模电第二章三极管练习题
模电第二章习题答案
习题2-5 设图中的三极管β =100，U BEQ =0.6V ，V CC =12 V ，R C =3 k Ω，R b =120 k Ω。
求静态工作点处的I BQ I CQ 和U CEQ 值。
习题2-15 设图中三极管的β =100，U BEQ =0.6V ，V CC =10V ，R C =3 k Ω，Rb b’=100 Ω。
V CC =10V ,，R C =3 k Ω，Re=1.8 k Ω，RF=200Ω，Rb1=33 k Ω，Rb2=100 k Ω，RL=3 k Ω C1，C2和Ce 足够大。
①求静态工作点②画微变等效电路如图(3)求Oiu U A U =；(4)设Rs =4 k Ω，求osus U A U =(5)求o i R R 和① 2.48,0.94, 5.3E U I I mA U =≈=≈BQCQ Q CEQ V V②微变等效电路如图③be 2.9r ≈ k Ω，Lbe = 6.5(1)u FR A r R ββ'-≈-++(4)12i r ≈ k Ω，= 4.9ius u i sr A A r R -≈-+(5) R i ≈12 k Ω，R o ≈3 k Ω习题2-17 画出如图放大电路的微变等效电路，写出计算电压放大倍O1O2i iU U U U 和数的表达式，并画出当c e RR =时的两个输出电压o1o1U U 和的波形（与正弦波i U 相对应）。
微变等效电路如下图解O1i be (1)ceU R U r R ββ=-++e c O1O2O1O2R u u R U U =≈当时，，和的波形如下图ebe e *02*)1(1R r R U U Au iββ+++==）（习题2-21在下图所示的放大电路已知V DD = 30V，R d = 15 kΩ，R d =1 kΩ，R g=20 MΩ，R1=30kΩ，R2=200kΩ，R L= 1 MΩ，A和输入和输出的电阻Ri，R o场效应试估算电压放大倍数u管g m=1.5mS。
模电第二章习题参考答案
第二章自我检测题参考答案一、填空题1.三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。
2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。
3.温度升高时，三极管的电流放大系数β增大，反向饱和电流I CBO增大，正向结电压U BE下降。
4. 有两只三极管：A管β=200，I CEO=200μA；B管β=80，I CEO=10μA，其他参数大致相同，一般应选B管。
5.共射基本电路电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相差180o。
6.放大电路未输入信号时的状态称为静态，其在特性曲线上的点称为静态工作点；有输入信号时的状态称为动态，动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。
7.在放大电路的下限截止频率处，幅度的放大倍数为中频处的0.707倍，这主要是由电路的频率失真引起的。
8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流（输出电流），所以它是一个电压控制电流源（或电压控制）器件。
二、判断题1.由于放大的是变化量，所以在输入直流信号时，任何放大电路的输出量都没有变化。
（×）提示：直接耦合放大电路就有变化。
2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立，（√）它只能放大交流信号。
（√）3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。
（×）提示：增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。
4.通常，JFET在漏极与源极互换时，仍有正常放大作用。
（√）三、选择题1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V，U2=6V，U3=2.7V，则三极管三个电极为（B）。
A.①管脚为发射极，②管脚为基极，③管脚为集电极；B.①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极；C.①管脚为集电极，②管脚为基极，③管脚为发射极；D. ①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极。
2.在共射基本放大电路中，集电极电阻R C的作用是（C）。
A.放大电流B.调节I BQC.防止输出信号交流对地短，把放大了的电流转换成电压。
模电电子线路第二章习题课
不能实现正常放大。因为输入信号被CB短 路了，所以不能进行电压放大。
不能正常放大，集电结正偏，发射结正偏，晶体管 饱和
(c)不能实现正常放大。错在静态工作点IBQ=0， 放大器截止失真；
(d)能实现小信号正常放大。
2-14 试画出图P2-14所示电路的直流通路和交流通 路。
直流通路
交流通路
(1)如工作点变为图(b)中的Q’和Q”，试分 析是出电路中哪一元件参数改变而引起的?
(2)如工作点变为图 (c)中的Q’和Q”，又是 电路中哪一元件参数改变而引起的?
解：(1)UCC不变．RB不变，IBQ不变，而变化， 工作点的变化可见(b)。若原工作点为Q， RC减小 时，移至Q’，RC增加时，移至Q”。
(2) RC不变，负载线斜率不变，UCC和RB同时变 化，上作点的变化如图(c)所示。若原工作点为Q，
UCC增加，RB也增加，工作点可移至Q’，反之， UCC下降，RB也下降．工作点可移至Q”。
2—19 放大电路如图P2—19(a)所示，已知β=50，
UBE＝0.7V，UCES=0V，RC＝2kΩ， RL＝20k Ω ，UCC＝12V。
2—13 试判别回P2—13各电路是否具有正常放 大作用?若无放大作用则说明理由并将错误处加 以改正。
因c极短接电路不能正常放大。应在c极到Ucc 之间接集电极负载电阻Rc。
因IB=0，管子截止，电路不能正常放大。应将RB 改接在b极与UCC之间。
(4)会使e结烧坏且输入信号短路，因而电路不能正 常放大，应在b极到Ucc之间接偏置电阻RB。
R1 20KΩ R2 80KΩ
R3 3KΩ
10V
V RL
31)若要求放大电路有最大的输出动态范围，问 RB应调到多大?
模拟电子技术第二章习题解答
模拟电子技术第二章习题解答-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII习题题 2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。
图 P2-1题2-1解 (a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求；(b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）；(c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）；(d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）；(e) 有放大作用；(f) 无放大作用，输入信号的负半轴不能加到放大电路中去；(g) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0；(h) 无放大作用，电容Cb使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极；本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。
题 2-2 已知图P2-2(a)中：R b=510kΩ，R c=10kΩ，R L=1.5kΩ，V CC＝10V。
三极管的输出特性如图(b)所示。
①试用图解法求出电路的静态工作点，并分析这个工作点选得是否合适；②在V CC和三极管不变的情况下，为了把三极管的静态集电极电压U CEQ提高到5V左右，可以改变哪些参数如何改法③在V CC和三极管不变的情况下，为了使I CQ=2mA，U CEQ=2V，应改变哪些参数改成什么数值（a ）题2-2解：① 先由估算法算出I BQ CC BEQBQ b100.7mA 0.02mA 20μA 510V U I R --=≈≈= 然后，由式Cc C CC CE i R i V u 1010-=-=，在输出特性曲线上画出直流负载线，其与横、纵两个坐标轴的交点分别未（10V ，0）和（0，1mA ），直流负载线与i B =20uA 的一条输出特性曲线的交点Q1即为静态工作点。
由Q1可得，U CEQ ≈0.5V ，I CQ =0.95mA 。
可见，Q1点靠近饱和区，位置不太合适，容易产生饱和失真。
模电第二章习题课
UOPP=?
解：（1）要求动态范围最大，应满足
I CQ RL U CEQ U CES U CC I CQ RC U CES 即I CQ ( 2 // 20 ) 12 2 I CQ 3 解得I CQ 3mA, I BQ 0.06mA 50 U U BE 12 0.7 RB CC 188K I BQ 0.06 I CQ
（2）RE短路时ICQ、UCEQ的值。
R （3） UB=0V ，RB开路时ICQ、UCEQ的值。
E
解：（1）要求UBQ=0，则有
IE U EE U BE RE 12 0.2 1mA 12
U CC I E RC RB U CC
IE RB 1 I E RC 1 12 1 1 51 561k IE 1
2.12电路如题图2.12所示。已知晶体管的β
＝50,UBE＝-0.2V，试求：
（1）UBQ=0时,RB的值。
（2）RE短路时ICQ、UCEQ的值。
（3） UB=0V ，RB开路时ICQ、UCEQ的值。
( 2) I BQ U EE U CC U BE 12 12 0.2 0.039mA RB (1 ) RC 561 51 1
第二章习题课
2.1 已知晶体管工作在线性放大区，并测得各电极对 地电位如题图2.1所示。试画出各晶体管的电路符号， 确定每管的b、e、c极，并说明是锗管还是硅管。
-8V
8V 0.7V 硅NPN 0V 题图（a） -0.7V 硅PNP 0V 题图（b） 9V 4.3V 锗NPN 4V 题图（d）
1V
2.26 电路如题图2.26所示，其中所有电容对信号可视为短路；
模电(李国立)2章习题答案
2 半导体三极管自我检测题一．选择和填空1. 三极管工作在放大区时，发射结为_A_，集电结为_B_，工作在饱和区时，发射结为_A_，集电结为_A_。
（A ．正向偏置，B ．反向偏置，C ．零偏置）2. NPN 和PNP 型三极管的区别取决于 D 。
（A ．半导体材料硅和锗的不同，B ．掺杂元素的不同，C ．掺杂浓度的不同，D ．P 区和N 区的位置不同）3. 三极管的共射交流电流放大系数定义为I C 变化量（或ΔI C ）与I B 变化量（或ΔI B ）之比，共基交流电流放大系数定义为I C 变化量（或ΔI C ）与I E 变化量（或ΔI E ）之比。
已知某三极管的＝0.99，那么该管的 99 。
4. 三极管的I CBO 是指_发射_极开路时，集电_极与 基 极间的反向饱和电流；I CEO 是指基 极开路时，_集电_极与_发射__极之间的穿透电流。
5. 随着温度升高，三极管的电流放大系数_A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_ B _。
（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）6．对于同一个三极管来说，CBO I A CEO I ；BR(CBO)V B BR(CEO)V 。
（A ．小于， B ．大于，C ．等于）7. 随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。
（A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变）8. 已知某三极管的P CM ＝800mW ，I CM ＝500mA,，BR(CEO)V ＝30V 。
若该管子在电路中工作电压V CE ＝10V ，则工作电流I C 不应超过 80 mA ；若V CE ＝1V ，则I C 不应超过 500 mA 。
若管子的工作电流I C ＝10mA ，则工作电压V CE 不应超过 30 V ；若I C ＝200mA ，则V CE 不应超过 4 V 。
模电一、二章练习
该试卷总分100分一、填空题1. 型半导体中的多数载流子是空穴；型半导体中的多数载流子是自由电子。
PN结具有性。
2.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
3.在一实际放大电路中，测得三极管三个管脚的对地电位分别是: VA=-10V，VB = -5V,VC=-5.7V。
则A脚为极，B脚为极，C脚为极；该管是型三极管。
4.三极管的发射结正偏，集电结反偏，则三极管工作在区；三极管的发射结正偏，集电结正偏，则三极管工作在区；三极管的发射结反偏，集电结反偏，则三极管工作在区。
5.场效应管按结构分为和。
6.三极管是一种控制器件；二场效应管是一种控制器件。
7.基本放大电路有三种组态，分别是、和组态。
8.N型半导体是在本征半导体中加入微量的元素构成的。
9.本征半导体具备、和特性。
10.当稳压二极管的输出电压为其稳定电压时，工作状态是。
11.基本放大电路中，经过三极管的信号有（）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有；D、都没有。
12.工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。
13.在基本放大电路中具有电压跟随作用的电路是。
14.3种组态放大电路中，组态电路具有电压反相作用；组态电路输入阻抗比较高；组态电路输出电阻比较小。
15.放大电路的非线性失真包含和两种。
四、分析及画图题1.写出图示各电路的输出电压值，U Z1=7.5V ，U Z2=8V ，设二极管是理想的。
2. 判断下图四个三极管的工作状态。
（a ） 区，（b ） 区，（c ） 区，（d ） 区。
3. 下图电路中，U i =10Sin ωt ，E=5V ，请画出对应的输出波形。
忽略二极管正向压降。
4.输入电压ui 为幅度为10V 的正弦波，电路中使用两个稳压管对接，已知U Z1=6V ，U i /Vωt105ωt0 U o /VU Z2=3V，稳压二极管的正向导通压降为0.7V，试对应输入电压ui画出输出电压u o 的波形。
电子技术第二章习题及答案
第二章晶体三极管及其放大电路一、填空题1.三极管有二个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏，结必须反偏。
2.三极管有型和型，前者的图形符号是后者的图形符号是。
3.三极管各电极电流的分配关系是。
4.三极管输出特性，曲线可分为三个区域，即区、区和区。
当三极管工作在区时，关系式IC =βIB才成立；当三极管工作在区时，IC =0；当三极管工作在区时，UCE=05.有两只三极管，A管的β=200，ICEO =100μA；B管的β=60，ICEO=15μA；管比管性能好。
6.三极管的反向饱和电流ICBO 随温度升高而，穿透电流ICEO随温度升高而，β值随温度的升高而。
7.某三极管的管压降UCE 保持不变，基极电流IB=30uA时，IC=1.2mA,则发射极电流IE=如果基极电流IB 增大到50uA时，IC增加到2mA，则三极管的电流放大系数β= 。
8.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件。
9.处于放大状态的三极管，IC 与IB的关系是，处于饱和状态的三极管IC不受I B 控制，了放大作用，处在截止状态的三极管IC。
10.PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中极电位最高，极电位最低。
11.放大电路的功率放大倍数为100，功率增益为。
12.输入电压为400mV，输出电压为4V，放大电路的电压增益为。
13.晶体三极管放大电路中，当输入信号达到一定时，静态工作点设置太低将使信号产生失真。
14.在共射极放大电路中，当RC减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变。
共射极放大电路的输出信号是取自于三极管的极。
15.用NPN管的分压式偏置放大电路中，如果把上偏置电阻减小而其它不变，则三极管的集电极电流将。
16.在NPN管放大电路中，当集电极电流减少时，它的UCE电压是。
17.两级放大电路第一级电压放大倍数为100，第二极电压放大倍数为60，则总的电压放大倍数为。
18、多级放大电路常用的耦和方式有、和三种形式。
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第二章三极管练习题
一、填空题：
1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。
2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。
3.三极管是___________控制器件，场效应管是控制器件。
4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用等效电路分析法。
5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。
7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。
8．场效应管同三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。
9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。
10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
11.在正常工作范围内，场效应管极无电流
12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。
13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。
14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿(截止区，饱和区，可变电阻区)。
16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置。
二、选择题：
1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=，V E=1V则晶体管工作在（）状态。
A、放大
B、截止
C、饱和
D、损坏
2、三级管开作在放大区，要求（）
A、发射结正偏，集电结正偏
B、发射结正偏，集电结反偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域（）
A 可变线性区
B 截止区
C 饱合区D击穿区
4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=，V E=3V，V B=，则该管工作在（）
A．饱和区B．截止区
C．放大区D．击穿区
5.三极管参数为P CM=800mW, I CM=100mA, U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（）属于正常工作。
A．U CE=15V，I C=150 mA B．U CE=20V，I C=80 mA
C．U CE=35V，I C=100 mA D．U CE=10V，I C=50mA
6.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（）
A V C=，V E=0V，V B=
B V C=-4V，V E=，V B=
C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3V
D V C =2V ， V
E =2V ， V B = 7.如果三极管工作在截止区，两个PN 结状态（ ）
A ．均为正偏
B ．均为反偏
C ．发射结正偏，集电结反偏
D ．发射结反偏，集电结正偏 8.场效应管工作在恒流区即放大状态时，漏极电流ID 主要取决于（ ） A 、栅极电流 B 、栅源电压 C 、漏源电压 D 、栅漏电压。
9.场效应管是一种（ ）器件
A 、电压控制 双极型
B 、电压控制 单极型
C 、、电流控制 双极型
D 、电流控制 单极型、 10. 有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =，V
E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
A 、 放大
B 、截止
C 、饱和
D 、损坏
11、工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12μA 增大到22μA 时，
IC
从1mA
变为2mA ，那么它的β约为( ) 。
A. 83
B. 91
C. 100
12、工作于放大状态的PNP 管，各电极必须满足（ ）
A ．ＵC > U
B > UE B 。
ＵC< UB < UE
C 。
UB >ＵC > UE
D 。
ＵC > U
E > UB 13．下列场效应管，哪一个是耗尽型NMOS 管 （ ）
A ．
B 。
C 。
D 。
14、UGS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有( ) 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 三、判断题 1、
判断图示三极管的工作状态。
2、 判断图示电路对交流信号有无放大作用。
若无放大作用，请予改正。
3、如图示，试判断工作在饱和状态的管子（ ）。
3V
2V
6V
(c)
5V
0V
(a)
-5V
(b)
3V
(d)
＋V
CC
u o u i R C
R B
C 1
C 2
V。
。
。
(a) 。
＋V CC
u o u i R C R B
C 1
C 2
V。
。
+
+
+
-8V
+
+5V
+
(a) + -3V
(b) +
+4V (c) +5V
0V (d)
4.工作在放大区的三极管，集电结正偏。
5.晶体三极管的C 、E 可以交换使用。
6．三极管是电压放大元件。
7．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成
8、若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
9、绝缘栅型场效应管是利用改变栅源电压来改变导电沟道宽窄的 。
10、三极管按结构分为硅型和锗型三极管。
11、如图示，试判断工作在放大状态的管子（ ）。
四、识别题
1、用万用表测的放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图. （1）求另一个电极的电流大小，在图上标出实际方向 （2）判断是PNP 还是NPN 管 （3）图上标出管子的极 （4）估算管子的ß值.
2、某晶体三极管的极限参数为：V（BR）CEO=25V，I CM=130mA，P CM=130mW，
问在以下工作条件中，哪些是允许的哪些是不允许的为什么
⑴I C=2mA，V CE=10V ⑵I C=20mA，V CE=10V
⑶I C=130mA，V CE=3V ⑷I C=40mA，V CE=50V
3、处在放大状态的某三极管各电极对地电位分别为V A= —6V，V B= ，V C= 5V，试分析：⑴A、B、C 三电极的名称是什么⑵该三极管为何种材料，属哪种类型
4、在晶体管放大电路中，当I B=10μA时，I C=；当I B=20μA时，I C=2mA，求：β、I CBO、I CEO
5、已知某场效应管的输出特性曲线如图所示，试判断：
（1）该场效应管的类型（6分）
或开户电压V GS(th)大约是多少（6分）
（2）它的夹断电压V GS
（off）
（3）若是耗尽型它的I DSS
-i
-V DS/V。