模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析.doc
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、选择题1. 下列哪种器件是一种双极型晶体管？（A）锗二极管（B）硅二极管（C）三极管（D）场效应晶体管答案：C2. 在放大电路中，下列哪种反馈方式可以使放大倍数增加？（A）电压反馈（B）电流反馈（C）串联反馈（D）并联反馈答案：A3. 下列哪种电路可以实现交流信号的放大？（A）rc电路（B）lc振荡电路（C）放大电路（D）整流电路答案：C4. 下列哪种元件在放大电路中起到稳定放大倍数的作用？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：D5. 下列哪种电路可以实现信号的整流？（A）放大电路（B）整流电路（C）滤波电路（D）振荡电路答案：B6. 在整流电路中，下列哪种元件可以实现全波整流？（A）二极管（B）三极管（C）晶闸管（D）grt答案：A7. 下列哪种电路可以实现信号的滤波？（A）rc电路（B）lc振荡电路（C）放大电路（D）整流电路答案：A8. 在滤波电路中，下列哪种元件可以实现低通滤波？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：C9. 下列哪种电路可以实现信号的转换？（A）放大电路（B）整流电路（C）滤波电路（D）振荡电路答案：D10. 在振荡电路中，下列哪种元件可以起到决定振荡频率的作用？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：C二、填空题1. 晶体管的三个极分别是发射极、基极和_______极。
答案：集电极2. 放大电路的输入电阻较大，输出电阻较小，这样可以使得输入信号的电压得到_______放大。
答案：有效3. 放大电路中，反馈分为电压反馈和电流反馈，其中电压反馈可以使放大倍数_______。
答案：增加4. 整流电路的作用是将交流信号转换为_______信号。
答案：直流5. 滤波电路的作用是去除信号中的_______分量。
答案：高频6. 振荡电路的作用是产生_______信号。
答案：稳定三、简答题1. 请简述双极型晶体管的工作原理。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
【2024版】模拟电子技术试题库及答案
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1.当温度升高时，二极管反向饱和电流将（A ）。
A 增大B 减小C 不变D等于零2.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（D ）A.处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D.已损坏olEV■dV odOV3.某放大电路图所示.设V>>V B E，L CE"0,则在静态时该三极管处于（B ）A. 放大区B. 饱和区C. 截止区D.区域不定4.半导体二极管的重要特性之一是（B ）。
（A）温度稳定性（B）单向导电性（C）放大作用（D）滤波特性5.在由NPNffi BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生失真。
（A）截止失真（B）饱和v失真（C）双向失真（D）线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压L D= 0.7V,关于输出电压的说法正确的是（B ）。
A : u ii=3V, u i2=0.3V 时输出电压为3.7V。
B : w=3V, u i2=0.3V时输出电压为1VC : u ii=3V, *=3V时输出电压为5V。
D :只有当u ii=0.3V, u i2=0.3V时输出电压为才为IV。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q 点移动到Q点可能的原因是A :集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻C :基极电源+V B B电压变高D:基极回路电阻F b 变高。
（C ） 。
A.共射电路B.共基电路11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△ usi =80mV, △ us2=60mV 则差模输入电压△ [ id 为（B ）A. 10mVB. 20mVC. 70mVD.140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合， 可以在信号源与低阻负载间接入8 .直流负反馈是指（C ）A.存在于RC 耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C.直流通路中的负反馈D. 耦合电路中的负反馈9 .负反馈所能抑制的干扰和噪声是（B ）A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 噪声C.反馈环外的干扰和噪声D.只存在于直接反馈环内的干扰和输出信号中的干扰 和噪声10 .在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为 （A ）A. —2.5VB. — 5VC. —6.5VD.7.5VRrC.共集电路D. 共集-共基串联电路13.在考虑放大电路的频率失真时，若普为正弦波，则u0（ D ）A.有可能产生相位失真B. 有可能产生幅度失真和相位失真C. 一定会产生非线性失真D. 不会产生线性失真14.工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（A）。
模拟电子技术基础试题库(附答案)
模拟电子技术基础试题库（附答案）一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个电极名称？A. 发射极、基极、集电极B. 发射极、基极、地C. 发射极、基极、输入端D. 发射极、基极、输出端答案：A2. 下列哪种电路是模拟电子技术中最基本的放大电路？A. 差分放大电路B. 积分放大电路C. 微分放大电路D. 互补放大电路答案：A3. 下列哪种元件在放大电路中起到反馈作用？A. 电容B. 电感C. 电阻D. 运算放大器答案：A4. 下列哪种放大电路具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点？A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案：B5. 下列哪种放大电路可以实现电压放大和倒相？A. common-emitter amplifier（共射放大器）B. common-base amplifier（共基放大器）C. common-collector amplifier（共集放大器）D. emitter-follower（发射极跟随器）答案：A6. 下列哪种放大电路具有电压放大倍数可调的特点？A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案：C7. 下列哪种电路可以实现信号的整流？A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案：A8. 下列哪种电路可以实现信号的滤波？A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案：D9. 下列哪种电路可以实现信号的积分和微分？A. 积分放大电路B. 微分放大电路C. 滤波电路D. 整流电路答案：B10. 下列哪种电路可以实现信号的放大和滤波？A. 放大电路B. 滤波电路C. 积分电路D. 微分电路答案：A二、填空题1. 晶体管的三个电极分别为____、____、____。
答案：发射极、基极、集电极2. 放大电路的目的是____。
答案：放大信号3. 运算放大器是一种具有____、____和____的放大器。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
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模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( A )。
A增大B减小C不变D等于零2.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D.已损坏3.某放大电路图所示 .设 V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B)A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4.半导体二极管的重要特性之一是 ( B )。
( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性5.在由 NPN型 BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。
( A)截止失真( B)饱和 v 失真( C)双向失真( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( B )。
A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。
B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。
C：u I1=3V，u I2=3V 时输出电压为5V。
D：只有当 u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由 Q2点移动到 Q3点可能的原因是。
A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源 +V BB电压变高D：基极回路电阻 R b 变高。
8. 直流负反馈是指 ( C )A. 存在于 RC耦合电路中的负反馈才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时D. 只存在于直接9.负反馈所能抑制的干扰和噪声是 ( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10.在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为 ( A )A.－B.－5VC.－D.－11.在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△ S1=80mV,△S2=60mV,则差模输入电压△id 为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
A. 共射电路B. 共基电路C. 共集电路D. 共集 -共基串联电路13.在考虑放大电路的频率失真时，若i为正弦波，则o ( D )A. 有可能产生相位失真B. 有可能产生幅度失真和相位失真C. 一定会产生非线性失真D. 不会产生线性失真14.工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在 ( A )。
A. 开环或正反馈状态B. 深度负反馈状态C. 放大状态D. 线性工作状态15.多级负反馈放大电路在 ( A )情况下容易引起自激。
A. 回路增益大C. 闭环放大倍数很大B 反馈系数太小D. 放大器的级数少16.LC正弦波振荡电路如图 1-9 所示，该电路 ( D )。
A.由于无选频网络不能产生正弦波振荡B.由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡C.满足振荡条件能产生正弦波振荡D.由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡图 1-9图1-1017.图 1-10 所示电路出现故障，经测量得知 V E=0，V C=V CC，故障的可能原因为 ( D )。
A. R c开路B. R c短路C. R e短路D.R b1开路18.与甲类功率放大方式比较，乙类 OCL互补对称功率放大方式的主要优点是 ( C )。
A. 不用输出变压器B. 不用输出端大电容C. 效率高D. 无交越失真19.共模抑制比 K CMR越大，表明电路 ( C )。
A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 抑制温漂能力越强D. 输入信号中的差模成分越大20.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带( B )。
A.变宽B.变窄C.不变D.与各单级放大电路无关21.双端输入 .双端输出差分放大电路如图所示。
已知静态时，V o =V c1－V c２＝０，设差模电压增益Avd100 ，共模电压增益AV c0, V i110mV, V i25mV，则输出电压为( D)。
A. 125mVB. 1000 mVC. 250 mVD. 500 mV22.对于图所示的复合管，假设 I CEO1和I CEO 2分别表示单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流I CEO为( D )。
A. I CEO ICEO2 B.ICEOICEO1ICEO 2C. ICEOICEO1 D.I CEO (1 )ICEO1ICEO223.某仪表放大电路，要求 R i大，输出电流稳定，应选 ( A )。
A. 电流串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压串联负反馈24.多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比，通频带( B )。
( A)变宽( B)变窄( C)不变( D)与单级放大电路无关25. 电流源电路的特点是输出电流恒定，交流等效电阻( D)。
( A)等于零( B)比直流等效电阻小( C)等于直流等效电阻( D)远远大于直流等效电阻26.放大电路产生零点漂移的主要原因是 ( A )。
( A)采用了直接耦合方式( B)采用了阻容耦合方式( C)采用了正 .负双电源供电( D)增益太大27.二阶压控电压源低通有源滤波器通带外幅频响应曲线的斜率为( D )。
( A)20dB/十倍频程( B)-20dB/十倍频程( C)40dB十倍频程( D)-40dB/十倍频程28.当有用信号的频率低于 100Hz时，应采用 ( A )滤波电路。
( A)低通( B)高通( C)带通( D)带阻29.在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ( C )，则说明引入的反馈是正反馈。
Ａ输入电阻增大Ｃ净输入量增大Ｂ输出电阻增大Ｄ净输入量减小30.若要求放大电路取用信号源的电流小，而且输出电压基本不随负载变化而变化，在放大电路中应引入的负反馈类型为( B)。
A 电流串联B 电压串联C 电流并联D 电压并联31.如果把一个二极管直接同一个电动势为、内阻为0的电池正向连接，则该管( C )。
A、击穿B、电流为 0C、电流过大使管子烧坏D、正常导通32.差分放大器左管输入电压 +100mV，右管输入 -300mV，其共模输入(B)。
A、100mVB、-100mVC、200mVD、-200mV33.电流串联负反馈电路的放大参量为 ( D )。
A、电压放大倍数B、电流放大倍数C、转移电阻D、转移电导34.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的( A )。
A 恒流区B 可变电阻区C 夹断区D 击穿区35. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是( C)。
A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响36.差动放大电路的主要特点是 ( A )。
A有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B既放大差模信号，又放大共模信号C有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D既抑制差模信号，又抑制共模信号。
37.互补输出级采用射极输出方式是为了使( D )。
A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强38.集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。
A 可获得较高增益B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻39.在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ( B )，则说明引入的是负反馈。
A 输入电阻增大B 净输入量减小C 净输入量增大D输出量增大40.在 RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数必须满足 ( D)才能起振。
A A V = 1B A V = 3C A V ＜ 3D A V ＞341．滞回比较器有 2 个门限电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生 ( A )次跃变。
A 1B 2C 3D 042．利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是( B )A． f＝fs 时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器B． f＝fs 时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器C． fs<f<fp 时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器D． fs<f<fp 时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器二.填空题1．当温度升高时，三极管的下列参数变化趋势为：电流放大系数增大，反向饱和电流 I CBO增大，I B不变时，发射结正向电压V BE减小。
2．某差动放大电路的输入信号v i120mV ,v i 210mV,则该差动放大电路的差模信号v id30mV, v ic 5mV 如果该差动放大电路的差模增益为 100 倍，共模增益为 10 倍，则输出电压为3050 mV。
3.某放大电路的对数幅频特性如图所示。
由图可知，该电路的中频电压增益 = 100倍。
上限截止频率 f H =62× 10 Hz，下限截止频率 f L = 20Hz。
4. 串联负反馈只有在信号源内阻很小时，其反馈效果才显着，并联负反馈只有在信号源内阻很大时，其反馈效果才显着。
5.图 16 中各电路的交流反馈类型和极性 ( 反馈组态 )分别为：图( a)为电流串联负反馈，图 ( b)为电流并联负反馈，图 ( c)为电压并联负反馈。
6.试决定下列情况应选用的滤波器类型。
当有用信号频率低于500Hz 时，宜选用低通滤波器；当希望抑制 50Hz 交流电源的干扰时，宜选用带阻滤波器；当希望抑制 1kHz 以下的信号时，宜选用高通滤波器。
7．饱和失真与截止失真属于非线性失真，而幅频失真与相频失真属于线性失真。
8．负反馈按采样和求和方式的不同有四种类型分别为电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈和电流并联负反馈。
9．正弦波振荡电路的起振条件为AF 1。
10．为避免产生交越失真，互补推挽功率放大电路一般工作在乙类类状态。
11．理想运放工作在线性区时有两个主要的特点，分别为甲虚短和虚断。
12．在串联型石英晶体振荡电路中，晶体等效为L；而在并联型石英晶体振荡电路中，晶体等效为R。
13．放大器的输入电阻反映放大器向信号源索取电流的大小；而输出电阻反映出放大器的带负载的能力能力。
14. 场效应管被称为单极型晶体管是因为场效应管仅靠多数载流子导电。
15. 晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在饱和区时， I C I b。
16. 场效应管可分为绝缘栅型场效应管和结型场效应管两种类型。
17. 在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基基本放大电路只能放大电压不能放大电流。
18. 在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的电容视为开路，电感视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。