电子元器件封装知识
电子元器件的封装与尺寸要求
电子元器件的封装与尺寸要求电子元器件的封装和尺寸要求是电子工程师在设计和制造电路板时必须考虑的重要因素。
本文将详细介绍电子元器件封装的概念和尺寸要求，并列举一些常见的封装类型和尺寸标准。
总之，本文旨在为读者提供对电子元器件封装与尺寸要求的全面了解。
一、电子元器件封装的概念和重要性（200字）1.1 封装的定义：封装是指将功能相同或相近的电子元器件封装在同一个外壳中，以便于安装和使用。
1.2 封装的重要性：良好的封装设计能够保护电子元器件免受外部环境的影响、提高元器件的稳定性和可靠性、降低成本、便于制造和维修等。
二、电子元器件封装的类型（400字）2.1 DIP封装：Dual In-line Package（双列直插封装）是一种常见的传统封装类型，尺寸小巧，易于插入电路板。
适用于较低功率和低密度的应用。
2.2 SMT封装：Surface Mount Technology（表面贴装技术）是目前广泛应用的封装类型。
它可以提供更好的制造和可靠性，并能适应更高功率和高密度的应用。
2.3 BGA封装：Ball Grid Array（球栅阵列封装）是一种高密度封装，适用于高性能和高功率要求的电子元器件。
其特点是引脚通常被连接到底部的小球上，便于焊接和散热。
2.4 QFN封装：Quad Flat No-leads（扁平无引脚封装）是一种集成度较高、尺寸较小的封装，适用于紧凑和高密度的电路设计。
常用于集成电路芯片和无线通信模块等应用。
三、电子元器件尺寸要求（400字）3.1 尺寸的定义：尺寸是指元器件外观的长、宽、高等尺度。
不同的尺寸要求可以满足不同的应用需求。
3.2 尺寸的标准化：为了方便设计和制造，电子工程师使用一些标准的尺寸参数。
常见的标准有英寸和毫米两种，例如0805尺寸表示封装尺寸是0.08英寸×0.05英寸。
3.3 尺寸的影响因素：元器件尺寸的选择受到多种因素的影响，包括功率要求、热管理、板间距、可靠性等。
电子元器件的封装技术和特点
电子元器件的封装技术和特点现代电子元器件的封装技术得到了快速的发展，为电子行业的发展带来了极大的便利。
电子元器件的封装技术主要是指将电子元器件通过一定方式进行封装的技术手段。
在电子产品的研发与生产过程中，所采用的封装技术有直接焊接、间接焊接、贴片等多种方式，每种方式各有特点，以下将分别进行介绍。
直接焊接封装是比较古老的一种封装技术，使用范围较为广泛。
直接焊接封装通常采用套管封装，可根据元器件结构和排列形式进行封装。
其主要特点是可靠性高、成本低、使用范围广、组装容易，但没有隔离功能，因此不适合用于高电压工作。
间接焊接封装是一种在直接焊接封装的基础上发展而来的封装技术。
在元器件的引脚与电路板接触处增加了焊锡球，通过热处理加熔于焊垫和引脚之间实现连接。
间接焊接封装可分为球、碰和毛细三种形式。
该技术具有较好的自动化性和可靠性，适用于高集成度芯片的封装。
其特点是封装体积小，重量轻，散热性能好，防腐能力强，但也存在一些缺点，如容易引起元器件排列混乱，制造成本相对较高等。
贴片封装是在间接焊接封装的基础上进一步发展而来的封装技术，是一种目前比较流行的封装方式。
该技术有三种封装方式：SMT、CSP和BGA。
其中，SMT封装是表面粘贴技术，将小型的电子元器件按照一定的排列方式贴在电路板表面上，其特点是封装体积小、重量轻、节省材料和空间，适用于小型高密度电路的封装；CSP封装是直接与芯片级成品焊接封装，用于高集成度芯片的封装，具有超薄、高度灵活以及可降低元器件排列面积等优点；BGA封装是球形网格阵列封装技术，具有连接密度高，信号传输能力强，抗震性能好等特点。
但是，贴片封装的技术相对复杂，制造成本较高，故不适用于大批量生产的需求。
总的来说，电子元器件的封装技术在现代电子行业中具有重要的意义。
随着信息技术的不断提高和电子产品的不断普及，封装技术也不断发展，向更加高效、便捷和智能化的方向发展。
开发新的封装技术并应用到实际生产中，对于满足产业的需求、促进产业的发展势在必行。
电子元器件封装（Package）
电子元器件封装（Package）齐威王路漫漫其修远兮，吾将上下而求索电子元器件封装(Package)---分立器件贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。
一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。
我们常说的0603封装就是指英制代码。
另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。
下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸：贴片元件的封装一、零件规格:(a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。
标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表英制表示法1206 0805 0603 0402公制表示法3216 2125 1608 1005含义L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm)L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm)L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm)L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm)注：a、L（Length）：长度； W（Width）：宽度； inch：英寸b、1inch=25.4mm（b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。
（c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。
（d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。
二、常用元件封装1）电阻：最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照MD16仿真版，也可以到设计所内部PCB库查询。
注：ABCD四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H 1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同0805具体尺寸：2.0 X 1.25 X 0.5（公制表示法）1206具体尺寸：3.0 X 1.5 0X 0.5（公制表示法）2）电阻的命名方法1、5%精度的命名： RS – 05 K 102 JT2、1％精度的命名：RS – 05 K 1002 FTR －表示电阻S －表示功率0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。
元器件基础知识培训__元器件封装
电子元器件
集成器件
<处理器、运算放大器、逻辑IC等 >
无源器件
<电阻器、电容器、电感器等>
•电阻
无源器件
插件排阻
贴片排阻
可调电阻
水泥电阻
线绕电阻
热敏电阻
电阻的封装命名
插件电阻
电阻的封装 命名方式
贴片电阻
1/8W 1/4W 1/2W 1W 等
0201 0805 0805 1206 2512 等
•电容
TO-3P
TO-126
TO-92
TO-251[IPAK]
TO-262[I2PAK]
TO-252[DPAK]
TO-263[D2PAK]
•SOT系列
SOT-23
SOT−26[SOT-23-6]
SOT-323[SC70-3]
SOT-363
SOT-223
SOT-353
•SOD系列
SOD-123
•DO系列
元器件基础知识培训
四、元器件及常用封装介绍
认识电子元器件
内
电子元器件的分类
容
元器件的外形、封装
提
要
封装命名
1、认识电子元器件
❖电子元器件是电子产品的基本组成部分,电子产品就是不同
元器件的集合体.
变压器
二极管
二
极
管
集成IC
电
容
三
贴片电阻
极
管
1、电子元器件的分类
有源器件
分立器件
〔二极管、三极管、MOS管等
SOD-523
DO-214AC DO-214AA DO-214AB
<SMA>
电子元器件封装介绍
电子元器件封装介绍电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为AXIAL系列无极性电容：CAP;封装属性为RAD-0.1到RAD-0.4电解电容：ELECTROI;封装属性为RB.2/.4到RB.5/1.0电位器：POT1,POT2；封装属性为VR-1到VR-5二极管：封装属性为DIODE-0.4(小功率)DIODE-0.7(大功率)三极管：常见的封装属性为TO-18（普通三极管）TO-22(大功率三极管)TO-3(大功率达林顿管)电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等79系列有7905，7912，7920等常见的封装属性有TO126H和TO126V整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.3-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.3瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。
其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。
一般<100uF用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4发光二极管：RB.1/.2集成块：DIP8-DIP40, 其中8-40指有多少脚，8脚的就是DIP8贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下：0201 1/20W0402 1/16W0603 1/10W0805 1/8W1206 1/4W电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是：0402=1.0mmx0.5mm0603=1.6mmx0.8mm0805=2.0mmx1.2mm1206=3.2mmx1.6mm1210=3.2mmx2.5mm1812=4.5mmx3.2mm2225=5.6mmx6.5mm零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。
电子元器件封装技术手册
电子元器件封装技术手册封装技术在电子元器件固定、保护和连接方面起着至关重要的作用。
本手册将介绍常见的电子元器件封装技术，包括贴片封装、插件封装、球栅阵列（BGA）封装以及最新的3D封装技术。
以下是各种封装技术的详细介绍。
1. 贴片封装贴片封装是一种常见且广泛应用的封装技术。
这种封装方式将电子元器件直接粘贴在PCB上，采用表面贴装技术（SMT）进行焊接。
贴片封装具有体积小、重量轻、适应高密度集成等优点。
它在现代电子产品中得到广泛应用，如手机、电视等消费电子产品。
2. 插件封装插件封装是一种传统的封装技术，将电子元器件通过引脚插入到PCB的孔中，再进行焊接。
这种封装方式适用于一些对可靠性要求较高，体积较大的元器件，如继电器、开关等。
插件封装的优势在于可更换性强，易于维修。
3. 球栅阵列（BGA）封装BGA封装是一种先进的封装技术，特点是在PCB上焊接一块带有多个焊球的封装芯片。
这种封装方式使得电子元器件的引脚更加集中和紧凑，有助于提高信号传输速度和可靠性。
BGA封装适用于高功率、高密度的集成电路，如处理器和图形芯片。
4. 3D封装技术随着电子产品的小型化和集成度的提高，3D封装技术应运而生。
这种封装方式通过垂直堆叠多层封装芯片，实现更高的集成度和更小的体积。
3D封装技术可以充分利用垂直空间，提高电路板的布线效率，并且减少电路之间的互相干扰。
总结电子元器件封装技术在现代电子行业中起着至关重要的作用。
贴片封装、插件封装、BGA封装以及3D封装技术各有其特点和适用范围。
我们需要根据实际需求和应用环境选择合适的封装技术。
随着技术的不断进步，封装技术也在不断演进和创新，为电子产品的发展提供更好的支持。
这本电子元器件封装技术手册旨在为工程师和技术人员提供基础知识和指导，帮助他们在设计和生产过程中选择合适的封装技术。
掌握好封装技术，可以提高产品的性能和可靠性，降低制造成本，同时也为我们的电子产品创新提供更大的空间。
电子元器件的封装
电子元器件的封装1947年晶体管出现之后，其封装的设计随之展开，最早的一批晶体管封装的型号是以TO开头的。
曾经有过一种有着特定的工业或军事应用的金属壳多极管封装TO－39（见图5），有现在最常见的塑料三极管封装TO－92（见图6），还有电子爱好者常用的直插式稳压芯片LM7805所使用的TO－220封装（见图7），还有直引脚贴片式封装的TO—89（见图8），TO 系列封装几乎一统天下了。
1958年美国德州仪器公司（TI）工程师杰克.基尔比发明了集成电路，一些集成电路芯片还仍然使用TO系列封装，但随着集成电路晶片面积越来越大、引脚越来越多，TO封装已经吃不消了。
于是20世纪70年代出现了新的封装设计——双列直插封装（DP）（见图9），我花了好长时间搜索DIP封装的发明者或研发它的公司，可是什么也没找到就连DIP封装发明的准确日期也没找到。
乍看DIP封装好像是一只多脚虫，引脚间距为2.54mm，引脚数量可以从6个到64个，一般用“DIP”字样加上引脚数量表达封装形式，如“DP20”就是有20个引脚的DIP封装。
安装在带有过孔的PCB板上。
从下面这张DIP封装的图片上可以看到；封装中间是集成电路晶片，晶片周围用很细的金属导线把晶片上的接口电极导到封装外的引脚上。
DIP封装有陶瓷和塑料两种封装材料；DP封装坚固可靠，英特尔公司最早生产的4004、8008处理器均采用了DIP封装。
DIP封装一出现几乎就统治了市场，几乎所有的直插式芯片都有DIP封装的产品，直到现在我们还在使用着，你手边的40脚的51单片机就是DIP40封装的。
另外还有一种不常用的芯片封装叫SIP，意思是单列直插封装，现在几乎看不到了，大家知道一下就行了。
DIP封装好是好，可就是太大了，当用于小型手持设备时，DIP封装就显得笨拙了，于是飞利浦公司开发出了SOP小外型封装。
SOP封装（见图10）引脚间距为1.27mm，引脚数在8~44脚，SOP属于表面贴装元器件，无需过孔，可以直接焊在印制电路板表面。
《元器件封装知识》课件
封装未来发展方向
封装技术在不断发展，本节中，我们将介绍封装技术未来的发展趋势，并对未来元器件封装的展望和思 考进行探讨。
总结
重要性和必要性
本课程中介绍了元器件封装的相关知识和技术， 强调了元器件封装的重要性和必要性。
成功封装的Leabharlann 键因素成功的封装不仅需掌握封装技术，也需要将细节 小问题完美解决。本节中我们将讲述成功封装的 关键因素。
DIP封装
直插式封装，是封装技术中最为常见的一种 类型。
BGA封装
球格阵列封装，可以大大提高芯片的存储能 力和处理速度。
QFP封装
方形扁平封装，具有高密度、高性能、高可 靠性的特点。
其他封装类型
我们还将介绍其他类型的封装，更多精彩内 容，敬请期待。
封装过程
基本过程
本节中，我们将介绍元器件封装的基本过程， 包括贴装、焊接等方面。
焊接原理和注意事项
焊接是封装过程中非常重要的一环，我们将详 细讲解焊接的基本原理和注意事项。
二次封装的意义和方法
如果一些元器件质量不过关，就需要进行二次 封装，我们将详细讲解二次封装的意义和方法。
封装材料
1
导电胶的种类和特点
本节中，我们将介绍导电胶的不同种类、不同材质的特点以及其在封装过程中的应用。
2
封装材料的选取和使用
封装材料的选取和使用非常关键，本节中我们将介绍封装材料的选取和使用方面的技 巧和注意事项。
封装质量控制
封装质量的评估方法和指标
本节中我们将讲解封装质量的评估方法和指标，为大家提供参考。
封装质量控制的流程和方法
封装质量控制是封装过程中非常重要的一环，我们将详细讲解封装质量控制的流程和方法。
《元器件封装知识》PPT 课件
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电子元器件封装知识电子元器件封装知识一：1、bga(ballgridarray)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配lsi芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(pac)。
引脚可超过200，是多引脚lsi 用的一种封装。
封装本体也可做得比qfp(四侧引脚扁平封装)小。
例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚bga仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304引脚qfp为40mm见方。
而且bga不用担心qfp那样的引脚变形问题。
该封装是美国motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。
最初，bga的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。
现在也有一些lsi厂家正在开发500引脚的bga。
bga的问题是回流焊后的外观检查。
现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。
有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。
美国motorola公司把用模压树脂密封的封装称为ompac，而把灌封方法密封的封装称为gpac(见ompac 和gpac)。
2、bqfp(quadflatpackagewithbumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。
qfp封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。
美国半导体厂家主要在微处理器和asic等电路中采用此封装。
引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见qfp)。
3、碰焊pga(buttjointpingridarray)表面贴装型pga的别称(见表面贴装型pga)。
4、c-(ceramic)表示陶瓷封装的记号。
例如，cdip表示的是陶瓷dip。
是在实际中经常使用的记号。
5、cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于eclram，dsp(数字信号处理器)等电路。
带有玻璃窗口的cerdip用于紫外线擦除型eprom以及内部带有eprom的微机电路等。
引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。
在日本，此封装表示为dip-g(g即玻璃密封的意思)。
6、cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷qfp，用于封装dsp等的逻辑lsi电路。
带有窗口的cerquad用于封装eprom电路。
散热性比塑料qfp好，在自然空冷条件下可容许1.5～2w的功率。
但封装成本比塑料qfp高3～5倍。
引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。
引脚数从32到368。
7、clcc(ceramicleadedchipcarrier)带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。
带有窗口的用于封装紫外线擦除型eprom以及带有eprom的微机电路等。
此封装也称为qfj、qfj-g(见qfj)。
8、cob(chiponboard板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。
虽然cob是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如tab和倒片焊技术。
9、dfp(dualflatpackage)双侧引脚扁平封装。
是sop的别称(见sop)。
以前曾有此称法，现在已基本上不用。
10、dic(dualin-lineceramicpackage)陶瓷dip(含玻璃密封)的别称(见dip).11、dil(dualin-line)dip的别称(见dip)。
欧洲半导体厂家多用此名称。
12、dip(dualin-linepackage)双列直插式封装。
插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。
dip 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑ic，存贮器lsi，微机电路等。
引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。
封装宽度通常为15.2mm。
有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinnydip和slimdip(窄体型dip)。
但多数情况下并不加区分，只简单地统称为dip。
另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷dip也称为cerdip(见cerdip)。
13、dso(dualsmallout-lint)双侧引脚小外形封装。
sop的别称(见sop)。
部分半导体厂家采用此名称。
14、dicp(dualtapecarrierpackage)双侧引脚带载封装。
tcp(带载封装)之一。
引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。
由于利用的是tab(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。
常用于液晶显示驱动lsi，但多数为定制品。
另外，0.5mm厚的存储器lsi 簿形封装正处于开发阶段。
在日本，按照eiaj(日本电子机械工业)会标准规定，将dicp命名为dtp。
15、dip(dualtapecarrierpackage)同上。
日本电子机械工业会标准对dtcp的命名(见dtcp)。
电子元器件封装知识二：16、fp(flatpackage)扁平封装。
表面贴装型封装之一。
qfp 或sop(见qfp和sop)的别称。
部分半导体厂家采用此名称。
17、flip-chip倒焊芯片。
裸芯片封装技术之一，在lsi芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。
封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。
是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。
但如果基板的热膨胀系数与lsi芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。
因此必须用树脂来加固lsi芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
18、fqfp(finepitchquadflatpackage)小引脚中心距qfp。
通常指引脚中心距小于0.65mm的qfp(见qfp)。
部分导导体厂家采用此名称。
19、cpac(globetoppadarraycarrier)美国motorola公司对bga的别称(见bga)。
20、cqfp(quadfiatpackagewithguardring)带保护环的四侧引脚扁平封装。
塑料qfp之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。
在把lsi组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(l形状)。
这种封装在美国motorola公司已批量生产。
引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。
21、h-(withheatsink)表示带散热器的标记。
例如，hsop表示带散热器的sop。
22、pingridarray(surfacemounttype)表面贴装型pga。
通常pga为插装型封装，引脚长约3.4mm。
表面贴装型pga在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。
贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊pga。
因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型pga小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑lsi用的封装。
封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。
以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
23、jlcc(j-leadedchipcarrier)j形引脚芯片载体。
指带窗口clcc和带窗口的陶瓷qfj的别称(见clcc和qfj)。
部分半导体厂家采用的名称。
24、lcc(leadlesschipcarrier)无引脚芯片载体。
指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。
是高速和高频ic用封装，也称为陶瓷qfn或qfn-c(见qfn)。
25、lga(landgridarray)触点陈列封装。
即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。
装配时插入插座即可。
现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷lga，应用于高速逻辑lsi电路。
lga与qfp相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。
另外，由于引线的阻抗小，对于高速lsi是很适用的。
但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。
预计今后对其需求会有所增加。
26、loc(leadonchip)芯片上引线封装。
lsi封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。
与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
27、lqfp(lowprofilequadflatpackage)薄型qfp。
指封装本体厚度为1.4mm的qfp，是日本电子机械工业会根据制定的新qfp 外形规格所用的名称。
28、l-quad陶瓷qfp之一。
封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。
封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。
是为逻辑lsi开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许w3的功率。
现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的lsi逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。
29、mcm(multi-chipmodule)多芯片组件。
将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。
根据基板材料可分为mcm-l，mcm-c和mcm-d三大类。
mcm-l是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。
布线密度不怎么高，成本较低。
mcm-c是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合ic类似。
两者无明显差别。
布线密度高于mcm-l。
mcm-d是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或si、al作为基板的组件。
布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。