第4章 集成运算放大电路课后习题及答案
模电第四版4~7章习题解答
第4章 集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。
(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。
A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。
A.高频信号B.低频信号C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。
A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。
A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。
(1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。
( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。
( √ )(3)运放的共模抑制比cdCMR A A K =。
( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( √ )(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( × )三、电路如图T4.3 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。
各管的U BE 均为0.7V , 试求I C 2的值。
解：分析估算如下：21100CC BE BE R V U U I A Rμ--==00202211B B B B I I I I ββββ++==++；0202()1R B B B I I I I ββββ+=+=++图T4.322021C B B I I I ββββ+==⋅+。
比较上两式，得 2(2)1002(1)C R R I I I A ββμβββ+=⋅≈=+++四、电路如图T4.4所示。
图T4.4(1)说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放… … ）;(2)分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻… … ）。
模拟电子技术基础第四版课后标准答案-童诗白
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。
习题1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B从12 uA 增大到22 uA 时，I C从l mA变为2mA，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( A ) 。
第4章 集成运算放大电路 习题解答
第4章自测题、习题解答自测题4一、选择1.集成运放的输出级一般采用（）。
A. 共基极电路B. 阻容耦合电路C. 互补对称电路2.集成运放的中间级主要是提供电压增益，所以多采用（）。
A. 共集电极电路B. 共发射极电路C. 共基极电路3．集成运放的输入级采用差分电路，是因为（）。
A. 输入电阻高B. 差模增益大C. 温度漂移小4．集成运放的制造工艺，使得相同类型的三极管的参数（）。
A 受温度影响小 B. 准确性高 C. 一致性好5．集成运放中的偏置电路，一般是电流源电路，其主要作用是（）。
A. 电流放大B. 恒流作用C. 交流传输。
解：1、C 2、B 3、C 4、C 5、B二、判断1．运放的有源负载可以提高电路的输出电阻（）。
2．理想运放是其参数比较接近理想值（）。
3．运放的共模抑制比K CMR越高，承受共模电压的能力越强（）。
4．运放的输入失调电压是两输入端偏置电压之差（）。
5．运放的输入失调电流是两输入端偏置电流之差（）。
解：1、×2、×3、√4、√5、√三、选择现有如下类型的集成运放，根据要求选择最合适的运放：①．通用型②. 高阻型③. 低功耗型④. 高速型⑤. 高精度⑥. 大功率型⑦. 高压型。
1．作视频放大器应选用。
2．作内阻为500KΩ信号源的放大器应选用。
3．作卫星仪器中的放大器应选用。
4．作心电信号（？左右）的前置放大器应选用。
5．作低频放大器应选用。
作输出电流为4A的放大器应选用。
解：1、④ 2、② 3、③ 4、⑤ 5、① 6、⑥习题44．1通用型集成运算放大器一般由哪几个部分组成？每一部分常采用哪种基本电路？对每一基本电路又有何要求？ 解：通用型集成运算放大器一般由输入级、中间级、输出级组成。
输入级采用差动放大电路，输入级要求尽量减小温度漂移。
中间级采用共射放大电路，要求提供较高的电压放大倍数。
输出级采用共集接法，互补对称电路，要求输出电阻要小。
4．2某一集成运算放大器的开环增益A od = 100dB ，差模输入电阻r i d = 5M Ω, 最大输出电压的峰─峰值为U OPP =±14V 。
集成运放电路习题答案
3.2.4 集成运算放大器 1．集成运算放大器的的特点（1）内部电路采用直接耦合，没有电感和电容，需要时可外接。
（2）用于差动放大电路的对管在同一芯片上制成，对称性好，温度漂移小。
（3）大电阻用晶体管恒流源代替，动态电阻大，静态压降小。
（4）二极管由晶体管构成，把发射极、基极、集电极三者适当组配使用。
2．集成运算放大器的组成（1）输入级：是双端输入、单端输出的差动放大电路，两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，作用是减小零点漂移、提高输入电阻。
（2）中间级：是带有源负载的共发射极放大电路，作用是进行电压放大。
（3）输出级：是互补对称射极输出电路，作用是为了提高电路的带负载能力。
（4）偏置电路：由各种恒流源电路构成，作用是决定各级的静态工作点。
3．集成运放的理想模型集成运放的主要参数有：差模开环电压放大倍数A do ，共模开环电压放大倍数A co ，共模抑制比K CMR ，差模输入电阻r id ，输入失调电压U io ，失调电压温度系数 ΔU io /ΔT ，转换速率S R 等。
在分析计算集成运放的应用电路时，通常将运放的各项参数都理想化。
集成运放的理想参数主要有：（1）开环电压放大倍数∞=do A （2）差模输入电阻∞=id r （3）输出电阻0o =r （4）共模抑制比∞=CMR K理想运放的符号以及运放的电压传输特性)(do i do o -+-==u u A u A u 如图所示。
u ou －u +（a ）理想运放的符号 （b ）运放的电压传输特性图 理想运放的符号和电压传输特性4．运放工作在线性区的分析依据引入深度负反馈时运放工作在线性区。
工作在线性区的理想运放的分析依据为： （1）两个输入端的输入电流为零，即0==-+i i ，称为“虚断”。
（2）两个输入端的电位相等，即-+=u u ，称为“虚短”。
若0=+u ，则0=-u ，即反相输入端的电位为“地”电位，称为“虚地”。
5．运放工作在非线性区的分析依据处于开环状态或引入正反馈时运放工作在非线性区。
(完整版)集成运算放大器习题参考答案
（对）7．“虚地”是指该点与“地”点相接后，具有“地”点的电位。
（错）8、集成运放不但能处理交流信号，也能处理直流信号。
（对）9、集成运放在开环状态下，输入与输出之间存在线性关系。
（错）10、各种比较器的输出只有两种状态。
（对）11、微分运算电路中的电容器接在电路的反相输入端。
（对）三、选择题：（每小题2分，共16分）1.集成运算放大器能处理（C）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交流信号和直流信号。
2. 为使电路输入电阻高、输出电阻低，应引入（A）。
A、电压串联负反馈；B、电压并联负反馈；C、电流串联负反馈；D电流并联负反馈。
3. 在由运放组成的电路中，运放工作在非线性状态的电路是（D）。
A、反相放大器；B、差值放大器；C、有源滤波器；D、电压比较器。
4. 集成运放工作在线性放大区，由理想工作条件得出两个重要规律是（C ）。
A、U＋＝U－＝0，i＋＝i－；B、U＋＝U－＝0，i＋＝i－＝0；C、U＋＝U－，i＋＝i－＝0；D、U＋＝U－＝0，i＋≠i－。
5．分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（B）。
A、虚地；B、虚短；C、虚断。
6. 集成运放的线性应用存在（C）现象，非线性应用存在（B）现象。
A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短。
7. 理想运放的两个重要结论是（B）。
A、虚短与虚地；B、虚断与虚短；C、断路与短路。
8. 集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B）。
A、正反馈与负反馈；B、线性与非线性；C、虚断和虚短。
四、问答题：1. 集成运放一般由哪几部分组成？各部分的作用如何？答：集成运放一般输入级、输出级和中间级及偏置电路组成。
输入级一般采用差动放大电路，以使运放具有较高的输入电阻及很强的抑制零漂的能力，输入级也是决定运放性能好坏的关键环节；中间级为获得运放的高开环电压放大位数（103～107），一般采用多级共发射极直接耦合放大电路；输出级为了具有较低的输出电阻和较强的带负载能力，并能提供足够大的输出电压和输出电流，常采用互补对称的射极输出器组成；为了向上述三个环节提供合适而又稳定的偏置电流，一般由各种晶体管恒流源电路构成偏置电路满足此要求。
模电第四版习题解答
模电第四版习题解答 YUKI was compiled on the morning of December 16, 2020模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模电(第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
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第4章 集成运算放大电路一 填空题1、集成运放内部电路通常包括四个基本组成部分,即、、和。
2、为提高输入电阻，减小零点漂移，通用集成运放的输入级大多采用_________________电路；为了减小输出电阻，输出级大多采用_________________ 电路。
3、在差分放大电路发射极接入长尾电阻或恒流三极管后，它的差模放大倍数将 ud A ，而共模放大倍数将 ，共模抑制比将 。
uc A CMR K 4、差动放大电路的两个输入端的输入电压分别为和，则差mV 8i1-=U mV 10i2=U 模输入电压为 ，共模输入电压为 。
5、差分放大电路中，常常利用有源负载代替发射极电阻，从而可以提高差分放大电e R 路的 。
6、工作在线性区的理想运放，两个输入端的输入电流均为零，称为虚______；两个输入端的电位相等称为虚_________；若集成运放在反相输入情况下，同相端接地，反相端又称虚___________；即使理想运放器在非线性工作区，虚_____ 结论也是成立的。
7、共模抑制比K CMR 等于_________________之比，电路的K CMR 越大，表明电路__________越强。
答案：1、输入级、中间级、输出级、偏置电路；2、差分放大电路、互补对称电路；3、不变、减小、增大；4、-18mV, 1mV ；5、共模抑制比；6、断、短、地、断；7、差模电压放大倍数与共模电压放大倍数,抑制温漂的能力。
二 选择题1、集成运放电路采用直接耦合方式是因为_______。
A ．可获得很大的放大倍数B .可使温漂小C .集成工艺难以制造大容量电容2、为增大电压放大倍数，集成运放中间级多采用_______。
A . 共射放大电路 B. 共集放大电路 C. 共基放大电路3、输入失调电压U IO 是_______。
A .两个输入端电压之差B .输入端都为零时的输出电压C .输出端为零时输入端的等效补偿电压。
4、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以______。
A.减小温漂 B .增大放大倍数 C .提高输入电阻5、两个参数对称的三极管组成差分电路时，在双端输入和双端输出时，与单管电路相比其放大倍数 ，输出电阻 。
A .大两倍，高两倍B .相同，相同C .相同，高两倍6、共模输入信号是差分放大电路两个输入端信号的 。
A ．和B .差C .平均值7、两个相同类型的晶体管构成的复合管的β和r be 分别为 。
A ．，B ．，21βββ≈be2be1be r r r +=1ββ≈be1be r r =C ．，21βββ≈be21be1be )1(r r r β++=8、集成运放工作时，一般工作在非线性区，它有两个输出状态（+U Opp 或-U Opp ）;当u +<u -时，输出电压u o =。
A . 饱和，+U OppB .开环，-U OppC .闭环，-U Opp9、差分放大电路（不接负载时）由双端输出变为单端输出，其差模电压放大倍数 。
A . 增加一倍 B.减小一倍 C.保持不变 10、多级放大电路在电路结构上放大级之间通常采用 。
A ．阻容耦合 B.变压器耦合 C .直接耦合 D .光电耦合11、理想运放的开环差模增益A Od 为 。
A . 0 B . 1 C . 105 D . ∞答案：1、C 2、A 3、C 4、A 5、B 6、C 7、C 8、C 9、B 10、C 11、D三 判断下列说法是否正确（用√和×表示）1、运放的输入失调电压是两输入端电位之差。
（ ）2、运放的输入失调电流是两端电流之差。
（ ）3、有源负载可以增大放大电路的输出电流。
（ ）4、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
（ ）5、一个理想差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。
6、集成运放只能放大直流信号，不能放大交流信号（ ）7、当理想运放工作在线性区时，可以认为其两个输入端“虚断”而且“虚地”。
（ ） 8、差分放大电路的差模放大倍数愈大愈好，而共模放大倍数愈小愈好。
（ ）9、集成运放在开环应用时，一定工作在非线性区。
（ ）答案：1、×2、√3、√4、×5、√6、×7、×8、√9、√四 计算题4.1电路如图P4.1所示，已知三个三极管的参数均相等，其中β=100，U BE =0.7V ，试求I C2的值。
2C I R12K 134图P4.1 题4.1的图解：由电路可知4.2在图P4.2所示电路中，已知三个三极管的特性完全相同，，反相输入端的输2>>β入电流为i i1, 同相输入端的输入电流为i i2,试求:（1）VT 2的集电极i C2和VT 3的基极电流i B3;（2）求该电路的电压放大倍数A ui =Δu o /(i i1-i i2)。
uA RU U V R U V I BE BE CC B CC R 10012=--=-=CC C I I I ==1012E E I I =βCC B C B C R I I I I I I I +=+=+=1020uAI I I R R C 1001=≈⨯+=ββou 图P4. 2 题4.2的图 图P4.3 题4.3的图解：（1）由于VT 1和VT 2为镜像关系，且，所以有i C2≈i C1≈i I1；2>>β又由电路可知：i B3≈i I1-i C2≈i I1-i I2（2）输出电压的变化量和放大倍数分别为CB C C R i R i uo 333∆-==∆-=∆βCB o I I R i u i i uo Aui 3321/)(/β-=∆∆≈-∆∆=4.3图P4.3所示电路是某集成运放电路的一部分，采用单电源供电，试分析以下问题：（1）50uA 和100uA 电流源的作用；（2）VT 4的工作区（放大、截止或饱和）；（3）VT 5和R 的作用。
解：（1）100uA 电流源为VT 1提供静态集电极电流，为VT 2提供基极电流，并VT 1的有源负载；50uA 电流源为VT 3提供射极电流，在交流等效电阻中等效为阻值非常大的电阻。
（2）VT 4处于截止状态，因为，，。
3214B B R o C B u u u u u u +++==O E u u =444E B u u >（3）VT 5和R 构成保护电路，,未过流时VT 5电流很小；过流时使，R i u O BE =5uA i E 505>VT 5更多的为VT 3的基极分流。
4.4集成运放BG305偏置电路示意图如图P4.4所示，设，外接电阻V 15EE CC ==V V ，其他电阻的阻值为，。
设三极管足够Ω=k 100R Ω===k 1321R R R Ω=k 24R β大，试估算基准电流及各路偏置电流、、。
REF I C13I C15I C16I CCV uEECC图P4.4 题4.4的图解：该电路为多输出比例电流源，其中基准电流为：mA29.02BEEE CC REF =+-+≈R R U V V I 各偏置电流分别为： mA29.0REF C15C13=≈=I I I mA 145.0REF 42C16=⋅≈I R R I 4.5在图P4.5所示电路中，VT 1与VT 2的特性完全相同，所有晶体管的β值均相同，R C1远大于二极管的正向电阻。
当u i1=u i2=0V 时，u o =0V 。
试回答下列问题：（1）求解电压放大倍数的表达式；（2）当有共模输入电压时，输出电压u o =？简要说明原因。
EEV CCV o图P4.5 题4.5的图 图P4.6题4.6的图解：（1）在忽略二极管动态电阻的情况下C10(2)当由共模输入电压时，u o 近似为零，由于R C1>>r d ，因此,21c c u u ∆≈∆故 0≈o u 4.6集成运放FC3原理电路的部分电路如图P4.6所示。
已知，若要求mA 16.1C10=I ，试估算电阻应为多大。
设三极管的足够大。
A 5.18C2C1μ==I I 11R β解：微电流源做有源负载，根据电路可以得到：A375.182C2C1C11μ=⨯=+≈I I I 又对于微电流源有：11C11C11C10T ln R I I I U ≈将，，代入上面的式子可得：mV 26T =U mA 16.1C10=I A 37C11μ≈I Ω≈k 4.211R 4.7在图P4.7所示电路中，假设三极管的，100=β，，，，，Ω=k 3.10be r V 15EE CC ==V V Ω=k 75c R Ω=k 36e R Ω=k 7.2R ，的滑动端位于中点，负载。
Ω= 100W R W R Ω=k 18L R （1）求静态工作点；（2）求差模电压放大倍数；（3）求差模输入电阻。
图P4.7题4.7的图解：① 静态工作点13112//be be C u r r R A β-=322be C u r R A β-=21u u u A A A ∙=03≈∆BE uΩ=+++=k 362)1([2Wbe id R r R R β A6.2)22)(1(e WBEQEE BQμβ=+++-=R R R U V I mA26.0BQ CQ ==I I βV64.5c CQ CC CQ =-=R I V U mV7BQ BQ -=-=R I U ② 差模电压放大倍数:双端输入、双端输出时，差模电压放大倍数等于单边放大电路的电压放大倍数；所以有：③ 差模输入电阻: 差模输入电阻是两个单边放大电路输入电阻的串联。
所以有：4.8在图P4.8所示放大电路中，已知，，，V 9EE CC ==V V Ω=k 47c R Ω=k 13e R ，，，负载电阻，三极管的，Ω=k 6.3b1R Ω=k 16b2R Ω=k 10R Ω=k 20L R 30=β。
V 7.0BEQ =U （1）试估算静态工作点；（2）估算差模电压放大倍数。
图P4.8 题4.8的图解：① 静态工作点402)1()21//(Wbe L c u1d -≈+++-==R r R R R A A ββV3.3)(EE CC b2b1b1R b1=+⋅+=V V R R R U ,mA 2.0eBEQR EQ3CQ3b1=-=≈R U U I I mA 1.021CQ3CQ2CQ1===I I I ,μA 3.3CQ1BQ2BQ1===βI I I V3.4CQ1c CC CQ2CQ1=-==I R V U U mV33BQ1BQ2BQ1-=-==RI U U ② 差模电压放大倍数（双端输入、双端输出）Ω≈+='k 1.826BQ1b b be I r r 7.13)21//(beL c u1d -≈+-==r R R R A A β4.9在图P4.9所示差动放大电路中，假设，，，Ω=k 30c R Ω=k 5s R Ω=k 20e R ，，三极管的，，求：V 15EE CC ==V V Ω=k 30L R 50=βΩ=k 4be r （1）双端输出时的差模放大倍数；ud A （2）改双端输出为从VT 1的集电极单端输出，试求此时的差模放大倍数； ud A （3）在(2)的情况下，设，，则输出电压mV 5i1=U mV 1i2=U ?o =U CCV U i2U EEV -CCV u Z3图P4.9 题4.9的图 图P4.10 题4.10的图解：（1）由于静态时EEe EQ BE V R I U =+2所以有 所以当双端输出时，差模电压放大倍数为Ω≈++=k I r EQbe 426)1(300βmAI EQ 3575.0=1254)30//15(50)21//(beL c u1d -≈⨯-=-==r R R A A β（2）若改双端输出为从VT 1的集电极单端输出，试求此时的差模放大倍数为（3）在(2)的情况下，设，，则输出电压为mV 5i1=U mV 1i2=U mVu A U id ud 750)15(5.187o -=-⨯-=⨯=4.10在P4.10所示电路中，已知，三极管的均为20，=0.7V,V V V EE CC 15==βBEQ U ,滑动变阻器＝200，滑动Ω===Ω=Ω=Ω=K R R R K R K R K r e C be 2,3.3,15,2.121W R Ω端调在中间，稳压管的。