的体积越大,其额定的耗散功率越大。(√) 4.电阻的额定功率越大,它消耗的电能就越大。(×) 5.电阻串联时,各电阻上消耗的功率与其电阻的阻值成反比。(×) 6.电流表必须串联在电路中应用,而电压表则必须并联在电路中应用。(√) 7.在选择电器时,电器的额定电压一定要等于电源的额定电压。(√)8.额定功率越大的电器,其消耗的电能一定多。(×) 9.电压源和电流源是同一电源的两种不同的等效模型。(√) 10.电容器和电阻器虽然结构不同,其实是同一类型的电气元件。(×)11.电容器并联总电容量增加;电容器串联总电容量减小。(√) 12.对于同一个电容器,两端的电压越高其储存的电场能量越小。(√)1-2 计算题 1 一直流电流流过导体,已知在1min内通过导体横截面的电荷量为6000C,问该电流有多大?如果在1s内通过导体横截面的电荷量为6000C,问该电流有多大? 解:根据I=Q/t, 有 (1)I=6000C/60s=100A (2)I=6000C/1s=6000A 2 试在图1-30中标出电流、电动势、电压的实际方向,并问通过电流表A1和A2的电流是否相等?B、C、D各点的电位谁高谁低? 图1-30 题2图 解:因为A1、A2是串联关系,流过的电流相等;电位的排序为:B>C>D

3 有两条长度为1km 、截面积为2mm 2的导线,一条是铝线,一条是铜线,这两条导线在常温下的电阻各为多少?要想使铝导线的电阻与铜导线的电阻相同,铝导线的截面积应增加为多大? 解: (1)铝导线常温下的电阻: =???==--6 3610210100283.0S l R 铝铝ρ14.15Ω (2)铜导线常温下的电阻: =???==--63610 210100175.0S l R 铜铜ρ8.75Ω (3)铝导线的电阻与铜导线的电阻相同时铝导线的截面积为: 26 36m m 23.31073.810100283.0=???=--铝S 4 有两只灯泡,额定功率都为40W ,一只额定电压为36V ,另一只额定电压为12V ,两只灯泡工作时的电阻各为多少?如果将两只灯泡串联后接于48V 的电源上,哪只灯泡的电压超过了额定电压?将会有什么现象发生? 解: (1)工作电压为36V R =U 2/P =32.4Ω (2)工作电压为12V R =U 2/P =3.8Ω (3)串联接于48V 电源上 两电阻之和为R =32.4+3.8=36.2Ω 根据串联电阻分压公式有 2.434836 4.3211=?==U R R U V U 2=48-43.2=4.8V 额定电压为36V 的灯泡过压,灯丝会烧断。 5.计算下列灯泡的电阻及额定电压下的电流,并加以比较,澄清诸如“电

电子技术基础与技能题库

第一章:直流稳压电路 第一节:整流滤波电路 一、填空题 1、整流是将交流电压转换为_________电压,但整流后的电压是脉动直流电压,含有交流成分。 2、全波整流电路负载两端的电压大约是变压器二次电压的_____倍。 3、滤波是从脉动直流电压中滤除交流分量,使之成为___________电压。 4、电容滤波即将电容器________连接于负载两端,滤除交流分量。 5、电感滤波即将电感器与________串联,以限制交流分量通过负载。 6、二极管最主要的特性是___________ 二、判断题 1、二极管的正向电阻比反向电阻大。() 2、二极管两端加上正向电压就能导通。() 3、全波整流电路电容滤波负载上电压是二次电压的倍。() 4、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。() 5、整流输出电压加电容滤波后,电压脉动减小了,输出电压也下降了。 () 6、在半波整流电路中,接入滤波电容时的输出电压平均值约等于变压器二次电压() 7、整流电路是直流电源的核心部分,它是利用二极管的单向导电性,将输入的交流电压转换为脉动的直流电压。() 8、整流电路是直流电源的核心部分,它是利用二极管的单向导电性。() 9、常用的整流电路有半波整流电路和桥式整流电路。() 10、半波整流电路二极管流过的电流为负载上电流的一半。() 11、电容滤波电路是利用电容两端电压不能突变,在电容充、放电过程中使输出电压趋于平滑。() 12、电容滤波电路通常选电容比较大,效果越好。() 13、稳压二极管稳压电路输出电流不受稳压二极管最大稳定电流的限制。 () 三、选择题 1、二极管具有( ) A、信号放大作用 B、单向导电性 C、双向导电性 2、用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大,则二极管() A、特性良好 B、已被击穿 C、内部开路 3、在用万用表测量二极管过程中,对于同一种二极管,用万用表不同的档位测出的正向电阻值不同,主要原因是() A、万用表在不同的档位,其内阻不同 B、二极管有非线性的伏安特性 C、被测二极管质量差 4、关于电容滤波,下列说法错误的是()

电工电子技术基础-在线作业-

电工电子技术基础_在线作业_5 交卷时间:2017-01-16 13:54:47 考试成绩100分 一、单选题 1. (5分)555集成定时器内部属于()电路。 ? A. 模拟 ? B. 模拟和数字 ? C. 数字 ? D. 分立元件 纠错 得分:5 知识点:电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 2. (5分)74290的控制信号R9(1)、R9(2)均为高电平时,计数器的输出为()。

? A. 0 0 0 0 ? B. 1 0 0 1 ? C. 1 1 1 1 ? D. 1 0 0 0 纠错 得分:5 知识点:电工电子技术基础展开解析 答案B 解析 3. (5分) ? A. 串联电 压负反馈 ? B. 并联电流负反馈 ? C. 串联电流负反馈 纠错 得分:5 知识点:电工电子技术基础 展开解析 某测量放大电路,欲提高输入电阻、稳定输出电流,应引入()。

答案C 解析 4. (5分)为了提高电感性负载的功率因数,可以采用与电感性负载串联电容的办法。() ? A. 对 ? B. 错 纠错 得分:5 知识点:电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 5. (5分)恒流源的端口电压不会随负载的变化而变化,但恒流源的端口电流却会随负载的变化而变化。() ? A. 对 ? B. 错 纠错 得分:5

知识点:电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 6. (5分)可以表示为()。 ? A. ? B. ? C. ? D. 纠错 得分:5 知识点:电工电子技术基础 展开解析 答案D 解析 7. (5分)555集成定时器内部3个电阻的作用是()。 ? A. 加压 ? B. 充电

电子技术基础习题带答案

【理论测验】 一、单项选择题: 1.不属于对助焊剂的要求的是(C ) A、常温下必须稳定,熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性,较低的表面张力,粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用,焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体,熔化时不产生飞溅或飞沫 2.松香酒精溶液的松香和酒精的比例为(B ) A、1:3 B、3:1 C、任何比例均可 3.烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头,使用寿命长的烙铁头是( A ) A、合金头 B、纯铜头 4.焊接一般电容器时,应选用的电烙铁是( A ) A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5.150W外热式电烙铁采用的握法是( B ) A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6.印刷电路板的装焊顺序正确的是(C ) A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小。7.在更换元器件时就需要拆焊,属于拆焊用的工具的是(A ) A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1.焊点出现弯曲的尖角是由于(AB ) A、焊接时间过长,烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多,烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2.焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是(A ) A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 3.75W外热式电烙铁(B ) A、一般做成直头,使用时采用握笔法 B、一般做成弯头,使用时采用正握法 C、一般做成弯头,使用时采用反握法 D、一般做成直头,使用时采用正握法4.下列电烙铁适合用反握法的是( D ) A、20W B、35W C、60W D、150W 5.20W内热式电烙铁主要用于焊接( D ) A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对6.焊点表面粗糙不光滑( B ) A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 7.电烙铁“烧死”是指( C ) A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多,温度很高 C、烙铁头氧化发黑,烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断,不再发热

电子技术基础习题答案.

第1章检测题(共100分,120分钟) 一、填空题:(每空0.5分,共25分) 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N 区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。 5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。 二、判断正误:(每小题1分,共10分) 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错) 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。(对) 3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。(错) 4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。(PN结反向偏置时,其内外电场方向一致)(错) 5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。(错) 6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。(对) 7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿。(错) 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时,该管必被击穿。(错) 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。(错) 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。(错) 三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、单极型半导体器件是(C)。 A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。 1

《电子技术基础》练习题库

《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.

(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性

电工电子技术基础-在线作业_C

电工电子技术基础-在线作业_C最终成绩:100.0 一单项选择题 1. 字符“A”的ASCII码为()。 1000100 1000001 0001100 1001000 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答: 1000001 知识点: 2. 逻辑变量的取值,1比0大。()。 错 对 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:对 知识点: 3. 异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。() 对 错 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:对 知识点: 4. 的逻辑表达式为()。

本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答: 知识点: 5. 上图电路的逻辑表达式为()。 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答: 知识点: 6. 若两个函数具有相同的真值表,则两个逻辑函数必然相等。() 错 对 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:对 知识点: 7. 若两个函数具有不同的逻辑函数式,则两个逻辑函数必然不相等。() 错

本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:错 知识点: 8. 上图是一位()电路符号。 全加器 译码器 半加器 编码器 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:全加器 知识点: 9. “竞争-冒险”现象是由于门电路出现互补输入信号的缘故。() 错 对 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:对 知识点: 10. 时序逻辑电路的输出()。 与电路的上一个状态无关 只与输入信号有关 与电路的上一个状态有关 与输入信号无关 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:与电路的上一个状态有关

《数字电子技术基础》课后习题答案

《数字电路与逻辑设计》作业 教材:《数字电子技术基础》 (高等教育出版社,第2版,2012年第7次印刷)第一章: 自测题: 一、 1、小规模集成电路,中规模集成电路,大规模集成电路,超大规模集成电路 5、各位权系数之和,179 9、01100101,01100101,01100110; 11100101,10011010,10011011 二、 1、× 8、√ 10、× 三、 1、A 4、B 练习题: 1.3、解: (1) 十六进制转二进制: 4 5 C 0100 0101 1100 二进制转八进制:010 001 011 100 2 1 3 4 十六进制转十进制:(45C)16=4*162+5*161+12*160=(1116)10 所以:(45C)16=(10001011100)2=(2134)8=(1116)10 (2) 十六进制转二进制: 6 D E . C 8 0110 1101 1110 . 1100 1000 二进制转八进制:011 011 011 110 . 110 010 000 3 3 3 6 . 6 2 十六进制转十进制:(6DE.C8)16=6*162+13*161+14*160+13*16-1+8*16-2=(1758.78125)10 所以:(6DE.C8)16=(011011011110. 11001000)2=(3336.62)8=(1758.78125)10

(3) 十六进制转二进制:8 F E . F D 1000 1111 1110. 1111 1101二进制转八进制:100 011 111 110 . 111 111 010 4 3 7 6 . 7 7 2 十六进制转十进制: (8FE.FD)16=8*162+15*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(2302.98828125)10 所以:(8FE.FD)16=(100011111110.11111101)2=(437 6.772)8=(2302.98828125)10 (4) 十六进制转二进制:7 9 E . F D 0111 1001 1110 . 1111 1101二进制转八进制:011 110 011 110 . 111 111 010 3 6 3 6 . 7 7 2 十六进制转十进制: (79E.FD)16=7*162+9*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(1950. 98828125)10 所以:(8FE.FD)16=(011110011110.11111101)2=(3636.772)8=(1950.98828125)10 1.5、解: (74)10 =(0111 0100)8421BCD=(1010 0111)余3BCD (45.36)10 =(0100 0101.0011 0110)8421BCD=(0111 1000.0110 1001 )余3BCD (136.45)10 =(0001 0011 0110.0100 0101)8421BCD=(0100 0110 1001.0111 1000 )余3BCD (374.51)10 =(0011 0111 0100.0101 0001)8421BCD=(0110 1010 0111.1000 0100)余3BCD 1.8、解 (1)(+35)=(0 100011)原= (0 100011)补 (2)(+56 )=(0 111000)原= (0 111000)补 (3)(-26)=(1 11010)原= (1 11101)补 (4)(-67)=(1 1000011)原= (1 1000110)补

电工电子技术基础在线作业Abcdef

1. 若规定一个电路元件的电压与电流参考方向相关联,并计算得出其功率大于0,则该电路元件是吸收功率。() 对 错 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点: 2. 对于电路中的一个线性电阻元件,若规定其电压u和电流i的参考方向一致,则。() 对 错 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点: 3. 对于电路中的一个线性电感元件,若规定其电压u和电流i的参考方向一致,则。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点:

4. 对于电路中的一个线性电容元件,若规定其电压u和电流i的参考方向一致,则。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点: 5. 恒压源和恒流源可以等效互换。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:错 知识点: 6. 恒压源的端口电压不会随负载的变化而变化,但恒压源的端口电流却会随负载的变化而变化。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点:

7. 恒流源的端口电压不会随负载的变化而变化,但恒流源的端口电流却会随负载的变化而变化。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:错 知识点: 8. 当电路发生换路时,对电容元件来说,应有。() 对 错 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点: 9. 当电路发生换路时,对电感元件来说,应有。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:错 知识点: 10. 若购得一个耐压为300V的电器,则可以用在220V的交流电源上。() 对

电子技术基础-作业

2、分析电路中,各二极管是导通还是截止?并求出 管)。 3、二极管接成所示的电路,分析在下述条件下各二极管的通断情况。 (1) V C CI =6V, V CC =6V, R=2kQ, R 2=3k Q (2) V CCI =6V, V C C 2=6V, R I = F 2=3kQ (3) V C CI =6V, V CC =6V, F=3kQ , F 2=2k Q 设二极管D 的导通压降 V D =0.7V ,求出D 导通时电流I D 的大小。 4、图所示电路中,设晶体管的 3 =50, V BE =0.7V 。 (1) 试估算开关S 分别接通A 、B C 时的I B 、I C 、V CE 并说明管子处于什么工作状态。 (2) 当开关S 置于B 时,若用内阻为10k Q 的直流电 压表分 别测量 V BE 和V CE ,能否测得实际的数值?试 画出测量时的等效电路,并通过图解分析说明所 测得的电压与理论值相比,是偏大还是偏小? (3) 在开关置于A 时,为使管子工作在饱和状态 (设 临界饱和时的 V CE =0.7V ), F C 值不应小于多 少? (1) V =12V, R=4KQ , Fb=8k (2) V =12V, R=4KQ , R z =4k Q ; (3) V =24V, R=4KQ , R z =2k Q ; (4) V =24V, R=4KQ , R z =1k Q 。 试确定输出电压V O 的值。 5、图所示均为基本放大电路,设各三极管的 r bb =200Q , 3 =50, V BE =0.7V 。 计算各电路的静态工作点; 何 2) A 、O 两端的电压 V A 。(设D 为理想二极 0.5 V (+15 V)

电工电子技术基础练习题

电工电子技术基础练习题(1) 1、固定偏置放大电路如图所示,已知U CC V =20,U BE .V =07,晶体管的电流放 大系数β=100,欲满足I C mA =2,U CE V =4的要求,试求电阻R B ,R C 的阻值。 T ++ R B R C u o u i +U CC C 1 C 2 +-+- 2、电 路 如 图 所 示, 已 知 晶 体 管 的β=60,r be k =1Ω,U BE =0.7 V , 试 求:(1) 静 态 工 作 点 IB ,IC ,UCE 。 +3kΩ270kΩ + C 1 C 2 u i u o R B1R C +12V 3DG6 + - + - 3、电 路 如 图 所 示, 已 知 晶 体 管β=100,计 算 电 路 的 静 态 值 I B , I C ,U CE 。 4、如图:若U CC =6V ,R C =2k Ω,R B =200 k Ω, β=50,用估算法计算其静态工作点。 5、晶体管放大电路如下图所示: 已知β =100,r b e =1k Ω,Vcc=24V ,Rc

=3k Ω,R b =600k Ω,RL =1.5k Ω,试近似计算:放大电路的输入电阻R i ;输出电阻Ro ;电压放大倍数A u 。 6、放大电路如图所示,晶体管的电流放大系数β=50, U BE .V =06 ,R B1=110 k Ω,R B2=10 k Ω,RC=6k Ω,RE =400Ω,RL =6 k Ω,求:(1) 计算静态工作点;(2)画出微变等效电路; +R B1 R B2 R C R E R L u o u i + C 2 C 1+12V C B E + - +- 7、电 路 如 图所示,已知β=50,r be k =1 Ω,要求:(1) 画出两个电 路 的 微 变 等 效 电 路 ;(2) 计算输入电阻,输出电 阻。 8、单相半波整流电路中,U1为变压器原边电压,U2为变压器副边电压,U O 为负载电阻R L 上的电压,若U1是400V ,U1和U2线圈扎数比是20:1,计算U O 9、单相桥式整流电路中,U1为变压器原边电压,U2为变压器副边电压,

电工电子技术基础试题库(附有答案)

一、填空题 1.已知图中 U1=2V, U2=-8V,则U AB=-10。 2.电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3.有三个6Ω的电阻,若把它们串联,等效电阻是 18 Ω;若把它们并联,等效电阻 2Ω;若两个并联后再与第三个串联,等效电阻是 9 Ω。 4.用电流表测量电流时,应把电流表串联在被测电路中;用电压表测量电压时,应把电压表与被测电路并联。 5.电路中任意一个闭合路径称为回路;三条或三条以上支路的交点称为节点。 6.电路如图所示,设U=12V、I=2A、R=6Ω,则U AB= -24 V。 7.直流电路如图所示,R1所消耗的功率为2W,则R2的阻值应为 2 Ω。 8.电路中电位的参考点发生变化后,其他各点的电位均发生变化。 9.在直流电路中,电感可以看作短路,电容可以看作断路。 9.我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。 10.三相对称负载作三角形联接时,线电流I L与相电流I P间的关系是:I P=3 I L。 11.电阻元件是耗能元件,电容元件是储能元件。 12.已知一正弦电压u=311sin(628t-60o)V,则其最大值为 311 V,频率为 100 Hz,初相位为 -60o。 13.在纯电阻交流电路中,已知电路端电压u=311sin(314t-60o)V,电阻R=10Ω,则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0o,电阻消耗的功率P= 4840 W。 14.三角形联结的三相对称负载,若线电压为380 V,则相电压为 380 V;

若相电流为10 A ,则线电流为 17.32 A 。 15.式Q C =I 2X C 是表示电容元件在正弦电路中的 无功 功率计算公式。 16.正弦交流电压的最大值U m 与其有效值U 之比为 2 。 17.电感元件是一种储能元件,可将输入的电能转化为 磁场 能量储存起来。 18.若三相电动势依次达到最大值的次序为e 1—e 2—e 3,则称此种相序为 正序 。 19.在正弦交流电路中,电源的频率越高,电感元件的感抗越 大 。 20.已知正弦交流电压的有效值为200V ,频率为100Hz ,初相角为30o,则其瞬时值表达式u= 282.8sin (628t+30o) 。 21.正弦量的三要素是 最大值或有效值 、 频率 和 初相位 。 22.对称三相电源是指三个 幅值 相同、 频率 相同和 相位互差120o 的电动势电源。 23.电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态。当电路中电流0 R U I S 、端电压U =0时,此种状态称作 短路 ,这种情况下电源产生的功率全部消耗在 内阻 上。 24.表征正弦交流电振荡幅度的量是它的 最大值 ;表征正弦交流电随时间变化快慢程度的量是 角频率ω ;表征正弦交流电起始位置时的量称为它的 初相 。 25.在RLC 串联电路中,已知电流为5A ,电阻为30Ω,感抗为40Ω,容抗为80Ω,那么电路的阻抗为 50Ω ,该电路为 容 性电路。电路中吸收的有功功率为 750W ,吸收的无功功率为 1000var 。

《电子技术基础》课程作业

浙江大学远程教育学院 《电子技术基础》课程作业 姓名:学号: 年级:学习中心: 模拟电子技术基础部分 题1在图1电路中,设v I2sin t V,试分析二极管的导电情况(假定D均为理想二极管) 图1 解:题中的电路是二极限幅电路,对电路(a),当输入电压幅度v i6V时,二极管导电,输出电压为+6V,当输入电压V i 6时D截止,输出电压等于输入电压V。V i ;对电路(b),当输入电压幅度v i 6 V时二极管导电,输出电压为V。 v i,输入电压v i 6 V 时,二极管截止,输出电压为+6V;对电路(c),是一个双向限幅电路,当输入电压v i 6 V 时,D1导电、D2截止,输出为一6V,当输入电压v i 8V时,D2导电、D1截止,输出电 压为+8V。 -0 V

5 题 2 电路如图2所示,分析在下述条件下各二极管的通断情况。设二极管 D 的导通压 解:(1)求出二极管两端的开路电压,如开路电压使二极管正偏,则二极管导电,然后再求 出流过二极管的电流。二极管开路后流过 R1和R2的电流: IR 2 V Q V cci IR i 1.2V ,由于二极管两端开路电压大于 降V D =0.7 V ,并求出 D 导通时电流I D 的大小。 (1)V C CI = 6 V , V cc = 6 V , R i = 2 k Q, R ?= 3 k Q; V cci V cC2 R i R 2 12 2.4mA ,则二极管两端的开路电压 0.7V ,所以二 ■l E) J 1Z 06 %宁 !■ I II f. (2) V Cci = 6 V , V cc = 6 V , R i =Ra= 3 k Q; 图2

电工电子技术基础习题答案汇总

第1章 电路的基本知识 1.1 电路的概念 (1)略 (2)电路通常由电源、负载和中间环节(导线和开关)等部分组成。 A .电源的作用:将其他形式的能转换成电能。 B .负载的作用:将电能转换成其他形式的能。 C .中间环节的作用:传递、分配和控制电能。 1.2 电路中的主要物理量 (1)零、负电位、正电位 (2)3、1.5、3、1.5、0、3 (3)-7,-5 1.3 电阻 (1)3∶4 (2)查表1.3,知锰铜合金的电阻率?Ω?=-7 10 4.4ρm 根据S l R ρ=,得43.1104.41021.0376=???==--ρRS l m 1.4 欧姆定律 (1)电动势、内压降 (2)当R =∞ 时,电路处于开路状态,其特点是电路中电流为零,电源端电压等于电源电动势;当R =0时,电路处于短路状态,其特点是短路电流极大,电源端电压等于0。 (3)22.01000 220 === R U I A 由于22.0=I A=220mA 50>mA ,故此人有生命危险。 1.5 电功与电功率 (1)2540 1000 ===P W t h (2)略 (3)31680072002.0220=??==UIt W J 思考与练习 一、判断题 1.√ 2. × 3. √ 4. × 5. √ 6. × 7. × 8. √ 9. × 二、选择题 1. C 2. C 3. B 4. B 5. B 6. B 7. C 8. B 三、填空题

1.正、相反; 2.参考点; 3.负极、正极; 4.高、低、低、高; 5.材料、长度、横截面积、 S l R ρ =; 6.1800、±5%; 7.220 四、计算题 1.5510=-=-=b a ab V V U V 10)5(5=--=-=c b bc V V U V 15)5(10=--=-=c a ac V V U V 15-=-=ac ca U U V 2.2.012024===t Q I A Ω=== 202 .04I U R 3.(1)210 100220 =+=+= r R E I A (2)2001002=?==IR U V (3)20102=?==Ir U r V 4.(1)8804220=?==UI P W (2)15840001800880=?==Pt W J (3)1440018005.042 2 =??==Rt I Q J (4)1569600144001584000=-=-=Q W E J 第2章 直流电路的分析与计算 2.1 电阻的连接 (1)5.04 2 11=== R U I A 10205.022=?==IR U V 1210221=+=+=U U U V (2)由于1 2 2 212 21R R R U R U P P = = 故142820 101212=?== P R R P W

电子技术基础试题

。电子技术基础试题库(第四版) 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性,即加正向压时__________,加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V,锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 0.7、0.3 4、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量,自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。导体, 绝缘体,半导体 7、PN结具有 _____________性能,即加正向电压时PN结________,加反向电压时的PN结 _________。单向导电性,导通,截止 二,判断题 1、半导体随温度的升高,电阻会增大。()N 2、二极管是线性元件。()N 3、不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V左右。()N 4、二极管具有单向导电性。()Y 5、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。()N 6、二极管加正向压时一定导通()N 7、晶体二极管是线性元件。()N 8、一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。()Y 三、选择题 1、PN结的最大特点是具有()C A、导电性B、绝缘性C、单相导电性 2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()C A、立即导通B、到0.3V才开始导通C、超过死区压才开始导通D、不导通 3、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()A A、增大B、减少C、不变D、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是()。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是()B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题

电工电子技术基础在线作业

电工电子技术基础_在线作业_2 交卷时间:2016-10-30 12:37:53 一、单选题 1. (5分)要使JK触发器的输出Q处于反转的状态,它的输入信号JK应为()。 A. 0 0 B. 1 0 C. 0 1 D. 1 1 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 D 解析 2. (5分)由555集成定时器组成单稳态触发器时,需要外加的元件是()。 A. 两个电阻、一个电容 B. 两个电容

C. 一个电阻、一个电容 D. 两个电阻 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 C 解析 3. (5分)要使JK触发器的输出Q=0的状态,它的输入信号JK应为()。 A. 不变 B. 0 1 C. 1 0 D. 翻转 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析

4. (5分)上图是()电路符号。 A. 逻辑与 B. 逻辑非 C. 逻辑或 D. 逻辑加 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析 5. (5分)计数器电路由触发器组成。() A. 对 B. 错 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础

收起解析 答案 A 解析 6. (5分)在交流电路中,电动势、电压及电流的有效值分别表示为()。 A. B. C. D. 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 C 解析 7. (5分)字符“A”的ASCII码为()。 A. 0001100 B. 1001000 C. 1000100

D. 1000001 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 D 解析 8. (5分)在交流电路中,容抗随频率的增大而增大。() A. 对 B. 错 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析 9. (5分)逻辑变量的取值,1比0大。()。

电工电子技术基础综合练习题.doc

电工电子基础综合练习 填空 *基本的数字逻辑门电路是:与门电路、_________或____和____非_______。 * 正逻辑体制中,高电平用_____1_______表示。低电平用______0______表示。 * 常用的单相整流电路有_____单相桥式全波整流___________、__________半波整流______等两种。 * 在单相桥式整流电路中,如果负载电流是2A,则流过每只二极管的电流是____1____A。如果负载电阻等于10Ω,则输出电压等于____20_____V。 *滤波电路中,滤波电感和负载___串____联,滤波电容和负载___并___联。 *硅稳压管在电路中,它的正极必须接电源的___负____极,它的负极接电源的____正___极。 *电流流通的___路径___叫电路,通常是由_____电源___、__负载_____、____导线__和____中间控制环节_____组成。 * 电路有三种工作状态,即___开路___状态、___短路____状态、通路状态。 *电源是将_____机械能____、______化学能_______、_______热能_______转换成______电能____的设备。 * 电路中两点间的电位之差称为两点间的______电压____。 * 电源的外特性是指_____端电压U___________随_____负载电流I____________的变化关系。 *基尔霍夫电流定律是指流入电路中任一节点的电流___之和______等于—_____流出____该节点的电流____之和_____。 * 正弦交流电的三要素是指____幅值_______、_____频率_____、____初相位______。 * 正弦交流量表达式中最大值与有效值的关系为_____Im=根号二Io________。* 两个频率相同的正弦交流量的_____初相位_______之差称为相位差。 *由两个电阻组成的串联电路,两端的总电压是100V,其中一个电阻为80Ω,两端电压为40V,则另一电阻为__120___Ω。 *放大电路静态工作点设置不合适,容易产生输出电压非线性失真,工作点过高容易产生饱和失真,工作点过低容易产生截止失真。 *PN结具有单相导通性性能,即加正向电压时PN结导通,加反向电压时PN结截止。 *电路中如果流过二极管的正向电流过大,二极管将会过热而损坏;若加在二极管两端的反向电压过高,二极管会击穿。 *某晶体三极管的U CE不变,基极电流I B=40uA时,I C=1mA,则发射极电流I E= mA,如果基极电流I B增大到60uA时,I C增加到2mA,则发射极电流I E=

电子技术基础习题库

《电子技术基础》习题库 第一章 一、填空(1分共28分) 1、PN结正偏时,P区接电源的____极,N区接电源的____极;PN结反偏时则相反。 2、PN结具有________特性,即加正向电压时PN结________,加反向电压时PN结________。 3、二极管P区引出端叫____极或____极,N区的引出端叫____极或____极。 4、二极管的正向接法是__________接电源的正极,__________接电源的负极。反向接法则相反。 5、硅二极管导通时的正向管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V。 6、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________和________________。 7、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的极. 8检测二极管极性时,与黑表棒相接触的电极是二极管的极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已 经。

9、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常____于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较____。 10、发光二极管将____信号转换成____信号;光电二极管将____信号转换成____信号。 二、判断题(1分共9分) 1、半导体随温度的升高,电阻会增大。() 2、PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。() 3、二极管是线性元件。() 4、不论哪种类型的二极管,其正向电压都为0.3V左右。() 5、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。() 6、二极管加正向电压就一定导通。() 7、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档 位。() 8、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击 穿。() 9、光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。() 三、选择(2分共12分) 1、PN结最大的特点是具有() A、导电性; B、绝缘性; C、超导性; D、单向导电性。

电子技术基础作业习题教学文案

精品文档 一、填空题: 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为,少数载流子为,不能移动的杂质离子带电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为,少数载流子为,不能移动的杂质离子带电。 2、三极管的内部结构是由区、区、区及结和结组成的。三极管对外引出的电极分别是极、极和极。 二、判断正误:(每小题1分,共10分) ()1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。()2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 ()3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。 ()4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。 ()5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。 三、选择题 1、单极型半导体器件是()。 A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。 A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是()。 A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管()。 A、已经击穿; B、完好状态; C、内部老化不通; D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。 A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。 四、简述题 1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么? 2、半导体和金属导体的导电机理有什么不同?单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同? 精品文档

相关文档
最新文档