水热法长单晶
水热法人工晶体生长的原理及应用_刘菊
当今，在高新技术材料领域中，人工晶体作为一种特种功能材料，在材料学、光学、光电子、医疗生物领域有着广泛的作用。
用于人工晶体生长的方法有多种，如：物理气相沉淀、水热法、低温溶液生长、籽晶提拉、坩埚下降等。
其中水热法晶体生长可以使晶体在非受限的条件下充分生长，可以长出形态各异、结晶完好的晶体而受到广泛应用。
水热法可用于生长各种大的人工晶体，制备超细、无团聚或少团聚、结晶完好的微晶[1]。
适合生长熔点较高，具有包晶反应或非同成分融化，而在常温下又不溶解各种溶剂或溶解后即分解，不能再结晶的晶体材料。
与其他的合成方法相比，水热法合成的晶体具有纯度高、缺陷少，热应力小质量好等特点。
近年来随着科学技术的不断发展，水热法合成技术得到广泛应用，该技术已成功地应用于人工水晶的合成、陶瓷粉末材料的制备和人工宝石的合成等领域。
1水热法晶体生长的基本原理及影响因素1.1晶体生长的基本原理水热法又称热液法，晶体的热液生长是一种在高温高压下过饱和溶液中进行结晶的方法。
它实质上是一种相变过程，即生长基元从周围环境中不断地通过界面而进入晶格座位的过程，水热条件下的晶体生长是在密闭很好的高温高压水溶液中进行的。
利用釜内上下部分的溶液之间存在的温度差，使釜内溶液产生强烈对流，从而将高温区的饱和溶液放入带有籽晶的低温区，形成过饱和溶液。
根据经典的晶体生长理论，水热条件下晶体生长包括以下步骤：（1）营养料在水热介质里溶解，以离子、分子团的形式进入溶液（溶解阶段）；（2）由于体系中存在十分有效的热对流及溶解区和生长之间的浓度差，这些离子、分子或离子团被输运到生长区（输运阶段）；（3）离子、分子或离子团在生长界面上吸附、分解与脱附；（4）吸附物质在界面上的运动；（5）结晶（3、4、5统称为结晶阶段）。
同时利用水热法生长人工晶体时由于采用的主要是溶解—再结晶机理，因此用于晶体生长的各种化合物在水溶液中的溶解度是采用水热法进行晶体生长时必须首先考虑的。
单晶制备方法范文
单晶制备方法范文单晶制备是一种重要的晶体制备方法，用于制备高纯度、大尺寸和高质量的单晶材料。
本文将介绍几种常见的单晶制备方法。
1.熔融法熔融法是制备单晶材料最常用的方法之一、该方法首先将原料粉末加入坩埚中，通过加热坩埚使其熔化。
然后，将熔融体缓慢冷却，使其中的原子或分子有足够的时间重新排列成为有序的晶体结构。
最后，通过剖析、切割或溶解等方法得到单晶。
2.水热法水热法是通过在高温高压的水环境中进行晶体生长的方法。
该方法通常使用混合溶液，将试样和溶剂一起装入高压釜中。
随着温度升高和压力增加，试样溶解，晶体逐渐从溶液中生长。
通过控制温度、压力和溶液成分，可以实现单晶的生长。
3.气相输运法气相输运法是通过在高温气氛中使试样在晶界和界面扩散的方法。
首先，将原料制成粉末，然后将粉末放入烧结体中，在高温下加热。
粉末在高温气氛中扩散，形成晶体生长的条件。
最终得到单晶。
4.化学气相沉积法化学气相沉积法是通过在合适的气氛中，使气态反应物沉积到衬底表面上形成单晶的方法。
该方法通常使用低温和大气压或低气压条件下进行。
通常先将衬底加热到合适的温度，然后通过输送反应气体，使气体中的原子或分子在衬底表面沉积，并逐渐形成单晶。
5.溶液法溶液法是通过在适当的溶剂中将试样溶解并逐渐冷却结晶得到单晶的方法。
溶解试样后，通过逐渐控制溶液的温度和溶剂挥发的速度，使溶液中的试样逐渐结晶为单晶。
溶液法适用于生长一些不易用其他方法制备的化合物单晶。
总结单晶制备方法相对复杂，需要仔细选择适合的方法和条件。
除了以上几种常见的方法外，还有其他一些专用的单晶制备方法，例如激光熔融法、分子束外延法等。
单晶制备方法的选择要考虑材料的物化性质、成本和实际需求等因素。
单晶的制备对于材料科学研究和器件制造都具有重要的意义。
水热法生长单晶二氧化钛纳米棒
水热法生长单晶二氧化钛纳米棒汪汉斌;汪宝元;刘向;向晶晶【摘要】利用水热反应生长单晶TiO2纳米棒,研究了水热时间和加入钛源的量对纳米棒长度和形貌的影响.研究发现反应时间是控制纳米棒长径比重要的因素.纳米棒直径随着钛源量的增大而增大,纳米棒密度随着钛源量的增大而减小.当钛源量为190 μL、时间为10 h、温度为150 ℃时,生长出来纳米棒直径为100 nm,长度为3.4 μm,此条件生长出来的纳米棒长径比最大,最适合应用在敏化太阳能电池中.%Single crystal TiO2 nanorods were synthesized by hydrothermal method.The influence of the hydrothermal time and the amount of titanium source on the length and morphology of the nanorods were studied.The study showed that the reaction time was an important factor that controlling the length to diameter ratio of nanorods.As the amount of titanium source increases, the diameter of TiO2 nanorods was increased while the density of nanorods decreased.The study also showed that when the amount of titanium source was 190 μL, reaction time wa s 10 h and the temperature was 150 ℃, the resulted nanorods were 100 nm in diameter and 3.4 μm in length, which had the largest length to diameter ratio and were suitable for application in the sensitized solar cells.【期刊名称】《广州化工》【年(卷),期】2017(045)006【总页数】3页(P63-65)【关键词】氧化钛;水热法;纳米棒;形貌控制【作者】汪汉斌;汪宝元;刘向;向晶晶【作者单位】湖北大学物理与电子科学学院,湖北武汉 430062;湖北大学物理与电子科学学院,湖北武汉 430062;湖北大学物理与电子科学学院,湖北武汉 430062;湖北大学物理与电子科学学院,湖北武汉 430062【正文语种】中文【中图分类】O613TiO2 是一种化学性能稳定、高折射系数(n=2.4～1.5)、无毒的宽禁带氧化物，还有催化活性强，组成元素在地壳中含量丰富等特点，在敏化太阳能电池，光催化、气敏传感器、涂料等方面有广泛的应用[1-3]。
水热法生长磷氯铅矿单晶的方法
水热法生长磷氯铅矿单晶的方法我折腾了好久水热法生长磷氯铅矿单晶的方法，总算找到点门道。
最开始的时候，我真的是瞎摸索。
水热法嘛，就跟做饭有点像，各种配料得配好。
磷氯铅矿生长，你得先准备原料吧。
这个原料的纯度就很重要，我最开始没注意，随便弄来些原料就开始试，那能成功才怪呢。
就像是你做饭，盐都用错了，不是精制盐而是那种混着好多杂质的粗盐，做出来的菜肯定不对味，磷氯铅矿单晶也肯定长不好。
后来我就专门找纯度比较高的原料，这就像你找来好的食材才能做出好菜一样。
生长的时候这温度啊就是一个关键的因素。
这温度的控制特别难掌握，我试了好几次，试过温度高一点的，结果最后长出来的晶体那形状完全不是我想要的，像是在高温下已经变形了。
后来尝试温度低一点的，晶体生长又超级慢，这感觉就像乌龟在爬。
最后经过好多次调整，找到那个比较合适的温度区间。
不过说实话，这个合适的温度区间还是有点模糊的，可能在不同的条件下还得微调。
还有那个溶剂，这就像我们做粥得有水一样重要。
我尝试了好几种溶剂，一开始用的溶剂对原料的溶解性不好，这样原料在里面就不能很好地发生反应，就像炒菜的时候油不够，菜就炒不好。
后来换了一种溶剂，溶解性好多了，晶体生长的条件才稍微对味了点。
压力这个因素也不能忽略。
我一开始没怎么重视压力，以为只要温度和溶剂啥的弄好了就行，但是我错了。
就像是你盖房子只注意到墙和顶，忽略了地基一样。
控制压力的设备有时候有点小毛病，导致压力不稳定，晶体生长就忽好忽坏的。
后来小心翼翼把压力设备校准好，让压力稳定在一个范围内，这才算有点起色。
在整个水热法生长磷氯铅矿单晶的过程里，容器也得选对，我试过普通的玻璃容器，那根本不行，在高温高压力下容易出毛病，后来换成特制的反应釜，这才能稳定地进行这个单晶的生长过程。
每次实验我都记着详细的笔记，把温度、压力、原料的量啊、溶剂的种类啊这些都记好，这样一旦失败就可以回头看看哪出问题了。
你要是做的话，也一定要这么做，不然真的就是盲目瞎搞呢。
水热法生长大尺寸磷酸铅锂单晶的方法[发明专利]
![水热法生长大尺寸磷酸铅锂单晶的方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/67ff5000e009581b6ad9eba6.png)
专利名称：水热法生长大尺寸磷酸铅锂单晶的方法
专利类型：发明专利
发明人：任孟德,王金亮,卢福华,何小玲,周海涛,左艳彬,吴文渊,张昌龙,李东平,覃世杰,胡乔帆
申请号：CN201710917439.4
申请日：20170930
公开号：CN107475768A
公开日：
20171215
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种水热法生长大尺寸磷酸铅锂单晶的方法，具体是以铅源和磷酸二氢锂作为水热反应物，置于高压釜中，以锂离子浓度为1‑5mol/L的磷酸二氢锂溶液和/或磷酸氢二锂溶液作为矿化剂，采用温差水热法使水热反应物产生化合反应以生长得到磷酸铅锂单晶。
本发明将铅源和磷酸二氢锂在高压釜中在温差水热条件下直接化合反应生长得到磷酸铅锂单晶，反应基础原料无需压制和烧结，工艺更为简单；另一方面，采用磷酸二氢锂溶液和/或磷酸氢二锂溶液作为矿化剂，既不会引入其它杂质，原料利用率也高，矿化剂浓度兼容性好，还能获得大尺寸的磷酸铅锂单晶。
申请人：桂林百锐光电技术有限公司,中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
地址：541004 广西壮族自治区桂林市七星区高新区铁山工业园铁山路20号
国籍：CN
代理机构：桂林市持衡专利商标事务所有限公司
代理人：唐智芳
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水热法生长宽禁带氧化锌单晶研究进展
水热法生长宽禁带氧化锌单晶研究进展I. 绪论A. 研究背景和意义B. 相关工作综述C. 本文的研究内容和目标II. 水热法生长宽禁带氧化锌单晶的原理与方法A. 水热法生长原理简介B. 宽禁带氧化锌单晶生长的条件和方法C. 生长过程中的影响因素III. 宽禁带氧化锌单晶的结构与性质A. 宽禁带氧化锌单晶表面形貌和晶体结构分析B. 宽禁带氧化锌单晶的物理和化学性质IV. 宽禁带氧化锌单晶的优化A. 实验条件和参数的优化B. 生长晶体结构的优化C. 晶体性能的优化V. 宽禁带氧化锌单晶应用的展望A. 宽禁带氧化锌单晶的应用潜力B. 宽禁带氧化锌单晶在光电器件中的应用C. 宽禁带氧化锌单晶在传感器领域中的应用VI. 结论与展望A. 本文研究的总结B. 未来宽禁带氧化锌单晶的研究方向C. 其他有关氧化锌单晶的研究建议I. 绪论A. 研究背景和意义氧化锌是一种重要的半导体材料，其在光电、电子、磁学等领域有着广泛的应用。
宽禁带氧化锌具有较大的光利用率、低驱动电压、较高的电子迁移率和光催化性能等优良特性，在光电器件、固态照明、传感器等方面有着广泛的应用前景。
水热法是一种简单、可控性强的合成方法，在宽禁带半导体材料的制备中被广泛采用。
相关研究显示，水热法合成的氧化锌单晶比其他合成方法更具有晶体质量和光电学性能的优异性。
B. 相关工作综述水热法作为一种有效的宽禁带氧化锌单晶合成方法，近年来被广泛地研究和应用。
许多学者采用水热法合成宽禁带氧化锌单晶，并通过性能测试研究其物理和化学性质。
例如，葛等人通过将前驱物混合在葡萄糖溶液中，成功合成了一系列不同形貌的宽禁带氧化锌单晶，其电导率为3.23×10^-3 S/cm，光转换效率为6.93%。
此外，在生长条件和前驱物种类等方面进行优化，也可以合成出优质的宽禁带氧化锌单晶，如高军精等人通过一步法水热法制备出较大、完整、结晶质量良好的氧化锌六方柱形单晶。
C. 本文的研究内容和目标本文将重点研究宽禁带氧化锌单晶的水热法生长方法和优化，探讨其结构和性质，展望其在光电器件和传感器领域的应用潜力。
水热法生长KBBF单晶
水热法生长KBBF单晶唐鼎元;叶宁;浦小掦;仲维卓【期刊名称】《人工晶体学报》【年(卷),期】2008(37)6【摘要】氟代硼鈹酸钾KBe2BO3F2(KBBF)晶体是至今发现的可相位匹配的倍频波长最短的晶体。
但是,由于该晶体具有很大的面间距,层状生长习性十分明显,因此,至今采用熔盐法生长的晶体厚度较薄,无法按照相位匹配方向切割成倍频器件。
我们尝试了采用水热法生长KBBF晶体并获得了成功。
我们采用水热法已成功地生长出了厚度达10mm以上的透明单晶体。
本文概述了水热法生长KBBF晶体的实验方法和生长条件(如矿化剂种类,温度,压力,温度梯度,充满度,开孔率等)对晶体生长的影响。
最后,用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了晶体的生长机制与形状。
【总页数】4页(P1321-1324)【关键词】KBBF晶体;水热法生长;负离子配位多面体模型【作者】唐鼎元;叶宁;浦小掦;仲维卓【作者单位】中国科学院福建物质结构研究所;中国科学院上海硅酸盐研究所【正文语种】中文【中图分类】O78【相关文献】1.RbBe2 BO 3 F2单晶的水热法生长晶体形态和表面微形貌的研究 [J], 卢福华;刘心宇;李东平;霍汉德2.水热法生长宽禁带氧化锌单晶研究进展 [J], 王金亮;任孟德;左艳彬;何小玲;张昌龙3.水热法生长单晶二氧化钛纳米棒 [J], 汪汉斌;汪宝元;刘向;向晶晶4.磷酸铁锂单晶水热法生长及其表征 [J], 张梦雪;任孟德;王金亮;周海涛;雷威;柳成荫5.水热法生长纯相磷酸铁锂单晶 [J], 任孟德;周海涛;何小玲;张昌龙因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
少量样品长晶体的方法
少量样品长晶体的方法
在实验中，如果您需要少量样品的晶体生长，可以采用以下几种方法：
1. 凝胶法：利用凝胶为介质，在凝胶上生成晶体，该方法适用于二维材料、热电材料、能源材料等多种材料的生长。
2. 水热法：水热法是在高温、高压的环境下，通过水溶液或蒸汽的压力和温度来生长晶体。
3. 化学气相输运法：该方法通过真空封管及真空化学气相输制备系统生长晶体，适用于二维材料、热电材料、能源材料等多种材料的生长。
4. 熔体法：此方法在熔融状态下，控制物质的物理化学性质，控制相变过程，得到具有一定结构、尺寸、形状和性能的晶体，适用于汽车电子行业等领域。
5. 液相法：液相法是一种特殊的熔体法，生长温度低、生长速度快，虽然尚未实现产业化，但有望应用于电池、光电器件等领域。
无论选择哪种方法，都需要根据样品的特性和需求，优化控制条件，控制晶体生长方法和技术，使其能得到高质量的晶体样品。
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工作平面座標，輸入實際壓力釜尺寸之相對座 標位置，並以點呈現，繼而由點相連接形成線 條，最後線條在組合成為面積。利用網格化 (Mesh)工具，將模擬之模型分隔為 40×40 個元 素 。 分 析 爐 體 內 部 的 流 動 情 況 ， 使 用 2D FLOTRAN 141 來設定爐體模型的元素。利用 不同的開口率(Opening rate)參數，探討在相同 的溫度、壓力下，其流動情形對成長速率之影 響，並藉由雷諾數公式 D(m)×V(m/s)×ρ(kg/m3) /µ(kg/m．s)計算模擬數據。
1
上升。所以當溫度保持恆溫狀態的時候，壓力 就會慢慢的往上升[6]。所以溫度、壓力、填充 率 (Fill factor) 、 礦 化 劑 濃 度 (Mineralizers concentration)以及成長時間，均會影響原礦溶 解與晶體成長。其中溫度和壓力都是影響壓力 釜內部流體流動的重要參數。
3.3 ANSYS 模擬 表 2 是經由不同的隔板開口率所模擬出來
的結果比較，由表中可以發現，當隔板開口率 在 2.56%的時候，藉由雷諾數大小來判斷，壓 力釜內部的流動情形，此時是最穩定的，而隔 板開口率在 0.16%的時候，於洞口附近流場情 況非常的不穩定。不同之開口率與雷諾數之比 較如圖 6 所示。
晶前，利用光學顯微鏡放大倍數 100X、200X 下，所觀察到的表面狀況。石英晶種經過氫氟 酸(HF)蝕刻後，為了在結晶生長過程中石英溶 解物質較容易於晶種上生長，使其表面較為粗 糙，加速其成核長晶效果。
圖 5 是石英晶種在經過水熱合成長晶之 後，在光學顯微鏡放大倍數 100X、200X 下， 所觀察到的表面狀況。在圖 4、圖 5 中可以發 現石英晶種在長晶之後，晶界會明顯的減少， 而晶粒也會變得較大，長晶過程中會趨向長成 單晶的結果。
表 2 不同的開口率之模擬結果
No. V (m/s) Re
1
0.197 8.0×104
2
0.191 7.8×104
一、前 言 石英晶體元件可作為優良的頻率選擇與
控 制 元 件 ， 主 要 應 用 於 石 英 晶 體 (Quartz crystals)、石英振盪器(Crystal oscillator)、石英 濾波器(Crystal filter)、表面聲波濾波器(SAW filter)等，另外如光電、通訊、電子產品都需要 大量的石英元件，因此市場深具潛力，而石英 元件性能的優劣則取決於原晶體的品質。本校 與俄羅斯 VNIISIMS 研究機構引進水熱法長晶 技術(Hydrothermal growth)，並設置數座不同體 積的長晶爐(Autoclave)，生長壓電石英(Piezo quartz)與光學石英(Optical quartz)。石英(Quartz) 是一種礦物，常呈六方柱狀結晶，透明的石英 又稱為水晶(Crystal)，主要化學成份是二氧化 矽(SiO2)，屬六方晶系，可溶於鹼性溶液，其 物理性質穩定，具有強烈的壓電性及頻率特性 [1]。壓電級的單晶晶體材料是使用於頻率控制 與聲波控制的元件，然而這些晶體材料的品質 能夠決定元件應用的性能，水熱法則是生長高 品質單晶晶體最優先考量的方法[2,3]。在晶體
晶 種
成
長 區
隔 板
石
英
原
溶
礦
解
區
加
熱
器
圖1 單晶石英長晶爐之示意圖
Temperature ( oC )
400 350 300 250 200 150 100 50
0
Disolves Growth
50
100
150
200
Time (hour)
圖 2 單晶石英晶體成長溫度–時間曲線圖
Intensity (arb. units)
2 theta (degree)
圖3 石英晶體長晶前後之XRD圖
3
(a)
()
圖4 長晶前石英晶種在光學顯微鏡下 所 觀 察 之 表 面 形 態 。 (a) 放 大 倍 數 為 100X；(b)放大倍數為200X。
(a)
(b)
Re
90000 80000 70000 60000 50000 40000 30000 20000 10000
利用水熱法長晶爐之單晶石英生長及其數值分析 Quartz single crystal growth with hydrothermal autoclaves and numerical analysis
吳玉祥
蔡鐸
王旭昇
Yu-Shiang Wu
Duo Tsai
Syu-Sheng Wang
中華技術學院機械系暨機電光研究所
生長過程中，於壓力釜(長晶爐)內所建立的熱 環境之流體流動，也是晶體生長的品質關鍵 [4]。
一般工業上利用水熱合成法在密閉容器 中生長石英單晶晶體，依加熱器控制流體溫度 將壓力釜區分為兩個部份，壓力釜下半部溫度 較高，為溶解區(Dissolve zone)；反之，壓力釜 上半部溫度則較低，為成長區(Growth zone)。 而晶體原礦(Raw material)放置於壓力釜下半 部，高品質的晶體晶種(Seed)則掛載於壓力釜 上半部。這兩個區域的溫度差別，在物理和化 學變化過程中，最終得到的結果就是原礦的溶 解和晶體的生成[5]。水熱法生長製程需嚴格控 制溶解區和成長區的溫差，使壓力釜內的溶解 區和成長區之間發生熱對流，當底部的高溫飽 和溶液流動至低溫的晶種成長區時，飽和液變 成過飽和狀態而析出，產生的結晶附著於晶種 表面上，使晶體不斷成長。在成長過程中，壓 力釜內的壓力變化，是由於隨著溶解區與成長 區的空間比率變化，所造成的內溶液平均溫度
三、結果與討論 3.1 X 射線繞射分析(XRD )
圖 3 是石英晶種，成長前和成長後的 XRD 比較圖形。因為這次生長時間較短暫，導致於
生長品質比較不好，而形成非結晶的晶體，所
以在 XRD 的圖形中發現，生長後的晶體純度 較低。
3.2. 光學顯微鏡(OM) 圖 4 是實驗所使用之石英晶種，在未做長
Department of Mechanical Engineering, China Institute of Technology
摘要 單晶石英晶體是以水熱法於一密閉的圓柱容器長晶爐內生長，生長過程中爐 內注滿約 80vol.%的水溶液，容器分上下兩部分，中間用圓孔板隔開，使上 下兩部分保持一定的溫度差，在底部高溫區加入用於形成單晶的原礦，在上 部低溫區加入相應物質的晶種，其上下區域溫差為 20℃。在正常的狀態之 下，水溶液的流動是呈現三維狀態，其中隔板(Baffle) 開口率對於成長速率 有很大之影響。本文即針對長晶爐使用不同開口率隔板的情形下，研究成長 區與溶解區兩區域間的流體交換與熱傳現象。本實驗藉由設定相同的溫度和 壓力兩條件，針對隔板開口率之變化的模擬發現，藉由雷諾數大小來判斷， 當隔板開口率在 2.56%的時候，壓力釜上半部的流動情形，此時是最穩定 的，而隔板開口率在 0.16%的時候，於洞口附近流場情況非常的不穩定。 關鍵詞：水熱法，長晶爐，隔板，單晶石英，開口率
MN
MX
Y
609.999 612.222 614.445 616.667 6Z18.X89
623.336
627.781
621.113
625.558
630.004
圖 7 隔板開口率 2.56%之溫布分布圖。
圖5 長晶後石英晶體在光學顯微鏡下 所 觀 察 之 表 面 形 態 。 (a) 放 大 倍 數 為 100X；(b)放大倍數為200X。
表1 製程參數 水溶液濃度 生長區溫度 溶解區溫度 生長壓力 填充率 生長時間
實驗製程之參數條件
條
件
7wt.%Na2CO3+1wt.%NaOH 336℃ 356℃ 500 kgf/cm2 (atm)
74%
6 day
Before Growth After Growing
20
40
60
80 100 120 140 160
2
參考文獻 [1] 王昭富，水熱合成法之單晶石英成長研究與數
值分析，國立成功大學工程科學研究所碩士論 文(2005) [2] R.A. Laudise, The Growth of Single Crystals, Prentice-Hall Inc., Englewood Cliffs, NJ., 1970. [3] K. Byrappa, Hydrothermal growth of crystals, in: D.T.J. Hurle (Ed.), Handbook of Crystal Growth, Elsevier Science B.V., North-Holland, Amsterdam, 1994, pp. 465–562. [4] V.A. Klipov, N.N. Shmakov, Influence of convective flow on the growth of synthetic quartz crystals, in: Proceedings of the 45th Annual Symposium on Frequency Control, IEEE, Los Angeles, CA, USA, 1991, pp. 29–36. [5] Hongmin Li, Minel J. Braun, Three-dimensional heat transfer and fluid exchange through single-hole baffles in industry hydrothermal autoclaves, Journal of Crystal Growth 289 (2006) 596–604. [6] M. Yutaka, H. Motohide, B. Yasutaro, “Pressure Change and Convection during Crystal Growth” Fine Crystal Co., Ltd. (http://www.sanynet.ne.jp/~fcc-m/autoclave3/ind ex.html) [7] 康淵、陳信吉，ANSYS 入門，全華科技圖書 股份有限公司(2004)