ST产品型号命名规则
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ST产品型号命名规则
普通线性、逻辑器件
MXXX XXXXX XX X X
1 2 3 4 5
1.产品系列:
74AC/ACT……先进CMOS HCF4XXX
M74HC………高速CMOS
2. 序列号
3.速度
4.封装:
BIR,BEY……陶瓷双列直插
M,MIR………塑料微型封装
5.温度
普通存贮器件
XX X XXXX X XX X XX
1 2 3 4 5 6 7 1.系列:
ET21 静态RAM
ETL21 静态RAM
ETC27 EPROM
MK41 快静态RAM
MK45 双极端口FIFO
MK48 静态RAM
TS27 EPROM
S28 EEPROM
TS29 EEPROM
2.技术:
空白…NMOS
C…CMOS
L…小功率
3.序列号
4.封装:
C 陶瓷双列
J 陶瓷双列
N 塑料双列
Q UV 窗口陶瓷熔封双列直插
5.速度
6.温度:
空白0℃~70℃
E -25℃~70℃
V -40℃~85℃
M -55℃~125℃
7.质量等级:
空白标准
B/B MIL-STD-883B B 级
存储器编号(U.V EPROM 和一次可编程OTP)
M XX X XXX X X XXX X X
1 2 3 4 5 6 7 8 1.系列:
27…EPROM
87…EPROM 锁存
2.类型:
空白…NMOS,
C…CMOS,
V…小功率
2.容量:
64…64K 位(X8)
256…256K 位(X8)
512…512K 位(X8)
1001…1M 位(X8)
101…1M 位(X8)低电压
1024…1M 位(X8)
2001…2M 位(X8)
201…2M 位(X8)低电压
4001…4M 位(X8)
401…4M 位(X8)低电压
4002…4M 位(X16)
801…4M 位(X8)
161…16M 位(X8/16)可选择
160…16M 位(X8/16)
4.改进等级
5.电压范围:
空白 5V +10%Vcc,
X 5V +10%Vcc
6.速度:
55 55n,
60 60ns,
70 70ns,
80 80ns
90 90ns,
100/10 100 n
120/12 120 ns,
150/15 150 ns
200/20 200 ns,
250/25 250 ns
7.封装:
F 陶瓷双列直插(窗口)
L 无引线芯片载体(窗口)
B 塑料双列直插
C 塑料有引线芯片载体(标准)
M 塑料微型封装
N 薄型微型封装
K 塑料有引线芯片载体(低电压)
8.温度:
1 0℃~70℃,
6 -40℃~85℃,
3 -40℃~125℃
快闪EPROM 的编号
M XX X A B C X X XXX X X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1.电源
2.类型:
F 5V +10%,
V 3.3V +0.3V
3.容量:
1 1M,
2 2M,
3 3M,
8 8M,
16 16M
4.擦除:
0 大容量
1 顶部启动逻辑块
2 底部启动逻辑块 4 扇区
5.结构:
0 ×8/×16 可选择,
1 仅×8,
2 仅×16
6.改型:
空白 A
7. Vcc:
空白 5V+10%Vcc
X +5%Vcc
8.速度:
60 60ns,
70 70ns,
80 80ns,
90 90ns
100 100ns,
120 120ns,
150 150ns,
200 200ns
9.封装:
M 塑料微型封装
N 薄型微型封装,双列直插
C/K 塑料有引线芯片载体
B/P 塑料双列直插
10.温度:
1 0℃~70℃,
6 -40℃~85℃,
3 -40℃~125℃
仅为3V 和仅为5V 的快闪EPROM 编号
M XX X XXX X XXX X X
1 2 3 4 5 6 7 1.器件系列:
29 快闪
2.类型:
F 5V 单电源
V 3.3 单电源
3.容量:
100T (128K×8.64K×16)顶部块,
100B (128K×8.64K×16)底部块
200T (256K×8.64K×16)顶部块,
200B (256K×8.64K×16)底部块
400T (512K×8.64K×16)顶部块,
400B (512K×8.64K×16)底部块
040 (12K×8)扇区,
080 (1M×8)扇区
016 (2M×8)扇区
4.Vcc:
空白 5V+10%Vcc,
X +5%Vcc
5.速度:
60 60ns,
70 70ns,
80 80ns
90 90ns,
120 120ns
6.封装:
M 塑料微型封装