超大规模集成电子学微结构科学. 第3册(杨沁清)思维导图

物理高二第一学期(试用版)-第九章 D 简单逻辑电路课件 _3

“非”逻辑关系
非门
输入输出
A
Y
0
1
1
0
A1 Y
思考：如图是应用非门构成的简易火警报警器示意电路。 R是可变电阻（用于电路调试，经调试后，保持阻值不变），Rt是一个热敏电阻（当热敏电阻温度较低时，它的阻值非常大，即Rt远大于R；当热敏电阻温度较高时，它的阻值就会变得很小，从而远小于电阻R的阻值）， L是电铃，G是非门。请说明工作原理。
u
好像处在一种“是”和“非”的判断之中，因此叫做逻辑电路。 U
0 1 0 0 0 1 1 10 0 1 0 00 1 0 0 1 0 0
t
三、门电路
基本的门电路
与门或门非门
四、简单逻辑电路
规定闭合为“1”，断开
演示实验：探究灯泡的亮、灭与开关断和合的关系。“0”，灯亮“1”，灯灭
“0”
开关S1 断断合
开关S2 断合断
灯泡L 灭灭灭
开关S1 开关S2
0
0
0
1
1
0
灯泡L 0 0 0
合
合
亮
1
1
1
控制条件
控制结果
真值表：罗列各种控制条件和控制结果的表格。
（一）“与”门 “同时”的意思
“与”门的真值表
输入A与输入B均是高电压时，输出Z才是高电压的逻辑电路叫做“与”门。
A B
&
Z
输入 AB 00 01
D 简单逻辑电路
信息技术发展
迅猛第一台计算机（电子管）
第一台晶体管计算机
第一个集成电路
超大规模集成电路
数字化的生活
为什么称之为数字化呢？让我们先来看一下这样两类电信号。

微电子

• 掺杂工艺：扩散、离子注入
（本页内容需理解）
扩散（掌握）
• 扩散是在较高的温度下，杂质原子能够克服阻力进
入半导体，并在其中缓慢运动。扩散总是使杂质从浓度高的地方向浓度低的地方运动。
• 替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位置：
Ⅲ、Ⅴ族元素
• 间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙(应避免) ：
Na、K、Fe、Cu、Au 等元素
当施主数量大于受主时，半导体是n型的；反之，半导体是p型的。
（本页内容需掌握）
（知道）
电导率（conductivity）电阻率（resistivity）
半导体的电导率（电阻率）与载流子浓度 (concentration )（掺杂浓度）和迁移率(mobility )有关。
迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场
BiMOS技术便是把双极器件和CMOS 器件同时集成在同一芯片上，取长补短，集中了双极晶体管
和CMOS器件的优点。在BiMOS技术中，利用CMOS 器件制作高集成度、低功耗的部分，而利用双极器件制作输入和输出部分或者高速部分。
第四章
集成电路工艺
• 前工序（掌握）集成电路中三大工艺技术：
图形转换：光刻与刻蚀掺杂：扩散与离子注入、退火制膜：氧化、CVD、PVD
场效应管 FET (field-effect-transistor)（掌握）电压控制器件 “单极”晶体管：导电过程涉及一种载流子
绝缘栅型场效应晶体管（Insulated Gate FET，IGFET）又称：金属一绝缘体一半导体场效应晶体管（Metal Insulator Semiconductor FET，MISFET）又称：金属一氧化物一半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor FET，MOSFET）

半导体材料教程

《半导体集成电路》课程教学教案山东大学信息科学与工程学院电子科学与技术教研室(微电)张新课程总体介绍：1．教材：选用上海科技出版社出版的，由电子工业部教材办公室组织编写的高等学校教材《半导体集成电路》一书。

该教材参考教学学时为120学时。

2．目前实际教学学时数：课内66+实验6，共计72学时。

3．教学内容：(按72学时删减)第一篇双极型逻辑集成电路 26学时第一章集成电路的寄生效应（含序论） 7学时第二章 TTL集成电路 12学时第三章 TTL中大规模集成电路 3学时第四章 TTL电路版图设计 4学时第二篇 MOS 逻辑集成电路 26学时有关MOS管+前言 3学时第六章 nMOS 逻辑集成 9学时第七章 CMOS集成电路 8学时第八章动态,准静态MOS电路简介 2学时第九章 MOS集成电路版图设计 4学时第三篇模拟集成电路 20学时第十一章模拟集成电路中的特殊元件 8学时第十二章模拟集成电路中的基本单元 9学时第十三章集成运算放大器简介 3学时课程教案:序言 1学时内容:1 集成电路1.1 集成电路定义1.2 集成电路特点1.3 集成电路分类2半导体集成电路2.1 半导体集成电路分类2.2 有关半导体集成电路的集成度2.3 半导体集成电路的优缺点3课程内容介绍及参考书课程重点：介绍了何谓集成电路，集成电路是如何分类的（即可分为膜集成电路.半导体集成电路和混合集成电路），集成电路有何特点；介绍了何谓半导体集成电路，半导体集成电路的分类（即按照电路中晶体管的导电载流子状况分类，可分为双极型集成电路和单极型集成电路两种；按照电路工作性质分类，可分为数字集成电路和模拟集成电路两种），半导体集成电路的重要概念-集成度，以及半导体集成电路的优点（即体积小重量轻；技术指标先进可靠性高以及便于大批量生产和成本低等）。

最后给出了课程总体内容介绍，并给出了有关参考书。

课程难点：有关半导体集成电路的定义，不同方法的分类；有关半导体集成电路集成度的两种定义方法，以及半导体集成电路的最突出的优点。

中国科学院大学段成华 VLSI 超大规模集成电路期末复习笔记(1到10章)

MOS 管耗尽区电荷以及宽度
阈值电压的定义，饱和区线性区等阶段的电流
阈值电压：强反型发生时
饱和区：与 Vgs-Vt 平方成正比
线性区：
ID

n
(VGS
VT
)VDS

VDS 2
2

Vds 较小时忽略平方项，就是线性关系
沟调效应
增加 Vds 会使漏结的耗尽区变大，缩小了有效沟道长度。影响为：Vds 会增大 ID
Vdd Vdd 0 'Supply' VgspVdd gatep dc='Supply' Vgsngaten Gnd dc='Supply'
.dc Vgsp0 'Supply' 'Supply/20' .dc Vgsn0 'Supply' 'Supply/20'
.print dc I1(mp) .print dc I1(mn)
* Set TSMC 0.18um library
*.model pch PMOS level=49 version = 3.1 *.model nch NMOS level=49 version = 3.1
.options list node post measout * Option List: Prints a list of netlist elements, node connections, and values for components, voltage and current sources, parameters, and more. * Option Node: Prints a node cross-reference table. * Option Post: Saves simulation results for viewing by an interactive waveform viewer. * Option Measout: Outputs .MEASURE statement values and sweep parameters into an ASCII file.

《超大规模集成电路物理设计：从图分割到时序收敛》随笔

《超大规模集成电路物理设计：从图分割到时序收敛》读书笔记目录一、内容概览 (1)二、关于本书的背景知识介绍 (2)三、内容概览 (3)3.1 主要章节概述 (4)3.2 重点概念解析 (6)四、详细读书笔记 (7)五、本书中的关键观点和论点分析 (8)5.1 关于超大规模集成电路物理设计的关键观点 (10)5.2 书中论点的深度分析 (11)六、比较与评价 (13)6.1 本书与其他相关书籍的比较 (14)6.2 本书的优点与不足评价 (15)七、实践应用与案例分析 (16)7.1 书中理论在实际设计中的应用 (18)7.2 案例分析 (19)八、总结与心得体会 (21)8.1 本书的主要收获和启示 (22)8.2 个人对超大规模集成电路物理设计的未来展望 (23)一、内容概览《超大规模集成电路物理设计：从图分割到时序收敛》是一本深入探讨超大规模集成电路（VLSI）物理设计过程的著作。

本书从图分割的基本原理出发，详细阐述了集成电路设计的各个阶段，包括布局、布线、时序分析和验证等。

在图分割部分，本书介绍了如何将复杂的集成电路设计问题简化为更易于处理的子问题。

通过图论和计算机辅助设计（CAD）技术，作者提出了一系列高效的图分割算法，从而为后续的物理设计过程奠定了坚实的基础。

在布局阶段，本书重点讨论了如何根据电路结构和约束条件选择合适的布局算法。

作者详细分析了不同布局策略的优缺点，并提出了针对复杂电路的优化方法。

布线是集成电路设计中的关键步骤之一，本书介绍了多种布线算法，包括基于启发式的布线方法、基于物理约束的布线方法和基于人工智能技术的布线方法等。

作者还探讨了布线过程中的优化问题和挑战。

时序分析是确保集成电路正常工作的关键环节，本书详细阐述了时序分析的基本原理和方法，包括静态时序分析、动态时序分析和时序收敛等。

作者通过理论分析和实例验证，介绍了如何有效地进行时序分析和优化，以确保设计的集成电路具有良好的时序性能。

人教版高中物理选择性必修第3册第4章 3 原子的核式结构模型

初中物理：所有章节思维导图！全面系统，考前必看！

初中物理：所有章节思维导图！全面系统，考前必看！我是一只初中物理老师。

每天会发一篇：（1）我2009年12月至今的教学经验，所写的考试提分方法；（2）优秀家长将落后孩子培养进步的真实经历，经验总结；（3）学霸孩子自己的学习心得。

我是柴森，我在西城，我爱大北京！柴森：此文来自网络，非原创。

思维导图，知识点一目了然。

建议使用iPad观看，或查看原图在手机上放大阅读。

初中阶段所学的物理知识，可以分成五个部分：声、光、电、力、热。

声学部分：1章1、声现象光学部分：2章1、光现象2、透镜及其应用电学部分：7章1、电流和电路2、电压和电阻3、欧姆定律（电流与电压、电阻的关系）说明：所谓纯电阻电路就是将电能转化为内能的电路。

比如电阻、电灯。

而非纯电阻电路还会把电能转化为其他形式的能。

比如电风扇、电动机会把电能转化成大部分的机械能和一小部分的内能（电器发热）此时，电流和电压、电阻的关系就不适用欧姆定律。

4、电能与电功率5、电热与安全用电6、电与磁的关系7、信息的传递力学部分：7章1、质量和密度2、运动和力的关系说明：物理学中所谓运动状态是指物体运动速度，包含速度大小和速度方向。

只要有一个改变了，就算运动状态改变。

比如做匀速圆周运动（速度大小不变，而方向时刻改变）的物体，即他的运动状态是改变的，因此可以判断它受到的力肯定不是平衡力。

3、常见的力：重力、弹力、摩擦力4、简单机械：杠杆和滑轮说明：平衡的杠杆既满足合力为0，也满足杠杆平衡条件。

5、压强6、浮力浮力产生的原因：流体对物体的各个方向压力的合力7、功功率机械能热学部分：3章1、物态变化2、热和能3、能源与可持续发展tips：1、各位同学可以选择自己即将考试的内容查看哦。

比如中考复习的同学可以参考最新的中考说明把相关知识点结合此思维导图看。

2、看的过程中要尝试回忆公式和定律，如果想不起来，就要查看书和笔记，争取记住。

3、祝大家中考、期末取得好成绩！—————————————————我是一个网课小老师，我相信：只要懂题型方法，每个孩子都能大幅提高。

模拟电子基础-清华大学-全套完整版演示教学

2. 实践性
➢ 常用电子仪器的使用方法 ➢ 电子电路的测试方法 ➢ 故障的判断与排除方法 ➢ EDA软件的应用方法
华成英 hchya@
五、如何学习这门课程
1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法
➢ 基本概念：概念是不变的，应用是灵活的， “万变不离其宗”。 ➢ 基本电路：构成的原则是不变的，具体电路是多种多样的。 ➢ 基本分析方法：不同类型的电路有不同的性能指标和描述方法，因而有不同的分析方法。 2. 注意定性分析和近似分析的重要性 3. 学会辩证、全面地分析电子电路中的问题 ➢ 根据需求，最适用的电路才是最好的电路。 ➢ 要研究利弊关系，通常“有一利必有一弊”。 4. 注意电路中常用定理在电子电路中的应用
以及将所学知识用于本专业的能力。
注重培养系统的观念、工程的观念、科技进步的观念和创新意识，学习科学的思维方法。提倡快乐学习！
华成英 hchya@
七、考查方法
1. 会看：读图，定性分析考查分析问题的能力
2. 会算：定量计算 3. 会选：电路形式、器件、参数
考查解决问题的能力－－设计能力 4. 会调：仪器选用、测试方法、故障诊断、EDA
考查解决问题的能力－－实践能力
综合应用所学知识的能力
清华大学华成英 hchya@
华成英 hchya@
第一章半导体二极管和三极管
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第一章半导体二极管和三极管
§1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 晶体三极管
华成英 hchya@
六、课程的目的
本课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习，使学生获得模拟电子技术方面的基础知识、基础理论和基本技能，为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。 1. 掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。 2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，

超大规模集成电子学 微结构科学. 第3册(杨沁清)思维导图

物理高二第一学期(试用版)-第九章 D 简单逻辑电路 课件 _3

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