PIE工程师必备
PIE工程师必备
PIE工程师必备标题：PIE工程师必备技能——物理基础知识（上）作为一名PIE工程师，掌握一定的物理基础知识是非常重要的。
物理是一门研究自然界的科学，其研究对象包括物质、能量、力学、热学、电磁学等等。
对于工程师而言，理解并灵活运用物理原理，能够帮助我们更好地解决问题和设计出更优秀的产品。
一、力学力学是物理学的重要分支，涉及运动、静力学、动力学等方面的研究。
作为PIE工程师，我们要了解基本的力学概念和原理，例如质量、力、加速度、速度、位移等。
此外，还需要掌握牛顿三定律以及基本的运动学和动力学公式。
在实际工作中，我们可能需要利用力学知识进行结构强度计算、运动学分析等。
例如，在设计机械手臂时，我们需要知道各个零件的质量、受力情况，以保证机械手臂的稳定性和运动的精准度。
二、热学热学是研究热现象的物理学科，包括热传导、热膨胀、热辐射等。
在工程设计中，我们常常需要考虑材料的热膨胀系数、热导率等参数，以及热传导的相关问题。
以电子设备为例，电子元件的工作温度对其性能和寿命都有很大影响。
因此，了解热学原理，我们可以在设计过程中合理选择散热材料和散热结构，以提高电子设备的散热效果。
三、电磁学电磁学是研究电荷和电磁场相互作用的学科。
在PIE工程中，我们常常需要应用电磁学原理来设计电路、电磁驱动系统等。
在电路设计中，了解电磁感应、电容、电感等基本原理十分重要。
例如，对于电磁驱动系统设计，我们需要考虑电磁铁的线圈匝数、电流和磁感应强度的关系，以及电磁铁的工作原理。
总结：物理基础知识是PIE工程师必备的技能之一。
掌握力学、热学和电磁学的基本原理能够帮助我们更好地解决各类问题和设计出更优秀的产品。
在未来的工作中，我们应该持续学习和提升自己的物理基础知识，为我们的工程设计提供更加坚实的基础。
标题：PIE工程师必备技能——物理基础知识（下）在上一篇文章中，我们介绍了PIE工程师必备的物理基础知识中的力学、热学和电磁学。
接下来，我们将继续介绍其他重要的物理知识。
2024年PIE工程师培训技能
PIE工程师培训技能一、PIE工程师简介PIE工程师，即生产与工业工程工程师，是负责提高生产效率、降低成本、优化生产流程的专业人才。
在我国，随着制造业的快速发展，PIE工程师的需求越来越大。
为了满足市场需求，培养优秀的PIE工程师，本文将介绍PIE工程师培训技能的相关内容。
二、PIE工程师培训目标1.掌握生产与工业工程的基本理论和方法，具备分析和解决生产现场问题的能力。
2.熟悉生产计划与控制、质量管理、设备管理、成本管理等方面的知识，具备全面的工程素养。
3.培养良好的沟通、协调和团队协作能力，提升项目管理水平。
4.掌握现代生产管理技术，如精益生产、六西格玛等，为企业提高生产效率、降低成本提供技术支持。
三、PIE工程师培训内容1.生产与工业工程基础知识：包括生产与运作管理、工业工程概述、工作研究、生产计划与控制等。
2.质量管理：了解质量管理的基本原理和方法，掌握质量管理体系、质量控制、质量改进等方面的知识。
3.设备管理：学习设备管理的基本理论和方法，熟悉设备维护、维修、保养等方面的知识。
4.成本管理：掌握成本核算、成本分析、成本控制等方法，为企业降低成本提供支持。
5.现场改善：学习现场改善的方法和技巧，如5S、目视化管理等，提高生产现场管理水平。
6.精益生产与六西格玛：了解精益生产、六西格玛等现代生产管理技术，为企业提高生产效率、降低成本提供技术支持。
7.项目管理：学习项目管理的基本理论和方法，提高项目管理水平。
8.沟通与协调：培养良好的沟通、协调和团队协作能力，提高工作效率。
四、PIE工程师培训方法1.理论培训：通过课堂讲授、案例分析、专题研讨等形式，系统学习PIE工程师所需的理论知识。
2.实践操作：结合实际生产现场，进行现场实操、模拟演练等，提高实际操作能力。
3.在职培训：在企业内部进行培训，结合实际工作需求，有针对性地提升员工的技能水平。
4.师带徒：安排经验丰富的PIE工程师作为导师，一对一指导新员工，快速提升其业务能力。
PIE工程师必备
Question Answer&PIEPIE1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。
2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。
未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。
4. 我们为何需要300mm?答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。
当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。
6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。
从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。
2024年PIE工程师培训教程
PIE工程师培训教程引言PIE（Product,Infrastructure,andEngineering）工程师是企业中至关重要的一环，他们负责产品的设计、开发、测试和部署等环节。
本教程旨在为PIE工程师提供全面、系统的培训，帮助他们掌握必备的技能和知识，提升工作效率和质量。
第一部分：基础知识1.1PIE工程师的定义与职责PIE工程师是负责产品、基础设施和工程方面的专业人员。
他们需要具备跨领域的知识和技能，如软件开发、系统架构、数据分析等。
主要职责包括：参与产品的需求分析、设计和开发；负责基础设施的建设和维护，如服务器、网络、数据库等；对产品进行测试、优化和部署；协调各个团队，确保项目的顺利进行。
1.2工具与技术PIE工程师需要熟练掌握各种工具和技术，以提高工作效率。
常见的工具和技术包括：版本控制系统（如Git、SVN）；项目管理工具（如Jira、Trello）；自动化构建和部署工具（如Jenkins、Docker）；编程语言（如Java、、Go）；数据库技术（如MySQL、MongoDB）；云计算平台（如AWS、Azure、阿里云）。
第二部分：核心技能2.1需求分析与管理与产品经理、设计师等团队成员沟通，明确产品需求；编写需求文档，确保需求清晰、可执行；跟踪需求变更，及时调整项目计划。
2.2系统架构与设计根据产品需求，设计合理的系统架构；选择合适的开发框架和技术栈；进行技术选型，确保系统的性能、可扩展性和安全性。
2.3编码与开发熟练掌握至少一种编程语言；遵循编码规范，编写高质量、可维护的代码；进行单元测试，确保代码的正确性。
2.4测试与优化编写测试用例，进行功能测试、性能测试等；分析测试结果，定位问题并解决；对系统进行优化，提高性能和稳定性。
2.5部署与运维熟练使用自动化构建和部署工具；负责服务器、网络、数据库等基础设施的运维；监控系统运行状态，确保系统稳定运行。
第三部分：实践与案例分析本部分将通过实际案例，介绍PIE工程师在实际工作中可能遇到的问题和解决方案。
PIE工程师必备2024
引言概述：PIE工程师是指在信息技术领域，主要从事于数据分析、机器学习和人工智能等技术领域的专业人员。
随着数据的快速增长和数据分析的重要性日益凸显，PIE工程师的需求也越来越大。
本文将介绍PIE工程师在工作中必备的五个方面的技能及其具体细分点。
正文内容：一、数学和统计学基础1. 线性代数：作为PIE工程师，理解线性代数的概念和应用十分重要，可以应用于人工智能领域的矩阵运算、特征向量和特征值分析等。
2. 概率和统计：掌握统计学基本概念和方法，能够对数据进行合理的统计分析和推断，对数据分析和模型建立具有重要意义。
3. 微积分：理解微积分的基本原理和应用，可以帮助PIE工程师进行数学建模和优化算法的设计等。
二、编程技能1. 编程语言：熟练掌握Python是PIE工程师的必备技能，它是数据科学和机器学习中最常用的编程语言之一，可以用于数据处理、模型建立和可视化等。
2. 数据处理和清洗：PIE工程师需要具备处理和清洗数据的能力，掌握相关的数据处理工具和技术，如Pandas、NumPy等。
3. 机器学习和深度学习框架：对常用的机器学习和深度学习框架，如Scikit-learn、PyTorch、TensorFlow等有深入的了解和实践经验。
三、数据分析能力1. 数据探索和可视化：通过使用数据分析工具和可视化技术，PIE工程师可以对数据进行可视化探索和分析，发现其中的规律和趋势。
2. 特征工程：掌握特征选择、特征提取和特征变换等技术，能够从原始数据中提取出有用的特征，并为机器学习模型提供更好的输入。
3. 模型评估和选择：了解不同的机器学习算法和评估指标，能够根据实际问题选择合适的模型和优化策略。
四、机器学习算法与模型1. 监督学习：了解和掌握常见的监督学习算法，如线性回归、逻辑回归、决策树、支持向量机等，并能够根据实际问题选择合适的算法进行建模。
2. 无监督学习：熟悉无监督学习算法，如聚类分析、主成分分析等，能够在没有标记数据的情况下进行数据分析和模型建立。
pie工程师
Pie工程师简介Pie工程师是指负责设计、开发和维护饼图或圆状图的工程师。
饼图是一种常见的数据可视化方式，它将数据分成多个扇形区域以表示不同的分类或百分比。
Pie工程师需要具备数据分析、编程和设计技能，以创建美观、易于理解的饼图。
技能要求1. 数据分析作为Pie工程师，首先需要掌握数据分析的基本原理和方法。
只有了解数据的结构和特点，才能准确地选择合适的数据进行饼图的展示。
此外，还需要能够从大量的数据中提取有用的信息，找到数据之间的关联和趋势。
2. 编程技能Pie工程师需要具备编程技能，以便使用编程语言来处理和可视化数据。
现如今，最流行的编程语言之一是Python，因为它具有丰富的数据分析和可视化库。
Pie工程师应熟悉Python编程语言，并掌握数据处理库如Pandas和NumPy，数据可视化库如Matplotlib和Seaborn，还有其他相关的数据处理和分析工具。
3. 设计能力饼图的可视效果对于传达数据信息非常重要。
Pie工程师需要具备一定的设计能力，能够选择合适的颜色和样式来展现不同的分类或百分比。
此外，他们还需要了解如何根据不同的数据特点进行图表的布局和排版，以确保饼图的可读性和易理解性。
4. 团队合作Pie工程师通常是作为数据科学团队的一员工作，因此良好的团队合作能力是必不可少的。
与数据分析师、数据工程师和产品经理等成员进行紧密的合作，协调各方需求并提供解决方案。
同时，良好的沟通和协调能力也能帮助Pie工程师与其他团队有效地合作，使项目顺利进行。
工作职责1. 数据处理和准备Pie工程师负责从原始数据中提取、清洗并准备合适的数据集，以便进行饼图的创建和可视化。
这包括数据的清洗、转换、整合等过程，以保证数据的准确性和一致性。
2. 饼图设计和创建Pie工程师使用编程语言和相关工具，设计和创建饼图。
他们需要选择合适的饼图类型、颜色、样式和布局，以最佳地展示数据。
此外，他们还需要对数据进行分析和解读，以确保饼图能够清晰地呈现数据信息。
2024年PIE工程师培训讲义技能
2024/2/29
9
工艺流程及操作规范
工艺流程
指从原材料投入到成品产出的整个生 产过程，包括各工序的顺序、名称、 加工内容、所用设备和工艺装备等。
操作规范
工艺纪律
指在生产过程中，有关人员应遵守的 工艺秩序。包括工艺文件的执行、工 艺装备的维护和使用、工艺参数的监 控等。
为保证工艺流程的正确实施而制定的 操作方法和规则。包括设备操作规程 、安全操作规程、工艺操作规程等。
为公司的长期发展提供有力的 人才保障
2024/2/29
5
课程大纲与安排
基础知识
工艺流程、设备原 理、产品特性等
实践应用
案例分析、模拟演 练、现场实习等
2024/2/29
课程介绍
PIE工程师的角色与 职责、培训目标及 重要性等
专业技能
新产品导入、生产 流程优化、异常处 理等
课程总结
回顾课程内容，分 享学习心得和体会
2024/2/29
03
环境保护要求
指在生产过程中，采取各种措施减少对环境的污染和破坏，使生产与环
境协调发展。包括减少废气、废水、废渣的排放，采用环保材料和工艺
等。
11
03
实际操作技能培训
2024/2/29
12
设备操作与维护保养方法演示
2024/2/29
设备启动与关闭流程
01
详细讲解设备的正确启动和关闭步骤，确保工程师能够规范操
持续改进意识
树立持续改进的观念，不断寻求优化和提升的空间。
案例分享
通过分享成功和失败的案例，总结经验教训，促进团队成员之间的 交流和学习。
反思与总结
鼓励团队成员进行反思和总结，提炼出可复制的成功经验和避免失败 的方法。
pie工程师的分类
pie工程师的分类
PIE工程师主要分为以下几类：
1.电子类：这类PIE工程师主要负责电子产品的设计和开发，包括电路设计、硬件调试、软件编程等工作。
他们需要具备扎实的电子理论基础和相关技能，能够熟练运用各种电子工具和软件，如Multisim、AltiumDesigner等。
2.系统类：这类PIE工程师主要负责整个系统的设计和开发，包括硬件平台设计、系统架构设计、软件开发等工作。
他们需要具备扎实的系统理论基础和相关技能，能够熟练运用各种系统工具和软件，如Linux、Visual Studio等。
3.测试类：这类PIE工程师主要负责电子产品的测试和验证，包括功能测试、性能测试、兼容性测试等工作。
他们需要具备扎实的测试理论基础和相关技能，能够熟练运用各种测试工具和软件，如Junit、TestRail等。
4.销售类：这类PIE工程师主要负责电子产品的销售和推广，包括市场调研、销售策略制定、客户沟通等工作。
他们需要具备扎实的销售理论基础和相关技能，能够熟练运用各种销售工具和软件，如CRM、Excel等。
总的来说，PIE工程师的分类主要根据其专业领域和工作内容的不同而有所区分。
不同的分类对于工程师的要求也会有所不同，但都需要他们具备创新精神和团队合作意识，以应对不断变化的电子市场和技术。
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Question Answer&PIEPIE1. 何谓PIE PIE的主要工作是什幺答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。
2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义答：8寸硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm硅片即12寸.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达工艺。
未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。
4. 我们为何需要300mm答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加倍,芯片数目约增加倍5. 所谓的um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义答：是指工厂的工艺能力可以达到um的栅极线宽。
当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。
6. 从>>>> 的technology改变又代表的是什幺意义答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。
从-> -> -> -> 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P-type wafer答：N-type wafer 是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。
8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。
其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。
TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。
硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。
9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。
而光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）.10. Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer 其中start oxide 的目的是为何答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si 表面。
②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。
11. 为何需要zero layer答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的, 各层次之间以zero layer当做对准的基准。
12. Laser mark是什幺用途Wafer ID 又代表什幺意义答：Laser mark 是用来刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。
13. 一般硅片的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分答：①前段（frontend）-元器件(device)的制造过程。
②后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation）14. 前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份答：①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)②阱区离子注入（well implant）用以调整电性③栅极(poly gate)的形成④源/漏极（source/drain）的形成⑤硅化物(salicide)的形成15. STI 是什幺的缩写为何需要STI答：STI: Shallow Trench Isolation(浅沟道隔离)，STI可以当做两个组件（device）间的阻隔, 避免两个组件间的短路.16. AA 是哪两个字的缩写简单说明AA 的用途答：Active Area, 即有源区，是用来建立晶体管主体的位置所在，在其上形成源、漏和栅极。
两个AA 区之间便是以STI 来做隔离的。
17. 在STI 的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数答：①STI etch （刻蚀）的角度；②STI etch 的深度； ③STI etch 后的CD 尺寸大小控制。
(CD control, CD=critical dimension)18. 在STI 的形成步骤中有一道liner oxide （线形氧化层）, liner oxide 的特性功能为何答：Liner oxide 为1100C, 120 min 高温炉管形成的氧化层，其功能为： ①修补进STI etch 造成的基材损伤；②将STI etch 造成的etch 尖角给于圆化( corner rounding)。
④填入氧化层HDP Oxide ①19. 一般的阱区离子注入调整电性可分为那三道步骤功能为何答：阱区离子注入调整是利用离子注入的方法在硅片上形成所需要的组件电子特性，一般包含下面几道步骤：①Well Implant ：形成N,P 阱区；②Channel Implant：防止源/漏极间的漏电；③Vt Implant：调整Vt（阈值电压）。
20. 一般的离子注入层次（Implant layer）工艺制造可分为那几道步骤答：一般包含下面几道步骤：①光刻(Photo)及图形的形成；②离子注入调整；③离子注入完后的ash (plasma(等离子体)清洗)④光刻胶去除（PR strip）21. Poly（多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些答：①Gate oxide(栅极氧化层)的沉积；②Poly film的沉积及SiON(在光刻中作为抗反射层的物质)的沉积）；③Poly 图形的形成(Photo)；④Poly及SiON的Etch；⑤Etch完后的ash( plasma(等离子体)清洗)及光刻胶去除（PR strip）；⑥Poly的Re-oxidation（二次氧化）。
22. Poly（多晶硅）栅极的刻蚀(etch)要注意哪些地方答：①Poly 的CD(尺寸大小控制；②避免Gate oxie 被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损.23. 何谓Gate oxide (栅极氧化层)答：用来当器件的介电层，利用不同厚度的gate oxide ,可调节栅极电压对不同器件进行开关24. 源/漏极(source/drain)的形成步骤可分为那些答：①LDD 的离子注入（Implant ）；②Spacer 的形成；③N+/P+IMP 高浓度源/漏极(S/D)注入及快速热处理(RTA ：RapidThermal Anneal)。
25. LDD 是什幺的缩写 用途为何答：LDD: Lightly Doped Drain. LDD 是使用较低浓度的源/漏极, 以防止组件产生热载子效应的一项工艺。
26. 何谓 Hot carrier effect (热载流子效应)答：在线寛小于以下时, 因为源/漏极间的高浓度所产生的高电场,导致载流子在移动时被加速产生热载子效应, 此热载子效应会对gate oxide 造成破坏, 造成组件损伤。
27. 何谓Spacer Spacer 蚀刻时要注意哪些地方答：在栅极(Poly)的两旁用dielectric （介电质）形成的侧壁，主要由Ox/SiN/Ox 组成。
蚀刻spacer 时要注意其CD 大小，profile(剖面轮廓)，及remain oxide(残留氧化层的厚度)28. Spacer 的主要功能②③④①答：①使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域;②作为Contact Etch时栅极的保护层。
29. 为何在离子注入后, 需要热处理( Thermal Anneal)的工艺答：①为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤;②使注入离子扩散至适当的深度;③使注入离子移动到适当的晶格位置。
30. SAB是什幺的缩写目的为何答：SAB：Sa licide b lock, 用于保护硅片表面，在RPO (Resist Protect Oxide) 的保护下硅片不与其它Ti, Co形成硅化物(salicide)31. 简单说明SAB工艺的流层中要注意哪些答：①SAB 光刻后（photo），刻蚀后(etch)的图案（特别是小块区域）。
要确定有完整的包覆（block）住必需被包覆（block）的地方。
②remain oxide (残留氧化层的厚度)。
32. 何谓硅化物( salicide)答：Si 与Ti 或Co 形成TiSix 或CoSix, 一般来说是用来降低接触电阻值（Rs, Rc）。
33. 硅化物(salicide)的形成步骤主要可分为哪些答：①Co(或Ti)+TiN的沉积；②第一次RTA（快速热处理）来形成Salicide。
③将未反应的Co(Ti)以化学酸去除。
④第二次RTA (用来形成Ti的晶相转化, 降低其阻值)。
34. MOS器件的主要特性是什幺答：它主要是通过栅极电压（Vg）来控制源，漏极(S/D)之间电流，实现其开关特性。
35. 我们一般用哪些参数来评价device的特性答：主要有Idsat、Ioff、Vt、Vbk(breakdown)、Rs、Rc；一般要求Idsat、Vbk (breakdown)值尽量大，Ioff、Rc尽量小，Vt、Rs尽量接近设计值.36. 什幺是IdsatIdsat 代表什幺意义答：饱和电流。
也就是在栅压(Vg)一定时，源/漏(Source/Drain)之间流动的最大电流.37. 在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Idsat答：Poly CD(多晶硅尺寸)、Gate oxide Thk(栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度、Vt imp.条件、LDD imp.条件、N+/P+ imp. 条件。
38. 什幺是Vt Vt 代表什幺意义答：阈值电压（Threshold Voltage），就是产生强反转所需的最小电压。
当栅极电压Vg<Vt时, MOS处于关的状态，而Vg〉=Vt时，源/漏之间便产生导电沟道，MOS处于开的状态。
39. 在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Vt答：Poly CD、Gate oxide Thk. (栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度及Vt imp.条件。