模电复习提纲(已整理)

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模电期末复习提纲

模电期末复习提纲

期末复习提纲一、复习大纲:第一章绪论1.基本要求1.了解信号、频谱、模拟电路与数字电路等一些基本概念。

2.理解电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的基本概念,理解放大电路的模型。

3.掌握放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、通频带等主要性能指标。

2.重点:电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的输入电阻、输出电阻、增益及每种电路的应用场合第二章运算放大器1.基本要求1)了解集成运放电路的组成及成为线性电路的条件。

2)熟练掌握运用虚短和虚断的概念来分析基本运放电路。

3)熟练掌握比例、加减、积分运算电路。

2.重点:虚短和虚断的概念,理想运放所组成的电路的分析方法,并结合比例、加减、积分运算电路理解如何分析。

(大题出题点)。

第三章二极管及其基本电路1.基本要求1.了解本征半导体、空穴及其导电作用,2.理解P型半导体和N型半导体中的多子与少子及其决定因素以及与本征半导体导电的区别3.了解PN结的形成,掌握PN的单向导电性和V-I特性,理解PN结的反向击穿现象4.了解半导体二极管的结构,掌握它的V-I特性曲线。

5.掌握二极管的正向V-I特性建模,并会分析和计算由二极管组成的不同电路。

(P78-P81这4点应用)6.掌握稳压管工作特性,并分析常用的稳压电路,了解其它的特殊二极管。

2.重点:二极管V-I特性,二极管电路的分析与计算(出中大题点)。

第四章双极结型三极管及其放大电路基础1.基本要求1.了解BJT结构,理解电流分配与放大作用,各极电流间的关系,掌握BJT的输入、输出特性曲线和主要参数。

注意αβ的定义式及其应用2.理解共射极放大电路的工作原理。

3.理解用图解法来分析放大电路的静态工作点和动态工作情况。

(注意静态工作点设置与失真问题)4.掌握用小信号模型法分析共射电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。

5.理解温度对静态工作点的影响,掌握射极偏置电路能稳定Q点的工作原理。

6.理解用小信号模型来分析共集电极电路和共基极电路的分析,并能对三种基本组态电路进行比较。

模拟电子技术基础复习提纲-全文可读

模拟电子技术基础复习提纲-全文可读
《模拟电子技术基础》复习提纲涵盖了九个核心章节。首章聚焦半导体二极管及其应用,涉及P型与N型半导的分析。第二章重点讨论晶体三极管及其基本放大电路,包括放大的条件、区域、通路、失真等,要求熟练掌握共发射极等放大电路的计算与分析。接下来,场效应管及其放大电路章节介绍了场效应管的工作原理及要求。第四章集成运算放大器是重点,涉及差分放大电路、共模抑制比等关键概念,以及典型电路的计算。第五章阐述负反馈放大电路的原理与影响。第六章讲述基于集成运放的信号运算与处理电路,如各种运算电路与电压比较器的识别与计算。第七章探讨信号产生与变换电路,特别是正弦波振荡的条件与识别。第八章功率放大电路则关注输出功率、转换效率等。最后,第九章直流稳压电源介绍了整流、滤波等基本概念与计算。整体而言,提纲全面梳理了模拟电子技术的基础知识点,为复习提供了明确的方向。

模电复习纲要

模电复习纲要

〈〈模拟电子技术基础〉〉复习纲要第一章:常用半导体器件(1)熟悉下列定义、概念及原理:本征半导体、P型和N型半导体形成、自由电子与空穴,扩散与漂移,复合,空间电荷区、PN结、耗尽层,导电沟道,二极管的单向导电性,稳压管、发光/光电二极管的作用,晶体管与场效应管的放大作用及三个工作区域。

(2)掌握二极管、稳压管、晶体管、场效应管的外特性、主要参数的物理意义。

掌握其应用电路。

(3)了解选用器件的原则。

了解集成电路制造工艺。

第二章:基本放大电路(1)掌握以下基本概念和定义:放大、静态工作点、饱和失真与截止失真、直流通路与交流通路、直流负载线与交流负载线、h参数等效模型、放大倍数、输入电阻和输出电阻、最大不失真输出电压。

掌握静态工作点稳定的必要性及稳定方法。

(2)掌握组成放大电路的原则和各种基本放大电路的工作原理及特点,理解派生电路的特点,能够根据具体要求选择电路的类型。

(3)掌握放大电路的分析方法,能够正确估算常用基本放大电路(共射、共集、共源为主)的静态工作点,掌握微变等效电路并据此估算动态参数Au、Ri、Ro,正确分析电路的输出波形和产生截止失真、饱和失真的原因及波形。

第三章:多级放大电路(1)掌握以下概念和定义:零点漂移与温度漂移,共模信号与共模放大倍数,差模信号与差模放大倍数,共模抑制比,互补电路。

(2)掌握各种耦合方式的优缺点,能够正确估算多级放大电路的Au、Ri、Ro。

(3)掌握差动放大器静态工作点和动态参数的计算方法,理解共模抑制比的意义及计算方法。

(4)掌握互补输出级(OCL电路)的正确接法和原理。

第四章:集成运算放大电路(1)熟悉集成运放的组成及各部分电路的特点和作用,正确理解其主要指标参数的物理意义、使用注意事项。

(2)理解电流源电路的工作原理和电流推导。

理解电流源电路在集成运放中的应用及作用。

(3)理解F007的电路原理,能分析运放电路。

第五章:放大电路的频率响应(1)掌握以下概念:上限频率,下限频率,通频带,波特图,增益带宽积,幅值裕度,相位裕度,相位补偿。

模电复习大纲

模电复习大纲

1.模拟信号和数字信号的基本概念2.PN结的形成及特性,单向导电性。

3.二极管的等效模型(理想、恒压降模型),二极管的基本电路及其分析方法;重点:二极管基本电路的分析方法4.稳压二极管的工作特性5.理解BJT的结构和输入、输出特性曲线;6.理解BJT的工作原理,重点掌握共发射极放大电路的直流偏置、基本分析方法和各种静态、动态参数计算(Q点计算、微变等效电路分析、交流参数计算等)重点:共发射极放大电路的分析方法和各种参数计算(基本型和分压偏置式)。

7、理解三种组态的基本放大电路的性能特点。

8、多级放大电路的耦合方式与电压增益的计算方式。

9、了解场效应管的分类,理解结型、绝缘栅型场效应管的工作原理及特点;重点是FET 与BJT的区别。

10. 功率放大电路的特点与分类。

11. 乙类双电源互补对称功率放大电路和甲乙类互补对称功率放大电路的参数计算,如输出功率、最大输出功率、管耗、电源功率、效率等参数。

理解甲类、乙类和甲乙类功率放大器的性能特点。

重点掌握互补对称功率放大电路(包括OTL和OCL)的分析与各种相关参数计算。

12. 差分放大电路的特点与功能,四种接法,K CMRR。

13.集成运放内部主要结构和电路模型。

14. 掌握理想运放模型及线性运用时的重要特性(虚短、虚断);15. 掌握闭环运放的两种基本电路(同相、反相放大电路);16. 重点掌握运用同相、反相放大电路、KCL或叠加定理来分析多级运放构成的电路系统。

17. 4种有源滤波器的作用与通频带。

18.重点掌握单门限电压比较器与滞回比较器的分析,掌握门限电压求法,电压传输特性曲线绘制,输出波形的绘制。

(包含带限幅电路情况)19. 反馈的基本概念、分类与判断方法20. 重点掌握负反馈放大电路的四种组态的判别21. 负反馈放大电路增益的一般表达式,闭环增益的计算,深度负反馈的条件。

22. 负反馈对放大电路性能的影响23. 正弦波振荡电路的振荡平衡条件、起振条件24. RC、LC、石英晶体振荡电路的特点与应用25.掌握直流稳压电源的组成与工作原理;各部分的典型电路及参数运算。

模拟电子技术课程复习提纲(复习必备)

模拟电子技术课程复习提纲(复习必备)

模拟电子技术课程复习提纲(复习必备)第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体:本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理;2、杂质半导体:杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子;3、PN 结:PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性;4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响;5、PN 结的伏安特性:)1(-=T U u S D e I I ,当T=300K 时mV U T 26=,伏安特性曲线:反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区;6、PN 结的反向击穿特性:击穿类型、击穿原因(雪崩击穿、齐纳击穿);7、PN 结的电容效应:势垒电容C T 、扩散电容C D ,PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。

§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号;2、二极管的伏安特性:)1(-=T D U u S D e I I ,⑴正向特性:死区开启电压U th =0.5V (Si )、0.1V (Ge ),正向导通电压U D(on)=0.7V (Si )、0.2V (Ge ),⑵反向特性:反向截止区,反向击穿区;3、二极管的温度特性;4、二极管的参数及其含义:F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=; 5、二极管的等效模型:理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号(微变等效)模型(注意微变等效模型的应用条件);6、二极管电路的分析方法:⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法(在Q 点附近i u 幅度较小时使用)、⑷微变等效电路分析法;7、稳压二级管:稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算;8、二极管应用(单向导电特性、二极管导通截止的判断)⑴静态工作分析、⑵整流电路(单管半波整流、双管全波整流、桥式整流)、⑶限幅电路(串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅)、⑷门电路;9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数,发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。

模拟电子技术考试复习提纲 (1)

模拟电子技术考试复习提纲 (1)

模拟电子技术考试复习提纲第一章半导体二极管及其基本电路熟练掌握1.两种载流子,扩散和漂移,PN结的形成,半导体二极管的单向导电性,稳压管的稳压作用;2.半导体二极管的外特性,主要参数的定义;正确理解3.使用注意事项;第二章双极型晶体管及放大电路基础熟练掌握1.晶体管的外特性和放大作用,三种工作状态;2.放大倍数、输入电阻、输出电阻;3.静态、动态,直流通路、交流通路;4.微变等效电路;5.CE、CC、CB的工作原理及各种计算(单级、多级);6.合理的近似。

7.晶体管的极限参数正确理解8.用图解法确定静态工作点及输出波形失真及最大不失真输出电压;9.三种组态的比较和选择;第三章场效应管及其放大电路熟练掌握1.耗尽层,沟道,场效应管的外特性及放大作用,三种工作状态;2.放大倍数、输入电阻、输出电阻;3.静态、动态,直流通路、交流通路;4.场效应管的微变等效电路;5.CS的工作原理及各种计算(单级、多级);正确理解6.CD的工作原理及计算;7.阻容耦合、变压器耦合;第四章功率放大电路熟练掌握1.功放的基本原理,输出功率、效率和非线性失真;2.OCL直接耦合功率放大电路的工作原理、输出功率的估算;3.交越失真的概念,消除方法4.攻放管的选择及计算;正确理解5.甲乙类互补对称功率放大电路的工作原理、分析计算;第五章集成电路运算放大器熟练掌握1.零点漂移、差模、共模、恒流源等概念;2.差模放大倍数的有关计算;正确理解3.共模抑制比及其计算;4.镜象电流源及集成运算放大器的工作原理;5.运算放大器的主要参数。

第六章放大电路的频率响应熟练掌握1.频率特性等概念及影响频率特性的因素;2.波特图与表达式的转换;3.能够定性画出含有一个时间常数的波特图正确理解4.多级放大电路与单级放大电路频宽之间的关系。

第六章负反馈放大电路熟练掌握1.开环、闭环、正反馈、负反馈、直流反馈、交流反馈等概念;2.负反馈放大电路增益的一般表达式3.判断组态的方法;4.深度负反馈放大电路的近似估算;5.四种组态的特点及其对放大电路性能的影响;正确理解6.负反馈放大电路产生自激的原因;7.用Bode图判断负反馈放大电路是否会自激;消除自激的基本方法。

模电复习大纲

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模电复习大纲复习提纲:第0章导言不作要求第1章常用半导体器件1.2.6,1.3.6,1.4.4,1.5~1.7 不作要求第2章基本放大电路2.7~2.8 不作要求第3章多级放大电路3.1.4,3.3.4,3.4 不作要求第4章集成运算放大电路仅4.1作要求第5章放大电路的频率响应不作要求第6章放大电路中的反馈6.6~6.8 不作要求第7章信号的运算和处理7.1.5~7.1.7 ,7.2~7.5 不作要求第8章波形的发生和信号的转换8.2.5,8.3.4~8.3.5,8.4~8.5 不作要求第9章功率放大电路9.3~9.5 不作要求第10章直流电源10.5.2~10.5.3,10.6~10.7 不作要求第1章:内容包含二极管、稳压管、晶体管、场效应管这四种半导体器件的工作原理,外特性和主要参数。

1.熟悉基本概念:PN结,二极管的单向导电性,稳压管的稳压作用,晶体管和场效应管的三个工作区。

2.掌握二极管、稳压管、晶体管、场效应管这四种半导体器件的工作原理,外特性。

课后练习:自测题一,二,三,习题1.1,1.2,1.3,1.6,1.9第2章内容包含晶体管和场效应管放大电路的原理,结构,分析方法,以及五种基本放大电路性能的比较。

1. 熟悉基本概念:放大,静态工作点,直流通路与交流通路,饱和失真与截止失真,直流负载线与交流负载线,h参数等效模型,放大倍数,输入电阻,输出电阻,最大不失真输出电压。

2. 掌握放大电路的分析方法(图解法,等效电路法)。

3. 能够正确估算基本放大电路的静态工作点和动态参数。

4. 了解静态工作点稳定的必要性及方法。

课后练习:第3章内容包含多级放大电路的耦合方式,动态参数求解,差分放大电路组成和工作原理,互补输出级(OCL电路)的工作原理。

1. 熟悉基本概念:共模信号与共模放大倍数,差模信号与差模放大倍数,共模抑制比,互补输出。

2. 掌握各种耦合方式的优缺点,能正确估算多级放大电路的参数。

模电复习提纲

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3、差动放大电路
差放的输入信号? 什么是差放的共模抑制比?
4、总结反馈的判断方法,掌握负反馈对放大电路性能的影响
总结复习提纲(4)四、集成运算放大器 Nhomakorabea线性应用
内容:反相与同相比例电路、加法与减法电路、积分与微分电路 1、运放工作在线性区的条件与特点是什么? 2、总结对工作在线性状态 的运放电路的两类分析方法 利用线性应用的特点 利用叠加原理
3、如何分析放大电 放大电路的交流通路与微变等效电路如何? 路的动态工作? 动态参数的计算方法? 4、不同放大电路的特点与性能比较
总结复习提纲(3)
三、多级放大电路与反馈
内容:阻容耦合放大电路、直接耦合放大电路、差动放大电路 1、为什么要采用多级放大电路?阻容耦合与直接耦合放大电 路的优点与缺点如何? 2、阻容耦合放大电路的动静态分析方法 为什么要使用差动放大电路?
七、正弦波形发生电路
1、产生正弦波振荡的条件是什么? 2、正弦波振荡电路应包括哪些部分? 3、RC正弦波振荡电路的分析。
五、集成运算放大器的非线性应用
内容:单限电压比较器、滞回电压比较器 1、运放工作在非线性区的条件与特点是什么? 2、电压比较器的阈值是如何定义的?电压比较器分析的 一般步骤是什么?
总结复习提纲(5)
六、功率电子电路
内容:桥式整流电路、滤波电路、稳压管稳压电路、集成三端 稳压器、乙类功率放大电路 1、直流稳压电源各环节的作用是什么? 2、各环节的电路结构、工作原理、输出参数是什么? 3、功率放大电路有哪些工作状态? 4、如何计算乙类功率放大电路有关参数;什么是交越失真?
总结复习提纲(1)
一、半导体器件 内容:二极管、稳压管、三极管 1、器件的伏安特性是什么? 2、器件的工作状态有哪几种?
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模拟电子线路课程内容概要(复习提纲)1. 半导体器件基础:(1) 了解半导体的结构,弄清什么是本征半导体,什么是N 型半导体,什么是P 型半导体,以及它们的多数载流子是什么?少数载流子是什么?答:纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。

在4价的硅(或错)晶体中掺入少量的 5价杂质元素,如磷,镣,碑等,这种杂质半导体主要依靠电子导电的半导体称电子型半导体或 N 型半导体。

其多数载流子为电子,少数载流子为空穴;在4价的硅(或错)晶体中掺入少量的 3价杂质元素,如硼,镣,锢等,这种杂质半导体主要依靠空穴导电的半导体称空穴半导体或 P 型半导体。

其多数载流子为空穴,少数载流子为电子。

(2) PN 结具有哪些特性,主要特性是什么?二极管的导通条件是什么?二极管的管压降为多少?什么是门坎电压?必须了解二极管的伏安曲线。

答:PN 结有单向导电性、感光特性、感温特性、变容特性、变阻特性,其主要特性是单向导电性。

二极管的导通条件是 PN 结正向偏置。

硅二极管的管压降为 0.6~0.8V ,错二极管的管压降为 0.2~0.3V 。

门坎电压即死区电压,是指二极管刚好导通时两端的电压差,硅二极管的死区电压为0.5V 左右,错二极管的死区电压为0.1V 左右'正向电(3) 三极管的导电机理是什么?三极管起正常放大作用的外部条件是什么?能否通过三极管各电极电位来判断它的工作状态。

三极管的输出特性曲线分为哪几个区域?起正常放大作用的三极管必须工作在哪些区域上?答:三极管导电机理是当基极电压Ub 有一个微小的变化时,基极电流也会随之有一小的变化,受基极电流 Ib 的控制,集电极电流Ic 会有一个很大的变化,基极电流Ib 越大,集电极电流Ic 也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。

三极管起正常放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。

发射极反偏,集电极反偏为截止状态;发射极正偏,集电极反偏为放大状态;发射极正偏,集电极正偏为饱和状态,由此来判断它的工作状态。

三极管的输出特性曲线分饱和区、放大区和截止区,起正常放大作用的三极管必须工作在放大区。

2. 放大电路基础:(1) 要弄清放大电路有哪几个部分组成,什么是输入回路和输出回路。

放大器的电压放大倍数以及通频带是怎样定义的?静态工作点是指哪些参数,为什么要设置静态工作点?稳定静态工作点的电路有哪些?怎样稳定?答:放大电路有信号源、放大器、负载组成。

输入信号与晶体管组成的回路就是输入回路,负载与晶体管组成的回路就是输出回路。

1将放大器输出电压与输入电压的变化量之比定义为放大器的电压放大倍数;通常将放大倍数在高频和低频段分别下降至中频段放大倍数的 花 时所包括的频率范围,定义为通频带。

静态工作点是指Ib, Ic , Uce 。

设置合适的静态工作点,使信号的整个周期内晶体管始终工作在放大状态,输出信号才不会产生失真。

稳定静态工作点的电路有电压负反馈的偏置稳定电路、电流负反馈式工作点稳定电路和典型的分压式偏置稳定电路。

电压负反馈的偏置稳定电路的特点是将电阻Rb 的上端从原来的接正电源改接为三极管集电极,这样就能将集电极的电压变化情况反映回输入端(基极)以稳-可编辑修改-50正向电压Ube -Uce Uce定工作点,这种电路的基极电流为Ib = ------------------ & ----- ,可见Ib 是随Uce 的变化而变化,假设温度上升时,E 要增大,Ib 增加,Ic 也增加,则UceRb Rb要下降,而Uce 的下降又牵引到Ib 的降低。

即这样的电路会自动调整 Ib 基本不随温度变化而变化,即达到工作点基本稳定的目的。

Uce - Ube - Ue Uce — Ue电流负反馈式工作点稳定电路的特点是在发射极中串接一个R e 和 Ce ,则Ib =& ,式 中 Rb RbUe = Ie •Res : Ic,Re ,可知发射极电阻 Re 上的电压Ue 对基极电流Ib 有影响。

当温度上升时,Ib 增加,Ie 也增加,使Ue 也增加,于是Ib 会 相应地减小,这样可利用它来牵制 Ie 和Ic 变化,达到工作点稳定的目的。

Rb2Rb1和Rb2进行分压来固定基极电位,Ub 财Vcc • ,由于Vcc ,Rb1,Rb2是不Rb1 Rb2随温度而变化的,所以Ub 能基本保持不变。

再利用发射极电阻Re 来获得反映电流Ie 的变化信号,然后再反馈到输入端实现工作点的稳定。

(2)要能画出所学习过的放大器的直流通路、交流通路和微变等效电路。

答:画直流通路时,应将隔直电容开路;画交流通路时,应将电容短路,此外,集电极直流电源 Vcc 也应短路。

微变等效电路的画法为:①画出交流通路;②在图中找出三极管的三个极,用简化 H 参数等效电路来代替三极管;③将其它元件按照原来的相应位置画出,并用向量符号标出各电压和电流量。

(3) 应能利用直流通路、交流通路和微变等效电路来计算共射电路及共集电路的静态工作点、答:静态工作点:画出直流通路:输入输出电阻:画出交流通路和微变等效电路:典型的分压式偏置稳定电路的特点是利用电阻 电压放大倍数、输入与输出电阻。

共射电路:I BQVcc -U BEQ - ----- -- ,RbBQ ,UCEQ = Vcc - I CQ Rc 。

I BQVcc - U BEQRb (1 :)ReCQ=:I BQU CEQ =Vcc -I EQ Re : Vcc-ICQRe 。

电压放大倍数:共射电路:,其中 R L = Rc// R L 。

共集电路:U iU O U irbe(1 :) Re '「be (1:)Re '其中 Re =Re//R L 。

共射电路:Ri =「be // Rb , Ro=RG共集电路:Ri = [r be +(1+E )Re ']//Rb , Ro「be RS1 ://Re 。

(4)要能判断放大电路属于哪种接法的电路,要能分析基本放大器的工作原理。

要了解多级放大器(包括直流放大器)的级间耦合方式以及多级放大器的放大倍数的计算。

答:画出等效电路,看三极管的哪个端是输入信号和输出信号的公共端。

常用的耦合方式有阻容耦合,变压器耦合,光电耦合,直接耦合等,最常用的是阻容耦合和直接耦合。

(具体的在笔记)多级放大器的放大倍数:多级放大电路总的放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积,即Au = Au 1 • Au 2 • Au 3 , ♦Au n 为了方便计算,常Gu = 20lg 生 =20 lg Au ,单位dB利用对数的方法来表示放大倍数,称为增益,电压增益Gu与电压放大倍数Au的关系为U i(5)要能判断电路能否起放大作用,不能起放大作用的,应能说明原因。

答:3, 集成运放电路与运算电路:(1) 要了解集成运放电路的特点及基本结构,直流放大器为什么会产生零点漂移问题,如何利用补偿法来抑制“零漂”,为什么运放的输入级都要采用差动放大器,差动放大器的公共发射极电阻主要起什么作用。

共模抑制比是什么?答:集成运放电路的特点:①由于制造的原因,几乎大部分电路采用直接耦合方式。

②为克服零点漂移问题,大多数电路采用差动放大电路。

③通常采用恒流源来代替大阻值的电阻,或用来设置电路的静态工作点。

④采用复合管的连接来改善单管的性能。

产生零点漂移的的主要原因是放大器件的参数受温度的影响而发生波动,导致放大电路的静态工作点不稳定,是静态工作点的缓慢变化逐级传递和放大。

因此,一般来说,直接耦合放大电路的级数越多,放大倍数越高,则零点漂移问题越严重。

在放大电路中接入另一个对温度敏感的元件,如热敏电阻,半导体二极管等,使该元件在温度变化时产生的零漂,能够抵消放大三极管产生的零漂。

(课本P89)将两个参数对称的单管放大电路接成差动放大电路,理想状态下,在静态时,两管子产生的零点漂移是完全相同的,这样就可以使它们产生的零漂互相抵消。

差动放大器的公共发射极电阻Re的作用是引入一个共模负反馈,使共模放大倍数Ac减小,降低了每个管子的零点漂移,但对差模放大倍数Ad没有影响,因此提高了电路的共模抑制比。

K CMR = 20lg俱。

K CMR越大,说明抑制零漂的能力共模抑制比定义为差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比,一般用对数表示单位为dB,即Ac越强。

(2) 集成运放用于运算电路中必须引入什么样的负反馈?而用在电压比较器电路中呢?• •答:集成运放用于运算电路中必须引入深度负反馈,即AF »1。

而电压比较器则工作于开环或正反馈状态下。

(3) 在分析计算运算电路时。

所考虑的运放的“虚地”、“虚断”和“虚短”的意思是什么?要求应能计算常用的运算电路的输出电压。

答:虚短:由于运放工作在线性区,故输出、输入之间符合关系式uo=A od(u + — u_),而且,因理想运放的A o^°° ,所以可得u。

u + — u = ----- = 0 ,即u + = u ,此式表示运放同向输入端与反向输入端两点电压相等,如同将该两点短路一样,所以将这种现象称为“虚短”。

一A od 一虚断:由于理想运放的差模输入电阻r id=°°,因此在其两个输入端均没有电流,即i + =i_=0,此时,运放的同向输入端和反向输入端的电流都等于零,如同该两点被断开一样,这种现象称为“虚断” 。

虚地:输入端一端接地即u + = 0或u_ = 0,由于有虚断即u+ = u_的概念,则u+ = u_=0,此时运放的同向输入端和反向输入端的电压都为零,如同两端都接地了一样,这种现象称为“虚地" 。

常用运算电路:①反向比例运算:R f …一一一——u i ,其中R2 = R i // R f。

R i〃R f、u°= (1 +—川,其中R2 = R i // R f oR i③其他运算:a.加法运算:=-i F R f = -R f (也土业(其它运算电路参照笔记)4, 放大电路中的反馈:(1)要弄清楚反馈的概念,什么是反馈通路,应能判断正反馈还是负反馈,是交流反馈还是直流反馈,是电流反馈还是电压反馈(即判断反馈电路的组态)答:反馈通常是指将放大电路中的输出量(输出电压或输出电流)或输出量的一部分通过一定方式,反送到放大电路的输入回路中去。

如果引入的反馈信号增强了外加输入信号的作用,从而使放大电路的放大倍数得到提高,这样的反馈称为正反馈;相反,如果反馈信号削弱了外加输入信号的作 用,使放大电路的放大倍数降低,则称为负反馈。

如果反馈信号中只包含直流成分,则称为直流反馈;若反馈信号中只有交流成分,则称为交流反馈。

如果反馈信号取自输出电压,称为电压反馈;如果反馈信号取自输出电流,则称为电流反馈。

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