半导体照明术语对照表
半导体一些术语的中英文对照

半导体一些术语的中英文对照离子注入机 ion implanterLSS理论 Lindhand Scharff and Schiott theory 又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。
沟道效应 channeling effect射程分布 range distribution深度分布 depth distribution投影射程 projected range阻止距离 stopping distance阻止本领 stopping power标准阻止截面 standard stopping cross section退火 annealing激活能 activation energy等温退火 isothermal annealing激光退火 laser annealing应力感生缺陷 stress-induced defect择优取向 preferred orientation制版工艺 mask-making technology图形畸变 pattern distortion初缩 first minification精缩 final minification母版 master mask铬版 chromium plate干版 dry plate乳胶版 emulsion plate透明版 see-through plate高分辨率版 high resolution plate, HRP超微粒干版 plate for ultra-microminiaturization 掩模 mask掩模对准 mask alignment对准精度 alignment precision光刻胶 photoresist又称“光致抗蚀剂”。
负性光刻胶 negative photoresist正性光刻胶 positive photoresist无机光刻胶 inorganic resist多层光刻胶 multilevel resist电子束光刻胶 electron beam resistX射线光刻胶 X-ray resist刷洗 scrubbing甩胶 spinning涂胶 photoresist coating后烘 postbaking光刻 photolithographyX射线光刻 X-ray lithography电子束光刻 electron beam lithography离子束光刻 ion beam lithography深紫外光刻 deep-UV lithography光刻机 mask aligner投影光刻机 projection mask aligner曝光 exposure接触式曝光法 contact exposure method接近式曝光法 proximity exposure method光学投影曝光法 optical projection exposure method 电子束曝光系统 electron beam exposure system分步重复系统 step-and-repeat system显影 development线宽 linewidth去胶 stripping of photoresist氧化去胶 removing of photoresist by oxidation等离子[体]去胶 removing of photoresist by plasma 刻蚀 etching干法刻蚀 dry etching反应离子刻蚀 reactive ion etching, RIE各向同性刻蚀 isotropic etching各向异性刻蚀 anisotropic etching反应溅射刻蚀 reactive sputter etching离子铣 ion beam milling又称“离子磨削”。
半导体照明术语及定义(芯片外延片)

外延术语1、外延生长(Epitaxy)2、量子阱(Quantum Well)3、能带工程(Energyband engineering)4、半导体发光二极管(Light Emitting Diode)5、PN结的击穿(PN junction Striking)6 Deposition)7、异质结构(Heterogeneous Structure)8、量子阱半导体激光器(Quantum Well Laser)9、超晶格(Super Lattice)EpitaxyGaP:磷化镓n-GaN:N型氮化镓p-GaN:P型氮化镓GaAs:砷化镓GaN:氮化镓AlInGaP:磷化铝镓铟(铝铟镓磷)AlGaAs:砷化铝镓(铝镓砷)InGaN 铟镓氮AlGaN 铝镓氮Wafer:晶片、外延片分析仪器1、XRD:X射线衍射仪,主peak GaN分析仪器2、PL:荧光光谱仪(或光致发光光谱仪),Peak强度越强,FWHM越窄,表示有较佳的QW。
3、Hall:霍尔测试仪,利用霍尔效应测量载流子(对n-GaN载流子为电子,对p-GaN,载流子为空穴)迁移率(mobility)以及Sheet Resistance,分析时同结构若有相同的掺杂(Doping),若是量测的迁移率mobility较小,可以推测此结构有较多的缺陷(Defects)。
4、SEM(Scanning Electron Microscopy):扫描式电子显微镜,测量刻蚀深度、及刻蚀截面状况。
5、Microscope:显微镜6、Differential Microscopy(Nikon-OPTI PHOT):晶相(金相)显微镜,用morphology)。
7、EDS EDS之仪器构造主要是由一个硅(锂)固态侦测器为核心,它是由硅单晶参杂锂原子而成的。
8、:金属有机化学汽相9、TEM10、SIMS:二次离子质谱仪,测量每层的掺杂状况,可测量P-GaN以及N-GaN的掺杂状况,以及掺杂载子的浓度以及扩散距离等测量。
半导体词汇(英汉对照)

半导体词汇(英汉对照)1. 半导体:semiconductor2. 晶体管:transistor3. 二极管:diode4. 集成电路:integrated circuit5. 电容:capacitor8. 金属氧化物场效应管:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)9. 数字信号处理器:Digital Signal Processor (DSP)10. 有机发光二极管:Organic Light-Emitting Diode (OLED)11. 光纤放大器:Optical Fiber Amplifier (OFA)12. 直流-直流变换器:DC-DC Converter13. 脉冲编码调制:Pulse Code Modulation (PCM)14. 光耦合器:Optocoupler15. 调制解调器:Modem16. 电池管理系统:Battery Management System (BMS)17. 片上系统:System-on-a-Chip (SoC)18. 功率电子器件:Power Electronics Device20. 纳米技术:Nanotechnology21. 生物芯片:Biochip23. 激光器:Laser24. 双极型发射极晶体管:Bipolar Junction Transistor (BJT)28. 传感器:Sensor29. 能量收集器:Energy Harvester30. 固态驱动器:Solid State Drive (SSD)31. 磁性存储设备:Magnetic Storage Device32. 屏幕显示器:Display33. 快速门:Fast Gate35. 超高速芯片:Ultra-High-Speed Chip38. 量子计算机:Quantum Computer40. 机器人学:Robotics41. 表面声波器件:Surface Acoustic Wave (SAW) Device45. 长寿命电池:Long-Life Battery46. 红外光电探测器:Infrared Photodetector47. 树莓派:Raspberry Pi48. 可充电电池:Rechargeable Battery49. 无线充电器:Wireless Charger51. 控制电路:Control Circuit53. 逆变器:Inverter55. 拓扑优化器:Topology Optimizer57. 智能家居:Smart Home58. 传输线理论:Transmission Line Theory60. 片上调制器:On-Chip Modulator61. 内存芯片:Memory Chip63. 线性电源:Linear Power Supply64. 电机驱动器:Motor Driver66. 相变存储器:Phase-Change Memory (PCM)68. 氮化镓:Gallium Nitride (GaN)69. 自动驾驶:Autonomous Driving72. 机器学习:Machine Learning77. 差分信号:Differential Signal78. 相位锁定环:Phase Locked Loop (PLL)80. 峰值检测器:Peak Detector84. 相移器:Phase Shifter88. 滤波器:Filter91. 直流伏安表:Digital Multimeter (DMM)92. 频率计:Frequency Counter93. 降噪耳机:Noise-Canceling Headphones94. 耳返系统:In-Ear Monitoring (IEM) System95. 电学模型:Electrical Model97. 声音芯片:Audio Chip98. 跟踪器:Tracker。
半导体照明术语对照表

(半导体)二极管
发光二极管;
当被电流激发时通过传导电子和光子的再复合产生受激辐射而发出非相干光的一种半导体二极管。
发光二极管
固态照明
采用固体发光材料,如发光二极管()、场致发光()、有机发光()等作为光源的照明方式。
固态照明
半导体照明
采用作为光源的照明方式。
由于光亮度的分布或范围不恰当,或对比度太强,而引起不舒适感或分辨细节或物体的能力减弱的视觉条件。
眩光
光轴
关于主辐射能分布中心的一条直线。
注:除非另有规定,光轴即为最大辐射能的方向。
半导体照明
衬底
用于外延沉积、扩散、离子注入等后序工艺操作的基体单芯片。
基板
外延片
用外延方法制备的具有电致发光功能的结构片。
磊芯片
发光二极管芯片
具有结结构、有独立正负电极、加电后可辐射发光的分立半导体芯片。
发光二极管芯片(粒)
模块
由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、控制电路封装在一起、带有连接接口并具有发光功能且不可拆卸的整体单元。
外部量子效率
二、类型
单色光
发出单一颜色光的,有红色、绿色、蓝色、黄色、紫色等。
单色ห้องสมุดไป่ตู้
白光
用单色芯片加荧光粉或多色芯片组合合成白色光的。
白光
直插式;
带有正负极引线、适用于穿孔直插安装工艺的。
炮弹型封装
贴片式;
正负电极在封装基板上、适用于表面贴装工艺的。
表面封装型
小功率
单芯片工作电流在(含)以下的发光二极管。
( )
将芯片安装在涂有银胶或绝缘胶的或支架相应的位置上。
固晶
半导体照明术语对照表

发光二
极管
序 号
大陆术 语
英文
定义
台湾地 区 术语
1-0
5
固态照
明
solid state lighti ng
采用固体发光材料,如 发光二极管(LED、场 致发光(EL)、有机发 光(OLED等作为光源 的照明方式。
采用LED作光源,为被 动显示提供光源的LED
LED背
光源
序 号
大陆术 语
英文
定义
台湾地 区
术语
器件或模块。
五、封装
5-0
1
支架; 框架
leadframe
提供引线端子和芯片焊 接区域的一个或一组零 件。
支架
5-0
2
点胶
coat
在LED支架的相应位置 点上银胶或绝缘胶。
点胶
5-0
3
装架
die attachme n t (die bond)
LED模 块
1-1
2
LED组件
LED discrete n ess
由LED或LED模块和电 子兀器件组合在一起, 具有一定功能并可维修 或拆卸的组合单兀。
LED元
组件
1-1
3
内量子
效率
inner qua ntum efficie nc y
有源区产生的光子数与 所注入有源区的电子-空穴对数之比。
内部量 子效率
磊芯片
1-0
9
发光二 极管芯 片
light-emi tting diode chip
具有PN结结构、有独立 正负电极、加电后可辐 射发光的分立半导体芯 片。
半导体一些术语的中英文对照

半导体一些术语的中英文对照离子注入机ion implanterLSS理论Lindhand Scharff and Schiott theory 又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。
沟道效应channeling effect射程分布range distribution深度分布depth distribution投影射程projected range阻止距离stopping distance阻止本领stopping power标准阻止截面standard stopping cross section 退火annealing激活能activation energy等温退火isothermal annealing激光退火laser annealing应力感生缺陷stress-induced defect择优取向preferred orientation制版工艺mask-making technology图形畸变pattern distortion初缩first minification精缩final minification母版master mask铬版chromium plate干版dry plate乳胶版emulsion plate透明版see-through plate高分辨率版high resolution plate, HRP超微粒干版plate for ultra-microminiaturization 掩模mask掩模对准mask alignment对准精度alignment precision光刻胶photoresist又称“光致抗蚀剂”。
负性光刻胶negative photoresist正性光刻胶positive photoresist无机光刻胶inorganic resist多层光刻胶multilevel resist电子束光刻胶electron beam resistX射线光刻胶X-ray resist刷洗scrubbing甩胶spinning涂胶photoresist coating后烘postbaking光刻photolithographyX射线光刻X-ray lithography电子束光刻electron beam lithography离子束光刻ion beam lithography深紫外光刻deep-UV lithography光刻机mask aligner投影光刻机projection mask aligner曝光exposure接触式曝光法contact exposure method接近式曝光法proximity exposure method光学投影曝光法optical projection exposure method 电子束曝光系统electron beam exposure system分步重复系统step-and-repeat system显影development线宽linewidth去胶stripping of photoresist氧化去胶removing of photoresist by oxidation等离子[体]去胶removing of photoresist by plasma 刻蚀etching干法刻蚀dry etching反应离子刻蚀reactive ion etching, RIE各向同性刻蚀isotropic etching各向异性刻蚀anisotropic etching反应溅射刻蚀reactive sputter etching离子铣ion beam milling又称“离子磨削”。
LED名称术语

anneal
利用各种形式的能量转换产生热量来消除芯片中晶格缺 陷和内应力,以恢复晶格的完整性。同时使注入之掺杂 离子进入到替代位置而有效地活化掺杂杂质。
1.2.15 1.2.16
缓冲层 buffer
在衬底上生长的以消除衬底影响的一层。若此层生长有 问题,将极大影响上层晶格质量。
布拉格反 射层
Distributed Bragg Reflector 外延生长中相当于镜子,减少衬底吸收的一层。 (DBR)
2.1.6
PN结的击 PN junction
穿
striking
2.2 芯片工艺
2.2.1 正装芯片 nomal chip
当PN结的反向电压增加到一定数值时,反向电流突然快 速增加,此现象称为PN结的反向击穿。
发光二极管电极在出光面上,衬底材料和支架焊接到一 起的一种芯片结构
2.2.2 倒装芯片 flip chip
组分不同或掺杂不同的半导体超薄层材料交替排列形成 载流子势垒或势阱,并且具有量子效应的材料结构
单量子阱 Single Quantum 只有一个量子阱的材料结构 Well(SQW)
多量子阱
Multi-quantum Well(MQW)
包含多个单量子阱的材料结构
1.2.12 超晶格 super lattice
在LED外延片和芯片表面形成可以提高芯片出光效率和外 量子效率的粗糙表面结构
黄光制程/ 黄光
Litho or Photo
通过对涂覆在玻璃表面的光敏性物质(又称为光刻胶或光 阻),经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用,然 后进行蚀刻并最终获得永久性的图形的过程。
光刻
photolithograp- 将图形从掩膜版上成象到光阻上的过程。 hy
半导体照明术语及定义(芯片外延片)

外延术语1、外延生长〔Epitaxy〕2、量子阱〔Quantum Well〕3、能带工程〔Energyband engineering〕4、半导体发光二极管〔Light Emitting Diode〕5、PN 结的击穿〔PN junction Striking〕6 、金属有机化学汽相沉淀积〔Metal Organic Chemical Vapor Deposition〕7、异质构造〔Heterogeneous Structure〕8、量子阱半导体激光器〔Quantum Well Laser〕9、超晶格〔Super Lattice〕InGaN AlGaN 铟镓氮 铝镓氮3、Hall :霍尔测试仪,利用霍尔效应测量载流子〔对 n-GaN 载流子为电子,对p-GaN,载流子为空穴〕迁移率〔mobility 〕以及 Sheet Resistance ,分析时同构造假设有一样的掺杂〔Doping 〕,假设是量测的迁移率 mobility 较小,可以推想此构造有较多的缺陷〔Defects 〕。
Epitaxy :外延制程〔垒晶〕GaP :磷化镓n-GaN :N 型氮化镓p-GaN :P 型氮化镓GaAs :砷化镓GaN :氮化镓AlInGaP :磷化铝镓铟〔铝铟镓磷〕 AlGaAs :砷化铝镓〔铝镓砷〕Wafer :晶片、外延片器1、XRD :X 射线衍射仪,主 peak GaN 器2、PL :荧光光谱仪〔或光致发光光谱仪〕,Peak 强度越强,FWHM 越窄,表示有较佳的 QW 。
4、SEM 〔Scanning Electron Microscopy 〕:扫描式电子显微镜,测量刻蚀深度、及刻蚀截面状况。
5、Microscope :显微镜6、Differential Microscopy 〔Nikon-OPTI PHOT 〕:晶相〔金相〕显微镜,用以观测磊芯片外表的型态〔morphology 〕。
7、EDS :能量分色散光谱仪,EDS 之仪器构造主要是由一个硅(锂)固态侦测器为核心,它是由硅单晶参杂锂原子而成的。
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LED 封装体及支架镀层上的任何颜色变化。 变色 能直接引起视觉的光学辐射。其波长范围一 般在 380-780nm。 以辐射形式发射、传播或接收的功率,单位 为 W。 可见光 辐射通量;辐射 功率
六、光度量术语
6-03
从辐射通量Φ e 汇出的量,该量是根据辐射对 光通量 CIE 标准亮度观测者的作用来评价的。 对于明 视觉:
定义 带有正负极引线、适用于穿孔直插安装工艺 的 LED。 正负电极在封装基板上、适用于表面贴装工 艺的 LED。
单芯片工作电流在 100mA(含 100mA)以下 小功率 LED 的发光二极管。 工作电流在 100mA 以上的发光二极管。 采用 LED 显示数字或字符的器件或模块。 高功率 LED LED 尼士管
辐射照度 照度 平均照度 辐射发散度 (辐射出射度)
光通量的 SI 单位:由一个发光强度为 1cd 的 流明 均匀点光源在单位立体角(球面度)内发射 的光通量。 (第 9 届国际度量大会, 1948 年) 。 等效定义:频率为 540×1012 赫兹、辐射通量 为 1/683 瓦特的单色辐射束的光通量。
5-06
LED 封装
LED package
5-07 5-08 5-09 5-10 5-12
灌封 塑封 点胶封装 热沉 共晶焊
embedding moulding coating package heat sink eutectic bonding
在 LED 芯片与支架或热沉中间放置一种合金 共金结合 焊料(例如金或铅锡等),通过加温加压使 之共熔的一种焊接方法。 无色透明的一种导电或非导电的胶状材料。 通过高温加热,使封装环氧固化。 切断 LED 支架的连筋。 LED 封装体内存在的任何局部空隙。 透明介质 固化 切脚 气泡
3
海峡两岸半导体照明术பைடு நூலகம்对照表 台湾地区 术语
序号
大陆术语
英文
定义 杂质所引起的无序凹坑。
5-19 6-01 6-02
变色 可见光 辐射通量; 辐射功率 Фe;Ф;P 光通量 Фv;Ф
discoloration visible light radiant flux radiant power luminous flux
采用 LED 显示数字、符号或图形的器件或模 LED 显示器 块。 采用 LED 作光源,为被动显示提供光源的 LED 器件或模块。 提供引线端子和芯片焊接区域的一个或一组 零件。 LED 背光源
支架; 框架 点胶 装架 烧结 引线键合; 压焊
leadframe coat die attachment (die bond) sinter wire bonding
发光二极管芯片 light-emitting diode chip LED 模块 LED module
具有 PN 结结构、有独立正负电极、加电后可 发光二极管芯 辐射发光的分立半导体芯片。 片(粒) 由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、 控制电路封装在一起、带有连接接口并具有 发光功能且不可拆卸的整体单元。 由 LED 或 LED 模块和电子元器件组合在一 起,具有一定功能并可维修或拆卸的组合单 元。 LED 模块
海峡两岸
信息产业技术标准论坛
半导体照明术语对照表
2009 年 2 月
海峡两岸半导体照明术语对照表 台湾地区 术语 半导体
序号
大陆术语
英文
定义
一、基本术语 1-01 半导体 semiconductor 两种载流子引起的总电导率通常在导体和绝 缘体之间的一种材料,这种材料中的载流子 浓度随外部条件改变而变化。 其基本特性是由在半导体中的载流子流动所 决定的器件。
二、LED 类型 2-01 2-02 单色光 LED 白光 LED monochromatic light LED white light LED 发出单一颜色光的 LED,有红色、绿色、蓝 单色 LED 色、黄色、紫色等。 用单色芯片加荧光粉或多色芯片组合合成白 色光的 LED。
2
白光 LED
海峡两岸半导体照明术语对照表 台湾地区 术语 炮弹型封装 LED 表面封装型 LED
辐射率(辐射 亮度)
6-11
光亮度 LV 辐射照度 Ee;E 光照度 Ev ;E 平均照度 Eo 辐射出射度 M e;M 流明 lm
luminance
辉度
6-12 6-13 6-14 6-15 6-16
irradiance illuminance average illuminance radiant Exitance lumen
注:除非另有规定,光轴即为最大辐射能的方向。
6-18 6-20
视效函数(光 见度) 眩光
6-21 6-22 6-23
光轴 半强度角 θ 1/2 立体角
optical axis half-intensity angle solid angle
光轴 半功率发射角 (半强度角)
1-05
solid state lighting
采用固体发光材料,如发光二极管(LED)、 固态照明 场致发光(EL)、有机发光(OLED)等作为 光源的照明方式。 半导体照明 基板 磊芯片
1-06 1-07 1-08 1-09 1-10
半导体照明 衬底 外延片
semiconductor lighting 采用 LED 作为光源的照明方式。 substrate epitaxial wafer 用于外延沉积、扩散、离子注入等后序工艺 操作的基体单芯片。 用外延方法制备的具有电致发光功能的结构 片。
海峡两岸半导体照明术语对照表 台湾地区 术语
序号
大陆术语
英文
定义
LED 发光强度,可以分别用符号 ILED Ae、 ILED Av、 ILED Be、 ILED Bv 来表示。
6-10
辐射亮度
radiance
给定点的辐射束元在给定方向上的辐射强 度,与辐射束元垂直于指定方向上的面积之 比。其数值与辐射面的性质有关,并且随方 向而变化,单位为 W/(m2.sr)。 给定点的光束元在给定方向上的发光强度, 与光束元垂直于指定方向上的面积之比。单 位为 cd/m2。 包含该点的面元上所接收的辐射通量与该点 面元面积之比。单位为 W/m2。 包含该点的面元上所接收的光通量,与该点 面元面积之比。单位为 lx 或 lm/m2。 被照表面接收到的光通量与接收面积的比 值,单位为 lx 或 lm/m2。 离开包含该点面元的辐射通量,与该点面元 面积之比。单位:W/m2。
支架
在 LED 支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。 点胶 将 LED 芯片安装在涂有银胶或绝缘胶的 PCB 固晶 或 LED 支架相应的位置上。 通过高温加热,使银胶固化。 固化
为了形成奥姆接触用金属引线连接 LED 芯片 打线 电极与支架(框架)的引出端。 将 LED 芯片和焊线包封起来, 并提供电连接、 LED 封装 出光和散热通道、机械和环境保护及外形尺 寸。 采用模条灌装成型的封装方式。 采用模压成型的封装方式。 采用点胶成型的封装方式,也称软包封。 与功率芯片粘接在一起的可以传导热量的金 属或其它材料的导热体。 嵌入 模具成型 点胶封装 散热片
6-17
辐射效率 η
e
radiant efficiency
辐射源发射的辐射功率 Фe 与其消耗的电功率 辐射效率 P 的比值。
6-18
luminous efficacy 发光效能; 光源发射的光通量 ФV 与其消耗的电功率 P 的 发光效率 光源的光视效能 luminous efficacy of a 比值,单位为 lm/W。 source η V 辐射的光视效能 luminous efficacy of radiation K 眩光 glare 光源发射的光通量 ФV 与其发射的辐射功率 Фe 的比值,单位为 lm/W。 由于光亮度的分布或范围不恰当,或对比度 太强,而引起不舒适感或分辨细节或物体的 能力减弱的视觉条件。 关于主辐射能分布中心的一条直线。
1-12
LED 组件
LED discreteness
LED 元组件
1-13 1-14 1-15 1-16
内量子效率 出光效率 注入效率 外量子效率
inner quantum efficiency light extraction efficiency Injection efficiency outer quantum efficiency
5-13 5-14 5-15 5-16 5-17 5-18
透明介质 固化 切筋 气泡 黑点 划痕
transparent medium cure dam-bar cut air bladder stain nick
外来异物在 LED 封装体中所形成的点状体。 黑点 LED 封装体表面上的机械划伤、压伤和外界 刮痕
1-02 1-03 1-04
半导体器件 [半导体]二极管 发光二极管; LED 固态照明
semiconductor device
半导体组件 (半导体)二极 管 发光二极管
(semiconductor) diode 具有非对称的电压电流特性的两引出端半导 体器件。 light-emitting diode 当被电流激发时通过传导电子和光子的再复 合产生受激辐射而发出非相干光的一种半导 体二极管。
有源区产生的光子数与所注入有源区的电子- 内部量子效率 空穴对数之比。 逸出 LED 结构的光子数与有源区产生的光子 出光效率 数之比。 注入 LED 的电子-空穴对数与注入有源区的 电子-空穴对数之比。 注入效率
逸出 LED 结构的光子数与注入 LED 的电子- 外部量子效率 空穴对数之比,等于内量子效率与出光效率 和注入效率的乘积。
6-09
averaged luminous 平均发光强度 ILED Ae、ILED Av、 Intensity ILED Be、ILED Bv