河南科技大学模拟电子技术09-10模拟电子技术B卷(2)
模拟电子技术ⅡB习题答案及评分标准
(模拟电子技术Ⅱ)课程考试试卷(B)卷 考试时间 120分钟，满分100分要求：闭卷[√ ]，开卷[ ]；答题纸上答题[√]，卷面上答题[ ] (填入√)一、填空（20分）1．PN 结加反向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．当晶体管工作在放大区时，发射结电压 偏，集电结电压应为 偏。
3．工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到32μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 。
4．在本征半导体中加入五价元素，形成N 型半导体，其多数载流子为： 。
5．放大电路的静态分析通常使用的两种方法是 、 。
6．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
7．差分放大电路主要用来抑制 。
8．振荡电路一般有三种，分别是： 、 、 。
9．互补对称式功率放大电路中，根据静态工作点的设置不同，电路可以处在甲类、乙类和甲乙类，则甲类功放电路缺点是： ，乙类功放电路的缺点是： ，甲乙类功放电路的优点是： 。
10．整流的作用是将 电转换成 电。
11．集成运放理想化的三个条件是： 、 、 。
二、（10分）如图示，tV u V E i ωsin 105==，，二极管正向压降忽略，画出输出电压uo 的波形。
（第二题图）三、（15分）电路如图所示，晶体管的β＝80，r be =1k Ω。
（1）求出Q 点；（2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的Au 和Ri 及Ro 。
四、（10分）已知一个电压串联负反馈放大电路的电压放大倍数Au f ＝20，其基本放大电路的电压放大倍数Au 的相对变化率为10％，Au f 的相对变化率小于0.1％，试问F 和Au 各为多少？（第四题图） （第五题图）五、（10分）判断如图的电路为什么类型的负反馈？六、（10分）求如图输出U O 与输入U I2、U I2之间的关系。
（第六题图） （第七题图）七、（10分）计算如图中的阈值电压，并画出电压传输特性。
模拟电子技术模拟考题二及参考答案.doc
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（）。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是（）。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（）。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（）。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零的运算电路是（）。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
（）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V，硅二极管的死区电压约 V；导通后在较大电流下的正向压降约 V。
模拟电子技术模拟考题二及参考答案.doc
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（）。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是（）。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（）。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（）。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零的运算电路是（）。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
（）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V，硅二极管的死区电压约 V；导通后在较大电流下的正向压降约 V。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
模拟电子技术试卷A卷及答案(09级)
注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图上作解答，请另附该试题图。
3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。
（第 1 页）
注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图上作解答，请另附该试题图。
3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。
（第 2 页）
注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图上作解答，请另附该试题图。
3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。
（第 3 页）
注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图上作解答，请另附该试题图。
3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。
（第 4 页）
注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图上作解答，请另附该试题图。
3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。
（第 5 页）
注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图上作解答，请另附该试题图。
3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。
（第 6 页）。
模拟电子技术期末B(2009年)2答案定稿
2( Rb + rbe )
∆u O ≈ 37.6mV Ad
∆u O = Ad u I ≈ −0.327 V u O = U CQ1 + ∆u O ≈ 2.9V（5分）
3．(10 分) （1）应引入电压串联负反馈。(4 分)
& （2） 因Au ≈ 1 +
Rf = 20 ，故 Rf = 190kΩ 。 (6分) R1
& & (2) Ri 增大，Ri≈4.1kΩ； Au 减小， Au ≈－1.92。(5 分)
2. (15 分) （1） RL = Rc ∥ RL ≈ 6.67 kΩ
' ' VCC =
RL ⋅ VCC = 5V (2 分) Rc + RL
第 １ 页 共
页
I EQ ≈
VEE − U BEQ 2 Re
= 0.265mA
' ' U CQ1 = VCC − I CQ RL ≈ 3.23V
U CQ2 = VCC = 15V（3分）
（2） △uO＝uO－UCQ1≈－1.23V
rbe = rbb ' + (1 + β ) Ad = − uI =
' β RL
26mA ≈ 5.1kΩ（2分） I EQ ≈ −32.（3分） 7
﹡模拟电子技术 B
班级 姓名
一
二
三ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
四
五
六
七
八
九
十
总分
U BQ ≈ I BQ =
Rb1 ⋅ VCC = 2V Rb1 + Rb2 I EQ ≈ 10µA
I EQ =
U BQ − U BEQ Rf + Re
（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）
（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(本科)及其参考答案试卷二一、选择题（这是四选一选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共22分）1．某放大电路在负载开路时的输出电压4V ，接入Ωk 12的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（）a. 10Ωkb. 2Ωkc. 4Ωkd. 3Ωk2．某共射放大电路如图1-2所示，其中Ω=Ω=k 2,k 470c b R R ，若已知I C =1mA,V CE =7V ，V BE =0.7V ，r be =1.6Ωk ,50=β，则说明（）a. 107.07BE CE i o ====V V V V A V &&&b. 37.021BE c C i o -=?-=-==V R I V V A V &&&c. 5.62//be b c i c i b c C i o -≈-=-=-==r R R R R R I R I V V A V ββ&&&d. 5.626.1250be c i o -=?-=-==r R V V A V β&&&图1-23．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）。
a. 共射电路b. 共基电路c. 共集电路d. 共集-共基串联电路4. 在考虑放大电路的频率失真时，若i v 为正弦波，则o v （）a. 有可能产生相位失真b. 有可能产生幅度失真和相位失真c. 一定会产生非线性失真d. 不会产生线性失真5. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（）。
a. 开环或正反馈状态b. 深度负反馈状态c. 放大状态d. 线性工作状态6. 多级负反馈放大电路在（）情况下容易引起自激。
a. 回路增益F A &&大b. 反馈系数太小c. 闭环放大倍数很大d. 放大器的级数少7. 某电路有用信号频率为2kHz ，可选用（）。
模拟电子技术基础试卷2
一、填空题（每空1分，共20分）1、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，其多数载流子为。
2、测得某NPN管得ＶBE＝0.7V，ＶCE＝0.2V，由此可判定它工作在_____区。
3、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结，集电结。
4、差分放大电路主要用来放大信号，抑制信号。
5、集成运放通常由、___________、和__________四部分组成。
6、为了稳定放大电路输出电压，应引入负反馈；为了稳定放大电路的输出电流，应引入负反馈；7、电路接成负反馈，产生自激振荡的相位条件是。
8、对于单管共射放大电路，当f=f L时，输出电压与输入电压相位关系是。
当f=f H时，输出电压与输入电压相位关系是。
8、要使集成运放工作在线性区，应引入，要使集成运放工作在非线性区，一般应使集成运放工作在。
10、单相桥式整流电路中，若变压器副边电压有效值U2 = 10V，则输出电压U O(A V) =_____V；若负载电阻R L = 10Ω，整流二极管I D(A V) =_____ A。
二、单项选择题（每小题2分，共20分,将答案写在题后的括号内）1、测得某电路中三极管各极电位分别是7V、2.2V、2.9V，则三极管的三个电极分别是。
( )A (E、B、C)B (B、C、E)C (B、E、C)D (C、E、B)2、下列各组态放大电路中，若要求输入电阻最大，同时具有电压放大作用，应选电路。
（）A 共射组态B 共基组态C 共源组态D 共漏组态3、为了使放大电路的输入电阻增大，稳定输出电压，应引入____ _负反馈。
（）A 电压串联B 电压并联C 电流串联D 电流并联4、通用型集成运放的中间级多采用的电路。
（）A 差分接法B 共集接法C 共射接法D 互补输出接法5、某单端输入、双端输出差分放大电路的共模放大倍数为10，差模放大倍数为200，若输入信号5mV，则输出电压为_________mV。
（）A +1VB -1VC +1.025VD -1.025V6、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
三、（12分）OCL功率放大电路如下图，其中A为理想运放。已知T1、T2管的饱和压降Uces1=Uces2=1V，直流功耗可忽略不计，RL=8Ω。
——求电路最大输出功率POmax和转换效率 。
——T1和T2管的三个极限参数 、 、 至少应选多少？
——若输出电压波形如图三(b)所示，说明发生了什么类型的非线性失真？应如何调整RB1的阻值可消除此失真？（调大或调小）。
五、（12分）分析如图所示的电路，A1、A2、A3均为理想运算放大器。问：
——、 的表达式。
六、（10分）电路如图3所示：
——简述二极管D1、D2的作用；
四、（20分）放大电路如图一(a)所示，C1、C2足够大，已知：RB＝RB1+RB2=250KΩ，RC＝2KΩ，RL＝2KΩ，三极管导通时UBE忽略，β=50，rbe=0.8KΩ，VCC＝10V，RS＝200Ω
求：——电路的静态工作点；——画出微变等效电路；
——计算电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro；
5．P型半导体中的多数载流子是。
A．自由电子B．空穴C．正离子D．负离子
6．直流稳压电源中整流电路的目的是。
A．将交流变为直流B．将高频变为低频
C．将交、直流混合量中的交流成分滤掉D．将正弦波变为方波
7．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是_________。
A．耦合电容和旁路电容的存在B．半导体管极间电容和分布电容的存在
——指出电路级间反馈的类型和组态。
——试从静态和动态量的稳定情况（如能否稳定静态工作点，是否能稳定输出电压或电流），对输入输出电阻的影响，以及对信号源的内阻的要求等方面分析该反馈对电路的影响。
七、（10分）电路如图所示，已知稳压管的稳定电压为6V，最小稳定电流为5mA,,最大功耗为240MW；输入电压为20~24V，R1=360Ω，试问：