半导体器件习题及答案
半导体器件物理习题答案
半导体器件物理习题答案1、简要的回答并说明理由：①p+-n结的势垒宽度主要决定于n 型一边、还是p型一边的掺杂浓度？②p+-n结的势垒宽度与温度的关系怎样？③p+-n结的势垒宽度与外加电压的关系怎样？④Schottky 势垒的宽度与半导体掺杂浓度和温度分别有关吗？【解答】①p+-n结是单边突变结，其势垒厚度主要是在n型半导体一边，所以p+-n结的势垒宽度主要决定于n型一边的掺杂浓度；而与p型一边的掺杂浓度关系不大。
因为势垒区中的空间电荷主要是电离杂质中心所提供的电荷（耗尽层近似），则掺杂浓度越大，空间电荷的密度就越大，所以势垒厚度就越薄。
②因为在掺杂浓度一定时，势垒宽度与势垒高度成正比，而势垒高度随着温度的升高是降低的，所以p+-n结的势垒宽度将随着温度的升高而减薄；当温度升高到本征激发起作用时，p-n结即不复存在，则势垒高度和势垒宽度就都将变为0。
③外加正向电压时，势垒区中的电场减弱，则势垒高度降低，相应地势垒宽度也减薄；外加反向电压时，势垒区中的电场增强，则势垒高度升高，相应地势垒宽度也增大。
④Schottky势垒区主要是在半导体一边，所以其势垒宽度与半导体掺杂浓度和温度都有关（掺杂浓度越大，势垒宽度越小；温度越高，势垒宽度也越小）。
2、简要的回答并说明理由：①p-n结的势垒高度与掺杂浓度的关系怎样？②p-n结的势垒高度与温度的关系怎样？③p-n结的势垒高度与外加电压的关系怎样？【解答】①因为平衡时p-n结势垒（内建电场区）是起着阻挡多数载流子往对方扩散的作用，势垒高度就反映了这种阻挡作用的强弱，即势垒高度表征着内建电场的大小；当掺杂浓度提高时，多数载流子浓度增大，则往对方扩散的作用增强，从而为了达到平衡，就需要更强的内建电场、即需要更高的势垒，所以势垒高度随着掺杂浓度的提高而升高（从Fermi 能级的概念出发也可说明这种关系：因为平衡时p-n结的势垒高度等于两边半导体的Fermi 能级的差，当掺杂浓度提高时，则Fermi能级更加靠近能带极值[n型半导体的更靠近导带底，p型半导体的更靠近价带顶]，使得两边Fermi能级的差变得更大，所以势垒高度增大）。
半导体器件物理课后习题答案中文版(施敏)
3 � 5.43 � 2.35 Å
4
(b)计算硅中�100���110���111�三平面 上每平方厘米的原子数。
� (1) 从(100)面上看�每个单胞侧面上有 1 � 4 � 1 � 2 个原子 4
�
所以�每平方厘米的原子数=
2 a2
2 � (5.43 �10 �8 )2
� 6.78 �1014
Dp
�
kT q
�p
和
Dn
�
� Dn � 50 �p Dp
用ρn和ρp相除�最后得 NA=100ND
11. 一个本征硅晶样品从一端掺杂了施主�而使得
ND = Noexp (-ax)。(a)在ND >> ni的范围中�求在平 衡状态下内建电场E(x)的表示法。(b)计算出当a =
�
�
1
qp � p
1 � 1.6 � 10 �19 � 5 � 1015 � 450
� 2.78 cm � �
� 注意�双对数坐标� � 注意�如何查图�NT�
(b) 2�1016硼原子/cm3及1.5�1016砷原子/cm3
p � N A � N D � 2 �1016 � 1.5 �1016 � 5 �1015 cm �3
� 12 (2�m n kT
/
h
2
)
3 2
代入上式并化简�得
1
ni
�
� ��
24
�
(
m
p
m
n
)
3 2
2�kT �( h2
)
3
� ��
2
� exp(
� Eg 2kT
)
为一超越方程�可以查图2.22得到近似解
(完整版)半导体及其应用练习题及答案
(完整版)半导体及其应用练习题及答案题目一1. 半导体是什么？答案：半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，在温度适当时具有导电性能。
2. 半导体的价带和导带分别是什么？答案：半导体中的价带是电子离子化合物的最高能级，而导带是能够被自由电子占据的能级。
3. 简要解释半导体中的P型和N型材料。
答案：P型半导体是通过向半导体中掺杂三价元素，如硼，来创建的，在P型材料中电子少，因此存在空穴。
N型半导体是通过向半导体中掺杂五价元素，如磷，来创建的，在N型材料中电子多，因此存在自由电子。
题目二1. 解释PN结是什么？答案：PN结是由一个P型半导体和一个N型半导体通过熔合而形成的结构，其中P型半导体中的空穴与N型半导体中的自由电子结合，形成一个边界处的耗尽区域。
2. 简要描述PN结的整流作用是什么？答案：PN结的整流作用是指在正向偏置电压下，电流可以流过PN结，而在反向偏置电压下，电流几乎不会流过PN结。
3. 什么是PN结的击穿电压？答案：PN结的击穿电压是指当反向偏置电压达到一定程度时，PN结中会发生电击穿现象，导致电流迅速增加。
题目三1. 解释场效应晶体管（MOSFET）是什么？答案：场效应晶体管是一种半导体器件，可以用于控制电流的流动，其结构包括源极、漏极和栅极。
2. 简要描述MOSFET的工作原理。
答案：MOSFET的工作原理是通过栅极电场的变化来控制其上的沟道区域导电性，从而控制漏极和源极之间的电流的流动。
3. MOSFET有哪些主要优点？答案：MOSFET的主要优点包括体积小、功耗低、响应速度快和可靠性高等。
第2章半导体器件习题答案
第2章习题解答1. 有人说，因为在PN 结中存在内建电场，所以将一个二极管的两端短路，在短路线中将由于此电场的存在而流过电流。
此说是否正确？为什么？ 答：此种说法不正确，将一个二极管的两端短路，PN 结外加电压为零，当环境条件稳定时，多子扩散与少子漂移达到动态平衡，PN 结中扩散电流和漂移电流大小相等，方向相反，流过PN 结的净电流为零。
2. 假设下图中二极管均为理想二极管，试画出v i ~ v o 的转移特性曲线。
+V CC CCv iv oCC CCv v o(a) (b)解：对图（a ）所示电路，定义节点A 、B 如下所示：+V CC CCv iv o当i v 小于CC V 、大于CC V -时，1D 、2D 都截止。
输出o v 等于零； 当i v 大于CC V 时，节点A 的电位开始大于零，2D 导通，1D 截止；输出32/2CC i CCCCi o V v R R R V R R V v v -=+-+=当i v 小于CC V -时，节点B 的电位开始小于零，1D 导通，2D 截止；输出32/2CC i iiCC o V v R R R v R R v V v +=++-=图（b ）所示电路是一个双向限幅电路，输出正向限幅电压为：L LCCR R R V +，输出负向限幅电压为：L LCCR R R V +-当L L CC i R R R V v +≤时，输入与输出相同，当L L CC i R R R V v +>时，输出限幅在LLCC R R R V+-和L LCCR R R V + 两个电平上。
3. 下图是一种二极管整流电路，称为全波整流电路。
其中v 1 = v 2。
试分析它的工作原理，画出输出电压的波形并计算输出电压的平均值。
解：在输入信号的正半周，D 1导通、D 2截止，在输入信号的负半周， D 2导通、D 1截止，输入信号与输出的关系为：tωVVtω输出电压的平均值为：12sin()()om omV t d t Vπωωππ=⎰4.下图也是一种二极管整流电路，称为桥式整流电路。
01常用半导体器件练习题
第1章常用半导体器件一．选择题1、半导体导电的载流子是____C____，金属导电的载流子是_____A__。
A．电子B．空穴C．电子和空穴Ｄ．原子核2、在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是___A_____型半导体。
A. PB. NC. PND. 电子导电3、纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是____B____型半导体。
A. PB. NC. PND. 空穴导电4、N型半导体多数载流子是B，少数载流子是 A ；P型半导体中多数载流子是A ，少数载流子是B 。
A．空穴B．电子Ｃ．原子核Ｄ．中子5、杂质半导体中多数载流子浓度取决于 D ，少数载流子浓度取于 B 。
A．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度6、PN结正向导通时，需外加一定的电压U，此时，电压U的正端应接PN结的 A ，负端应接PN结 B 。
A．P区B．N区7、二极管的反向饱和电流主要与 B 有关。
(当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。
)A．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度8、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 A 的关系曲线。
A．V D-I D B．V D-r D C．I D-r D D．f-I D9、用万用表测量二极管的极性，将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管的 C 。
A．正极B．负极C．无法确定10、下列器件中， B 不属于特殊二极管。
A．稳压管B．整流管C．发光管D．光电管11、稳压二极管稳压，利用的是稳压二极管的 C 。
A．正向特性B．反向特性C．反向击穿特性12、稳压管的稳定电压V Z是指其 D 。
A ．反向偏置电压B ．正向导通电压C ．死区电压D ．反向击穿电压13、光电二极管有光线照射时，反向电阻 A 。
(反压下，光照产生光电流)A ．减少B ．增大C ．基本不变D ．无法确定14、三极管的主要特征是具有____C____作用。
半导体器件自测题及习题题解
第一章 常用半导体器件 自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
1、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）2、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）3、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）4、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ）5、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS 大的特点。
（ ）6、若耗尽型N 沟道MOS 管的UGS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ） 解：1、√ 2、× 3、√ 4、× 5、√ 6、×二、选择正确答案填入空内。
1、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽2、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. ISeU B.TU U I eS C.)1e(S －TU U I3、稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏 5、UGS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：1、A 2、C 3、C 4、B 5、A C三、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD ＝0.7V 。
解：UO1≈1.3V ，UO2＝0，UO3≈－1.3V ，UO4≈2V ，UO5≈1.3V ，UO6≈－2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA 。
求如图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V ，U O2＝5V 。
五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率P CM ＝200mW ，试画出它的过损耗区。
现代半导体器件习题答案
2
xyz 中检测到粒子的概率正比于 r , t xyz 。
2
1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图 1.3 所示，从能带的观点来看，半导体和 绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大 (6~7eV)，室温下本征激发的载流子近乎为零，所 以绝缘体室温下不能导电。半导体禁带宽度较小， 只有 1~2eV，室温下已经有一定数量的电子从价 带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的 导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在 一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有 良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解： 本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。 由此产生的载流子称为本征载 流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等， n0 p0 ni 。对于某一确定 的半导体材料，其本征载流子浓度为 ni n0 p0 NC NV e
10 5 cm 3
1.6 有两块单晶硅样品，它们分别掺有 10 cm 的硼和磷，试计算 300K 时这两块样品的电 阻率，并说明为什么 N 型硅的导电性比同等掺杂的 P 型硅好。 解 ： 查 P.22 图 1.4.2 可 得 空 穴 迁 移 率
3
p 400 cm 2 V s ， 电 子 迁 移 率
n 1200 cm 2 V s
半导体复习题(带答案)
半导体物理复习题一、选择题1.硅晶体结构是金刚石结构，每个晶胞中含原子个数为（D）P1A.1B.2C.4D.82．关于本征半导体，下列说法中错误的是（C）P65A.本征半导体的费米能级E F=E i基本位于禁带中线处B.本征半导体不含有任何杂质和缺陷C.本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身D.本征半导体的电中性条件是qn0=qp03．非平衡载流子的复合率定义为单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数。
下面表达式中不等于复合率的是（D）P130A. B. C. D.4．下面pn结中不属于突变结的是（D）P158、159A.合金结B.高表面浓度的浅扩散p+n结C.高表面浓度的浅扩散n+p结D.低表面浓度的深扩散结5.关于pn结，下列说法中不正确的是（C）P158、160A.pn结是结型半导体器件的心脏。
B.pn结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。
C.平衡时，pn结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等。
6.对于小注入下的N型半导体材料，下列说法中不正确的是（B）P128A. B. C. D.7.关于空穴，下列说法不正确的是（C）P15A.空穴带正电荷B．空穴具有正的有效质量C．空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子D．半导体中电子空穴共同参与导电8.关于公式，下列说法正确的是（D）P66、67A.此公式仅适用于本征半导体材料B.此公式仅适用于杂质半导体材料C.此公式不仅适用于本征半导体材料，也适用于杂质半导体材料D.对于非简并条件下的所有半导体材料，此公式都适用9.对于突变结中势垒区宽度，下面说法中错误的是（C）P177A.p+n结中B.n+p结中C.与势垒区上总电压成正比D.与势垒区上总电压的平方根成正比10.关于有效质量，下面说法错误的是（D）P13、14A.有效质量概括了半导体内部势场的作用B.原子中内层电子的有效质量大，外层电子的有效质量小C.有效质量可正可负D.电子有效质量就是电子的惯性质量。
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第1章 半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错) 1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。
（ ） 2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。
（ ） 3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。
（ ） 4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ ）5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。
（ ）6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。
（ ）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。
（ ）8、施主杂质成为离子后是正离子。
（ ）9、受主杂质成为离子后是负离子。
（ ）10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（ ） 11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（ ）12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。
（ ） 13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。
（ ） 15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（ ） 16、有人测得某晶体管的U BE =，I B =20μA ，因此推算出r be =U BE /I B =20μA=35kΩ。
（ ） 17、有人测得晶体管在U BE =，I B =5μA ，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =Ω。
（ ） 18、有人测得当U BE =，I B =10μA 。
考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆- （ ）二、选择题 (注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。
A. 有B. 没有C. 少数D. 多数2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。
A. 负离子B. 空穴C. 正离子D. 电子-空穴对3、半导体中的载流子为_________。
A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴4、N 型半导体中的多子是_________。
A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子5、P 型半导体中的多子是_________。
A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 C. 晶体缺陷7、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。
当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。
A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变8、二极管正向电压从增大15%时，流过的电流增大_______。
（A1．15% B1．大于15% C1．小于15%）当流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压______。
（A2．增大B2．减小；C2．基本不变）9、温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线________。
（A1．上移B1．下移C1．不变）说明此时反向电流________。
（A2．减小B2．增大C2．不变）.10、在下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ ]I=2mA <2mA >2mA D.不能确定图图图11、图所示电路中电源V=5V不变。
当温度为20O C时测得二极管的电压U D=。
当温度上生到为40O C时,则U D的大小将是[ ]A.仍等于B.大于C. 小于D.不能确定12、设图电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电流I=2mA。
当温度上升到40℃时，则I的大小将是。
A. I=2mA B. I<2mA C. I>2mA 13、图中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流mA, 反向击穿电压为5V,击穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. mAC. 5mAD. 15 mA14、二极管的主要特性是[ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性15、在下图所示电路中，D1～D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮的灯是_________。
A. b B. c C. a16、二极管电路如下图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压V o为______。
(设二极管的导通压降0) A.5.6V图图图图17、二极管电路如上图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压V o为______(设二极管的导通压降为18、二极管电路如上图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压V o为______。
(设二极管的导通压降为、电路如下图所示。
试估算A点的电位为_________。
（设二极管的正向压降为。
）A. 6.7VB. 6VC.D.20、已知如下图所示电路中V A＝0V，V B＝5V，分析二极管的工作状态后，可确定V o的值为_____。
（设二极管的正向压降为。
）图图图(a) 图(b)21、设硅稳压管D Z1和D Z2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为，可求出图(a)中电路的输出电压V o为_______；可求出图(b)中电路的输出电压V o为_______；可求出图(c)中输出电压V o为_______；可求出图(d)中输出电压V o为_______。
A.0.7V G..13V图(c) 图(d) 图(a) 图(b)22、已知D Z1、D Z2的稳压值分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得图(a)路中，输出电压为_________；可求得图(b)中输出电压为_________。
A. 1VB. 5VC. 6VD. 13VE. 7V23、二极管的双向限幅电路如右图所示。
设v i为幅值大于直流电源V C1(=－V C2)值的正弦波，二极管为理想器件。
则可画出v o的波形为_________。
A. a)B. b)C. c)D. d)24、在同一测试电路中，分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。
二极管的性能最好的是_________。
A. a)B. b)C. c管号加正向电压时的电流加反向电压时的电流a)1μAb)5mAμAc)2mA5μA25、一个硅二极管在正向电压U D=时，正向电流I D=10mA。
若U D增大到（即增加10%），则电流I D。
A.约为11mA（也增加10%）； B.约为20mA（增大1倍）；C.约为100mA（增大到原先的10倍）；D.仍为10mA（基本不变）。
26、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型还是PNP型）与三个电极时以测出最为方便。
A.中极间电阻B.各极对地电位C.各极电流27、温度升高时，晶体管的电流放大系数β，反向饱和电流I CBO，正向结电压U BE。
A.变大 B.变小 C.不变28、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
A.上移B.下移C.左移D.右移E.增大F.减小G.不变29、双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是。
A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏30、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是。
型硅管型硅管型锗管型锗管31、某三极管各个电极的对地电位如图所示，可判断其工作状态是。
A.饱和B.放大C.截止D.已损坏2V 6V图图32、三极管的穿透电流I CEO是集-基反向饱和电流的倍. +β C.β33、三极管工作在饱和区时，b-e极间为，b-c极间为；工作在放大区时，b-e 极间为，b-c极间为。
A. 扩散电流 B. 漂移电流34、某三极管的极限参数P CM=150mW，I CM=100mA，V（BR）CEO=30V。
若它的工作电压V CE=10V，则工作电流I C不得超过mA（ B. 15mA C. 1mA）；若工作电压V CE=1V，则工作电流不得超过mA（ B. 15mA C. 1mA）；若工作电流I C=1mA，则工作电压不得超过V（A. 30V B. 10V C. 1V）。
三、计算题1.写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
图2.已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
图3 电路如图所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图4 电路如图所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图5 电路如图（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图6现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为。
试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值各为多少（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值各为多少7已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax ＝25mA。
（1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值；（2）若U I＝35V时负载开路，则会出现什么现象为什么图8已知稳压管的稳定电压U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA，最大功耗P ZM＝150mW。
试求图所示电路中电阻R的取值范围。
图9.在图所示电路中，发光二极管导通电压U D＝，正向电流在5～15mA时才能正常工作。
试问：（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光（2）R的取值范围是多少图10电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压U Z＝3V，R的取值合适，u I的波形如图（c）所示。
试分别画出u O1和u O2的波形。
图11.有两只晶体管，一只的β＝200，I CEO＝200μA；另一只的β＝100，I CEO＝10μA，其它参数大致相同。
你认为应选用哪只管子为什么12测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图13.已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。