(完整版)电力电子技术复习题3.0(已补答案)

一、填空题

1、写出下列电力电子器件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体

管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT。

2、双向晶闸管的图形符号是；3个电极分别是第一阳极T1，第二阳极

T2，

门极G。

3、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。

4、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角，用α表示。

5、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是阳极

A，阴极K和门极G。

6、直流斩波电路在改变负载的直流电压时，常用的控制方式有等频调宽控制、等宽调

频控制、脉宽与频率同时控制三种。

7、在单相交流调压电路中，负载为电阻性时移相范围是0→π，负载是阻感性时移相范围

是。

8、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、

额定有效电流为100 安。

9、KP5-7E表示额定电流为5A，额定电压为是700V的普通晶闸管。

10、只有当阳极电流小于最小维特电流时，晶闸管才会由导通转为截止。

11、整流是把交流电变换为直流电的过程；逆变是把直流电变换为交流电的过程。

12、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。

13、逆变角β与控制角α之间的关系为α=π- β。

14、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为150 H Z；

三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为300 H Z。

15、KP50-7表示额定电流为50A，额定电压为是700 V的普通晶闸管。

16、三相桥式全控整流电路是由一组共阴极三只晶闸管和一组共阳极的三只晶闸管

串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。每隔60度换一次相，在电流连续时

每只晶闸管导通120度。要使电路工作正常，必须任何时刻要有两只晶闸管同时导通，

一个是共阴极的，另一个是共阳极的元件，且要求不是在同一桥臂上的

两个元件。

17、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管；可关断晶闸管；功率场效

应晶体管；绝缘栅双极型晶体管。（与第一题重复）

二、判断题

1、双向晶闸管和普通晶闸管一样，额定电流也用通态电流平均值表示。（?）

2、逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相，或是逆变角太小造成

的。（?）

3、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（?）

4、变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质，无直接关系。（?）

5、KP2—5表示的是额定电压200V，额定电流500A的普通型晶闸管。（?）

6、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。 ( ? )

7、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。（?）

8、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。（?）

9、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（?）

10、增大晶闸管整流装置的控制角α，输出直流电压的平均值会增大。（?）

11、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。（?）

12、双向晶闸管的结构与普通晶闸管不一样，它是由五层半导体材料构成的。（?）

13、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的最大值来表示的。（?）

14、直流斩波电路只能实现降低输出直流电压的作用。（?）

15、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。（?）

16、普通晶闸管外部有三个电极，分别是阳极、阴极和门极。（?）

17、KP5—5表示的是额定电压500V，额定电流500A的普通型晶闸管。（?）

18、双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。（?）

19、无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。（?）

20、三相桥式全控整流电路，输出电压波形的脉动频率是150H Z。（?）

三、简答题

1、晶闸管与普通二极管、晶体管在控制上有什么区别？使晶闸管导通和关断的条件是什么？

晶闸管（也称可控硅）与普通二极管的最大区别就是可控硅有一个控制极，在可控硅连接正向电压后，控制极如果得到一个适合的导通电压（一般是0.6V左右），该可控硅就会导通并保持，控制极失去电压后可控硅就会关断。

2、试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。

答：IGBT开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高为电压驱动，驱动功率小。开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO。

GTR耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低。开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题。

GTO电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强。电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低。

电力MOSFET开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题。电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过 10kW的电力电子装置。

3、比较说明交-直-交变频电路和交-交变频电路的优缺点及应用场合？P131

4、使变流器工作于有源逆变状态的条件是什么？

①直流侧要有电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压；②要求晶闸管的控制角α>π/2，使Ud为负值。

5、单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中，当负载分别为电阻负载或电感负载时，要求

的晶闸管移相范围分别是多少？

答：单相桥式全控整流电路，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 180°，当负载为电感负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 90°。

三相桥式全控整流电路，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 120°，当负载为电感负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 90°。

6、维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？

答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。

要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。

7、简述说明斩波电路的3种电压控制方式？

1)保持开关周期T不变，调节开关导通时间ton不变，称为脉冲宽度调制(PWM)。

2)保持开关导通时间ton不变，改变开关周期T，称为脉冲频率调制(PFM)。

3)ton和T都可调，使占空比改变，称为混合型。

8、什么叫有源逆变？什么叫无源逆变？P54 9、简述电压源型变频电路的主要特点。P139 10、电力变换的种类有哪几种？

整流、逆变、斩波、变频

11、什么是逆变失败？如何防止逆变失败？

逆变运行时，一旦发生换流失败，外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联，由于逆变电路内阻很小，形成很大的短路电流，称为逆变失败或逆变颠覆。

防止逆变失败的方法有：采用精确可靠的触发电路，使用性能良好的晶闸管，保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角β等。

12、对晶闸管的触发电路有哪些要求？

1、触发电路输出的脉冲必须具有足够的功率

2、触发脉冲必须与晶闸管的主电压保持同步

3、触发脉冲能满足主电路移相范围的要求

4、触发脉冲要具有一定的宽度，前沿要陡

13、试简述Buck-Boost 电路同Cuk 电路的异同。

答：这两种电路都有升降压变换功能，其输出电压与输入电压极性相反，而且两种电路的输入、输出关系式完全相同，Buck-Boost 电路是在关断期内电感L 给滤波电容C 补充能量，输出电流脉动很大，而Cuk 电路中接入了传送能量的耦合电容C1，若使C1足够大，输入输出电流都是平滑的，有效的降低了纹波，降低了对滤波电路的要求。

14、简述电流源型变频电路的主要特点。P140 15、什么叫整流？什么叫逆变？

交流电能转换为直流电能。直流电能转换为交流电流。

四、计算题

下图a ）b ）c ）阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试写出各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3的表达式。

2π

π5

π2

6π5a)

五、分析计算题

1、（1）简述下图所示的降压斩波电路工作原理。P101

（2）上图所示的降压斩波电路中，已知E=200V，R=10Ω，L值极大，E M=30V，T=50μs,t on=20μs,计算输出电压平均值Uo，输出电流平均值Io。

2、单相全控桥式带电阻负载时的电路，如图所示，分析说明其控制过程，并画出一个周期内直流输出电压u d、晶闸管VT1，4电压及变压器二次侧电流i2的波形。

i d

u1u2

u d

ωt

ωt 0

u d

αα

u VT

1,4

ωt 0

3、（1）简述下图所示的升压斩波电路工作原理。P104

（2）上图所示的降压斩波电路中，，已知E=50V，L值和C值极大，R=20Ω，当T=40μs，t on=25μs 时，计算输出电压平均值Uo，输出电流平均值Io。

4、单相半波可控整流电路如图所示，分析说明其控制过程，并画出一个周期内触发角为α时输出直

流电压Ud和晶闸管VT的电压波形。并求出当触发角为α=60?时输出电压的平均值。

VT R

0a)

u 1

u 2

u VT

u d

i d

ωt 1

2π

ωt

u 2

u g u d u VT α

0b)

5、一台工业电炉（电阻性负载）原由额定电压为单相交流220V供电，额定功率为10千瓦。现改用双向晶闸管组成的单相交流调压电源供电，如果正常工作时负载只需要5千瓦。根据题意画出此双向晶闸管的单相交流调压电路。回答下列问题：（图为课本P117图6-3（b））

（1）双向晶闸管的触发角α应为多少度？

（2）试求此时的电流有效值。

（3）求电源侧的功率因数。

6、试简述下图Cuk斩波电路的基本原理。P107

7、调压范围为0-30V 的直流电源，采用三相半波可控整流电路带电阻负载，输出电流最大100A ，

求：

（1）整流变压器二次侧相电压有效值。（2）计算输出电压为10V 时的α角。（3）选择晶闸管的型号。

V D

L 1

L 2

电子技术基础试题及答案

1 电子技术基础试题（八）一．填空题：（每题 3 分，共 30 分） 1、 PN 结具有 __单向导电特性____ 性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而___ 增大__ 。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的______输入电阻_____ 大和___ 输出电阻小_____ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻 RL 和信号源的内阻 rs__相等 __时，负载获得的功率最大，这种现象称为__ 阻抗匹配 ___。 5、运算放大器的输出是一种具有__深度负反馈高增益 ___的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：________ 甲__类功放， ___乙 ___类功放和___ 甲乙___类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量__偏流IBQ _____ ，以减少 __交越__失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__采样电路 _ 、基准电源，比较放大电路和__调整元件 __四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是_逻辑乘 __ 、 __逻辑加 _和 ___逻辑非 __。 10．主从触发器是一种能防止 __空翻 _现象的实用触发器。二．选择题（每题 3 分，共 30 分） 1．晶体管二极管的正极的电位是－ 10V ，负极电位是－ 5V ，则该晶体二极管处于：（ C ）。A. 零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（ A）。A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压 VCE上升 C.集电极电流增大

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。

2020年8月自考04730电子技术基础三试题答案及评分参考

电子技术基础（三）试题答案及评分参考第 1 页（共 5 页）绝密★启用前 2020 8 04730 一、单项选择题：本大题共15小题，每小题1分，共15分。 1．B 2．C 3．D 4．A 5．D 6．A 7．B 8．A 9．B 10．D 11．D 12．A 13．B 14．B 15．D 二、填空题：本大题共15小题，每小题1分，共15分。 16．0 17．?∠1.5310 18．0 19．单向导电性 20．截止 21．电压串联 22．反 23．同 24．增大 25．1A 26．1 27．32 28．4 29．2kHz 30．可编程三、分析题：本大题共8小题，每小题5分，共40分。 31．（1）5 '31010V 105U =??=+,（1分） 10 ''1510V 105U =?=+,（1分） 101020V U =+=（1分）（2）2 2 2040W 10U P R ===（2分) 32．（1）1 o i u u dt t RC =-=?（3分）（2）t=3s 时，3V o u =；而t=6s 时，输出电压饱和，所以5V o u =（2分） 33．（1）U O(A V) =0.9U 2=18V （1分）（2）U O(A V) =1.2U 2=24V （1分）（3）U O(A V) =0.45U 2=9V （1分）（4）I D(A V) =0.5*18V/1 k Ω=9mA （2分） 34．（01000111）2=（71）10 （2分）（01000111）2=（47）16 （2分）（01000111）2=（01110001）8421BCD （1分）

电力电子技术期末考试试题及答案修订稿

电力电子技术期末考试试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

(最新整理)4月全国自考电力电子变流技术试题及答案解析

全国2018年4月自学考试电力电子变流技术试题课程代码：02308 一、单项选择题(本大题共10小题.每小题1分，共10分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.电阻性负载三相半波可控整流电路，在合理的控制角范围内，当控制角α为何值时，输出负载电压出现断续( ) A.<30° B.>30° C.>45° D.>90° 2.电阻性负载三相半波可控整流电路中，该输入电源相电压有效值为U2，晶闸管所承受的最大反向电压U Rm等于多少( ) A.U Rm=3U2 B. U Rm=6U2 2U2 C. U Rm=2 2U2 D. U Rm=3 3.三相桥式不控整流电路中，二极管在自然换相点按1、2、3、4、5、6、l的顺序每隔多少度换相一次( ) A.45° B.60° C.90° D.120° 4.三相全控桥式整流电路中，共阴极组的三个晶闸管的触发脉冲相位互差( ) A.60° B.90° C.120° D.150° 5.单相全波可控整流电感性负载电路中，在理想的条件下( ) A.电感消耗的能量大于电阻消耗的能量 B.电感消耗的能量小于电阻消耗的能量 C.电感消耗的能量等于电阻消耗的能量 D.电感本身不消耗能量 6.单相全控桥式整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( ) 1

A.90° B.120° C.150° D.180° 7.下面给出的四个电力半导体器件中，哪个是全控型电力半导体器件( ) A.二极管 B.晶闸管 C.功率晶体管 D.逆导晶闸管 8.单相桥式全控电压源型逆变电路，直流侧电压为E，采用180°导电控制，则输出方波电压的有效值为( ) 1 A.E B.E 2 C.2E D.0 9.变流电路能进行有源逆变的条件之一是( ) A.直流侧接有续流二极管 B.电阻性负载 C.直流侧接有RC保护电器 D.直流侧有直流电动势E d 10.三相半波可控变流电路，输出电压U d的脉动频率与交流电源的频率之比为( ) A.6 B.3 C.2 D.1 二、填空题(本大题共15小题，每小题1分，共15分) 请在每小题的空格中填上正确答案.错填、不填均无分。 11.单相全控桥式整流电路电阻负载，控制角α=____时，整流输出电压平均值U d=0。 12.单相全桥相控电阻性负载电路中，设触发角为α，则晶闸管的导通角为_____。 13.单相半波可控整流纯电阻负载电路，控制角α=_____时，负载电流的平均值最大。 14.按照控制信号的性质来分，晶闸管是属于_______驱动型电力电子器件。 15.电压型三相桥式逆变电路中，采用180°导电控制方式时，同一相上、下两桥臂控制信号的相位差_____度。 16.SPWM调制，设正弦调制波的幅值为U rm，三角载波的幅值为U cm，则调制比为_____。 17.单相桥式逆变电路采用双极性SPWM调制，设逆变器直流侧电压幅值为U d，则输出电压有-U d和______。 18.将直流电能转换为交流电能，直接提供给交流_______的逆变电路称为无源逆变器。 19.三相桥式不控整流电路中，在—个输入电源周期内每个整流二极管换相_____次。 20.对同一只晶闸管，擎住电流I L和维持电流I H的大小关系为I L____I H。 2

电子技术基础试题

电子技术基础（三）试题一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．以下关于脉动直流电压的描述中，正确的是（） A．电压的大小和方向均不随时间变化 B．电压的大小随时间变化，但方向不随时间变化 C．电压的大小不随时间变化，但方向随时间变化 D．电压的大小和方向均随时间变化 2．以下关于理想电流源特性的描述中，正确的是（） A．理想电流源的信号源内阻接近于零 B．理想电流源任何时候都可以串联在一起 C．理想电流源的输出电流与负载无关 D．理想电流源两端的电压与负载无关 3．电路如题3图所示，已知相量电流则向量电流I为（） A．10∠90° (A) B．10∠-90° (A) C．2∠45° (A) D．2∠-45° (A) 4．N型半导体中的多数载流子是（） A．自由电子B．空穴 C．五价杂质原子D．五价杂质离子 5．已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位如题5图所示，则a、b、c三个电极分别为（） A．发射极、基极、集电极 B．发射极、集电极、基极 C．基极、发射极、集电极 D．基极、集电极、发射极 6．理想运放的差模输入电阻R id和输出电阻R O分别为（） A．R id=0，R O=0 B．R id=0，R O=∞ C．R id=∞，R O=0 D．R id=∞，R O=∞ 7．为避免集成运放因输入电压过高造成输入级损坏，在两输入端间应采取的措施是（） A．串联两个同向的二极管B．串联两个反向的二极管 C．并联两个同向的二极管D．并联两个反向的二极管 8．在单相半波整流电路中，如变压器副方电压的有效值为U2，则二极管所承受的最高反向电压为（）

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为 _ 有源逆变 _ ，欲实现有源逆变，只能采用 __ 全控 _ 电路；对于单相全波电路，当控制角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。第 3 章直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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全国自考电力电子变流技术试题及答案解析.doc

??????????????????????精品自学考试资料推荐?????????????????? 全国 2018 年 7 月自考电力电子变流技术试题课程代码： 02308 一、填空题 (每小题 1 分，共 15 分) 1．对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是正向阳极电压U A过高，二是 _________________。 2．为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过_________________ 。 3．由逆阻型晶闸管和整流管集成的晶闸管称为_________________ 4．单相全控桥能在Ⅰ、_________________象限中工作。 5．逆变失败是指工作在逆变状态的变流器由于某种原因，出现了U d和 E d _______________ 的状态。 6．采用α1=π-α2配合有环流的控制的单相反并联(双重 )全控桥式整流电路，当变流器Ⅱ工作在逆变状态时，变流器Ⅰ工作在_________________状态。 7．常用的抑制过电压的方法有两种，一是用储能元件吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。二是用 _________________ 元件限制过电压的幅值。 8．在整流电路中，晶闸管的换流属于_________________。 9 ．若用集成触发电路KC04触发三相全控桥，则KC04的引脚 1 和15 分别接至三相全控桥 _________________ 的上下两只晶闸管。 10．电压型单相桥式逆变电路中，与开关管反并联的二极管起着_________________ 和防止开关器件承受反压的作用。 11．脉冲宽度调制(PWM) 电路的调制比M 愈高，输出电压基波幅值愈_________________。 12．为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________________ 。 13．为防止过电压和抑制功率晶体管的du/dt ，对功率晶体管需加接_________________ 。 14．普通晶闸管为半控型器件，在直流斩波电路中，由触发脉冲控制其开通，关断则由_________________ 完成。 15．三相全控桥中，晶闸管的控制角的起算点在_________________。二、单项选择题 (在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题 1 分，共 20 分 ) 1．晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（）。 A ．维持电流B．擎住电流 C．浪涌电流D．额定电流 2．为了减小门极损耗，晶闸管正常导通的方法是阳极加正向电压，门极加（）。 A ．正脉冲B．负脉冲 C．直流D．正弦波 3．在 GTR 作为开关的电路中，若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象，则说明晶体管（）。 A ．失控B．二次击穿 C．不能控制关断D．不能控制开通 4．下列器件中为全控型器件的是（）。 1

电力电子技术试卷3份答案

《电力电子技术》试卷1答案一、填空（每空1分，36分） 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。 5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。 7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。 8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可） 10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种。二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×） 1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。（√） 2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（×） 3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（×） 4、逆变角太大会造成逆变失败。（×） 5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（√） 6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（×） 7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（×） 8、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（×） 9、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。（×） 10、变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。（√）三、选择题（每题3分，15分）

电子技术基础试题及答案套

电子技术基础试题（八）一、填空题（每题3分，共30分） 1、P N结具有—单向导电特性—性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而增大_。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的—输入电阻—大和—输出电殂—小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R和信号源的内阻r s一相等—时，负载获得的功率最大，这种现象称为—阻抗匹配_。一5、运算放大器的输出是一种具有—深度负反馈高增益_的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：_甲_类功放，_乙_类功放和—甲乙_类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量—偏流 I B^，以减少_交越—失真。 8带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由—采样电路、基准电源、比较放大电路和—调整元件_四个部分组成。 9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、逻辑加和逻辑非。 10、主从触发器是一种能防止_空翻一现象的实用触发器。二、选择题（每题3分，共30分） 1 ?晶体管二极管的正极的电位是一10V,负极电位是一5V,则该晶体二极管处于：（C ）。 A.零偏 B. 反偏 C. 正偏 2?若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（A ）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3.某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（B ）。 A.3A V B.A 3V C.A V3/3 D.A V 4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（A ）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5.甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（C）。 A.有交越失真 B. 易产生自激 C. 效率低 6.有两个2CW15急压二极管，其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为 7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：（B ）。 A.8V 7?为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：（A ）。 A.在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流 B.在开启时提供很大的反向基极电流 C.隔开直流电压 8.逻辑函数式E F+E F+EF,化简后答案是：（C ）。 A.EF B. F E+E F C.E+F 9.基本RS触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态：（B ）。A.

(完整版)电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子复习姓名：杨少航

电力电子变流技术试卷A带答案

电力电子变流技术练习题A 一、选择题 1、当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( ) A、导通状态C、饱与状态D、不定 2、带平衡电抗器得双反星型可控整流电路适用于( )负载。 B 高电压, C 电动机 D 发电机 3.为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作,应在电路中接入( )。 A 三极管, C 保险丝 D 电抗器 4、、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α得最大移相范围就是( ) A、90° B、120° C、150° 5、单相全控桥大电感负载电路中,晶闸管可能承受得最大正向电压为( ) A、U2C、2 U2D、U2 6、三相半波可控整流电路得自然换相点就是 ( ) A、交流相电压得过零点 C、比三相不控整流电路得自然换相点超前30° D、比三相不控整流电路得自然换相点滞后60° 7、普通晶闸管得通态电流(额定电流)就是用电流得( )来表示得。 A 有效值 B 最大值不一定 8、快速熔断器可以用于过电流保护得电力电子器件就是( ) A、功率晶体管 B、IGBT C、功率 MOSFET 9、可实现有源逆变得电路为( )。

、三相半控桥整流桥电路, C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路。 10、在大电感负载三相全控桥中,当α=90°时,整流电路得输出就是( ) A、 C、1、414U2 D、1、732U2 11、属于半控型电力电子器件得就是( ) A、功率晶体管 B、IGBT C、功率 12、当三相桥式全控整流电路正常工作时,同时处于导通状态得晶闸管数量就是多少个( ) A、1个、3个 D、2个与3个交替 13、对于可控整流电路,以下说法正确得就是 ( )。将直流变成交流, C 将交流变成交流 D 将直流变成直流14、单相桥式可控整流电阻性负载电路中,控制角α得最大移相范围就是( ) A、90° B、120° C、150° 二、填空题 1、在1个工频周期内,当负载电流连续时,在典型三相桥式全控整流电路中,每个晶闸管得导通角为 120 度,度 2.三相半波可控整流电路中,当触发角α在正常范围内增大时,输出电压 3.无流整流电路得输入就是输出就是。 4、有源逆变产生得条件有 5 6 三、简答题 1.简述下图所示得降压斩波电路工作原理。

电力电子技术试题及答案(B)

电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形解：a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益 1α和2α，由普通晶阐管的分析可得， 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21＞αα+两个等效晶体管过饱和而导通；

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案试题一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（）三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）

电力电子技术试题

1. 什么是电力电子技术？答：应用于电力领域的、使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。是一门与电子、控制和电力紧密相关的边缘学科。 2. 说“电力电子技术的核心技术是变流技术”对吗？答：对。 3. 模拟电子技术和数字电子技术也是电力电子技术吗？答：不是。 4. 举几例日常生活中应用电力电子技术的装置。答：电动自行车的充电器，手机充电器，电警棍等。 5. 简答“开关电源”和“线性电源”的主要优缺点。答：开关电源：优点：体积小、重量轻、效率高、自身抗干扰性强、输入和输出的电压范围宽、可模块化。缺点：由于开关工作模式和高频工作状态，对周围设备有一定的干扰。需要良好的屏蔽及接地。线性电源：优点：电源技术很成熟，可以达到很高的稳定度，波纹也很小，而且没有开关电源具有的噪声干扰。缺点：是需要庞大而笨重的变压器，所需的滤波电容的体积和重量也相当大，效率低。将逐步被开关电源所取代。 6. 解释：不可控器件(说明导通和关断的条件)、半控型器件、全控型器件，并举出代表性器件的名称。答：不可控器件：不用控制信号来控制其通、断。导通和关断取决于其在主电路中承受电压的方向和大小。典型器件：电力二极管导通条件：正向偏置，即承受正向电压，且正向电压＞阀值电压。关断条件：反向偏置，即承受反向电压。半控型器件：用控制信号来控制其导通，一旦导通门极就失去控制作用。关断取决于其

在主电路中承受的电压、电流的方向和大小。典型器件：晶闸管全控型器件：导通和关断均由电路的触发控制信号驱动（驱动状态需保持）。典型器件：GTR、IGBT、POWER MOSFET。 7. 如图示的二极管伏安特性曲线，示意性地在坐标曲线上标注二极管的参数“反向击穿电压UB”、“门槛电压UTO”、“正向导通电流IF”及其对应的“正向压降UF”、“反向漏电流”。答：

电力电子技术试题及答案(1)

《电力电子技术》试卷一．填空（共15分，1分/空） 1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U ，忽略主电路 2 各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。 6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。二．单选（共10分，2分/题） 1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2．晶闸管属于（）。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。 A．180O B.90O C.120O 4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。 A.60 B. 180 C. 120 5．把交流电变成直流电的是（）。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路三．多选（共10分，2分/题） 1．电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器 2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3．使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4．逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5．变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口四．判断（共5分,1分/题） 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。（） 2.晶闸管是一种四层三端器件。（）