半导体物理
半导体物理归纳总结
半导体物理归纳总结半导体物理是研究半导体材料及其在电子器件中的应用特性的学科领域。
在过去几十年里，半导体技术的飞速发展对我们的生活产生了巨大的影响。
本文将对半导体物理的一些重要概念和原理进行归纳总结，帮助读者更好地理解半导体器件的工作原理及其应用。
1. 半导体的基本概念半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质，具有中等电导率。
它的导电性质可以通过控制掺杂和温度来进行调节。
常见的半导体材料有硅和锗，它们的物理性质决定了半导体器件的性能。
2. 半导体材料的能带结构半导体材料的能带结构直接影响其导电性质。
能带是描述电子能量和电子分布的概念。
在半导体中，价带是最高的填满电子的能带，而导带是电子可以自由移动的能带。
半导体的导电性取决于导带和价带之间的能隙大小。
3. 掺杂与载流子掺杂是将某种杂质引入到半导体材料中，以改变半导体的导电特性。
掺杂可以分为施主掺杂和受主掺杂两种。
施主掺杂会引入额外的自由电子，增加半导体的导电性，而受主掺杂引入额外的空穴，减少导电性。
掺杂后产生的自由电子和空穴被称为载流子，它们在半导体中的运动导致了电流的流动。
4. pn结及其特性pn结是由p型半导体和n型半导体相接触形成的结构。
在pn结中，p区富含空穴，n区富含自由电子。
当p区和n区相接触时，会发生空穴和自由电子的复合过程，形成耗尽区。
耗尽区内形成了电场，阻止了进一步的复合。
这种特殊的结构使得pn结具有整流特性，即在正向偏置下电流可以流动，而在反向偏置下电流几乎不流动。
5. 半导体器件的应用半导体器件包括二极管、场效应晶体管、晶体管等，它们在各种电子设备中起着重要作用。
二极管是一种具有单向导电性的器件，广泛应用在电源供电和信号处理中。
场效应晶体管是一种高度可控的电流放大器，常用于放大和开关电路。
晶体管则是一种功率放大器，被广泛应用在音频和无线通讯领域。
总结：半导体物理是一门涉及半导体材料特性和器件应用的重要学科。
通过对半导体的能带结构、掺杂与载流子、pn结特性以及器件应用的介绍，我们对半导体器件的工作原理有了更深入的理解。
半导体物理主要概念
半导体物理主要概念在现代科技和电子领域中，半导体材料具有重要的地位。
半导体物理学涉及了许多核心概念，这些概念对我们理解半导体材料的性质和应用至关重要。
本文将重点介绍一些关键的半导体物理主要概念。
1. 能带理论（band theory）能带理论是解释固体材料电子结构的核心理论。
它描述了原子的电子如何在固体中形成能带（电子能量分布的区域）。
根据能带理论，固体材料中的电子可以填充到不同能量的能带中。
价带是离自由电子最近的能带，其中填满电子的能带称为价带；离自由电子最远的能带是导带，其中可以存在自由电子。
价带和导带之间的能量间隔称为能隙（band gap），是一个半导体的重要参数。
有无能隙区分了导电性质和绝缘性质的半导体。
2. 禁带宽度（band gap width）禁带宽度，也称能隙宽度，是半导体能带理论的一个重要概念。
禁带宽度是价带和导带之间的能量差异。
半导体材料根据禁带宽度的不同，可以分为直接带隙半导体和间接带隙半导体。
直接带隙半导体的价带和导带在动量空间中的最小距离很小，电子可以通过发射或吸收光子以较高的效率进行能带跃迁。
而间接带隙半导体的最小距离较大，电子的能带跃迁一般需要借助缺陷或其他粒子的参与。
3. 斯特克斯位移（Stark effect）斯特克斯位移描述了外加电场对半导体能带结构的影响。
当半导体材料中存在电场时，它会改变价带和导带的能量分布，导致能带发生位移。
斯特克斯位移是半导体器件如光电二极管等的基础理论。
4. 谐振频率（resonant frequency）谐振频率是指在某种特定的条件下，半导体材料会表现出共振特性。
半导体材料中的晶格结构和电子能级之间的相互作用会导致谐振频率的存在，这在电子器件的设计和性能优化中发挥重要作用。
5. 载流子（charge carrier）载流子是指在半导体材料中能够自由移动的电荷粒子。
在半导体中，载流子通常可以分为两类：电子和空穴（空穴可以看作是价带内缺少电子导致的正电荷）。
半导体物理知识及其应用
半导体物理知识及其应用半导体是当前电子技术的重要材料之一，具有导电能力较弱但比绝缘体强的特点，半导体物理知识对于半导体的应用至关重要。
本文将从半导体物理的基本原理入手，探讨半导体物理知识在半导体应用中的作用。
一、半导体物理的基本原理半导体物理的基本原理与量子力学息息相关。
半导体中电子的行为受到电子波的限制，即电子的自旋、动量和位置是不确定的，并且只能以某种概率存在于半导体的某个能级之中。
基于这一特性，半导体可以区分为n型半导体和p型半导体两种。
n型半导体指掺杂了小量的施主杂质元素（如磷、锑、铋等）的半导体，其内部电子富余，导电能力比纯净半导体强。
p型半导体指掺杂了小量的受主杂质元素（如硼、铝、镓等）的半导体，其内部电子亏损，导电能力比纯净半导体弱。
当n型半导体和p型半导体连接在一起时，形成了p-n结，这一结构可以在电路中用作整流器、变频器等电子元件。
二、半导体物理知识的应用半导体物理知识的应用非常广泛，以下列举几个实例：1. 半导体器件半导体物理技术已广泛应用于电子芯片、光电器件、电子射线探测器等器件制造中。
例如，在电子芯片制造中，化学蚀刻技术可以利用半导体物理知识对半导体材料进行加工，形成不同形状、不同功能的微型结构，进而实现电子芯片的封装和集成；在激光器和LED（发光二极管）器件制造中，利用半导体物理知识控制半导体中的带隙能量可以调整发射光谱，进而实现特定波长、高亮度发光和低能耗的光电器件。
2. 太阳能电池太阳能电池是一种将太阳光能转化为电能的器件，半导体物理知识在其制造中起到关键作用。
太阳能电池通常由p-n结、超薄的p型和n型半导体薄层及金属和吸收层等组成，其中半导体材料的带隙能量与太阳光的波长匹配度非常重要，制造技术的提高和半导体物理知识的深入研究，为太阳能电池的高效率利用提供了理论依据和实现路径。
3. 光电检测器随着现代通信技术的飞速发展，光电器件的应用范围也越来越广泛，光电检测器、图像传感器、线性传感器等器件可以通过半导体物理知识调控半导体材料的特性，实现对光信号的快速、准确、稳定传感和处理。
半导体物理名词解释总结
半导体物理名词解释1.有效质量：a 它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用 b 可以由实验测定，因而可以很方便的解决电子的运动规律2.空穴：定义价带中空着的状态看成是带正电荷的粒子，称为空穴1.意义a 把价带中大量电子对电流的贡献仅用少量的空穴表达出来b金属中仅有电子一种载流子，而半导体中有电子和空穴两种载流子，正是这两种载流子的相互作用，使得半导体表现出许多奇异的特性，可用来制造形形色色的器件3.理想半导体（理想与非理想的区别）：a 原子并不是静止在具有严格周期性的晶格的格点位置上，而是在其平衡位置附近振动 b 半导体材料并不是纯净的，而是含有各种杂质即在晶格格点位置上存在着与组成半导体材料的元素不同其他化学元素的原子c 实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而存在着各种形式的缺陷4.杂质补偿：在半导体中，施主和受主杂质之间有相互抵消的作用通常称为杂质的补偿作用5.深能级杂质：非Ⅲ、Ⅴ族杂质在硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带较远，他们产生的受主能级距离价带也较远，通常称这种能级为深能级，相应的杂质为深能级杂质6.简并半导体：当E-E F》k o T不满足时，即f（E）《1，[1-f（E）]《1的条件不成立时，就必须考虑泡利不相容原理的作用，这时不能再应用玻耳兹曼分布函数，而必须用费米分布函数来分析导带中的电子及价带中的空穴的统计分布问题。
这种情况称为载流子的简并化，发生载流子简并化的半导体被称为简并半导体（当杂质浓度超过一定数量后，载流子开始简并化的现象称为重掺杂，这种半导体即称为简并半导体7.热载流子：在强电场情况下，载流子从电场中获得的能量很多，载流子的平均能量比热平衡状态时的大，因而载流子与晶格系统不再处于热平衡状态。
温度是平均动能的量度，既然载流子的能量大于晶格系统的能量，人们便引入载流子的有效温度T e来描写这种与晶格系统不处于热平衡状态时的载流子，并称这种状态载流子为热载流子8.砷化镓负阻效应：当电场达到一定値时，能谷1中的电子可从电场中获得足够的能量而开始转移到能谷2，发生能谷间的散射，电子的动量有较大的改变，伴随吸收或发射一个声子。
《半导体物理学》课件
半导体物理学是现代电子科技和信息 科技的基础，对微电子、光电子、电 力电子等领域的发展具有至关重要的 作用。
半导体物理学的发展历程
19世纪末期
半导体概念的形成，科学家开始认识到 某些物质具有导电性介于金属和绝缘体
之间。
20世纪中叶
晶体管的商业化应用，集成电路的发 明，推动了电子科技和信息科技的发
半导体中的热电效应
总结词
解释热电效应的原理及其在半导体中的应用。
详细描述
当半导体受到温度梯度作用时，会在两端产生电压差 ，这一现象被称为热电效应。热电效应的原理在于不 同温度下，半导体内部载流子的分布不同，导致出现 电势差。热电效应在温差发电等领域有应用价值，可 以通过优化半导体的材料和结构来提高热电转换效率 。
分析器件在长时间使用或恶劣环 境下的性能退化，以提高其可靠 性。
THANKS
THANK YOU FOR YOUR WATCHING
06
半导体材料与工艺
半导体材料的分类和特性
元素半导体
如硅、锗等，具有稳定的化学性质和良好的半导 体特性。
化合物半导体
如砷化镓、磷化铟等，具有较高的电子迁移率和 光学性能。
宽禁带半导体
如金刚石、氮化镓等，具有高热导率和禁带宽度 大等特点。
半导体材料的制备和加工
气相沉积
通过化学气相沉积或物理气相沉积方法制备 薄膜。
05
半导体器件的工作原理
二极管的工作原理
总结词
二极管是半导体器件中最简单的一种 ，其工作原理基于PN结的单向导电性 。
详细描述
二极管由一个P型半导体和一个N型半 导体结合而成，在交界处形成PN结。 当正向电压施加时，电子从N区流向P 区，空穴从P区流向N区，形成电流； 当反向电压施加时，电流极小或无电流 。
半导体物理知识点总结(最新最全)
一、半导体物理知识大纲➢核心知识单元A：半导体电子状态与能级（课程基础——掌握物理概念与物理过程、是后面知识的基础）→半导体中的电子状态（第1章）→半导体中的杂质和缺陷能级（第2章）➢核心知识单元B：半导体载流子统计分布与输运（课程重点——掌握物理概念、掌握物理过程的分析方法、相关参数的计算方法）→半导体中载流子的统计分布（第3章）→半导体的导电性（第4章）→非平衡载流子（第5章）➢核心知识单元C：半导体的基本效应（物理效应与应用——掌握各种半导体物理效应、分析其产生的物理机理、掌握具体的应用）→半导体光学性质（第10章）→半导体热电性质（第11章）→半导体磁和压阻效应（第12章）二、半导体物理知识点和考点总结第一章半导体中的电子状态本章各节内容提要：本章主要讨论半导体中电子的运动状态。
主要介绍了半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入了有效质量的概念。
阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴散射的概念。
最后，介绍了Si、Ge和GaAs的能带结构。
在1.1节，半导体的几种常见晶体结构及结合性质。
（重点掌握）在1.2节，为了深入理解能带的形成，介绍了电子的共有化运动。
介绍半导体中电子的状态和能带特点，并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较，在此基础上引入本征激发的概念。
（重点掌握）在1.3节，引入有效质量的概念。
讨论半导体中电子的平均速度和加速度。
（重点掌握）在1.4节，阐述本征半导体的导电机构，由此引入了空穴散射的概念，得到空穴的特点。
（重点掌握）在1.5节，介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。
（理解即可）在1.6节，介绍Si、Ge的能带结构。
（掌握能带结构特征）在1.7节，介绍Ⅲ-Ⅴ族化合物的能带结构，主要了解GaAs的能带结构。
（掌握能带结构特征）本章重难点：重点：1、半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点；三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。
半导体物理的概念是什么
半导体物理的概念是什么
半导体物理是研究半导体材料和器件的物理学分支。
半导体材料是指一类在温度低于室温时是绝缘体，在高于室温时是导体的材料。
半导体物理研究包括半导体的材料特性、电子结构、能带理论、载流子运动、电导率、电子输运、PN结等相关理论和实验研究，以及半导体器件如晶体管、二极管、光电器件等的设计、制造和性能优化。
半导体材料的特性主要取决于其电子结构和能带理论，在此理论框架下，可以解释半导体特性中的许多现象和规律。
半导体中的原子价电子填满能量较低的全球化价带，而导电性较高的传导带的能量较高，由于其能隙比绝缘体小，这使得外来的激励如温度、光照等可以激发电子从价带跃迁到传导带中，同时在跃迁后留下空穴。
这些载流子在半导体中运动和输运的特性对半导体电子学和器件设计具有重要影响。
PN结是半导体器件中常用的器件之一，它是由n 型半导体和p 型半导体材料的拼接而成的结构。
在PN 结中，n-type 半导体中的高浓度自由电子和
p-type 半导体中的高浓度空穴的扩散汇聚产生了空间电荷区域，它使得PN 结在外加正向偏压下变成导体，在反向偏压下变成绝缘体，从而形成了PN 结二极管器件。
半导体物理的研究不仅对于半导体电子学理论、器件设计和制造具有重要意义，而且具有广泛的应用前景。
例如，半导体材料是制造电子器件的重要材料，其中
包括计算机、手机、平板电视、LED 灯等常用电子产品。
另外，半导体材料被广泛用于太阳能电池、光电器件、半导体激光器、放大器等领域，这些领域的发展对于节能减排、环保、医学、化学等方面都具有积极意义，同时也推动了半导体物理研究的发展。
物理九年级半导体知识点
物理九年级半导体知识点半导体物理是物理学中的一个重要分支，探讨半导体材料在电学、光学和热学等方面的性质及其应用。
本文将围绕半导体的结构、导电特性、PN结、晶体管和光电效应等知识点展开讨论。
半导体是一类具有介于导体和绝缘体之间电导率的物质。
在半导体中，主要有两类载流子，即电子和空穴。
电子是带负电荷的粒子，而空穴是一种像正电子的“虚粒子”，它模拟电子在绝缘体中的位置。
半导体材料的导电性质与载流子的数量和移动性密切相关。
在半导体中，p型和n型材料是常见的两种类型。
p型半导体中，掺杂了对电子有亲和力的杂质，这些杂质称为施主，它们会提供空穴作为载流子。
而在n型半导体中，掺杂了对电子有亲和力的杂质，这些杂质称为受主，它们会提供自由电子作为载流子。
PN结是半导体器件中最常见的结构之一。
它是由一个p型半导体和一个n型半导体相接而成。
PN结具有整流特性，即在正向偏压下，电流可以通过；在反向偏压下，电流几乎无法通过。
这一特性使得PN结在电子学中有着广泛的应用。
例如，二极管就是一种利用PN结整流特性的器件。
晶体管是现代电子技术中不可或缺的元件。
它由三个部分组成：基区、发射区和集电区。
晶体管可以用作信号放大器和开关。
在正常工作状态下，集电极的电压为最高，基极的电压位于中间，发射极的电压最低。
当在基极施加足够的电压时，基区中的电子和空穴会产生复合现象，电流就从集电极流向了发射极。
这种方式下，晶体管可以模拟电流放大器的功能。
光电效应是研究光与物质相互作用的重要现象。
当光射到半导体表面时，如果光能量大到足以使得束缚在半导体中的电子跃迁到导带上或者电子从导带跃迁到价带上，则会引发光电效应。
光电效应有着广泛的应用，包括太阳能电池、光敏传感器等。
除了上述知识点，半导体物理还涉及到能带理论、PN结的工作原理、半导体器件的制造等。
这些内容超出了本文的长度限制，但对于深入理解半导体物理来说是必不可少的。
总之，半导体物理是研究半导体材料电学、光学和热学特性的重要学科。
半导体物理及其应用
半导体物理及其应用随着现代科技的飞速发展，半导体技术已经深入到人们的生活中，从电子设备到太阳能、风能等新能源领域，都离不开半导体技术的应用。
那么，何为半导体物理，又有哪些应用呢？一、半导体物理概述半导体物理学是研究半导体材料的准确物理性质和电子行为的学问。
半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间，因此叫做半导体。
其导电性能的变化与材料中掺杂的杂质密切相关。
例如，将硼、磷等元素杂质掺入硅晶体中，就可形成p型和n型半导体，达到控制其导电性能的目的。
而半导体材料的导电性能能够根据温度、光照等外界条件的不同而改变，这使得它在实际应用中更具灵活性。
半导体技术可以分为两个方面，一方面是半导体原始材料的生产与制备过程，另一方面是半导体器件的开发与生产。
半导体器件的平均尺寸通常不到数毫米，为了精确控制它的导电性能，需要配合世界上最干净、最先进的制造技术。
因此，半导体材料的生产与制备过程非常严格，需要工艺及安全上的协调、管理和控制。
二、半导体应用领域1. 电子设备智能手机、平板电脑、计算机等电子设备的出现使人们的生活变得更加便捷。
它们的核心器件都是采用半导体技术制造的微处理器。
由于半导体材料能够在三种之间穿行电子－价态、激发态和连续态之间，使它成为了制造微处理器的理想材料。
它的高温，低功耗，长寿命等特点也成为其在电子产业中的优势。
半导体材料还常常被用于光电转换，比如在计算机屏幕上，光学传感器，以及LED灯光的制造当中。
2. 太阳能、风能等新能源领域半导体还有一个重要的应用领域，是在新能源领域的应用。
半导体材料有很强的电子传导特性，光能照射在半导体材料上，其导电性能得到了增强，可产生电能。
因此利用半导体材料制造太阳能电池板就成为了当前新能源领域中的一大方向。
除此之外，半导体三极管还可以被应用于风能发电中的变流器等设备当中。
3. 医疗领域半导体技术已经在医学领域找到了诸多应用。
例如，半导体材料在生物药物、基因测序、病毒疾病诊断、放射性治疗和医疗设备控制等方面有着广泛的应用。
半导体物理与器件
半导体物理与器件半导体物理与器件是研究半导体材料和器件特性的学科领域，这是电子科学与工程的重要分支之一。
在现代科技的发展过程中，半导体物理与器件起到了至关重要的作用，推动了信息技术、通信技术、能源技术等领域的发展与创新。
一、半导体物理的基本概念半导体是介于导体和绝缘体之间的一种材料。
这类材料的导电性能介于金属和非金属之间，可以通过控制掺杂来调节其电导率。
半导体物理主要研究半导体的物理性质及其在器件中的应用。
1.1 半导体的晶体结构半导体通常采用晶格结构，其中最常见的是硅(Si)和锗(Ge)。
晶格结构决定了半导体的物理特性和电学性能。
1.2 半导体的能带结构能带结构是描述半导体的重要概念，半导体中的能带分为价带和导带。
当半导体被采取适当的掺杂和加压等方法后，会出现禁带宽度，电子能够充满价带或从导带跃迁到价带，形成导电能力。
1.3 半导体的载流子半导体中的载流子是指带电粒子，有正负两种。
在掺杂过程中，掺杂原子注入到半导体晶格中，会引入自由电子或空穴，从而影响半导体的导电性能。
二、半导体器件的应用半导体物理的研究成果被广泛应用于各种半导体器件中，这些器件在现代社会中扮演着重要的角色。
2.1 二极管二极管是最简单的半导体器件之一，具有单向导电特性。
它由正负两种半导体材料构成，在正向偏置时导通，在反向偏置时截止。
二极管广泛应用于电源、通信等领域。
2.2 三极管三极管是一种具有放大作用的半导体器件。
它由三个半导体区域组成，包括基极、发射极和集电极。
通过对基极电流的控制，可以实现对集电极电流的放大，被广泛应用于电子设备中。
2.3 场效应晶体管场效应晶体管（FET）是一种控制电流的半导体器件，具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点。
它可作为电压控制器件，广泛应用于放大、开关、模拟和数字电路等领域。
2.4 光电二极管光电二极管是将光信号转换为电信号的设备。
通过光敏材料和PN结的结合，光电二极管可以检测和转换光信号，被广泛应用于通信、光学传感器、光通信等领域。
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价带附近的空状态，称为空穴。
可以把它看成是一个携带电荷（+q)、以与空状态相对应的电子速度运动的粒子。
空穴具有正的有效质量。
2.等电子陷阱
与晶格基质原子具有相同价电子的杂质称为等电子杂质，等电子杂质取代晶格上的同族原子后，因为与晶格与原子的共价半径与电负性的显著差别，能够在晶体中俘获某种载流子成为带电中心，这种带电中心叫等电子陷阱
3.准费米能级
当外界的影响破坏了热平衡，使半导体处于非平衡状态，费米能级就不再是统一的，分别就价带和导带的电子而言，可以认为它们各自处于平衡状态，而导带和价带之间处于不平衡状态，因而费米能级和统计分布函数对导带和价带个子仍然是适用的，分别引入导带费米能级和价带费米能级，它们都是局部费米能级，称为准费米能级。
4.激子
在半导体中，如果一个电子从满的价带激发到空的导带上去，则在价带内产生一个空穴，而在导带内产生一个电子，从而形成一个电子-空穴对。
空穴带正电，电子带负电，它们之间的库仑吸引互作用在一定的条件下会使它们在空间上束缚在一起，这样形成的复合体称为激子。
5.二维电子气
调制掺杂异质结势阱中的电子在与结平行的，平面(x-y)内作自由电子运动，实际就是在量子阱区内准二维运动，称为二维电子气。
6.复合中心的俘获截面
第五章
7.禁带变窄效应
重掺杂时，杂质能带进入导带或价带，形成新的简并能带，简并能带的尾部深入到禁带中，称为带尾，从而导致禁带宽度变窄。
8.磁阻效应
由于磁场的存在引起电阻的增加，称这种效应为磁阻效应。
9.表面电场效应
在外加电场作用下，半导体表面层内发生的现象(空间电荷区,表面势,能带弯曲和载流子浓度的变化)。
重掺杂> 10的19次/cm3 ，这种强p型、强n型材料形成的p+-n+结称为隧道结。
2．导体中杂质和缺陷有哪些类型？杂质能级为什么位于禁带中？说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同？
浅能级深能级，点缺陷，如空位、间隙原子等，线缺陷，如位错等，面缺陷，如层错、晶粒间界等。
杂质出现在半导体中时，产生的附加势场使严格的周期性势场遭到破坏。
杂质原子束缚的电子或空穴，既不是共价键上的电子或空穴，也没有进入到晶格空间里，所以此电子或空穴必定在禁带的范围里占据一个能级的位置。
图，第二章。
浅能级半导体，施主能级非常靠近导带底，受主能级非常靠近价带顶，电离能很小，常温下杂质基本全部电离，作用是有效为导带提供电子或为价带提供空穴。
深能级半导体施主能级距离导带底较远，受主能级距离价带顶较远，电离能很大，不能有效提供半导体电子或空穴，其作用主要是起复合中心作用或陷阱作用。
3．以n型半导体为例，分析其载流子浓度和杂质浓度及温度之间的关系。
一般半导体材料的工作温度范围选在哪个温区？
强电离区P68
4．半导体中主要散射机构是什么？各种散射机构在什么情况下起主要作用？载流子迁移率和温度及杂质浓度的关系？
电离杂质的散射，晶格散射（格波散射）。
低温时，主要是电离杂质的散射；高温时，主要是晶格散射。
公式第四章53页+P91，所以，低温时，主要是电离杂质的散射，T↑，μ↑；高温时，主要是晶格散射，T↑，μ↓。
杂质浓度N i 的影响：Ni＜1017/cm3，μ与N i 无关；Ni＞1017/cm3，μ随N i 的增加而下降。
5。
什么是非子的间接复合？最有效的复合中心是什么？小注入时，非子的间接复合寿命是由什么决定的？
杂质和缺陷在禁带中形成复合中心，如果禁带中存在复合中心，电子与空穴的复合分为两步走：1.电子由导带进入复合中心；2,.电子由复合中心进入价带。
这种非平衡载流子的复合类型叫间接复合。
当复合中心能级Et=Ei时，对非平衡载流子的复合率极大。
位于禁带中央的深能级是最有效的复合中心
小注入时非子的间接复合寿命决定于少子的寿命。
6．什么是pn结？其电容是怎样形成的?
p 型半导体和n 型半导体结合在一起，在交界面处其杂质分布不均匀，形成pn 结。
势垒区的空间电荷数量随外加电压而变化，和一个电容器的充放电作用相似，这种pn结的电容效应称为势垒电容。
正偏时，由于少子的注入，在扩散区内, 都有一定的数量的少子的积累，且其浓度随正向偏压的变化而变化，形成了扩散电容。
7. 在MIS结构中，以n型半导体为例，说明半导体表面空间电荷层的四种状态。
第七章38页
8．什么是镜像力？它如何影响金属－半导体接触整流器的伏安特性？
在金属–真空系统中，一个在金属外面的电子，要在金属表面感应出正电荷，同时电子要受到正电荷的吸引。
若电子距金属表面的距离为x，则它与感应正电荷
之间的吸引力，相当于该电子与位于(–x)处的等量正电荷之间的吸引力，这个吸引力称为镜像力。
图第八章46页
镜象力使势垒顶向内移动，并且引起势垒的降低，q ∆φ。
当反向电压较高时，势垒的降低变得明显，镜象力的影响显得重要，第八章52页公式。
9．什么是半导体超晶格？其电子能态有什么特点？生长超晶格材料的主要技术及应用？
一种人造材料，由交替生长的两种半导体材料薄层组成的一维周期性结构，其薄层厚度的周期小于电子的平均自由程。
光电物理基础P397图和文字。
MBE分子束外延, MOCVD金属有机化合物化学气相淀积
量子阱激光器、量子阱光电探测器、光学双稳态器件、调制掺杂场效应晶体管。