基于光电倍增管的弱光检测..
基于光电倍增管的光电检测系统
基于光电倍增管的光电检测系统摘要：光电倍增管（简称PMT）是灵敏度极高，响应速度极快的光电探测器，本文简述光电倍增管的结构和用途，并介绍光电倍增管在图像采集、射线密度计、测井仪器等中的应用。
关键词：光电倍增管；射线密度计；图像采集；测井仪器引言光电倍增管于1934年研制成功，作为把微弱光转换成光电子并倍增的重要的真空光电发射器件，它得到了飞速的发展，特别是80年代以后，各种光电倍增管层出不穷，性能不断得到优化。
由于光电倍增管具有极高的灵敏度、快速响应等特点，在探测微弱光信号及快速脉冲光信号方面是一个重要的探测期间。
因此被广泛应用到光谱分析、图像采集诊断、环境检测等诸多领域。
1 光电倍增管的结构和特性光电倍增管由光电阴极、倍增极、阳极和真空管壳组成，它的工作原理是建立在光电效应、二次电子发射和电子光学理论的基础上的。
光电倍增管的阴极和阳极之间接有高压，入射光打在阴极上，激励阴极发出光电子，光电子在外加电场的作用下经过聚焦、汇聚在倍增电极，通过碰撞倍增极表面的二次电子发射材料，输出放大成电子流，经过多次倍增后被阳极接收并输出。
光电倍增管根据入射光形式可以分为端窗式和侧窗式；以探测光谱不同可分为紫外光、可见光、近红外等；以倍增系统的不同可分为打拿极和微通道板；以外形不同可分为球形和圆柱形以及方形；以阳极输出的不同可分为单阳极和多阳极等。
光电倍增管有极高的灵敏度，可以探测微弱的光信号，甚至仅有10-18~10-17w 的单光子信号都能探测，特别是近年来开发的具有不透光多碱光电阴极的侧窗管R1477，其光照灵敏度已经高达375μA/lm，堪称世界上不透明多碱光电阴极的最高水平。
光电倍增管阴极产生的很小的光电子电流通过倍增后被放大成较大的阳极输出电流。
电流放大倍数就是光电倍增管的阳极输出电流和阴极光电子电流的比值。
在理想情况下，具有n个倍增极，每个倍增极的平均二次电子发射率为δ的光电倍增管的电流增益为δn。
基于硅光电倍增管的量子信号探测技术研究
基于硅光电倍增管的量子信号探测技术研究硅光电倍增管（SiPM）是一种新型的光电探测器，具有高灵敏度、高增益、低工作电压和良好的时间分辨率等优点。
在量子信息领域中，SiPM在量子信号的探测中得到了广泛的应用。
SiPM具有极高的灵敏度。
这是由于SiPM采用多光子级联的工作原理，即当一个光子进入SiPM时，会引起级联的光子产生，并通过增益过程使得输入的光子数目成倍增加，从而提高了探测器的灵敏度。
相比传统的光电倍增管，SiPM的灵敏度更高，能够单光子级别地探测光信号，这对于量子通信和量子计算等领域非常重要。
SiPM具有高增益。
增益是指探测器输出信号与输入光信号之间的比值。
SiPM通过多级级联的工作原理，使得输入的光信号产生的电荷数目成倍增加，从而使得输出信号的幅度较大，增益也就相应增加。
这使得SiPM可以在弱光条件下进行信号的探测，并对光信号进行放大，提高了信号的检测效果。
SiPM的工作电压较低。
传统的光电倍增管通常需要较高的工作电压，以实现光子放大的效果。
而SiPM由于采用了CMOS制程进行制造，可实现低电压的工作，通常在20-80V之间。
这不仅可以减少能源的消耗，还可以减小使用过程中可能产生的辐射干扰。
SiPM具有良好的时间分辨率。
时间分辨率是指探测器可以分辨不同信号的时间差。
对于量子通信和量子计算等应用，时间分辨率的要求非常高。
SiPM采用了微米级的单光子探测单元，具有良好的时间分辨率，可以精确地测量信号的到达时间，满足量子通信的要求。
基于硅光电倍增管的量子信号探测技术具有很大的潜力和广阔的应用前景。
随着SiPM 制程的不断完善和技术的进步，SiPM在量子通信、量子计算、粒子物理学等领域将会得到更广泛的应用。
光电倍增管的原理
光电倍增管的原理光电倍增管（Photomultiplier Tube，简称PMT）是一种用于测量弱光信号的光电转换器件。
它可以将光信号转换为电信号，并且通过倍增电子的方式提高信号强度，从而实现对极弱光信号的探测和测量。
下面将详细介绍光电倍增管的原理。
光电倍增管由若干个连接在一起的光电倍增管单位（Dynodes）组成。
一个光电倍增管单位由一个光阴极、一系列电极（Dynodes）和一个收集极（Anode）构成。
当光信号进入光电倍增管时，首先会照射到光阴极上。
光阴极通常由碱金属化合物（如SbCs）或硫化钠等选材制成，具有较高的量子效率（Quantum Efficiency），可以将光信号转换为电子。
通过照射光阴极，光子会激发光阴极上的电子，使其脱离原子成为自由电子。
这些自由电子被加速器（Accelerating Electrode）加速，并进入第一个Dynode。
Dynode间隔一般为几百伏的高电压，以使电子能够获得足够的能量。
在第一个Dynode上，电子与Dynode之间会发生碰撞，产生二次电子。
这些二次电子会继续向下一级Dynode加速，并在每个Dynode上产生更多的次级电子。
这种电子衍射的过程称为倍增效应，是光电倍增管实现信号放大的关键。
经过多个Dynode的倍增效应，原始的一个光电子可以被倍增成为一串电子，这个过程称为电子倍增（Electron Multiplier）。
最后，这些电子会收集到收集极上，形成一个电信号。
在弱光信号下，光电倍增管可以将光信号的强度增加到可以测量的范围。
为了保证倍增效应的有效进行，光电倍增管需要提供高电压供电来加速电子。
一般光电倍增管的工作电压范围在数百伏到几千伏之间，具体取决于光电倍增管的设计和应用需求。
除了光电倍增管的基础结构和原理外，光电倍增管还有一些特殊的设计和附加组件可以提高其性能。
例如，降低噪声和提高信噪比的结构设计、降低暗电流的阴极镀敏剂、增加灵敏度的光窗等。
基于硅光电倍增管的量子信号探测技术研究
基于硅光电倍增管的量子信号探测技术研究硅光电倍增管（Silicon Photomultiplier，SiPM）是一种新型的光探测器，具有高灵敏度、低功耗、单光子可分辨能力和大动态范围等突出特点，被广泛应用于量子信息科学、医学影像、核物理学等领域。
本文对基于SiPM的量子信号探测技术进行了研究，并对其原理、结构、性能和应用进行了详细介绍。
SiPM是由一系列微小的单光子探测单元（Pixel）组成的矩阵结构。
每个Pixel由一个正压电阻器（Quenching Resistor）和一个二极管（Avalanche Photodiode，APD）组成。
当光子入射到APD上时，会产生光电效应，形成电子空洞对。
电子通过偏置电压的作用，在强电场下加速，引起二次击穿，从而产生电流脉冲。
Quenching Resistor起到了限制电流脉冲幅度和时间的作用，使APD恢复到工作状态。
整个SiPM结构类似于光电倍增管（Photomultiplier Tube，PMT），但SiPM的尺寸更小，可以实现高集成度的微小化。
SiPM具有多个特点使其在量子信号探测中具有优势。
SiPM具有高灵敏度，能够对微小的光信号进行探测。
SiPM具有单光子可分辨能力，可以将单个光子的事件与背景噪声相区分。
SiPM具有大动态范围，可以同时测量强光和弱光信号。
SiPM具有低功耗特性，适用于移动设备和便携式仪器的应用。
SiPM的性能主要包括增益、暗计数率、时间分辨率和能量分辨率等方面。
增益是指光电倍增管输出的光信号与输入的光信号之间的放大倍数，是衡量探测器灵敏度的重要参数。
暗计数率是指没有光输入时，光电倍增管输出的电荷脉冲数目，主要来源于热电子和电子对的运动激发。
时间分辨率是指测量系统在不同时间点上的分辨精度，是衡量探测器时间分辨能力的指标。
能量分辨率是指探测器在测量能量时能够分辨出不同能量的能力。
SiPM在量子信息科学中的应用主要包括量子通信、量子计算和量子隐形传态等方面。
基于光电倍增管的弱光检测电路设计
基于光电倍增管的弱光检测电路设计光电倍增管是一种能够将光信号放大的器件，适用于弱光检测的应用。
设计一个基于光电倍增管的弱光检测电路，需要考虑光电倍增管的工作原理、电路的放大和滤波功能、噪声抑制、以及电路的稳定性等方面。
首先，我们需要了解光电倍增管的工作原理。
光电倍增管由光电阴极、倍增层、打拿极和阳极等部分组成。
当光入射到光电阴极上时，光子会激发阴极上的光电子，光电子经过倍增层的倍增作用，最终在阳极上产生电流信号输出。
在电路设计中，我们需要将光电倍增管的输出信号进行放大和滤波，以提高对弱光信号的检测灵敏度。
在放大方面，可以采用运放电路对电压信号进行放大；在滤波方面，可以使用RC滤波电路对信号进行滤波，去除高频噪声。
此外，还可以考虑使用可变增益放大器，根据光信号强度的变化自动调节增益。
另外，噪声抑制也是设计中需要考虑的问题。
光电倍增管的输出信号可能会受到电源噪声、热噪声等干扰，为了降低噪声的影响，可以采用差分放大电路，在信号放大的同时抑制共模噪声。
可以设计一个补偿电路，将噪声信号进行补偿，使得输出信号更加稳定。
此外，为了保证电路的稳定性，我们还可以考虑使用稳压电源，减少电源波动对电路的影响。
同时，应注意电路布线的合理性，防止信号干扰和串扰。
在实际应用中，还需要考虑电路的功耗和大小等因素。
可以采用低功耗的元器件和集成电路，使得电路更加紧凑和高效。
综上所述，基于光电倍增管的弱光检测电路设计需要考虑光电倍增管的工作原理、电路的放大和滤波功能、噪声抑制、电路的稳定性、功耗和布线等因素。
通过合理地设计和优化电路，可以实现对弱光信号的准确检测。
《光电倍增管特性参数及其测量》实验报告
《光电倍增管特性参数及其测量》实验报告《光电倍增管特性参数及其测量》实验报告实验名称：光电倍增管特性参数及其测量姓名：学号：专业：班级：实验时间：2022 年月日厦门理工学院光电工程实验教学中心实验日期： 5.13室温：气压：同组实验者：实验目的与要求通过本实验，了解掌握光电倍增管的暗电流、信噪比、灵敏度和增益等特性及其测量方法，为应用光电倍增管对微辐弱射的探测奠定基础。
实验器材① MXY8101 光电倍增管综合实验仪 1 台② 耐高压连接线10只实验内容（包括实验原理、光路图、操作方法与步骤、数据记录及处理、实验结果分析与讨论等）实验原理、光路图：（1）光电倍增管工作原理光电倍增管属于真空光电传感器件，它主要由光入射窗、光电阴极、电子聚焦系统、倍增电极和阳极5 部分构成，光电倍增管有多种结构类型，典型光电倍增管如图 1.40-1 所示，为侧窗圆形鼠笼式光电倍增管。
其工作原理分下面 5 部分：① 光子透过入射窗口玻璃入射到玻璃内层光电阴极上，窗口玻璃的透过率满足光电倍增管的光谱响应特性；② 进入到光电阴极上的光子使光电阴极材料产生外光电效应，激发出电子，并飞离表面到真空中，称其为光电子；③ 光电子通过电场加速，并在电子聚焦系统的作用下射入到第一倍增极D1 上，D1 发射出的光电子数目是入射光电子数目的δ倍，这些二次光电子又在电场作用下射入到下一倍增极；④ 入射光电子经 N 级倍增后，电子数就被放大δN 倍，图1.40‐1 所示的倍增管共有 8 级，即N=8；⑤ 经过倍增后的电子由阳极收集起来，形成阳极电流，在负载上产生压降，输出电压信号Uo。
（2）光电倍增管的基本特性参数光电倍增管的特性参数如下。
①光电灵敏度光电灵敏度是光电倍增管探测光信号能力的一个重要标志，通常分为阴极灵敏度Sk 与阳极灵敏度 Sa。
它们又可分为光谱灵敏度与积分灵敏度。
光电倍增管的阳极光谱灵敏度常用Sa，λ表示，阳极积分灵敏度常用Sa表示，其量纲为 A/lm。
有关光电倍增管弱光检测的电路
（ ２ ） 反馈 电阻Ｒｆ 的选 择 输 出电压 既 不能 太 小也 不 能太 大 ， 应 该根 据 器件 情况 选一 个 合 １ ． 光 电倍增 管 分压器 回路 设 计 适的值。 如果输出电压太小， 一是容易受到噪声信号的干扰， 二是会 滨松Ｒ３ ３ １ ０ － ０ ２ 型十级倍增的光电倍增管分压器回路采用阳极接 增加下级放大器的负担 。 通常要求输 出电压应比运算放大器的噪声 如 果 输 出电 压太 大 ， 一 是 必 然 要 地， 阴极加负高压的方法， 使电流计、 电流电压转换、 用运算放大器回 电压 至 少大 干 两个 数量 级 或 更大 。 路等外部回路和光电倍增管阳极在无电位差情况下易于连接。 Ｋ 为光 增大反馈电阻Ｒｆ ， 二是增大对运算放大器性能的要求。 反馈 电阻Ｒｆ 电发射阴极 （ 光阴极） ， Ｄ Ｙ１ －Ｄ Ｙ１ ０ 为十级电子倍增极， Ｐ 为电子收集 过大其稳定性变差， 容易造成干扰， 测量时间也变长， 同时反馈电阻 极 （ 阳极） 。 接于高压Ｖｈ 上的串联电阻Ｒ１ －Ｒｌ ｌ ， 将Ｖ ｈ 分割成所需要 的选取和测量也变得十分困难 。 综上所述， 可将Ｉ ／ Ｖ转换电路的输出 的梯 度递 增 的倍 增 电压Ｖ ｄ ｌ ～ Ｖ ｄ １ ０ 供给 Ｐ ＭＴ的各 个倍 增 极使 用。 光 电压设 定在５ ０ －１ ０ ０ ｍ Ｖ ￣ 间是比较 合适 的 ， 然 后选 择相 应的 反馈 电阻 。 电倍增 管的 增益可 以通 过调 节各倍 增极 的极 间电压 来实现 。 此 外， 为 Ｒ ｆ
Ｌ Ｌ 一 一
容Ｃ ｆ 取值 通常为几十到 几百ｐ Ｆ ， 所 以输入 端总的等 效输入 电容 但实 际情 况是 ， 即使在 Ｒ１ － Ｒｌ ｌ 均相 等 并且高 压 电源 Ｖｈ 稳 定 的 （ １ ＋ Ｉ ｋ １ ） （ ＋ ｏ ） ＋ （ １ ｝ ｊ ｋ Ｉ ） ， 输 入 端 的时 间常 数 ｒ ＝ Ｒ ， ＝ Ｒ ， ｃ ｚ 条件下， 只要 阳极 电流不为 ０ ， 得到 的偏压 也不是 线 性 均分 的。 因为 ， 由于输入端输入电阻和输入电容的积分作用， 当有信号输入或变 各个倍增极的电流要流过分压电阻链 ， 而且越靠近阴极的电阻上流 化 时， 输 出信号要经５ 的时 间才能达 到稳定， 即为测量时间。 如果 过的电流越大， 电阻上的压降也就越大。 由于总电压Ｖ ｈ 是稳定的 （ 定 Ｒ ， ＝ ｌ ， ｃ ， ＝ ｌ ｏ ｐ ？ ＂ ， 则达 到稳 定输 出所需 的时 间０ ． ０ ５ ｍｓ 。 数） ， 靠 近 阴极 侧 的 电阻 上 压 降增 加 必然 导 致 靠近 阳 极侧 的 电阻 上 反馈 电容 Ｃ ｆ 起积 分作用 ， 可抑制 或平 滑 噪声 的干扰 。 Ｃ ｆ 越大 ， 抑 压降减少， 这称为电压再 （ 重） 分配效应。 这样， —方面导致各个倍增 制噪 声 的能 力就越 强， 但要 降低 响 应速 度 ， 要权衡 考虑 其 取值 。 其实 极 的偏 置 电压 会 随 阳极 电流的 变化 而波 动 ， 从 而使 Ｐ ＭＴ 的 总增 益发 Ｃ ｆ 还有 补偿输 入端 分布 电容的作用 ， 以 防出现振 荡现 象 。 生波 动。 另一方面导 致偏 置电压 的线 性均 分性 受到影 响 。 无 论是 线性 ２ ． ２减小干扰的措施 均 分 的偏 置 电压还 是 非 线性 的 偏 置电压 应 用场 合 ， 均 希望 各倍 增极 （ １ ） 电源退 耦滤 波 上 的 偏压 等于 设计 值 而 不要 随 阳极 电流 的 变化 而发 生波 动 。 因此 采 在每个运算大器的正负电源端都串加一个Ｒ ｅ 退耦滤波器， 其作 用 电压分 配 回路 ， 又要保证 电压 重分 配效应 引起 的倍 增极偏 置电压 偏 用 是减小放 大器各部 分 电路之 间通过 公共直 流 电源 产生 的寄 生耦合 ， 离线性增益的程度在１ ％以内， 根据经验， 阳极电流Ｉ 。 的最大值必须在 稳 定 放 大器 的工作 ， 防止 产生 振 荡和 干扰 。 电阻 的选 择要恰 当， 电容
09光电倍增管特性及微弱光信号探测实验
实验9光电倍增管特性与微弱光信号探测【实验目的】1、熟悉光电倍增管的基本构成和工作原理，掌握光电倍增管参数的测量方法；2、掌握光电倍增管高压电源模块的使用方法；3、学习光电倍增管输出信号的检测和变换处理方法。
【基本原理】1．光电倍增管结构及工作原理光电倍增管是一种真空管，它由光窗、光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极五个主要部分组成。
电子倍增系统为使光电倍增管正常工作，光电倍增管中阴极（K）和阳极（A）之间分布有多个电子倍增极Dn。
如图2所示，在管外的阴极（K）和各个倍增极及阳极（A）引脚之间串联多个电阻Rn,由Rn形成的分压电阻使各个倍增极相对阴极而言加上了逐步升高的正电压，要在阴极（K）和阳极（A）之间加上500～3000V左右的高电压，目的是吸引并加速从阴极飞出的光电子，并使他们飞向阳极。
图1是流过分压器回路的电流，被叫做分压器电流，它和后面图1中回路电流Ib叙述的输出线性有很大的关系。
I可近似用工作电压V除以分压电阻之和的值来b表示。
光电倍增管的输出电流主要是来自于最后几级，为了在探测脉冲光时，不使阳极脉动电流引起极间电压发生大的变化，常在最后几级的分压电阻上并联电容。
图中和电阻并联的电容Cn-3、Cn-2、Cn-1、Cn就是因此而设计的。
本实验系统使用的电子倍增系统为环形聚焦型。
由光阴极发射出来的光电子被第一倍增极电压加速撞击到第一倍增极，以致发生二次电子发射，产生多于入射光电子数目的电子流。
这些二次电子发射的电子流又被下一个倍增极电压加速撞击到下一个倍增极，结果产生又一次的二次电子发射，连续地重复这一过程，直到最末倍增极的二次电子发射被阳极收集，光电子经过从第1极到最多19极的倍增电极系统，可获得10倍到108倍的电流倍增之后到达阳极。
这时可以观测到，光电倍增管的阴极产生的很小的光电子电流，已经被放大成较大的阳极输出电流。
通常在阳极回路要接入测量阳极电流的仪表，为了安全起见，一般使阳极通过RL接地，阴极接负高压。
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2.光电倍增管结构
光电倍增管按其接收入射光的方式一般可分成端窗型和侧窗型两大类。一般，端窗型和侧窗型结构的光电倍增管都有一个光阴极。侧窗型的光电倍增管，从玻璃壳的侧面接收入射光，而端窗型光电倍增管是从玻璃壳的顶部接收入射光。大部分的侧窗型光电倍增管使用了不透明光阴极（反射式光阴极）和环形聚焦型电子倍增极结构，这使其在较低的工作电压下具有较高的灵敏度。
基于光电倍增管的弱光检测
摘要：本文基于光电倍增管设计了一种弱光检测电路。文章首先介绍了光电倍增管的结构、原理及应用方法，然后给出了微弱电流转换与放大电路的设计。
关键词：光电倍增管；分压电路；I/V转换
Low-light-level detection based on Photomultiplier tube
5.使用材料
5.1光阴极材料
光电倍增管的阴极一般是具有低逸出功的碱金属材料形成的光电发射面。常用的阴极材料有以下几种：
(1)Ag-O-Cs
用此材料的透过型阴极具有典型的S-1谱，即具有从可见到红外（300-1200nm）的谱响应。因为Ag-O-Cs阴极有较高的热电子发射，所以这种光电倍增管一般要在制冷器中工作，用于近红外区的光探测。
Abstract：This paper presents the design of a system for low-light-level detection.The structure and principle of PMT are briefly introduced ,and the application method on PMT is discussed. The design of low current transformation and amplification circuit is also performed.
(2)合成石英
合成石英可以将透过的紫外光波长延伸至160nm，并且在紫外区比熔融石英玻璃有更低的吸收。合成石英材料的膨胀系数与芯柱用玻璃的膨胀系数有很大差别，所以，用热膨胀系数渐变的封接材料与合成石英逐渐过渡。因此，此类光电倍增管的强度易受外界震动的破坏，使用中要采取足够的保护措施。
(3)氟化镁（镁氟化物）
该材料具有极好的紫外线透过能力而成为一种实用的光窗材料。
(2)GaAs（Cs）
掺入活性Cs的GaAs材料也可以用作光阴极。这种光阴极比多碱光阴极复盖更宽的光谱范围，可以从近紫外到930nm，并且响应曲线在300-850nm范围内较为平直。
(3) 此外还有InGaAs（Cs），Sb-Cs，双碱材料（Sb-Rb-Cs）（Sb-K-Cs）等。
5.2窗材料
(1)硼硅玻璃
图1 光电倍增管工作原理图
阴极室的结构与光阴极K的尺寸和形状有关,它的作用是把阴极在光照下由外光电效应产生的电子聚焦在面积比光阴极小的第一打拿极D1的表面上。二次发射倍增系统是最复杂的部分。打拿极主要选择那些能在较小入射电子能量下有较高的灵敏度和二次发射系数的材料制成。在各打拿极 D1、D2、D3…和阳极A上依次加有逐渐增高的正电压,而且相邻两极之间的电压差应使二次发射系数大于1。这样,光阴极发射的电子在D1电场的作用下以高速射向打拿极D1,产生更多的二次发射电子,于是这些电子又在D2电场的作用下向D2飞去。如此继续下去，每个光电子将激发成倍增加的二次发射电子，最后被阳极收集。输出电流和入射光子数成正比。整个过程时间约 10-8秒。
Keywords：Photomultiplier tube(PMT)；voltage divider；
I/V transformation
1. 引言
光电倍增管（PMT）是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。当光照射到光阴极时，光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统，并通过进一步的二次发射得到的倍增放大。然后把放大后的电子用阳极收集作为信号输出。因为采用了二次发射倍增系统，所以光电倍增管在探测紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器中，具有极高的灵敏度和极低的噪声。另外，光电倍增管还具有响应快速、成本低、阴极面积大等优点。基于外光电效应和二次电子发射效应的电子真空器件。它利用二次电子发射使逸出的光电子倍增，获得远高于光电管的灵敏度，能测量微弱的光信号。光电倍增管包括阴极室和由若干打拿极组成的二次发射倍增系统两部分（见图1）。
端窗型（也称作顶窗型）光电倍增管在其入射窗的内表面上沉积了半透明光阴极（透过式光阴极），使其具有优于侧窗型的均匀性。
图2 端窗型光电倍增管 图3 侧窗型光电倍增管
3.电子倍增系统
现在使用的电子倍增系统主要有以下几类：
(1) 环形聚焦型 环形聚焦型结构主要应用于侧窗型光电倍增管。其主要特点为紧凑的结构和快速时间响应特性。
(2) 盒栅型 这种结构包括了一系列的四分之一圆柱形的倍增极，并因其相对简单的倍增极结构和一致性的改良而被广泛地应用于端窗型光电倍增管，但在一些应用中，其时间响应可能略显缓慢。
(3)此外还有直线聚焦型，百叶窗型，细网型，微通道板（MCP）型等。
4.光谱响应
光电倍增管的阴极将入射光的能量转换为光电子。其转换效率（阴极灵敏度）随入射光的波长而变。这种光阴极灵敏度与入射光波长之间的关系叫做光谱响应特性。图4给出了双碱光电倍增管的典型光谱响应曲线。光谱响应特性的长波端取决于光阴极材料，短波端则取决于入射窗材料。在本书的附件里给出了不同型号的光电倍增管的光谱响应特性，其中长波端的截止波长，对于双碱阴极和Ag-O-Cs阴极的光电倍增管定义为其灵敏度降至峰值灵敏度的1%点，多碱阴极则定义为峰值灵敏度的0.1%。