LED日光灯生产工艺流程图

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10W20WLED日光灯生产工艺流程

10W20WLED日光灯生产工艺流程

10W/20W LED日光灯生产工艺流程生产工艺流程A:LED模块生产B:LED驱动电源生产C:散热组件及光罩生产D:整体组装及测试E:老化F:后测及包装A:LED日光灯模块生产B:LED日光灯驱动电源生产C :散热组件及光罩生产D:整体组装及测试根据设计及工艺文件要求,把A,B,C各组件组装成型,并根据要求进行测试。

E:老化测试合格的成品100%进行老化,试验按【老化工艺文件】进行,通过老化的合格品,抽取5-10%进行振动测试试验,要求见【振动测试工艺文件】F:后测及包装通过老化的该批次产品合格,经最后的电检,装贴铭牌,商标,包装入库。

组装作业指导书组装作业流程A:检查与测试光源基板B:装光源板C:电源焊接D:电源与光源板的连接E:电参数测试F:装堵头G:老化H:成品包装A:检查与测试光源基板操作步骤:1、检查灯板上的灯珠看是否有假焊、空焊、或者是锡多、锡少、焊歪、高低不平等现象2、准备好检查好的光源灯板3、拿起灯板在桌面上轻轻敲打下4、调节好DC电源到相应的电源参数值5、点亮光源灯板,看是否能正常发光工艺要求:1.区分基板灯珠的正负极2.基板灯珠不能出现假焊、虚焊和锡多、锡少等不良现象3.DC电源的参数要与灯板要求参数相一致4.灯板上的灯珠正常发光注意事项:1、灯板上的灯珠不能出现焊接不良等现象2、灯板要进行轻微敲打3、光源灯板上的灯珠是否发光正常4、调节DC电源的参数要与灯板要求参数相对应5、将不良品标识清楚,进行修理B:装光源板操作步骤:1. 把检测好的光源基板装到散热体卡槽位置上调整好光源基板到适当的位置上。

工艺要求:1. 光源基板要平整紧贴于散热体卡槽内2. 光源基板要调整在散热体两边对称的位置上注意事项:1. 注意做好防静电措施C:电源焊接操作步骤:1. 按照BOM清单剪好硅胶线,绝缘套管2. 用导线焊接好电源的输入输出端上3. 套上绝缘套管工艺要求:1. 焊接电源线表面焊点要饱满光滑,没有假焊等现象2. 电源包裹后金属焊盘不能外露注意事项:1. 电源的金属部分不能露空,以防漏电、短路2. 注意分开电源输入、输出正负极连接线。

LED灯生产工艺(DEC)

LED灯生产工艺(DEC)

LED灯生产工艺§1 LED制造流程概述LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长;中游的芯片、电极制作、切割和测试分选;下游的产品封装。

图2.1 LED制造流程图上游中游下游§2 LED芯片生产工艺LED照明能够应用到高亮度领域归功于LED芯片生产技术的不断提高,包括单颗晶片的功率和亮度的提高。

LED上游生产技术是LED行业的核心技术,目前在该技术领先的国家主要日本、美国、韩国,还有我国台湾,而我国大陆在LED上游生产技术的发展比较靠后。

下图为上游外延片的微结构示意图。

图 2.2 蓝光外延片微结构图生产出高亮度LED芯片,一直是世界各国全力投入研制的目标,也是LED发的方向。

目前,利用大功率芯片生产出来的白光1W LED流明值已经达能到150lm之高。

LED上游技术的发展将使LED灯具的生产成本越来越低,更显LED照明的优势。

以下以蓝光LED为例介绍其外延片生产工艺如下:首先在衬低上制作氮化鎵(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。

准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。

常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,以及GaAs、AlN、ZnO等材料。

MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。

通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等品质。

MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备然后是对LED PN结的两个电极进行加工,电极加工也是制作LED芯片的关键工序,包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对LED毛片进行划片、测试和分选,就可以得到所需的LED芯片了。

图2.3 LED生产流程作为LED节能灯光源的大功率LED,它是LED节能灯的核心部分。

大功率LED 的生产工艺如何直接影响LED的性能,进而影响LED灯具的性能,如光衰、光效等。

LED的生产工艺流程及其设备ppt课件

LED的生产工艺流程及其设备ppt课件

LED衬底材料制作--研磨和蚀刻
晶面研磨
通以特定粒度及粘性的研磨液,加 外研磨盘的公转和自转,达到均匀 磨平晶片切片时留下的锯痕、损伤 等不均匀表面。
晶片蚀刻
蚀刻的目的在于除去先前各步机械 加工所造成的损伤,同时获得干净 且光亮的表面,刻蚀化学作用可区 分为酸性及碱性反应。
晶片研磨机
LED衬底材料制作--退火与抛光
按着淀积过程中发生化学的种类不同可以分为热解法 、氧化法、还原法、水解法、混合反应等。
LED外延制作--CVD的优缺点
CVD制备的薄膜最大的特点是致密性好、高效率、良好的台阶 覆、孔盖能力、可以实现厚膜淀积、以及相对的低成本;
缺点是淀积过程容易对薄膜表面形成污染、对环境的污染等 常压CVD(APCVD)的特点是不需要很好的真空度、淀积速度
蓝宝石衬底紫外LED
LED生产工艺流程
蓝宝石衬底白光LED
LED生产工艺流程
所举例子只是一种LED制作工艺, 不同的厂家都有自己独到的一套制作工 艺,各厂家所使用的设备都可能不一样 ,各道工序的作业方式、化学配方等也 不一样,甚至不同的厂家其各道制作工 序都有可能是互相颠倒的。
但是万变不离其宗,其主要的思想 都是一样的:外延片的生长(PN结的 形成)---电极的制作(有金电极,铝电 极,并形成欧姆接触)---封装。
LED外延制作--液相外延的缺点
当外延层与衬底的晶格失配大于1%时生ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ长发生困难。
由于生长速率较快,难以得到纳米厚度 的外延材料。
外延层的表面形貌一般不如汽相外延的 好。
LED外延制作液相外延的生长原理
LED外延制作
液相外延示意图
LED外延制作
实 际 液 相 外 延 设 备

LED T8灯管生产流程图

LED T8灯管生产流程图
包装 入库
玻管吹气清洁 静置
电源、导线加锡
双端-标准型灯头
准 备
裁板
剥线
返工 玻管吹气清洁
静置 电源、导线加锡
铝基板焊线 点亮测试 打胶穿管 装遮蔽圆筒
焊电源 电源装入玻管
穿,焊N极线
返工
功率测试
返工 返工 返工 返工
不合格评审
灯打胶
焊灯头 装灯头
老化线上料
装灯老化
老化检查
取灯 功率测试 外观检查 长度检查
LED T8灯管生产流程图
单端-标准型灯头
准 备
裁板
剥线
铝基板焊线
返工
点亮测试 打胶穿管
返工
返工 返工 返工 返工 不合格评审
装遮蔽圆筒
焊电源
电源装入玻管
功率测试 灯头装保险丝
铆合 灯头打胶
装灯头 铆合灯头 老化线上料
装灯老化
老化检查 取灯
功率测试 外观检查 长度检查
清洁 灯头标签 电源标签 (喷码) 外观检查
清洁 灯头标签 电源标签 (喷码) 外观检查
包装
入库

LED照明灯具生产操作规程

LED照明灯具生产操作规程

一.生产工艺流程及说明北京鑫瑞蓝天科技进展灯具的全部LED 发光体电路部件,都依据“模块化”、“积木化”观念设计,不但简化生产工序、提高生产效率、削减原材料消耗,对物质流、信息流和能量流的规划治理也格外有益。

〔一〕灯体部件生产灯体的部件生产,在灯具车间的主生产线进展。

图1 灯体部件生产流程此工序对环境不产生有害气体和有害废料。

局部金属加工工序产生少量可回收余料。

电子焊接操作产生的松香气体承受分散到每工作台的抽风口排出车间。

车间按平米密度要求配制规定数量的二氧化碳灭火器。

〔二〕灯具装配图2 LED 灯具装配流程此工序在装配线完成。

不产生有害气体和废料。

〔三〕加载老化工序图3 LED 灯具老化工序北京鑫瑞蓝天科技进展生产的全部LED 灯具,都要在灯具车间的“加载室”经受老化工序。

老化时间1h ≤ Ta ≤ 4h。

此工序不产生废料和有害气体。

加载室与生产间有遮光护板,防止强光对环境的干扰;独立的沟通电源调压稳压把握柜;单独配备二氧化碳灭火器2 部;单灯测试位有独立的带过载保护的开关。

灯具架为钢制,配有阻燃衬垫。

此工序不产生废料和有害气体。

〔四〕包装在包装线完成纸盒成型,手工包装或用打包机台包装。

图 4 包装工序〔五〕入库包装好的成品送入成品库。

成品库外门直通装卸台。

〔六〕质检室按公司制定的《产品检测规章》,由公司质检部门,对产品和每批次产品进展抽样极限检测。

进展光照强度、光照角度、环境温度、湿度、淋水浸水、风力、气压、凹凸频多自由度机械震惊、电气绝缘、冲击电压等方面测试。

测试工程和试验强度,依据灯具型号设置。

大局部极限测试,在本公司研制的“LED灯具综合测试箱”内完成,见图5。

图5 北京鑫瑞蓝天科技进展的LED 灯具综合测试箱极限检测,消耗确定数量水、电,没有其它材料损耗,不产生工业污染。

单灯1min 时间的震惊试验产生不高于45 分贝的噪声。

〔七〕修理室检测不合格的产品或用户返修品直接送交修理室。

北京鑫瑞蓝天科技进展的民用等级产品装配工艺,设计成直接可逆的,以利修理。

led灯具生产工艺流程

led灯具生产工艺流程

led灯具生产工艺流程
LED灯具生产工艺流程包括以下几个主要步骤:
1. 光源切片:将LED晶片通过切割机进行切片,将其切成标准的大小。

2. 芯片安装:将切好的晶片通过贴片机贴在电路板上,形成LED 灯珠。

3. 焊接连接:使用自动焊接机将LED灯珠与电池、电容器、电阻等元器件相连接,形成电路。

4. 壳体制作:根据设计图样,将金属或塑料材料加工成灯具壳体。

5. 组装调试:将灯具壳体和电路板进行组装,并进行电路测试和灯组亮度等参数的调试。

6. 灯具包装:使用适当的包装材料对灯具进行包装,标贴上产品名称、型号、规格等信息。

以上就是LED灯具生产的主要流程。

当然,不同厂家的生产工艺可能略有不同。

LED生产流程PPT课件

LED生产流程PPT课件
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一、wafer的减薄过程
Wafer的厚度测量
所用仪器:千分表(单位:um)
测量方法: 1、擦干净陶瓷盘; 2、将陶瓷盘放在千分表的大理石上; 3、移动陶瓷盘,千分表表头接触陶瓷盘 面,归零,找到陶瓷盘的零点位置; 4、将千分表表头接触wafer背表面,读出 的数值即为wafer的厚度。
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一、wafer的减薄过程



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关于研磨抛光破片的几种原因
应力:单位面积上所承受的附加内力,即 材料在受到外力作用,不能位移就会产生 形变,材料内部会产生并聚集抵抗形变的 内力,我们可以理解某点的应力为该点内 力的聚集度。
特点:材料上受到任何的力,热等其他外 在作用力时均会产生应力,晶片研磨后下 蜡出现翘曲即是应力快速释放的结果。
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应力和划痕是破片的主要原因
背面
研磨过程产生应力
的方向
正面
背面
抛光过程产生应力
正面
的方向
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应力和划痕是破片的主要原因
保证晶片没有翘曲即是应力相互抵消,通过控制研磨和抛 光的厚度可以适当的减小晶片的应力,但如果本身晶片的 积累的应力过大,研磨和抛光的作用就不太明显。
研磨不抛光的碎
裂层
研磨后抛光5um 研磨后抛光15um
将欲刻蚀区域采用ITO腐蚀液,水浴33℃,腐蚀7min
23
去光阻
N区P区均显露出来,为下步蒸镀电极做准备
24
ITO熔合
熔合目的:
主要使ITO材料更加密实,透光率增加,降 低电压,使ITO层与GaN衬底形成良好的欧 姆接触。
熔合条件:
温度:500℃,10min
25
N/P电极光罩作业
采用负性胶,未光照区域光刻胶被显影液 去掉,留下电极蒸镀区域。

LED制造工艺流程简介PPT(共 55张)

LED制造工艺流程简介PPT(共 55张)
剥离去除被挡住的部分后烘刻蚀rie和icp?以cf4刻蚀sio2为例说明刻蚀包括化学过程和物理过程化学过程是指反应气体与被刻蚀物质的化学反应物理过程是指离子在电场作用下对被刻蚀物质的物理轰击ecf4cf3fe4fsio2ssif4g2oriereactiveionetching反应离子刻蚀icpinducedcoupledplasma电感耦合等离子体外延材料生长?mocvd记编号放片子反应原理反应方程式nh3h2tmgbubblerreactorchamberchganhgan3ch3334substratesusceptornh3tmg氨气nh3氢气h2三甲基镓源tmg反应管衬底石墨支撑盘gach33vnh3v一gans3ch4v外延层结构外延层主要结构

18、努力也许不等于成功,可是那段追逐梦想的努力,会让你找到一个更好的自己,一个沉默努力充实安静的自己。
点胶
在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于 GaAs、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、黄光、 黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、 绿光LED芯片,采用绝缘胶来固定芯片。)工艺难 点在于点胶量的控制,在胶体高度、点胶位置均有 详细的工艺要求。
由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求,银 胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的 事项。
固化与固化后
固化是指封装环氧的固化,一般环氧固化条件在 135℃,1小时。模压封装一般在150℃,4分钟。
后固化
后固化是为了让环氧充分固化,同时对LED进行热老 化。后固化对于提高环氧与支架(PCB)的粘结强度 非常重要。一般条件为120℃,4小时。
切筋和划片
由于LED在生产中是连在一起的(不是单个), Lamp封装采用切筋切断LED支架的连筋。 SMD-LED则是在一片PCB板上,需要划片机 来完成分离工作。
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