砷化镓项目可行性报告 (1)

砷化镓项目可行性报告xxx（集团）有限公司摘要砷化镓是第二代半导体材料，主要用于无线通讯等领域。

根据StrategyAnalytics的研究报告，2018年，全球砷化镓元件市场(含IDM厂商之组件产值)总产值约为88.7亿美元，达到历史新高，相比2017年的88.3亿美元同比增长0.45%。

根据Yole预计，2018-2024年，全球砷化镓元件市场规模年均复合增长速度为10%，其中微电子领域为CAGR为3%，光电子领域CAGR为54%。

到2024年，全球砷化镓元件市场规模将达到157.1亿美元。

集成电路主要分成硅基半导体与化合物半导体二大类，以硅材料为衬底材料的半导体归属为第一代半导体，以砷化镓材料为衬底的化合物半导体则属第二代，以氮化镓等材料为衬底的化合物半导体属第三代半导体。

硅基半导体集成电路主要在数码运用，如微处理器、逻辑IC、存储器等;化合物半导体集成电路主要在模拟应用，如移动通讯、全球定位系统、卫星通讯、通讯基站、国防雷达、航天、军事武器等功率型、低噪声放大器等相关MMIC集成芯片。

目前第二代半导体国产化处于早期阶段。

第三代半导体主要是以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表，凭借其宽禁带、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点，在许多应用领域拥有前两代半导体材料无法比拟的优点，有望突破第一、二代半导体材料应用技术的发展瓶颈，市场应用潜力巨大。

从20世纪50年代开始，已经开发出了多种砷化镓单晶生长方法。

目前主流的工业化生长工艺包括：液封直拉法(LEC)、水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)以及垂直梯度凝固法(VGF)等。

相较于常见的硅半导体，砷化镓半导体具有高频、抗辐射、耐高电压等特性，因此广泛应用在主流的商用无线通讯、光通讯以及先进的国防、航空及卫星用途上，其中无线通讯的普及更是催生砷化镓代工经营模式的重要推手。

以手机与无线网路(Wi-Fi)为例，系统中的无线射频模组必定含有的关键零组件即是功率放大器(PowerAmplifier)、射频开关器(RFSwitch)及低杂讯放大器(LowNoiseAmplifier)等，目前射频功率放大器极大部分是以砷化镓半导体制作。

砷化镓半导体因其材料特性而成为无线通讯、光通讯以及先进的国防、航空及卫星之重要关键组件，亦同时建构不同于硅等其他半导体之晶圆代工技术、设计流程与验证模式以满足无线通讯系统的快速发展，进而维持其领域之独占性与独特性。

就目前的技术趋势以及技术发展水平来看，目前，砷化镓从大类方向来看主要于通信领域和国防与航空航天领域，其占比分别达到60%、10%。

展望下一世代的5G技术，其资料传输速度将是现行4GLTE的100倍，目前只有砷化镓功率放大器可以应付如此快速的资料传输，也会更进一步拉大砷化镓与硅制程功率放大器之间性价比的差距。

近年物联网(IoT)概念兴起，使无线通讯和汽车防撞雷达应用成长快速，数位消费电子产品具备无线传输功能的比率也逐年提升，砷化镓应用可说是具备相当健康的成长空间;此外，化合物半导体元件将持续在通讯和光电元件市场扮演关键角色，例如III-V族半导体雷射拥有体积小和整合性高等优点，在工业和商用领域的应用越来越广泛，其中面射型雷射(VCSEL)最适合大量量产，预计在生物辨识、虚拟实境(AR/VR)及汽车防撞系统(ADAS)等领域开发出新应用，未来将成为砷化镓在行动装置上重要关键元件。

在砷化镓的晶圆尺寸上，六寸晶圆所占的产出比率，产业界已于2008年超过50%而成为主流制造尺寸。

根据StrategyAnalytics的研究报告，2018年，全球砷化镓元件市场(含IDM厂商之组件产值)总产值约为88.7亿美元，达到历史新高，相比2017年的88.3亿美元同比增长0.45%。

砷化镓产业最上游为基板制造，其次为关键材料砷化镓磊晶圆，工艺具体包括MOCVD(有机金属化学气相沉积法)及MBE(分子束磊晶法)砷化镓磊晶技术，至于中游为晶圆制造及封测等，整个产业链除晶圆制造外，设计与先进技术主要仍掌握在国际IDM大厂，下游则为手机、无线区域网路制造厂以及无线射频系统商等。

除了既有商品的高度使用、行动网路流量爆增推升4GLTE、光纤网路设备布建需求外，未来几年物联网(IoT)概念普及，将使得砷化镓的应用日益广泛普及全球即将迎来5G时代，预计2020年正式商转，5G标准化工作计画在2017年间加速推进，国际电信标准制定组织3GPP(第三代合作伙伴计划)R15针对非独立组网5GNewRadio(5GNR)的标准已于2017年底完成;针对独立组网5GNR的标准，则在2018年6月完成，意味着5G将进入商用部署的关键时期。

大规模的全球性5G部署将于2020年开始。

根据爱立信(Ericsson)显示，预计到2023年底，eMBB(增强型行动宽频)的5G用户数将超过10亿，占行动用户总数的12%。

根据Yole预计，2018-2024年，全球砷化镓元件市场规模年均复合增长速度为10%，其中微电子领域为CAGR为3%，光电子领域CAGR为54%。

到2024年，全球砷化镓元件市场规模将达到157.1亿美元。

该砷化镓项目计划总投资7677.16万元，其中：固定资产投资5838.06万元，占项目总投资的76.04%；流动资金1839.10万元，占项目总投资的23.96%。

达产年营业收入16922.00万元，总成本费用13008.55万元，税金及附加145.05万元，利润总额3913.45万元，利税总额4598.29万元，税后净利润2935.09万元，达产年纳税总额1663.20万元；达产年投资利润率50.98%，投资利税率59.90%，投资回报率38.23%，全部投资回收期4.12年，提供就业职位296个。

本文件内容所承托的权益全部为项目承办单位所有，本文件仅提供给项目承办单位并按项目承办单位的意愿提供给有关审查机构为投资项目的审批和建设而使用，持有人对文件中的技术信息、商务信息等应做出保密性承诺，未经项目承办单位书面允诺和许可，不得复制、披露或提供给第三方，对发现非合法持有本文件者，项目承办单位有权保留追偿的权利。

砷化镓项目可行性报告目录第一章项目总论第二章项目建设背景及必要性分析第三章市场调研预测第四章项目建设内容分析第五章项目选址第六章土建工程方案第七章工艺技术说明第八章项目环境分析第九章项目安全管理第十章风险应对评估第十一章节能可行性分析第十二章项目实施安排第十三章项目投资方案分析第十四章项目经营效益分析第十五章招标方案第十六章评价结论第一章项目总论一、项目承办单位基本情况（一）公司名称xxx（集团）有限公司（二）公司简介成立以来，公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。

公司将“以运营服务业带动制造业，以制造业支持运营服务业”经营模式，树立起双向融合的新格局，全面系统化扩展经营领域。

公司为以适应本土化需求为导向，高度整合全球供应链。

公司经过多年的不懈努力，产品销售网络遍布全国各省、市、自治区；完整的产品系列和精益求精的品质使企业的市场占有率不断提高，除国内市场外，公司还具有强大稳固的国外市场网络；项目承办单位一贯遵循“以质量求生存，以科技求发展，以管理求效率，以服务求信誉”的质量方针，努力生产高质量的产品，以优质的服务奉献社会。

公司秉承以市场的为导向，坚持自主创新、合作共赢。

同时，以产业经营为主体，以技术研究和资本经营为两翼，形成“产业+技术+资本”相生互动、良性循环的业务生态效应。

公司注重建设、培养人才梯队，与众多高校建立了良好的校企合作关系，学校为企业输入满足不同岗位需求的技术人员，达到企业人才吸收、培养和校企互惠的效果。

公司筹建了实习培训基地，帮助学校优化教学科目，并从公司内部选拔优秀员工为学生授课，让学生亲身参与实践工作。

在此过程中，公司直接从实习基地选拔优秀人才，为公司长期的业务发展输送稳定可靠的人才队伍。

公司的良好人才梯队和人才优势使得本次募投项目具备扎实的人力资源基础。

公司建立了《产品开发控制程序》、《研发部绩效管理细则》等一系列制度，对研发项目立项、评审、研发经费核算、研发人员绩效考核等进行规范化管理，确保了良好的研发工作运行环境。

（三）公司经济效益分析上一年度，xxx有限责任公司实现营业收入16027.64万元，同比增长19.84%（2653.38万元）。

其中，主营业业务砷化镓生产及销售收入为13759.84万元，占营业总收入的85.85%。

根据初步统计测算，公司实现利润总额3668.27万元，较去年同期相比增长414.70万元，增长率12.75%；实现净利润2751.20万元，较去年同期相比增长333.86万元，增长率13.81%。

上年度主要经济指标二、项目建设理由砷化镓是第二代半导体材料，主要用于无线通讯等领域。

根据StrategyAnalytics的研究报告，2018年，全球砷化镓元件市场(含IDM厂商之组件产值)总产值约为88.7亿美元，达到历史新高，相比2017年的88.3亿美元同比增长0.45%。

根据Yole预计，2018-2024年，全球砷化镓元件市场规模年均复合增长速度为10%，其中微电子领域为CAGR为3%，光电子领域CAGR为54%。

到2024年，全球砷化镓元件市场规模将达到157.1亿美元。

集成电路主要分成硅基半导体与化合物半导体二大类，以硅材料为衬底材料的半导体归属为第一代半导体，以砷化镓材料为衬底的化合物半导体则属第二代，以氮化镓等材料为衬底的化合物半导体属第三代半导体。

硅基半导体集成电路主要在数码运用，如微处理器、逻辑IC、存储器等;化合物半导体集成电路主要在模拟应用，如移动通讯、全球定位系统、卫星通讯、通讯基站、国防雷达、航天、军事武器等功率型、低噪声放大器等相关MMIC集成芯片。

目前第二代半导体国产化处于早期阶段。

第三代半导体主要是以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表，凭借其宽禁带、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点，在许多应用领域拥有前两代半导体材料无法比拟的优点，有望突破第一、二代半导体材料应用技术的发展瓶颈，市场应用潜力巨大。

从20世纪50年代开始，已经开发出了多种砷化镓单晶生长方法。

目前主流的工业化生长工艺包括：液封直拉法(LEC)、水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)以及垂直梯度凝固法(VGF)等。

相较于常见的硅半导体，砷化镓半导体具有高频、抗辐射、耐高电压等特性，因此广泛应用在主流的商用无线通讯、光通讯以及先进的国防、航空及卫星用途上，其中无线通讯的普及更是催生砷化镓代工经营模式的重要推手。

以手机与无线网路(Wi-Fi)为例，系统中的无线射频模组必定含有的关键零组件即是功率放大器(PowerAmplifier)、射频开关器(RFSwitch)及低杂讯放大器(LowNoiseAmplifier)等，目前射频功率放大器极大部分是以砷化镓半导体制作。