电子技术基础期末复习经典.doc
《电工与电子技术基础》期末考试试卷及答案
《电工与电子技术基础》期末考试试卷及答案2021—2022学年第一学期一、填空题（每小题3分，共30分）1、汽车电路主要由（）、（）和（）三大部分组成。
它包括（）、（）、（）、仪表装置、（）、辅助电器和（）等。
2、汽车供电系统包括（）、（）和（）等，其作用是对全车所有用电设备3、在汽车中，（）是主要电源，（）是辅助电源，它们（）联连接。
4、汽车上的蓄电池只在（）、（）和（）等情况下向用电设备供电。
5、汽车启动系统主要包括（）、（）和（）和启动保护装置等，其任务是（）。
6、汽车点火系统可分为（）点火系统、（）点火系统、和（）点火系统三个类型。
7、传统点火系统主要包括电源（）、（）、（）和（）、（）火花塞等。
8、电子点火系统主要由电源（）、（）、（）和火花寒等组成。
9、微机控制点火系统主要由电源、发动机上的各种传感器、（）、（）、（）和火花塞等组成。
10、配电装置包括（）、（）、（）、配电线束和（）等。
二、判断题（正确的打“J 错误的打“X”每小题2分共20分）1、点火系统的任务是在适当的时间并在相应的气缸中产生电火花，点燃气缸内的可燃混合气。
（）2、汽车电气线路中的导线分为低压导线和高压导线两类。
（）3、只要导体做切割磁感线运动或者线圈中的磁通发生变化，导体或线圈中就有感应电流。
（）4、切割磁感线的导体或磁通发生变化的线圈，其实就是一个电源。
（）5、楞次定律不能用来判定直导体中的感应电动势的方向。
（）6、自感电动势的方向也可结合楞次定律和右手螺旋定则来确定。
（）7、因为涡流会产生损耗，所以涡流是有害的。
（）8、汽车点火线圈与变压器的类似之处是它们都利用了自感和互感。
（）9、无功功率其实就是无所作为的功，它是一种消耗电能的负功。
（）10、视在功率代表了交流电路消耗的功率。
（）三、选择题（每小题2分共20分）1、汽车上的电能由发电机和电两个直流电圆供，汽油发动机的供电电压普遍为（）VoA、12B、24C、36D、2202、普通晶闸管由（）层杂质半导体组成。
电子技术基础(一)期末复习提要
《电子技术基础》（一）期末复习提要第一章半导体二极管、三极管和MOS管一、重点掌握内容1．半导体二极管的单向导电特性，伏安特性曲线，开关应用时开关条件及开头状态的特点。
2．半导体三极管（NPN）的输入特性和输出特性，截止、放大、饱和三种工作状态下的特点。
3．NMOS管开关应用时开关条件及开关工作状态下的特点，MOS管的使用特点。
二、一般掌握的内容1．PN结形成的原因，扩散和漂移的概念，PN结外加两种不同极性电压时的导电性能。
2．二极管的主要参数，几种常用的特殊二极管及它们的工作原理和特点。
3．三极管的工作原理和主要参数，α、β、I CBO、I CＥO的物理意义，它们之间的关系及对三极管性能的影响，三极管极限工作区的物理意义和划分。
4．增强型MOS管的工作原理、输出特性和转移特性，MOS管的工作特点及主要参数。
三、一般了解的内容1．三极管的内部载流子运动过程，三极管的开关时间、类型和型号。
2．耗尽型MOS管的工作原理，特性曲线和主要参数，MOS管的开关时间。
第二章数字逻辑基础一、重点掌握的内容1．二进制数的计数规律，二进制数、八进制数、十六进制数与十进制数之间的转换方法（整数）2.逻辑代数的三种基本运算，逻辑代数的基本公式和常用公式。
3．逻辑函数的公式化简法和卡诺图化简法。
4．逻辑函数的五种表示方法及其相互转换。
二、一般掌握的内容1．几种常用的复合函数（与非、或非、异或、同或、与或非）的定义及其表示方法。
2．逻辑函数中约束的概念，约束条件的表示方法，具有约束的逻辑函数的化简方法。
3．逻辑代数的三个基本规则。
三、一般了解的内容几种常用的二进制码及其特点：第三章门电路一、重点掌握的内容1．CMOS反相器的组成、工作原理及CMOS与非门、或非门、传输门、三态门、异或门的电路符号、逻辑功能和性能特点。
2．TTL反相器的电路组成、工作原理及TTL与非门、或非门、OC门、三态门、与或非门、异或门的电路符号、逻辑功能和性能特点。
《电子技术基础》复习要点
《电子技术基础》复习要点课程名称：《电子技术基础》适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余）辅导教材：《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社复习要点第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
❑导电能力介于导体和绝缘体之间。
❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。
❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
电子技术基础复习试题与答案
一、选择题：
1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( )
(A)掺入杂质的浓度、(B)材料、(C)温度
2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( )
(A)放大状态 、(B)饱和状态、(C)截止状态
3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( )
28．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A2A1A0=110时，输出 应为______。
29．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM， 该ROM有______根地址线。
30．能够实现“线与”的TTL门电路叫______。
31．差分放大电路，若两个输入信号uI1=uI2，则输出电压，uO=0； 若 u I1=100V，u I2=80V则差模输入电压uId=20V；共模输入电压uIc=90V。
参考答案
一、选择题：1、C2、C3、C4、B5、C6、C7、C8、B9、B10、A
11、C12、B13、B14、C15、B16、A17、C18、A19、C
20、C21、A22、C23、B24、A25、A
二、填空题：1、自由电子、空穴2、单向导电
3、发射结正偏、集电结反偏4、差动
5、φA +φF=2nπ（n=0、1、2……） 、AF=1
(1)静态工作点IB，IC，UCE；
(2)电压放大倍数Au。
5．已知如图VＣＣ=12V，RB=100KΩ，RW=400KΩ，RC＝4KΩ，β＝37.5，
当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设UBE= 0 ）。 （10分）
7．写出下图输出与输入的关系表达式：
电子技术基础试题及答案10套.doc
电子技术基础试题及答案10套.doc电子技术基础试题 (八)一、填空题 (每题 3 分，共 30 分)1、 PN 结具有单向导电特性性能。
2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_增大 _。
3、射极输出器放在中间级是兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。
4、只有当负载电阻 R L和信号源的内阻 r s相等时，负载获得的功率最大，这种现象称为阻抗匹配。
5、运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。
6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：甲类功放，乙类功放和甲乙类功放电路。
7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流 I BQ，以减少交越失真。
8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和_调整元件_四个部分组成。
9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、_逻辑加和_逻辑非_。
10、主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。
二、选择题 (每题 3 分，共 30 分)1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( C)。
A.零偏B.反偏C.正偏2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：( A)。
A.集电极电流减小B.集电极与发射极电压V CE上升C.集电极电流增大3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：( B )。
34．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：( A )。
A.保证电路满足振幅平衡条件B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：( C )。
A.有交越失真B.易产生自激C.效率低6．有两个2CW15 稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是： ( B )。
电子技术基础期末复习题
2014级电气自动化技术专业《电子技术基础》复习资料一、填空题。
1、二极管工作在正常状态时，若给其施加正向电压时，二极管导通, 若施加反向电压时，则二极管截至，这说明二极管具有单向导电性。
2、晶体管从内部结构可分为NPN 型和PNP型。
3、NPN型硅晶体管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为C＞VB＞VE，基极和发射极电位之差约等于0.7。
V4、在晶体管放大电路中，测得IC=3mA，IE=3.03mA，则IB=0.03，= 100 。
5、按晶体管在电路中不同的连接方式，可组成共基、共集和共射三种基本放大电路；其中共集电路输出电阻低，带负载能力强；共射电路兼有电压放大和电流放大作用。
6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。
若用作开关则应工作在饱和和截至状态，并且是一个无触点的控制开关。
7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。
8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。
9、n个输出端的二进制编码器共有2n个输入端，对于每一组输入代码，有1个输入端具有有效电平。
10、画晶体管的微变等效电路时，其B、E两端可用一个线性电阻等效代替，其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。
11、1位加法器分为半加器和全加器两种。
12、多级放大器的级间耦合方式有3种，分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。
13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。
14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。
15、反馈量与放大器的输入量极性相反，因而使净输入量减小的反馈，称为负反馈。
为了判别反馈极性，一般采用瞬时极性法。
16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V。
17、施加深度负反馈可使运放进入线性区，使运放开环或加正反馈可使运放进入非线性区。
18、逻辑功能为“全1出0，见0出1”的逻辑门电路时与非门。
19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码，则要采用4位二进制代码。
数字电子技术基础期末复习试题
数字电子技术基础期末复习试题一、填空题:1、（48）10=（）16=（）2。
2、对于ttl与非门的闲置输入端可接，ttl或非门不使用的闲置输入端应接。
3、格雷码的特点是任意两组相邻代码之间有位不同。
4、在以下jk触发器、rs触发器、d触发器和t触发器四种触发器中，同时具备维持、复置1、复置0和滑动功能的触发器就是。
5、oc门可以实现功能，cmos门电路中的门也可以实现该功能。
6、一只四输入端与非门，使其输出为0的输入变量取值组合有种。
7、常见的组合逻辑电路有编码器、和。
8、逻辑函数f?ab?ac?bd的反函数为，对偶函数为。
9、一个同步时序逻辑电路可以用、、三组函数表达式叙述。
10、加法器的位次方式存有和两种。
11、16挑选1的数据选择器有个地址输出端的。
12、存储器的种类包括和。
13、在时钟脉冲cp促进作用下，具备和功能的触发器称作t触发器，其特性方程为。
14、三态门输入的三种状态分别为：、和。
15、用4个触发器可以存储位二进制数。
16、逻辑电路中，高电平用1表示，低电平用0表示，则成为逻辑。
17、把jk触发器改成t触发器的方法是。
18、女团逻辑电路就是指电路的输入仅由当前的同意。
19、5个地址输出端的译码器，其译码输入信号最多理应个。
20、输入信号的同时跳变引起输出端产生尖峰脉冲的现象叫做。
21、一个rom存有10根地址线，8根数据输入线，rom共计个存储单元。
22、n个触发器共同组成的计数器最多可以共同组成十进制的计数器。
23、基本rs触发器的约束条件就是。
24、逻辑代数中3种基本运算就是、和。
25、逻辑代数中三个基本运算规则、和。
26、如果对键盘上108个符号展开二进制编码，则至少必须位二进制数码。
27、将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的rom。
该rom有根地址线，有根数据输出线。
28、74ls138是3线―8线译码器，译码输出低电平有效，若输入为a2a1a0=110时，输出y7'y6'y5'y4'y3'y2'y1'y0'y1=。
数字电子技术期末考试题及答案(经典)
xxx~xxx学年第x学期《数字电子技术》期末复习题第一部分题目一、判断题（每题2分,共30分。
描述正确的在题号前的括号中打“√”，错误的打“×”）【】1、二进制有0 ~ 9十个数码，进位关系为逢十进一。
【】2、（325）8 ＞（225）10【】3、十进制数整数转换为二进制数的方法是采用“除2取余法”。
【】4、在二进制与十六进制的转换中，有下列关系：（100111010001）2=（9D1）16【】5、8421 BCD码是唯一能表示十进制数的编码。
【】6、十进制数85的8421 BCD码是101101。
【】7、格雷码为无权码，8421 BCD为有权码。
【】8、数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。
【】9、逻辑变量的取值，１比０大。
【】10、在逻辑代数中，逻辑变量和函数均只有0和1两个取值，且不表示数量的大小。
【】11、逻辑运算1+1=1【】12、逻辑运算A+1+0=A【】13、因为逻辑表达式A+B+AB=A+B成立，所以AB=0成立。
【】14、在时间和幅度上均不连续的信号是数字信号，所以语音信号是数字信号。
【】15、逻辑函数的运算次序为：先算括号内，后算括号外；先求与，再求或，最后求非。
【】16、AB A C BC AB A C++=+【】17、逻辑函数表达式的化简结果是唯一的。
【】18、逻辑真值表、逻辑表达式、逻辑图均是逻辑关系的描述方法。
【】19、n个变量组成的最小项总数是2n个。
【】20、逻辑函数的化简方法主要有代数化简法和卡诺图化简法。
【】21、逻辑函数化简过程中的无关项一律按取值为0处理。
【】22、数字电路中晶体管工作在开关状态，即不是工作在饱和区，就是工作在截止区。
【】23、TTL或非门的多余输入端可以接高电平。
【】24、某一门电路有三个输入端A、B、C，当输入A、B、C不全为“1”时，输出Y为“0”，输入A、B、C全为高电平“1”时，输出Y为“1”，此门电路是或门电路。
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第1章检测题一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相同，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散运动起削弱作用，对少子的漂移运动起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，则红表棒接触的电极是二极管的阴极；黑表棒接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿损坏；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。
6、单极型晶体管又称为MOS管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
（错）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。
（错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
（错）6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。
（对）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿损坏。
（错）8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。
（错）9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。
（错）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（错）三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。
9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数 。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。
四、简述题：（每小题4分，共28分）1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。
上述说法对吗？为什么？答：这种说法是错误的。
因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V 、管脚②3V 、管脚③3.7V ，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答：管脚③和管脚②电压相差0.7V ，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN 型硅管。
再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。
3、图6-23所示电路中，已知E =5V ，t u ωsin 10i =V ，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R =0，反向阻断时电阻R =∞），试画出u 0的波形。
答：分析：根据电路可知，当u i >E 时，二极管导通u 0=u i ，当u i <E 时，二极管截止时，u 0=E 。
所以u 0的波形图如下图所示：4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。
单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。
5、半导体二极管由一个PN 结构成，三极管则由两个PN 结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。
因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。
因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。
课后习题1-1，1-7图6-23 u/V t 0 u i u 0 10 5第2章检测题一、填空题：（每空0.5分，共21分）1、基本放大电路的三种组态分别是：共发射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路。
2、放大电路应遵循的基本原则是：发射结正偏；集电结反偏。
3、将放大器输出信号的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做反馈信号。
使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为负反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为正反馈。
放大电路中常用的负反馈类型有电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈和电流并联负反馈。
4、射极输出器具有电压增益恒小于1、接近于1，输入信号和输出信号同相，并具有输入电阻高和输出电阻低的特点。
5、共射放大电路的静态工作点设置较低，造成截止失真，其输出波形为上削顶。
若采用分压式偏置电路，通过反馈环节调节合适的基极电位，可达到改善输出波形的目的。
6、对放大电路来说，人们总是希望电路的输入电阻越大越好，因为这可以减轻信号源的负荷。
人们又希望放大电路的输出电阻越小越好，因为这可以增强放大电路的整个负载能力。
7、反馈电阻R E的数值通常为几十至几千欧，它不但能够对直流信号产生负反馈作用，同样可对交流信号产生负反馈作用，从而造成电压增益下降过多。
为了不使交流信号削弱，一般在R E的两端并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容C E。
8、放大电路有两种工作状态，当u i＝0时电路的状态称为静态，有交流信号u i 输入时，放大电路的工作状态称为动态。
在动态情况下，晶体管各极电压、电流均包含直流分量和交流分量。
放大器的输入电阻越大，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越小，放大器带负载能力就越强。
9、电压放大器中的三极管通常工作在放大状态下，功率放大器中的三极管通常工作在极限参数情况下。
功放电路不仅要求有足够大的输出电压，而且要求电路中还要有足够大的输出电流，以获取足够大的功率。
10、晶体管由于在长期工作过程中，受外界温度及电网电压不稳定的影响，即使输入信号为零时，放大电路输出端仍有缓慢的信号输出，这种现象叫做零点漂移。
克服零点漂移的最有效常用电路是差动放大电路。
二、判断下列说法的正确与错误：（每小题1分，共19分）1、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。
（错）2、放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。
（对）3、射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。
（错）4、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。
（对）5、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
（对）6、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。
（错）7、微变等效电路不能进行静态分析，也不能用于功放电路分析。
（对）8、共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。
（错）9、微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。
（错）10、基本放大电路通常都存在零点漂移现象。
（对）11、普通放大电路中存在的失真均为交越失真。
（错）12、差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。
（对）13、放大电路通常工作在小信号状态下，功放电路通常工作在极限状态下。
（对）14、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。
（对）15、共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。
（错）16、放大电路的集电极电流超过极限值I CM，就会造成管子烧损。
（错）17、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。
（错）18、采用适当的静态起始电压，可达到消除功放电路中交越失真的目的。
（对）19、射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。
（对）三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。