可控硅中频电源
12脉中频电源技术参数英文翻译
0.95.
Dominated by thyristor control components, better
energy-saving effect, comprehensive performance fully
superior to 6 pulse common thyristor intermediate -frequency
power source(KGPS), power consumption per ton of hot metal
reduce 100 Kw.h (100℃), meeting harmonic requirements.
Compared with IGBT intermediate frequency power source,
Ps750
Rated
750
power（kW）
Input
660
PS100 0 1000
660
PS200 0 2000
660
PS250 0 2500
660
PS300 0 3000
900
PS400 0 4000
900
PS500 0 5000
900
PS60 00 6000
900
类 型：中频炉技术说明 称：《12 脉中频电源技术参数英文翻译》
80min
12 pulse intermediate frequency power source 380V 800 KVA 160A 28℃
50min
Power consumption per 710Kwh ton of hot metal
570 Kwh
Technical parameters:
KGPS可控硅中频电源与IGBT晶体管中频电源的比较解析
KGPS可控硅中频电源与IGBT晶体管中频电源的比较一、新型IGBT中频电源的特点IGBT（绝缘栅双极晶体管）是MOSFET（双极型晶体管）与GTR（大功率晶体管）的复合器件。
因此，它既具有MOSFET的工作速度快、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点，又包含了GTR的载流量大，阻断电压高等多项优点，是取代GTR和SCR( 可控硅)的理想开关器件。
从1996年至今，尤其是最近几年来IGBT发展很快，目前已被广泛地应用于各种逆变器中。
（1）IGBT控制是采用导通宽度及频率来实现对输出功率进行无级调节的中频电源，且采用串联谐振，无需加启动电路及前级调压装置，因此启动相当方便，启动成功率百分之百，调节输出功率极为方便。
（2）整流部分采用二极管三相全桥整流，使得控制电路极为简单，维修技术量降低。
（3）目前大部分厂家采用德国西门子公司产品作逆变器，中频电源寿命在3万次以上，采用了限压过流过压保护电路，使得故障率极低，并且过流过压保护动作时报警器马上报警显示且保护停机。
综上所述，IGBT中频电源作为铸造熔炼中频感应加热电源，是电力电子技术发展的必然趋势，它将成为二十一世纪铸造行业现代化的重要标志。
二、一拖二感应电炉系统一拖二感应电炉系统即功率共享电源系统的感应电炉，。
即一台中频电源能同时向二台电炉供电，并能在额定功率范围内自由分配向各台电炉的输入功率。
它从上世纪90年代初在国外问世，恰好遇到我国经济改革开放的大发展年代，因此这种电炉系统几乎同步进入我国的铸造业，并且得到铸造界的青睐和认同。
但碍于当时国内电炉制造商尚未开发出该项技术，而进口设备的昂贵价格又使许多铸造厂望而怯步，限制了它在我国铸造业的广泛应用。
据相关资料介绍，从我国1993年引进第一台一拖二电炉系统起到目前为止，全国现有一拖二电炉系统大约共计有近100套左右，其中功率最大的一套为6000kW功率共享电源配置二台8吨电炉。
一拖二电炉的优点采用中频感应电炉可以配置比工频感应电炉更大的功率密度（例如可以配置比工频电炉的极限配置功率密度300kW/t大3倍左右的功率密度，即达到900kW/t以上），并可实现批料熔化法。
晶闸管中频电源逆变可控硅的选定
晶闸管中频电源逆变可控硅的选定。
1)根据中频电源的工作频率段选定；
频率在100HZ--- 500HZ的选定关断时间在20us-45us的KK型可控硅。
频率在500HZ--- 1000HZ的选定关断时间在18us-25us的KK型可控硅。
频率在1000HZ---2500HZ的选定关断时间在12us-18us的KK型可控硅。
频率在2500HZ---4000HZ的选定关断时间在10us-14us的KKG型可控硅。
频率在4000HZ---8000HZ的选定关断时间在6us—-9us的KA型可控硅。
2)根据中频电源的输出功率选定；
根据并联桥式逆变线路的理论计算,流过每个可控硅的电流是总电流的0.455倍,考虑留有足够的裕量,通常都选定和额定电流同样大小的可控硅。
功率在50KW----100KW 的选定电流300A/1400V的可控硅。
(380V进相电压)
功率在100KW—-250KW 的选定电流500A/1400V的可控硅。
(380V进相电压)
功率在350KW—-400KW 的选定电流800A/1600V的可控硅。
(380V进相电压)
功率在500KW—-750KW的选定电流1500A/1600V的可控硅。
(380V进相电压)
功率在800KW—1000KW的选定电流1500A/2500V的可控硅。
(660V进相电压)
功率在1200KW-1600KW的选定电流2000A/2500V的可控硅。
(660V进相电压)
功率在1800KW-2500KW的选定电流2500A/3000V的可控硅。
(1250V进相电压)。
KGPS可控硅中频电源与IGBT晶体管中频电源的比较解析
KGPS可控硅中频电源与IGBT晶体管中频电源的比较一、新型IGBT中频电源的特点IGBT（绝缘栅双极晶体管）是MOSFET（双极型晶体管）与GTR（大功率晶体管）的复合器件。
因此，它既具有MOSFET的工作速度快、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点，又包含了GTR的载流量大，阻断电压高等多项优点，是取代GTR和SCR( 可控硅)的理想开关器件。
从1996年至今，尤其是最近几年来IGBT发展很快，目前已被广泛地应用于各种逆变器中。
（1）IGBT控制是采用导通宽度及频率来实现对输出功率进行无级调节的中频电源，且采用串联谐振，无需加启动电路及前级调压装置，因此启动相当方便，启动成功率百分之百，调节输出功率极为方便。
（2）整流部分采用二极管三相全桥整流，使得控制电路极为简单，维修技术量降低。
（3）目前大部分厂家采用德国西门子公司产品作逆变器，中频电源寿命在3万次以上，采用了限压过流过压保护电路，使得故障率极低，并且过流过压保护动作时报警器马上报警显示且保护停机。
综上所述，IGBT中频电源作为铸造熔炼中频感应加热电源，是电力电子技术发展的必然趋势，它将成为二十一世纪铸造行业现代化的重要标志。
二、一拖二感应电炉系统一拖二感应电炉系统即功率共享电源系统的感应电炉，。
即一台中频电源能同时向二台电炉供电，并能在额定功率范围内自由分配向各台电炉的输入功率。
它从上世纪90年代初在国外问世，恰好遇到我国经济改革开放的大发展年代，因此这种电炉系统几乎同步进入我国的铸造业，并且得到铸造界的青睐和认同。
但碍于当时国内电炉制造商尚未开发出该项技术，而进口设备的昂贵价格又使许多铸造厂望而怯步，限制了它在我国铸造业的广泛应用。
据相关资料介绍，从我国1993年引进第一台一拖二电炉系统起到目前为止，全国现有一拖二电炉系统大约共计有近100套左右，其中功率最大的一套为6000kW功率共享电源配置二台8吨电炉。
一拖二电炉的优点采用中频感应电炉可以配置比工频感应电炉更大的功率密度（例如可以配置比工频电炉的极限配置功率密度300kW/t大3倍左右的功率密度，即达到900kW/t以上），并可实现批料熔化法。
KGPS中频感应加热电源
注意事项
1、晶闸管装置在做绝缘耐压测试时，请取下控制
板，否则可能造成控制板永久性损坏。 2、内部电路及参数的更改，恕不另行通知。 3、如果在使用中造成控制板以外的零部件损坏， 本公司概不负责。 4、KC198器件是一种CMOS器件，使用时应注意。 器件的两个引脚之间严禁短路，否则将损坏芯片， 为保证器件的安全，因此忌用万用表直接测量器 件的引脚。 5、当控制板接入主回路后，控制板上标有DANGER HIGH VOLTAGE(注意高压)的区域便带有高压电， 敬请注意，以免触电。
5
可控硅中频电源采用国际先进ISP工业模块控
制，全数字化运算，硬软件可靠保护，功能 更加齐全，适应于金属的熔炼、保温、透热、 金属热处理、淬火、烧结等场合。负载由感 应线圈和补偿电容器组成，连接成并联谐振 电路。 主要应用于感应加热.感应熔炼及其他需要中 频电源供电的场合.由于它具有整机效率高, 重量轻,噪音小,起停迅速而且对电网无冲击, 频率自动跟踪负载参数变化,功率调节方便等 一系列优点。
1.经常清除电源柜内积尘，尤其是可控硅管芯外部，要
用酒精擦除干净。运行中的变频装置一般都有专用机房， 但实际作业环境并不理想。在熔炼锻压工序，粉尘很大 振动强烈；在透热淬火工序，装置常靠近酸洗、磷化等 作业设备，有较多腐蚀性气体，这些都会对装置的元件 起到破坏作用，降低装置的绝缘强度。在积尘较多时， 往往会发生元件表面放电现象，因此必须注意经常清洗 工作，防止故障发生。
2、体积小重量轻 可控硅变频装置由半导体元件组成,没有复杂的机械旋转部
分无震动,噪音小,安装时对地面基础无特殊要求。
7
3、操作方便
可控硅装置的功率调节范围大。频率可随负载参数改变
而自动变化(既所谓频率跟踪)。负载回路保持在近乎谐 振状态,既在最佳状态下工作。再加上它有一系列的自动 保护装置,使它的工作稳定可靠。 4、启动灵活 可控硅变频装置一般采用零压软启动,启动成功率高无冲 击,快而平稳。 基于以上几个方面,并伴随着新的专有集成电路的开发成 功,其高度的稳定性及结构紧凑性,深受广大用户的欢迎。 因此;洛阳市大好机电公司为了满足用户需要。研制开发 了SCR系列宽频带中频电源控制板。1)均采用了先进的大 规摸芯片,元件少工作可靠2)先进的控制电路设计,性能 稳定故障率低。3)频率适应范围宽,在50Hz—10000Hz范 围内不必调整可直接使用。4)采用零压软启动,启动成功 率高无冲击。完全能够满足广大热加工行业用户的需求。
可控硅的工作原理
可控硅中频电源的工作原理可控硅中频电源的基本工作原理,就是通过一个三相桥式整流电路,把50 Hz的工频交流电流整流成直流,再经过一个滤波器(直流电抗器)进行滤波,最后经逆变器将直流变为单相中频交流以供给负载,所以这种逆变器实际上是一只交流—直流—交流变换器,其基本线路如图2 。
下面分整流电路,逆变电路及保护回路分别进行一些介绍。
一三相桥式全控整流电路的工作原理1 三相桥式全控整流电路的工作过程。
三相桥式全控整流电路共有六个桥臂,在每一个时刻必须2个桥臂同时工作,才能够成通路,六个桥臂的工作顺序如图3 。
现假定在时刻t1-t2(t1-t2的时间间隔为60o电角度，既相当于一个周波的1/6)此时SCR 1和SCR6同时工作(图3(a)中涂黑的SCR),输出电压即为VAB。
到时刻t2-t3可控硅SCR2因受脉冲触发而导通,而SCR6则受BC反电压而关闭,将电流换给了SCR2,这时SCR1和SCR2同时工作,输出电压即为VAC,到时刻t3-t4,SCR3因受脉冲触发而导通，SCR1受到VAB的反电压而关闭,将电流换给了SCR3,SC R2和SCR3同时工作,输出电压为VBC,据此到时刻t4-t5, t5-t6, t6-t1分别为SCR3和SCR4, SCR4和S CR5, SCR5和SCR6 同时工作,加到负载上的输出电压分别为VBA,VCA,VCB,这样既把一个三相交流进行了全波整流,从上述分析可以看出,在一个周期中,输出电压有六次脉冲。
这种整流电路由于在每一瞬间都有两个桥臂同时导通,而且每个桥臂导通时间间隔为60o,故对触发脉冲有一定要求,即脉冲的时间间隔必须为60o,而且如果采用单脉冲方式,脉冲宽度必须大于60o,如果采用窄脉冲,则必须采用双脉冲的方法, 既在主脉冲的后面60o的地方再出现一次脉冲。
2 三相同步及触发线路1)三相同步的选取及整形根据三相桥式全控整流过程的有关要求,首先要保证触发电路与三相电源严格同步。
集成化可控硅中频电源技术说明书
集成化可控硅中频电源技术说明书第一节概述KGPS型可控硅中频电源是一种静止变频装置,利用可控硅元件将工频三相交流电源变换成中频单相交流电源,主要应用于感应加热.感应熔炼及其他需要中频电源供电的场合.由于它具有整机效率高,重量轻,噪音小,起停迅速而且对电网无冲击,频率自动跟踪负载参数变化,功率调节方便等一系列优点.因而,它正在逐步取代中频发电机组.本装置主电路采用"交流——直流——交流"变换系统由三相全控桥式整流电路,电感虑波电路,并联逆变电路组成.可控硅元件用水冷却.其控制系统由集成电路组成性能稳定,可靠.启动采用先进的零电压方式,安全,方便.维修简便,经济,特别适用于金属溶炼、加热及热处理工况.第二节使用条件(一)、环境条件及建筑设施１、本设备应安装于无剧烈震动，无导电尘埃，无腐蚀性气体，气温不高于40℃，相对湿度不大于85%，的室内。
２、本电源室应有防虫，防鼠，防蛇的措施，应有排气通风的设备，应有消防设备。
３、地沟应有防水水泥结构，上铺木板或水泥板并有排水设备，通风和散热良好。
４、本电源主机外壳应良好接地，(按一般低压电气设备标准接地，并允许重复接地)应有人身安全措施及电气防护用品。
５、在设计冷却设备时，应考虑外界停电时，能向炉子供给冷却水的备用水源。
(二)、对冷却水的要求１、PH值: 6～8２、电阻率：20kΩ/cm３、无沙石杂物４、进水温度： 5～30℃５、进口水压： 0.12～0.15Mpa６、水量： 8 吨/时７、出水管内径大于３英寸(开放式出水箱出水管)(三)、主接线１、电源进线，采用铜芯电缆线，每相截面积：100kW不小于 70mm2，160kW不小于95mm2，250kW不小于185mm2，500kW不小于300mm2。
２、电源逆变输出线采用矩形铜排：100kW：3×40mm2，160kW：3×50mm2.250k W：3×60mm2。
可控硅中频电源作用原理__可控硅中频电源优点
可控硅中频电源作用原理__可控硅中频电源优点可控硅中频电源想必大家都有一定的了解和认识，很多人都来咨询小编关于可控硅中频电源作用原理，看来大家认识的还是皮毛知识。
可控硅中频电源装置简称可控硅中频装置，是利用可控硅的开关特性把50Hz的工频电流变换成中频电流的一种电源装置,主要是在感应熔炼,感应加热,感应淬火等领域中广泛应用。
说了这么多，是不是觉得认识可控硅中频电源很有用呢，今天小编给大家讲解一下关于可控硅中频电源作用原理以及可控硅中频电源优点的相关知识，希望可以帮助大家更好的选择可控硅中频电源生产厂家。
可控硅中频电源控制部分主要由电源、调节器、移相控制、保护电路、相序自适应电路、启动演算电路、逆变频率跟踪、逆变脉冲形成、脉冲放大及脉冲变压器组成．可控硅中频电源核心部件采用美国生产的高性能高密度大规模专用ASIC-2集成电路,使其内部电路除调节器外,其余均实现数字化,整流触发器部分不需要任何调整,而且可靠性高、脉冲对称度高、抗干扰能力强、反应速度快等特点,又由于有相序自适应电路,可控硅中频电源无需同步变压器,所以,现场调试中免去了调相序、对同步的工作,仅需把KP可控硅的门极线接入控制板相应的接线端上，整流部分便能投入运行。
【可控硅中频电源优点】1、可控硅中频电源效率高，可控硅电源装置具有相当高的变换效率(百分之90-95),输出功率低时,电源转换效率并不降低,特别是在热处理行业中,有些被加热工件需要分段加热,频繁开机和停机,在停机状态下无损耗。
因此,在感应加热行业中采用可控硅中频装置可节约能源。
2、可控硅中频电源体积小重量轻，可控硅变频装置由半导体元件组成,没有复杂的机械旋转部分无震动,噪音小,安装时对地面基础无特殊要求。
3、可控硅中频电源操作方便，可控硅装置的功率调节范围大。
频率可随负载参数改变而自动变化(既所谓频率跟踪)。
负载回路保持在近乎谐振状态,既在很好状态下工作。
再加上它有一系列的自动保护装置,使它的工作稳定可靠。
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可控硅中频电源
恒远电炉是国内知名度最高的感应加热设备研发、设计、制造的服务企业，对于设备的原包装备品备件都依从IS09002质量标准生产。
中频电源是感应加热设备中必不可少的装置。
可控硅中频电源装置简称为可控硅中频装置，是利用可控硅的开关特性把50Hz的工频电流变换成中频电流的一种电源装置（2kHz-8kHz）主要是在感应熔炼、感应淬火等领域中广泛应用。
它的优点是：效率高。
可控硅电源装置具有相当高的变换效率（90-95%），输出功率低时，电源转换效率并不降低，特别是在热处理行业中，有些工件需要分段加热，频繁开机和停机，在停机状态下无损耗。
因此，在感应加热行业中采用可控硅中频装置可节约能源。
体积小重量轻
可控硅装置的调节范围大。
频率可随负载参数改变而自动变化（即所谓频率跟踪）。
负载回路保持在近乎谐振状态，既在最佳状态下工作，在加上中频电源有一系列的自动保护装置，使它的工作稳定可靠。
启动灵活
可控硅变频装置一般采用零压软启动零压软启动，启动成功率高无冲击，快而平稳。
河北恒远电炉中频电源基于以上几个方面，并伴随着新的集成电路的开发成功，其高度的稳定性及结构紧凑性，深受广大用户的欢迎。
晶闸管的保护
1.过压保护
由于晶闸管的击穿电压接近工作电压，线路中产生的过电压容易造成器件打压击穿，正常工作时凡发生超过晶闸管能承受的最高峰值电压的尖脉冲等统称为过电压。
产生过电压的外部原因主要是雷击、电网电压激烈波动或干扰，内部原因主要是电炉状态发生变化时积累的电磁能量不能及时消散，过电压极易造成模块损坏，因此必须采取必要的限压保护措施，把晶闸管承受的电压在正反向不重复峰值电压VRSM、VDSM值以内，常用的保护措施如下：
※晶闸管关断过电压（换流过电压、空穴积蓄效应过电压）保护
当晶闸管关断、正向电流下降到零时，管芯内部会残留许多载流子，在反向电压的作用下会瞬间出现反向电流，使残留的载流子迅速消失，形成极大的di/dt.及使线路中串联的电感很小，由于反向电势V=-Ldi/dt,所以也能产生很高的电压尖峰（或毛刺），如果这个尖峰电压超过晶闸管允许的最大峰值电压不能突变的特性吸收尖峰电压。
阻容吸收回路要尽可能靠近晶闸管A、K端子，引线要尽可能短，最好采用无感电阻，千万不能借用门极回路的辅助阴极导线（因辅助阴极导线的线轻很细，回路中过大的电流会将该线烧断）。
※交流测过电压及保护
由于交流电路在接通断开时出现暂态过程，因此产生电压，例如交流开关的开闭，交流侧熔断器等引起的过电压。
对于这类过电压保护，目前普遍的保护方法是并接阻容吸收电路和压敏电阻。
阻容吸收保护应用广泛，性能可靠，但正常运行时电阻上消耗功率，引起电阻发热，且体积较大，对于能量较大的过电压不能完全抑制。
压敏电阻是一种非线性元件，它是以氧化锌为基体的金属氧化物，有两个电极，极间充填有氧化铋等及晶粒。
正常电压时晶粒是高阻，漏电流仅有100uA左右，但过电压时发生的电子雪崩使其呈低阻，电流迅速增大从而吸收了过电压。
一般情况下，其在220V AC电路里使用标称470~680V，在380V AC电路里使用标称780~1000V的压敏电阻，由于其吸收电能的功率限其直径有关，直径大的功率就大，一般选用直径12~20的即可。
2.过电流保护
电力半导体开关器件对温度的变化较为敏感，过电流会使半导体芯片过热而造成品质下降，寿命降低甚至永久性损坏。
虽然模块在10ms内可以承受额定电流10倍以上的非重复的浪涌电流源，但很多时候过电流的时间都大于此值，很容易在成永久性损坏，因而，过电流的保护是很重要的，过电流的保护方法很多，像在交流进线申接漏抗大的整流变压器、接电流检测和过流继电器和直流快速开关等措施，但关键在于反应速度要快，对于小模块浪涌电流值的过电流，常用的电子过流保护电路可以立即切断可控硅的触发脉冲，使可控硅在电流过零时换向时关断，但对于在10*3ms（50/60HZ）以内超过SCR的浪涌电流承受值的浪涌电流和短路电流，一般的保护电路是无效的，应考虑采用半导体器件专用的快速熔断器，熔断器的标称熔断电流不应超过模块标称电流值的1.57倍，即小于模块的通态电流的有效值。
在选择快熔时应慎重选择，误选质量差的快熔。
与普通熔断器比较，半导体专用快速熔断器是专门用来保护电力半导体功率器件过流的元件，它具有快速熔断的特性，在流过6倍额定电流时其熔断时间小于工频的一个周期（20ms）。
快速熔断器可接在交流侧直流侧或与晶闸管桥壁串联，后者直接效果最好，一般来说快速熔断器额定电流值（有效值）应小于被保护晶闸管的额定方均根通态电流（即有效值）ITRMS即1.57ITA V，同时要大于流过晶闸管的实际通态方均根电流（即有效值）ITRMS。
即1057ITA V≥IRD≥IRMS
※电压及电流上升率的保护
电压上升率（ｄｖ／ｄｔ）
晶闸管阻断时，其阴阳极之间相当于存在一个PN结电容，当突加正向阳极电压时会产生充电电容电流，此电流可能导致晶闸管导通。
因此，对晶闸管施加的最大正向电压上升率必须加以**。
常用方法是在晶闸管两端并联阻容吸收元件。
电流上升率（di/dt）
晶闸管开通时，电流是从靠近门极开始导通然后逐渐扩展到整个管芯的有效PN结果造成门极附近的阴极区局部电流密度过大，发热过于集中，PN结的温度迅速上升形成熟点，使其在很短的时间内超过额定结温导致晶闸管工作失效甚至烧毁，所以必须限定晶闸管通态电流上升率（di/dt）。
一般是在桥臂中串入电感或铁渣氧磷环。